技術(shù)特征：

1.一種波長可調(diào)、功率可調(diào)的硅基外腔激光器，其特征在于，包括：光源、第一硅基光耦合器、第一多模干涉儀、第二多模干涉儀、第一硅基微環(huán)濾波器和第二硅基微環(huán)濾波器，所述光源的輸出端連接第一硅基光耦合器的輸入端，第一硅基光耦合器的輸出端連接第一多模干涉儀，第一多模干涉儀的輸出端分別連接第一硅基微環(huán)濾波器和第二硅基微環(huán)濾波器的輸入端，第一硅基微環(huán)濾波器和第二硅基微環(huán)濾波器之間設(shè)置第二多模干涉儀，所述第二多模干涉儀有兩個(gè)輸出端，一個(gè)連接第二硅基微環(huán)濾波器，另一個(gè)為整個(gè)硅基外腔激光器的輸出端；

所述硅基外腔激光器還包括一個(gè)非對稱馬赫-曾德干涉儀，其設(shè)置于第一硅基光耦合器與第一多模干涉儀之間、第一多模干涉儀與第一硅基微環(huán)濾波器之間、第一多模干涉儀與第二硅基微環(huán)濾波器之間、或者第一硅基微環(huán)濾波器和第二硅基微環(huán)濾波器之間；兩個(gè)硅基微環(huán)濾波器和非對稱馬赫-曾德干涉儀上分別加載有熱電阻。

2.如權(quán)利要求1所述的波長可調(diào)、功率可調(diào)的硅基外腔激光器，其特征在于：所述第一硅基微環(huán)濾波器未連接第一多模干涉儀連接的兩個(gè)端口、第二硅基微環(huán)濾波器未連接第一多模干涉儀連接的兩個(gè)端口、以及第二多模干涉儀未連接第二硅基微環(huán)濾波器的端口均設(shè)有第二硅基光耦合器。

3.如權(quán)利要求2所述的波長可調(diào)、功率可調(diào)的硅基外腔激光器，其特征在于：所述第二硅基光耦合器為光柵耦合器或端面耦合器，所述第二硅基光耦合器部分相同或全部相同。

4.如權(quán)利要求1所述的波長可調(diào)、功率可調(diào)的硅基外腔激光器，其特征在于：通過熱電阻調(diào)節(jié)兩個(gè)硅基微環(huán)濾波器的諧振峰的位置，選擇諧振波長。

5.如權(quán)利要求1所述的波長可調(diào)、功率可調(diào)的硅基外腔激光器，其特征在于：通過熱電阻調(diào)節(jié)非對稱馬赫-曾德干涉儀的輸出功率，調(diào)節(jié)硅基外腔激光器的輸出功率。

6.如權(quán)利要求1所述的波長可調(diào)、功率可調(diào)的硅基外腔激光器，其特征在于：所述第一硅基微環(huán)濾波器和第二硅基微環(huán)濾波器的自由光譜范圍通過公式得到，其中，F(xiàn)SR_{微環(huán)}為自由光譜范圍，λ為硅基微環(huán)濾波器的波長，△λ為硅基微環(huán)濾波器的相鄰諧振峰的波長間隔，c為光速，n_g為硅基微環(huán)濾波器的波導(dǎo)群折射率，π為圓周率，R為硅基微環(huán)濾波器的微環(huán)半徑。

7.如權(quán)利要求1或6所述的波長可調(diào)、功率可調(diào)的硅基外腔激光器，其特征在于：所述第一硅基微環(huán)濾波器和第二硅基微環(huán)濾波器的自由光譜范圍為5～50nm，且兩個(gè)硅基微環(huán)濾波器的自由光譜范圍錯(cuò)開50GHz～500GHz。

8.如權(quán)利要求1-6任一所述的波長可調(diào)、功率可調(diào)的硅基外腔激光器，其特征在于：所述第一硅基光耦合器為端面耦合器或光柵耦合器。

9.如權(quán)利要求1-6任一所述的波長可調(diào)、功率可調(diào)的硅基外腔激光器，其特征在于：所述光源采用SOA芯片或LD芯片。

10.如權(quán)利要求1-6任一所述的波長可調(diào)、功率可調(diào)的硅基外腔激光器，其特征在于：各元器件之間通過硅基波導(dǎo)傳輸信號。