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一種集成觸控的機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制作方法

文檔序號(hào):12552716閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種集成觸控的機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,包括:

基底,包括顯示區(qū)域和包圍所述顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域;

顯示器件,設(shè)置在所述基底上的所述顯示區(qū)域中,包括第一金屬層和第二金屬層;

薄膜封裝層,覆蓋所述顯示區(qū)域的顯示器件;

觸控器件,包括觸控電極和與所述觸控電極連接的觸控走線;所述觸控電極設(shè)置在所述顯示區(qū)域的所述薄膜封裝層上;至少部分所述觸控走線設(shè)置在所述非顯示區(qū)域,與所述第一金屬層或所述第二金屬層同層設(shè)置;

屏蔽電極,與所述觸控走線絕緣,沿垂直所述基板的方向,至少部分所述屏蔽電極在所述基板上的投影與所述觸控走線在所述基板上的投影重疊;

所述屏蔽電極電連接到一固定電位。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,所述顯示器件還包括:

半導(dǎo)體有源層,形成于所述基底上;

柵極絕緣層,形成于所述半導(dǎo)體有源層和所述基底上;

所述第一金屬層,形成于所述柵極絕緣層上,包括形成柵極的第一金屬圖案;

層間絕緣層,形成于所述第一金屬層和所述柵極絕緣層上;

所述第二金屬層,設(shè)置于所述層間絕緣層上,包括形成源極的第二金屬圖案和形成漏極的第三金屬圖案;

鈍化層,形成于所述層間絕緣層和所述第二金屬層上;

平坦化層,形成于所述鈍化層上,包括位于所述非顯示區(qū)域的外圍平坦化層;

像素定義層,形成于所述平坦化層上,包括位于所述非顯示區(qū)域的外圍像素定義層;

有機(jī)發(fā)光二極管,對(duì)應(yīng)設(shè)置在所述像素定義層上的顯示開(kāi)口區(qū)上。

3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,還包括設(shè)置在所述非顯示區(qū)域的擋墻;所述擋墻包括第一圍壩和第二圍壩,所述第一圍壩圍繞所述顯示區(qū)域設(shè)置,所述第二圍壩與所述第一圍壩分隔并圍繞所述第一圍壩。

4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,所述薄膜封裝層覆蓋所述第一圍壩,并位于所述第二圍壩所圍繞的區(qū)域內(nèi)。

5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,所述觸控走線包括第一部分走線以及連接所述第一部分走線和所述觸控電極的第二部分走線,所述第二部分走線通過(guò)過(guò)孔與所述觸控電極連接;沿垂直所述基板的方向,所述過(guò)孔在所述基底上的投影位于所述第二圍壩在所述基底上的投影遠(yuǎn)離所述顯示區(qū)域的一側(cè)。

6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,沿垂直所述基板的方向,至少部分所述第一部分走線在所述基底上的投影位于所述第一、二圍壩在所述基底上的投影之間。

7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,至少部分所述外圍平坦化層或所述外圍像素定義層設(shè)置在所述第一圍壩與所述第二圍壩之間,與所述第一部分走線的圖案對(duì)應(yīng)。

8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,所述屏蔽電極為與所述觸控走線圖案對(duì)應(yīng)的柵形電極,所述柵形電極包括多條與所述觸控走線平行的條狀電極。

9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,所述屏蔽電極連接地線。

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