本公開涉及組合了對(duì)粘附在基板的主面的樹脂膜進(jìn)行圖案化的工序和對(duì)基板進(jìn)行等離子體處理的工序的等離子體處理方法。

背景技術(shù)：

使用了層壓掩模(例如，干膜抗蝕劑)的圖案化用于簡化半導(dǎo)體電路、電子電路等的制造工序，在多方面要求應(yīng)用該圖案化。但是，在將層壓掩模粘附到基板的主面的工序中，在層壓掩模與基板的主面之間容易介入空氣，會(huì)不可避免地形成微小的空隙(參照專利文獻(xiàn)1)。為了減少這種現(xiàn)象，需要在高度減壓的環(huán)境中進(jìn)行粘附工序，但是這會(huì)導(dǎo)致成本的上升、工序的復(fù)雜化。此外，層壓掩模其本身在表面就具有微小的凹凸，在基板的主面也可能存在微小的凹凸。因此，原理上難以避免在層壓掩模與基板的主面之間形成空隙的現(xiàn)象。

在不要求精細(xì)的蝕刻的領(lǐng)域中，層壓掩模與基板的主面之間的微小的空隙不會(huì)成為問題。但是，在要求精細(xì)的蝕刻的情況下，在存在空隙的區(qū)域中，將成為掩模的至少一部分從基板的主面上浮的狀態(tài)。因此，在后續(xù)的蝕刻工序中，基板的額外的部分會(huì)被蝕刻，容易產(chǎn)生最終產(chǎn)品的不良。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開平3-141358號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開涉及的發(fā)明的目的在于，以簡易的工序、用精細(xì)的圖案對(duì)基板進(jìn)行蝕刻。

本公開涉及的發(fā)明的一個(gè)方面涉及等離子體處理方法，包括以下的工序。即，該等離子體處理方法包括：粘附工序，在具備第一主面和第一主面的相反側(cè)的第二主面的基板的第一主面粘附樹脂膜；以及圖案化工序，對(duì)樹脂膜進(jìn)行圖案化，從而形成具有使基板的被處理區(qū)域露出的開口部的掩模。此外，等離子體處理方法包括：第一等離子體工序，在包含第一氣體的減壓環(huán)境中生成第一氣體的第一等離子體，并使掩模暴露于所述第一等離子體，從而減少掩模與第一主面之間的空隙。進(jìn)而，等離子體處理方法包括：第二等離子體工序，在包含第二氣體的環(huán)境中用第二氣體生成第二等離子體，并使從開口部露出的被處理區(qū)域暴露于第二等離子體，從而對(duì)被處理區(qū)域進(jìn)行蝕刻。

發(fā)明效果

根據(jù)本公開涉及的發(fā)明的等離子體處理方法，即使在將樹脂膜粘附到基板的主面時(shí)有微小的空隙介于樹脂膜與基板的主面之間的情況下，也能夠用精細(xì)的圖案對(duì)基板進(jìn)行蝕刻。

附圖說明

圖1是示意性地示出在本公開的實(shí)施方式涉及的等離子體處理方法中使用的等離子體處理裝置的一個(gè)例子的構(gòu)造的概略剖視圖。

圖2a是示意性地示出本公開的實(shí)施方式涉及的等離子體處理方法的一個(gè)工序的工序圖。

圖2b是示意性地示出本公開的實(shí)施方式涉及的等離子體處理方法的一個(gè)工序的工序圖。

圖2c是示意性地示出本公開的實(shí)施方式涉及的等離子體處理方法的一個(gè)工序的工序圖。

圖2d是示意性地示出本公開的實(shí)施方式涉及的等離子體處理方法的一個(gè)工序的工序圖。

圖2e是示意性地示出本公開的實(shí)施方式涉及的等離子體處理方法的一個(gè)工序的工序圖。

圖2f是示意性地示出本公開的實(shí)施方式涉及的等離子體處理方法的一個(gè)工序的工序圖。

圖3a是示意性地示出本公開的實(shí)施方式涉及的另一個(gè)等離子體處理方法的一個(gè)工序的工序圖。

圖3b是示意性地示出本公開的實(shí)施方式涉及的另一個(gè)等離子體處理方法的一個(gè)工序的工序圖。

圖3c是示意性地示出本公開的實(shí)施方式涉及的另一個(gè)等離子體處理方法的一個(gè)工序的工序圖。

圖3d是示意性地示出本公開的實(shí)施方式涉及的另一個(gè)等離子體處理方法的一個(gè)工序的工序圖。

圖3e是示意性地示出本公開的實(shí)施方式涉及的另一個(gè)等離子體處理方法的一個(gè)工序的工序圖。

圖3f是示意性地示出本公開的實(shí)施方式涉及的另一個(gè)等離子體處理方法的一個(gè)工序的工序圖。

符號(hào)說明

10、10a：基板(半導(dǎo)體基板)

10s、10sa：第一主面

10r：第二主面

r1：元件區(qū)域

r2：被處理區(qū)域

11、11a：元件芯片

20：運(yùn)輸載體

21：框架

22：保持片

23：空隙

24：凹部

30：樹脂膜

30m：掩模

30w：開口部

200：等離子體處理裝置

203：真空腔

203a：氣體導(dǎo)入口

203b：排氣口

208：電介質(zhì)構(gòu)件

209：天線

210a：第一高頻電源

210b：第二高頻電源

211：載置臺(tái)

212：工藝氣體源

213：灰化氣體源

214：減壓機(jī)構(gòu)

215：電極層

216：金屬層

217：基臺(tái)

218：外周部

219：esc電極

220：高頻電極部

221：升降桿

222：支承部

223a、223b：升降機(jī)構(gòu)

224：蓋

224w：窗部

225：冷媒循環(huán)裝置

226：直流電源

227：冷媒流路

228：控制裝置

229：外周環(huán)

具體實(shí)施方式

本公開的實(shí)施方式涉及的等離子體處理方法包括在具備第一主面及其相反側(cè)的第二主面的基板的第一主面粘附樹脂膜的工序(粘附工序)。粘附工序并不是涂敷液體狀的抗蝕劑而形成樹脂層的工序，而是將預(yù)先準(zhǔn)備的樹脂膜粘附到基板的第一主面的工序。此時(shí)，在樹脂膜與第一主面之間可能會(huì)形成微小的空隙，但是能夠在后續(xù)的第一等離子體工序中使空隙減少，因此無需在減壓環(huán)境中進(jìn)行粘附工序。

樹脂膜只要具有能夠附著到基板的第一主面的粘接性即可，樹脂膜的種類、構(gòu)造等沒有特別限定。樹脂膜可以只包括具有粘接性的粘接層，但是為了提高操作性，也可以具有基材片。通常，使用保持在基材片的粘接層，在將粘接層粘附到基板的第一主面之后，可剝掉基材片。在該情況下，樹脂膜僅由粘接層構(gòu)成。

樹脂膜可以使用將聚乙烯醇(pva)、丙烯酸系糊劑等作為基底材料的不具有感光性的粘接層，也可以使用具有感光性的粘接層(抗蝕劑層)。其中，尤其是保持在基材片的抗蝕劑層(干膜抗蝕劑)，因?yàn)楦鞣N種類在市面上均有銷售，所以能夠容易地得到。

基材片例如可使用聚酯膜。在是市面上銷售的干膜抗蝕劑的情況下，粘接層具有被覆蓋膜覆蓋的三層構(gòu)造。覆蓋膜例如可使用聚乙烯膜。另外，關(guān)于基材片的材質(zhì)，除了上述的聚酯以外，也可以是聚氯乙烯(pvc)、聚乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯等。

作為蝕刻的對(duì)象的基板可以是各種電路構(gòu)件，因此沒有特別限定，可舉出像硅晶片那樣的半導(dǎo)體基板、像可撓性印刷基板那樣的樹脂基板、陶瓷基板等。作為構(gòu)成半導(dǎo)體基板的半導(dǎo)體，例如可舉出硅(si)、砷化鎵(gaas)、氮化鎵(gan)、碳化硅(sic)等。

半導(dǎo)體基板可以在其第一主面具有電路層。電路層至少包括絕緣膜，除此以外，還可以包括金屬材料、樹脂保護(hù)層、電極焊盤等。也可以作為與布線用的金屬材料的層疊體(多層布線層)而包括絕緣膜。絕緣膜例如包含二氧化硅(sio2)、氮化硅(si3n4)、低介電常數(shù)膜(low-k膜)、聚酰亞胺等的樹脂膜、鉭酸鋰(litao3)、鈮酸鋰(linbo3)等。

接下來，進(jìn)行對(duì)樹脂膜進(jìn)行圖案化而在樹脂膜形成使基板的被處理區(qū)域露出的開口部的工序(圖案化工序)。圖案化工序是用樹脂膜形成具有開口部的掩模的工序，其方法沒有特別限定。

在使用干膜抗蝕劑的情況下，在圖案化工序中，例如可以通過濕式蝕刻除去樹脂膜的與掩模的開口部對(duì)應(yīng)的部分。濕式蝕刻是如下的工序，即，在用所希望的圖案對(duì)粘附在基板的第一主面的樹脂膜或抗蝕劑層進(jìn)行曝光之后，將抗蝕劑層浸在蝕刻液中而形成具有開口部的掩模。抗蝕劑層的類型可以是正型，也可以是負(fù)型。

在使用不具有感光性的樹脂膜或粘接層的情況下，在圖案化工序中，例如可以利用激光進(jìn)行劃刻而除去樹脂膜或粘接層的與掩模的開口部對(duì)應(yīng)的部分。

接下來，在具有通過圖案化形成的掩模的基板的周圍形成包含第一氣體的減壓環(huán)境。接下來，進(jìn)行如下工序(第一等離子體工序)，即，生成第一氣體的第一等離子體，并使掩模暴露于第一等離子體，從而減少掩模與第一主面之間的空隙。通過使掩模在減壓環(huán)境中暴露于第一等離子體，從而空氣至少會(huì)從存在于掩模的開口部的附近的空隙內(nèi)流出，可矯正掩模從基板的第一主面的上浮。由此，可提高基板的第一主面與掩模的密接性。因而，在后續(xù)的蝕刻工序中，可抑制基板的額外的部分的蝕刻，能夠進(jìn)行精細(xì)的蝕刻。如果在掩模在掩模的開口部的附近從基板的第一主面上浮的狀態(tài)下進(jìn)行蝕刻，則在第一主面的與掩模分離的部分也會(huì)進(jìn)行蝕刻，難以進(jìn)行精細(xì)的蝕刻。

在第一等離子體工序中，優(yōu)選使掩模的至少一部分軟化。由此，可進(jìn)一步提高基板的第一主面與掩模的密接性。為此，可以用第一等離子體對(duì)掩模進(jìn)行加熱，直至掩模的至少一部分達(dá)到軟化溫度以上。在掩模為粘接層或抗蝕劑層的情況下，希望控制第一等離子體對(duì)掩模進(jìn)行加熱，使得掩模的溫度為60℃～110℃，優(yōu)選為80℃～100℃。根據(jù)需要，也可以對(duì)第一等離子體施加朝向基板的方向的偏置。

第一氣體優(yōu)選不具有化學(xué)作用。因而，第一氣體優(yōu)選包含選自由氬、氧、氮以及氦構(gòu)成的組的至少一種。此時(shí)，包含第一氣體的減壓環(huán)境的壓力例如可以為0.1pa～100pa，優(yōu)選為0.5pa～20pa。

接下來，在第一等離子體處理后的基板的周圍形成包含第二氣體的環(huán)境。接下來，進(jìn)行如下工序(第二等離子體工序)，即，用第二氣體生成第二等離子體，并使從開口部露出的被處理區(qū)域暴露于第二等離子體，從而對(duì)被處理區(qū)域進(jìn)行蝕刻。此時(shí)，在相同的空間內(nèi)連續(xù)進(jìn)行第一等離子體工序和第二等離子體工序?qū)⒏行В莾?yōu)選的。第一等離子體工序和第二等離子體工序例如在干式蝕刻裝置具備的腔的內(nèi)側(cè)的處理空間中進(jìn)行。

第二氣體可以與第一氣體相同，也可以不同。即，可以用與第一等離子體相同的條件產(chǎn)生第二等離子體。但是，通常減少掩模與第一主面之間的空隙所需的第一等離子體的條件與對(duì)被處理區(qū)域進(jìn)行蝕刻所需的第二等離子體的條件不同。第二氣體的種類、壓力、第二等離子體的條件等可根據(jù)進(jìn)行蝕刻的基板的種類適宜地進(jìn)行選擇。

在第二等離子體工序中，例如利用第二等離子體將被處理區(qū)域從第一主面蝕刻至第二主面，從而將基板單片化。這樣的工序適合于例如使用干式蝕刻裝置的半導(dǎo)體基板的等離子體切割。

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的等離子體處理方法的一個(gè)例子進(jìn)行說明。首先，參照?qǐng)D1對(duì)進(jìn)行第一等離子體工序和第二等離子體工序時(shí)使用的等離子體處理裝置的一個(gè)例子進(jìn)行說明。但是，等離子體處理裝置不限定于此。

等離子體處理裝置200具備真空腔203，在真空腔203的內(nèi)側(cè)的處理空間具備載置臺(tái)211。在真空腔203設(shè)置有氣體導(dǎo)入口203a和排氣口203b。在氣體導(dǎo)入口203a分別連接有工藝氣體源212和灰化氣體源213。在排氣口203b連接有減壓機(jī)構(gòu)214，減壓機(jī)構(gòu)214包括對(duì)真空腔203內(nèi)的氣體進(jìn)行排氣而進(jìn)行減壓的真空泵。

在載置臺(tái)211載置保持在運(yùn)輸載體20的基板10。運(yùn)輸載體20由環(huán)狀的框架21和保持片22構(gòu)成，框架21對(duì)保持片22的周圍進(jìn)行固定。保持片22具有用于粘附基板10的第二主面的粘接面。在載置臺(tái)211的外周配置有通過升降機(jī)構(gòu)223a進(jìn)行升降驅(qū)動(dòng)的多個(gè)支承部222，搬入到真空腔203內(nèi)的運(yùn)輸載體20交接給支承部222，并搭載到載置臺(tái)211上。

在載置臺(tái)211的上方配置有至少覆蓋框架21并且具有使基板10露出的窗部224w的蓋224。蓋224與多個(gè)升降桿221連結(jié)，并通過升降機(jī)構(gòu)223b進(jìn)行升降驅(qū)動(dòng)。真空腔203的上部被電介質(zhì)構(gòu)件208封閉，在電介質(zhì)構(gòu)件208的上方作為上部電極而配置有天線209。天線209與第一高頻電源210a連接。

載置臺(tái)211具備從上方依次配置的電極層215、金屬層216以及基臺(tái)117，它們被外周部218包圍，在外周部218的上表面配置有保護(hù)用的外周環(huán)229。在電極層215的內(nèi)部配置有靜電吸附用的電極部(esc電極)219和與第二高頻電源210b連接的高頻電極部220。esc電極219與直流電源226連接。通過對(duì)高頻電極部220施加高頻電力，從而能夠一邊施加偏置電壓一邊進(jìn)行第一等離子體工序和/或第二等離子體工序。在金屬層216內(nèi)形成有用于冷卻載置臺(tái)211的冷媒流路227，冷媒通過冷媒循環(huán)裝置225進(jìn)行循環(huán)。

控制裝置228對(duì)包括第一高頻電源210a、第二高頻電源210b、工藝氣體源212、灰化氣體源213、減壓機(jī)構(gòu)214、冷媒循環(huán)裝置225、升降機(jī)構(gòu)223a、升降機(jī)構(gòu)223b以及靜電吸附機(jī)構(gòu)的等離子體處理裝置200的動(dòng)作進(jìn)行控制。

接下來，參照?qǐng)D2所示的示意性的方案對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的等離子體處理方法的一個(gè)例子進(jìn)行說明。在此，對(duì)作為基板而使用硅晶片那樣的半導(dǎo)體基板且在第二等離子體工序中將半導(dǎo)體基板單片化的情況進(jìn)行說明。但是，本發(fā)明涉及的等離子體處理方法不限定于此。

首先，準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板10(圖2a)。半導(dǎo)體基板10具備多個(gè)元件區(qū)域r1和劃分多個(gè)元件區(qū)域r1的被處理區(qū)域r2。半導(dǎo)體基板10的第一主面10s的相反側(cè)的第二主面10r可以從該時(shí)間點(diǎn)起就粘附到運(yùn)輸載體20的保持片22，但是是否粘附到保持片22是任意的。半導(dǎo)體基板10可以是保持在保持片22的狀態(tài)，也可以不保持在保持片22。

半導(dǎo)體基板10的大小沒有特別限定，例如最大直徑為50mm～300mm左右。半導(dǎo)體基板10的形狀也沒有特別限定，例如是圓形、方形。絕緣膜或多層布線層的厚度沒有特別限定，例如是2～10μm。可以在半導(dǎo)體基板10設(shè)置定向平面(orientationflat)、凹口等缺口(均未圖示)?？梢栽谠^(qū)域r1的表面形成半導(dǎo)體電路、電子部件元件、mems等的電路層(均未圖示)。

接下來，進(jìn)行在半導(dǎo)體基板10的第一主面10s粘附樹脂膜30的工序(圖2b)。樹脂膜30其本身在表面具有微小的凹凸，在半導(dǎo)體基板10的主面10s也可能存在微小的凹凸。因此，在樹脂膜30與半導(dǎo)體基板10的第一主面10s之間會(huì)不可避免地形成空隙23。在第一主面10s粘附樹脂膜30的工序無需在減壓環(huán)境中進(jìn)行，但是也可以在例如0.1pa～100pa左右的減壓環(huán)境中進(jìn)行。

接下來，進(jìn)行用樹脂膜30形成具有使半導(dǎo)體基板10的被處理區(qū)域r2露出的開口部30w的掩模30m的圖案化工序(圖2c)。在樹脂膜30具有基材片和粘接層的情況下，可以在將樹脂膜30粘附到基板的第一主面之后剝掉基材片，僅用粘接層形成掩模30m。

在圖案化工序中，樹脂膜或粘接層30中的覆蓋被處理區(qū)域r2的部分被除去，從而形成開口部30w。在圖案化工序中，例如，利用激光進(jìn)行劃刻，從而可除去樹脂膜30的覆蓋被處理區(qū)域r2的部分。另外，如果是半導(dǎo)體基板10未保持在保持片22的狀態(tài)，則也可以在用給定的圖案對(duì)樹脂膜30進(jìn)行曝光之后進(jìn)行用蝕刻液進(jìn)行顯影的濕式蝕刻工序。

通過圖案化工序，形成在元件區(qū)域r1覆蓋第一主面10s且在被處理區(qū)域r2使第一主面10s露出的掩模30m。掩模30m的厚度例如能夠設(shè)為5μm～80μm。被處理區(qū)域r2的最小寬度(即，開口部30w的最小寬度)取決于掩模的厚度、掩模的種類、圖案化方法等，例如為20μm～40μm。

接下來，具有掩模30m的半導(dǎo)體基板10以保持在運(yùn)輸載體20的保持片22的狀態(tài)搬入到如圖1所示的等離子體處理裝置具備的真空腔203的內(nèi)側(cè)的處理空間，并載置到載置臺(tái)211上。

(第一等離子體工序)

接下來，從工藝氣體源212經(jīng)由氣體導(dǎo)入口203a對(duì)真空腔203內(nèi)的處理空間導(dǎo)入第一氣體。第一氣體的組成沒有特別限定，但是例如優(yōu)選為氬氣。

當(dāng)對(duì)esc電極219供給電力時(shí)，保持片22密接于載置臺(tái)211。接下來，當(dāng)從第一高頻電源210a對(duì)隔著電介質(zhì)構(gòu)件208配置在上部的天線209供給電力時(shí)，會(huì)生成磁場，由第一氣體生成第一等離子體。此時(shí)，處理空間內(nèi)的壓力可以設(shè)定為例如0.1pa～100pa。通過在減壓環(huán)境中利用第一等離子體對(duì)掩模30m進(jìn)行加熱，從而如圖2d所示，介于掩模30m與半導(dǎo)體基板10的第一主面10s之間的空隙減少或被除去，可提高掩模30m與第一主面10s的密接性。

(第二等離子體工序)

繼第一等離子體工序之后，從工藝氣體源212經(jīng)由氣體導(dǎo)入口203a對(duì)真空腔203的內(nèi)側(cè)的處理空間導(dǎo)入第二氣體。接下來，當(dāng)從第一高頻電源210a對(duì)天線209供給電力時(shí)，會(huì)生成磁場，由第二氣體生成第二等離子體。第二等離子體工序是對(duì)被處理區(qū)域r2進(jìn)行蝕刻而對(duì)半導(dǎo)體基板10進(jìn)行切割而進(jìn)行單片化的工序。

第二等離子體工序中的蝕刻條件能夠根據(jù)半導(dǎo)體基板10的材質(zhì)而適宜地進(jìn)行選擇。在半導(dǎo)體基板10為硅的情況下，能夠使用所謂的波希法對(duì)被處理區(qū)域r2進(jìn)行蝕刻。在波希法中，依次重復(fù)沉積膜形成步驟、沉積膜蝕刻步驟、以及硅蝕刻步驟。由此，能夠在深度方向上挖入被處理區(qū)域r2。

在沉積膜形成步驟中，例如可以作為原料氣體以150～250sccm供給c4f8，同時(shí)將處理空間內(nèi)的壓力調(diào)整為15pa～25pa，并且將第一高頻電源210a對(duì)天線209的投入功率設(shè)為1500～2500w，將第二高頻電源210b對(duì)高頻電極部220的投入功率設(shè)為0w，將處理時(shí)間設(shè)為5～15秒。另外，sccm是流量的單位，1sccm是一分鐘流過1cm³的標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)(0℃、一個(gè)大氣壓)的氣體的量。

在沉積膜蝕刻步驟中，例如，可以作為原料氣體以200～400sccm供給sf6，同時(shí)將處理空間內(nèi)的壓力調(diào)整為5pa～15pa，并且將第一高頻電源210a對(duì)天線209的投入功率設(shè)為1500～2500w，將第二高頻電源210b對(duì)高頻電極部220的投入功率設(shè)為100～300w，將處理時(shí)間設(shè)為2～10秒。

在硅蝕刻步驟中，例如，可以作為原料氣體以200～400sccm供給sf6，同時(shí)將處理空間內(nèi)的壓力調(diào)整為5pa～15pa，并且將第一高頻電源210a對(duì)天線209的投入功率設(shè)為1500～2500w，將第二高頻電源210b對(duì)高頻電極部220的投入功率設(shè)為50～200w，將處理時(shí)間設(shè)為10～20秒。

通過以上述的條件重復(fù)沉積膜形成步驟、沉積膜蝕刻步驟、以及硅蝕刻步驟，從而能夠以例如10μm/分鐘的速度挖入硅基板。

優(yōu)選一邊對(duì)esc電極219施加電壓而使保持片22吸附于載置臺(tái)211一邊進(jìn)行第二等離子體工序。半導(dǎo)體基板10的被處理區(qū)域r2被第二等離子體從第一主面10s蝕刻至第二主面10r，從而被單片化。即，半導(dǎo)體基板10通過第二等離子體工序被分割為具備元件區(qū)域r1的多個(gè)元件芯片11(圖2e)。

(灰化工序)

接下來，可以進(jìn)行除去掩模30m的灰化工序(圖2f)。能夠在進(jìn)行了第二等離子體工序的處理空間內(nèi)繼續(xù)進(jìn)行灰化工序。灰化用的工藝氣體(例如，氧氣)從灰化氣體源213經(jīng)由氣體導(dǎo)入口203a導(dǎo)入到處理空間內(nèi)。當(dāng)對(duì)維持為給定壓力的處理空間內(nèi)供給高頻電力時(shí)，會(huì)產(chǎn)生等離子體，可從元件芯片11的表面除去掩模30m。

接下來，圖3示意性地示出本公開的實(shí)施方式涉及的另一個(gè)等離子體處理方法的方案。本發(fā)明涉及的等離子體處理方法是在對(duì)如圖3a所示地在第一主面10sa具有多個(gè)凹凸的基板10a進(jìn)行蝕刻的情況下有用的處理。

在基板10a在第一主面10sa具有多個(gè)凹凸的情況下，在將樹脂膜30粘附到第一主面10sa時(shí)，在樹脂膜30與第一主面10sa之間會(huì)由于許多的凹部24而形成許多的空隙(圖3b)。當(dāng)在這樣的狀態(tài)下對(duì)樹脂膜30進(jìn)行圖案化時(shí)，形成的掩模30m與基板10a的第一主面10sa的接合區(qū)域會(huì)非常小，掩模30m的上浮程度會(huì)增大(圖3c)。如果在該時(shí)間點(diǎn)通過第一等離子體工序?qū)ρ谀?0m進(jìn)行加熱，則如圖3d所示，會(huì)產(chǎn)生掩模30m的一部分(特別是粘接層)軟化而填充到第一主面10sa的凹部24的現(xiàn)象。由此，可顯著提高掩模30m與第一主面10sa的密接性。因而，接下來進(jìn)行的第二等離子體工序不會(huì)受到多個(gè)凹凸的影響，基板10a不易被額外地蝕刻(圖3e)。在該情況下，如果進(jìn)行灰化工序，則由填充到第一主面10sa的掩模30m構(gòu)成的構(gòu)件也會(huì)被除去，因此可得到維持了初始的第一主面10sa的凹凸的元件芯片11a(圖3f)。

本發(fā)明的等離子體處理方法例如在粘附干膜抗蝕劑那樣的樹脂膜而形成掩模并且接著用精細(xì)的圖案進(jìn)行蝕刻的情況下是有用的。