1.一種LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其特征在于：第i行像素和第i+1行像素之間設(shè)有一對(duì)相互平行的數(shù)據(jù)線；
所述每對(duì)數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；
第i行相鄰兩像素分別通過相應(yīng)的U字型的TFT結(jié)構(gòu)連接第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；
第i+1行與上述兩相鄰像素對(duì)應(yīng)的兩像素分別通過相應(yīng)的U字形結(jié)構(gòu)的TFT分別與第二數(shù)據(jù)線和第一數(shù)據(jù)線連接；
所述第i行像素的U字型TFT和與之對(duì)應(yīng)的第i+1行像素的U字型TFT開口相對(duì)，交錯(cuò)設(shè)置；
所述TFT器件由柵極線導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述U字型TFT器件的源級(jí)和與之對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一數(shù)據(jù)線電壓為正，第二數(shù)據(jù)線電壓為負(fù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其特征在于：與第一數(shù)據(jù)線連接的U字型TFT器件所在像素電極為負(fù)，與第二數(shù)據(jù)線連接的U字型TFT所在的像素電極為正。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的每根柵極線呈S型環(huán)繞每列每相鄰兩對(duì)數(shù)據(jù)線之間的兩個(gè)像素。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述每個(gè)像素四周設(shè)置有黑色矩陣，所述柵極線在水平方向上與設(shè)置在每對(duì)數(shù)據(jù)線之間的黑色矩陣重合，所述柵極線在垂直方向上與設(shè)置在兩對(duì)相鄰數(shù)據(jù)線之間且垂直于兩對(duì)數(shù)據(jù)線的黑色矩陣重合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述柵極線設(shè)置在雙數(shù)據(jù)線層與TFT器件所在的半導(dǎo)體層之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LTPS制程中的TFT器件的分布結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述每個(gè)像素分別對(duì)應(yīng)一個(gè)U字型TFT器件。