本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

隨著科學(xué)技術(shù)及社會(huì)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，科技的進(jìn)步正影響著社會(huì)的經(jīng)濟(jì)并改變著人們的生活方式。一般地，有機(jī)發(fā)光顯示裝置是包括有機(jī)發(fā)光設(shè)備(oled)的自發(fā)射型顯示裝置，并且oled包括空穴注入電極、電子注入電極和位于空穴注入電極與電子注入電極之間的有機(jī)發(fā)射層。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，從空穴注入電極注入的空穴和從電子注入電極注入的電子在有機(jī)發(fā)射層中結(jié)合以生成激子，并且激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)并且產(chǎn)生光。

作為自發(fā)射型顯示裝置的有機(jī)發(fā)光顯示裝置不需要單獨(dú)的光源。因此，有機(jī)發(fā)光顯示裝置能夠在低壓下操作，為輕薄型，并且包括高質(zhì)量特征，例如，寬視角、高對(duì)比度和快速響應(yīng)，因此，有機(jī)發(fā)光顯示裝置逐漸成為下一代顯示裝置，以呈現(xiàn)更為優(yōu)質(zhì)的顯示效果。然而，從有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光束除了往上方向射出外，還有部分從橫向方向射出，它們或者射到非像素區(qū)域形成異常亮點(diǎn)，或者射到別的像素發(fā)光區(qū)域影響像素視覺(jué)效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對(duì)有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光束對(duì)非像素區(qū)域形成異常亮點(diǎn)的技術(shù)問(wèn)題，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法。

一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法包括：在基板上形成薄膜晶體管，所述基板包括像素區(qū)域及非像素區(qū)域；在所述薄膜晶體管上形成保護(hù)膜；在所述保護(hù)膜上順序形成第一有機(jī)絕緣膜及陽(yáng)極反射層，使所述第一有機(jī)絕緣膜或所述陽(yáng)極反射層在所述非像素區(qū)域上的粗糙度大于在所述像素區(qū)域上的粗糙度；在所述陽(yáng)極反射層上形成第二有機(jī)絕緣膜，所述第二有機(jī)絕緣膜具有第一開口，所述第一開口與所述像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)；在所述第二有機(jī)絕緣膜上形成有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層的面積大于所述第一開口的面積；在所述有機(jī)發(fā)光層上形成陰極層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述保護(hù)膜上順序形成第一有機(jī)絕緣膜及陽(yáng)極反射層，使所述第一有機(jī)絕緣膜或所述陽(yáng)極反射層在所述非像素區(qū)域上的粗糙度大于在所述像素區(qū)域上的粗糙度，包括：在所述保護(hù)膜上形成第一有機(jī)絕緣膜；對(duì)所述第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行粗糙化處理，使所述第一有機(jī)絕緣膜在所述非像素區(qū)域上的粗糙度大于在所述像素區(qū)域上的粗糙度；在粗糙化處理后的第一有機(jī)絕緣膜上形成陽(yáng)極反射層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述對(duì)所述第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行粗糙化處理，包括：在所述第一有機(jī)絕緣膜上形成第一光刻膠圖案，所述第一光刻膠圖案覆蓋所述像素區(qū)域并且具有與所述非像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第二開口；通入氧氣對(duì)所述第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行等離子表面處理，以使所述第一有機(jī)絕緣膜在所述非像素區(qū)域上的粗糙度大于在所述像素區(qū)域上的粗糙度；脫去所述第一光刻膠圖案。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述對(duì)所述第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行粗糙化處理，包括：對(duì)所述保護(hù)膜及所述第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行過(guò)孔刻蝕，形成通孔并使所述第一有機(jī)絕緣膜在所述非像素區(qū)域上的粗糙度大于在所述像素區(qū)域上的粗糙度，其中所述通孔暴露所述薄膜晶體管的漏極電極；所述在粗糙化處理后的第一有機(jī)絕緣膜上形成陽(yáng)極反射層，為在具有所述通孔的所述保護(hù)膜及所述第一有機(jī)絕緣膜上形成陽(yáng)極反射層，以使所述陽(yáng)極反射層穿過(guò)所述通孔與所述薄膜晶體管的漏極電極接觸。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述對(duì)所述保護(hù)膜及所述第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行過(guò)孔刻蝕，包括：在所述第一有機(jī)絕緣膜上形成通孔光刻膠圖案，所述通孔光刻膠圖案覆蓋所述像素區(qū)域并且具有與所述非像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第三開口；對(duì)所述保護(hù)膜和所述第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行過(guò)孔干法刻蝕，其中在所述過(guò)孔干法刻蝕前所述第一有機(jī)絕緣膜在對(duì)應(yīng)于所述通孔的位置具有第四開口。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述保護(hù)膜上順序形成第一有機(jī)絕緣膜及陽(yáng)極反射層，使所述第一有機(jī)絕緣膜或所述陽(yáng)極反射層在所述非像素區(qū)域上的粗糙度大于在所述像素區(qū)域上的粗糙度，包括：在所述保護(hù)膜上順序形成第一有機(jī)絕緣膜和陽(yáng)極反射層；在所述陽(yáng)極反射層上形成第二光刻膠圖案，所述第二光刻膠圖案覆蓋所述像素區(qū)域并且具有與所述非像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第三開口；對(duì)所述陽(yáng)極反射層進(jìn)行粗糙化刻蝕，在所述粗糙化刻蝕后脫去所述第二光刻膠圖案。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述對(duì)所述陽(yáng)極反射層進(jìn)行刻蝕，為：采用cl2、hbr及hi中的至少一種與預(yù)設(shè)氣體的混合氣體，對(duì)所述陽(yáng)極反射層進(jìn)行干法刻蝕；或者，采用草酸對(duì)所述陽(yáng)極反射層進(jìn)行濕法刻蝕

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述在基板上形成薄膜晶體管，包括：在基板上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣膜；在所述柵極絕緣膜上形成柵極電極；在所述柵極電極上形成層間絕緣膜；在所述層間絕緣膜上分別形成源極電極和漏極電極，從而形成薄膜晶體管。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述在基板上形成薄膜晶體管，包括：在基板上順序形成柵極及覆蓋所述柵極的柵極絕緣膜；在所述柵極絕緣膜上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成層間絕緣膜；在所述層間絕緣膜上分別形成源極電極和漏極電極，從而形成薄膜晶體管。

上述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，通過(guò)增加有機(jī)發(fā)光裝置陽(yáng)極非像素區(qū)域的粗糙度，減少非像素區(qū)域的鏡面反射，減少了像素間的相互影響。

附圖說(shuō)明

圖1為一個(gè)實(shí)施例中采用有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法形成的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為一個(gè)實(shí)施例中有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的步驟示意圖；

圖3為一個(gè)實(shí)施例中采用有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法形成的有機(jī)發(fā)光顯示裝置時(shí)的部分流程狀態(tài)示意圖；

圖4為另一個(gè)實(shí)施例中采用有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法形成的有機(jī)發(fā)光顯示裝置時(shí)的部分流程狀態(tài)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。

例如，一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括：在基板上形成薄膜晶體管，所述基板包括像素區(qū)域及非像素區(qū)域；在所述薄膜晶體管上形成保護(hù)膜；在所述保護(hù)膜上順序形成第一有機(jī)絕緣膜及陽(yáng)極反射層，使所述第一有機(jī)絕緣膜或所述陽(yáng)極反射層在所述非像素區(qū)域上的粗糙度大于在所述像素區(qū)域上的粗糙度；在所述陽(yáng)極反射層上形成第二有機(jī)絕緣膜，所述第二有機(jī)絕緣膜具有第一開口，所述第一開口與所述像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)；在所述第二有機(jī)絕緣膜上形成有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層的面積大于所述第一開口的面積；在所述有機(jī)發(fā)光層上形成陰極層。

上述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，通過(guò)增加有機(jī)發(fā)光裝置在非像素區(qū)域上的粗糙度，減少非像素區(qū)域的鏡面反射，減少了像素間的相互影響。

請(qǐng)參閱圖1，其為一個(gè)實(shí)施例中采用有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法形成的有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的結(jié)構(gòu)示意圖，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板100、薄膜晶體管110、保護(hù)膜120、第一有機(jī)絕緣膜130、陽(yáng)極反射層140、第二有機(jī)絕緣膜150、有機(jī)發(fā)光層160以及陰極層170。薄膜晶體管110包括半導(dǎo)體層111、柵極絕緣膜112、柵極電極113、層間絕緣膜114以及源漏極電極115。

為了進(jìn)一步理解采用上述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法形成的有機(jī)發(fā)光顯示裝置10，又一實(shí)施例中，請(qǐng)參閱圖2，其為一個(gè)實(shí)施例中有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法20的步驟示意圖，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法20包括：

步驟s201：在基板上形成薄膜晶體管，所述基板包括像素區(qū)域及非像素區(qū)域。

具體地，在基板上的像素區(qū)域內(nèi)形成薄膜晶體管。例如，在基板的像素區(qū)域內(nèi)形成頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管；又如，在基板的像素區(qū)域內(nèi)形成底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。

作為一種實(shí)施方式，在基板上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣膜；在所述柵極絕緣膜上形成柵極電極；在所述柵極電極上形成層間絕緣膜；在所述層間絕緣膜上分別形成源極電極和漏極電極，從而形成頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。例如，為了提升薄膜晶體管的性能，在形成半導(dǎo)體層之前，先在基板上形成緩沖層，在緩沖層上形成半導(dǎo)體層。

作為另一種實(shí)施方式，在基板上順序形成柵極及覆蓋柵極的柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成層間絕緣層；在所述層間絕緣膜上分別形成源極電極和漏極電極，從而形成底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。例如，為了提升薄膜晶體管的性能，在形成柵極之前，先在基板上形成緩沖層，在緩沖層上制備柵極及覆蓋柵極的柵極絕緣膜。

在本實(shí)施例中，基板也稱絕緣基板，或者陣列基板。以頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管為例，半導(dǎo)體層可設(shè)置在基板上，并且采用無(wú)機(jī)半導(dǎo)體(例如，非晶硅、多晶硅)或有機(jī)半導(dǎo)體。在示例性實(shí)施方式中，半導(dǎo)體層可包括氧化物半導(dǎo)體。在一個(gè)示例性實(shí)施中，例如，氧化物半導(dǎo)體可包括選自第12至14族金屬元素的材料的氧化物，例如，鋅(zn)、銦(in)、鎵(ga)、錫(sn)、鎘(cd)、鍺(ge)和鉿(hf)及它們的組合的材料的氧化物。柵極絕緣膜設(shè)置在基板上，并且覆蓋半導(dǎo)體層。柵極電極設(shè)置在柵極絕緣膜上。層間絕緣膜設(shè)置在柵極絕緣膜上，并且覆蓋柵極電極。源漏極電極設(shè)置在層間絕緣膜上。層間絕緣膜設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)接觸孔，源漏極電極穿過(guò)該接觸孔后與半導(dǎo)體層接觸。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可包括電容器，至少一個(gè)上述薄膜晶體管與電容器構(gòu)成像素電路(未示出)，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的每一像素區(qū)域內(nèi)包括至少一像素電路。

步驟s202：在所述薄膜晶體管上形成保護(hù)膜。

具體的，保護(hù)膜覆蓋整個(gè)薄膜晶體管上表面，例如覆蓋源極電極、漏極電極以及層間絕緣膜。也就是說(shuō)，保護(hù)膜具有足夠的厚度以覆蓋整個(gè)薄膜晶體管上表面，例如覆蓋源極電極、漏極電極以及層間絕緣膜。

保護(hù)膜具有平整的上表面。保護(hù)膜可包括無(wú)機(jī)材料和/或有機(jī)材料。根據(jù)保護(hù)膜的材料，保護(hù)膜可通過(guò)狹縫涂布、濺射、cvd(chemicalvapordeposition，化學(xué)氣相沉積)、原子層沉積(atomiclayerdeposition，ald)、pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)、hdp-cvd(高密度等離子化學(xué)氣相沉積)、真空沉積等工藝形成。

步驟s203：在所述保護(hù)膜上順序形成第一有機(jī)絕緣膜及陽(yáng)極反射層，使所述第一有機(jī)絕緣膜或所述陽(yáng)極反射層在所述非像素區(qū)域上的粗糙度大于在所述像素區(qū)域上的粗糙度。

具體的，第一有機(jī)絕緣膜可包括無(wú)機(jī)材料和/或有機(jī)材料。根據(jù)第一有機(jī)絕緣膜的材料，第一有機(jī)絕緣膜可通過(guò)使用旋涂、印刷、濺射、cvd、ald、pecvd、hdp-cvd、真空沉積等形成。第一有機(jī)絕緣膜和保護(hù)膜可由相同或相似的材料形成。第一有機(jī)絕緣膜可以是單層或多層結(jié)構(gòu)。

作為一種實(shí)施方式，在保護(hù)膜上形成第一有機(jī)絕緣膜；對(duì)第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行粗糙化處理，使第一有機(jī)絕緣膜在所述非像素區(qū)域上的粗糙度大于在所述像素區(qū)域上的粗糙度；在粗糙化處理后的第一有機(jī)絕緣膜上制備陽(yáng)極反射層。

例如，對(duì)所述第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行粗糙化處理，具體為：對(duì)所述第一有機(jī)絕緣膜與非像素區(qū)域相對(duì)的部分區(qū)域進(jìn)行粗糙化處理，使得第一有機(jī)絕緣膜在非像素區(qū)域上的粗糙度大于在像素區(qū)域上的粗糙度。例如，對(duì)位于非像素區(qū)域上的第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行等離子表面處理，使得第一有機(jī)絕緣膜在非像素區(qū)域上的粗糙度大于在像素區(qū)域上的粗糙度。

例如，制備保護(hù)膜后，對(duì)保護(hù)膜進(jìn)行過(guò)孔刻蝕，形成貫穿保護(hù)膜的通孔，在具有通孔的保護(hù)膜上制備圖形化的第一有機(jī)絕緣膜。例如，該圖形化的第一有機(jī)絕緣膜在對(duì)應(yīng)于通孔的位置具有開口。第一有機(jī)絕緣膜上的開口可在第一有機(jī)絕緣膜成膜后，通過(guò)黃光構(gòu)圖曝光顯影工藝形成。此時(shí)，對(duì)所述第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行粗糙化處理的一種實(shí)施方式是：完成陽(yáng)極過(guò)孔刻蝕之后，先形成覆蓋像素區(qū)域、在非像素區(qū)域具有開口的光刻膠(pr)圖案，如圖3所示，然后通氧氣對(duì)開口部位的有機(jī)絕緣膜做等離子表面處理，形成在非像素區(qū)域上粗糙度較大的第一有機(jī)絕緣膜，再對(duì)pr脫膜。具體的，在所述第一有機(jī)絕緣膜上形成覆蓋像素區(qū)域并且具有與非像素區(qū)域相對(duì)的第二開口的第一光刻膠圖案；通入氧氣對(duì)第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行等離子表面處理，由于第一光刻膠圖案遮擋了第一有機(jī)絕緣膜上對(duì)應(yīng)于的像素區(qū)域的部分，使得在像素區(qū)域上的第一有機(jī)絕緣膜未與氧氣反應(yīng)，因此等離子表面處理之后第一有機(jī)絕緣膜在所述非像素區(qū)域上的粗糙度大于在所述像素區(qū)域上的粗糙度；脫去第一光刻膠圖案。本實(shí)施例中，像素區(qū)域也是指有機(jī)發(fā)光層和陽(yáng)極直接接觸的區(qū)域。

又如，制備保護(hù)膜后、對(duì)保護(hù)膜進(jìn)行過(guò)孔刻蝕之前，直接在保護(hù)膜上制備圖形化的第一有機(jī)絕緣膜，該圖形化的第一有機(jī)絕緣膜在對(duì)應(yīng)于通孔的位置具有第四開口。此時(shí)，對(duì)所述第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行粗糙化處理的另一種實(shí)施方式是：對(duì)所述保護(hù)膜及所述第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行過(guò)孔刻蝕，形成通孔并使所述第一有機(jī)絕緣膜在所述非像素區(qū)域上的粗糙度大于在所述像素區(qū)域上的粗糙度，其中所述通孔暴露所述薄膜晶體管的漏極電極。也就是說(shuō)，通過(guò)過(guò)孔刻蝕工藝同時(shí)實(shí)現(xiàn)過(guò)孔刻蝕及對(duì)第一有機(jī)絕緣膜的粗糙化處理。具體地，如圖4所示，在所述第一有機(jī)絕緣膜上形成通孔光刻膠圖案，所述通孔光刻膠圖案覆蓋所述像素區(qū)域并且具有與所述非像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第三開口；對(duì)所述保護(hù)膜和所述第一有機(jī)絕緣膜進(jìn)行過(guò)孔干法刻蝕，其中在所述過(guò)孔干法刻蝕前所述第一有機(jī)絕緣膜在對(duì)應(yīng)于所述通孔的位置具有第四開口。例如，第四開口可在第一有機(jī)絕緣膜成膜后，通過(guò)黃光構(gòu)圖曝光顯影工藝形成。優(yōu)選的，所述干法刻蝕中采用的氣體為四氟化氮與氧氣的混合氣體，或者氟化合物及預(yù)設(shè)氣體的混合氣體。例如，所述預(yù)設(shè)氣體包括氧氣和氫氣中至少一種。例如，所述預(yù)設(shè)氣體為氧氣，或者，所述預(yù)設(shè)氣體為氫氣，或者，所述預(yù)設(shè)氣體為氧氣與氫氣的混合氣體，或者，所述預(yù)設(shè)氣體為氧氣、氫氣與其他氣體的混合氣體。

此時(shí)，所述在粗糙化處理后的第一有機(jī)絕緣膜上形成陽(yáng)極反射層，為在具有所述通孔的所述保護(hù)膜及所述第一有機(jī)絕緣膜上形成陽(yáng)極反射層，以使所述陽(yáng)極反射層穿過(guò)所述通孔與所述薄膜晶體管的漏極電極接觸。

作為另一種實(shí)施方式，在保護(hù)膜上形成第一有機(jī)絕緣膜，例如在過(guò)孔刻蝕后帶有通孔的保護(hù)膜上形成圖形化的第一有機(jī)絕緣膜，該圖形化的第一有機(jī)絕緣膜在對(duì)應(yīng)于通孔的位置具有開口。第一有機(jī)絕緣膜上的開口可在第一有機(jī)絕緣膜成膜后，通過(guò)黃光構(gòu)圖曝光顯影工藝形成。此時(shí)，直接在第一有機(jī)絕緣膜上形成陽(yáng)極反射層；對(duì)陽(yáng)極反射層進(jìn)行粗糙化處理，使得陽(yáng)極反射層在所述非像素區(qū)域上的粗糙度大于在所述像素區(qū)域上的粗糙度。例如，在保護(hù)膜上順序形成第一有機(jī)絕緣膜和陽(yáng)極反射層；在所述陽(yáng)極反射層上形成第二光刻膠圖案，所述第二光刻膠圖案覆蓋所述像素區(qū)域并且具有與所述非像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)的第三開口；對(duì)所述陽(yáng)極反射層進(jìn)行粗糙化刻蝕，在粗糙化刻蝕后脫去所述第二光刻膠圖案，得到在非像素區(qū)域上的粗糙度較大的陽(yáng)極反射層，即陽(yáng)極反射層在非像素區(qū)域上的粗糙度大于在像素區(qū)域上的粗糙度。

具體的，對(duì)所述陽(yáng)極反射層進(jìn)行粗糙化刻蝕，為采用cl2、hbr及hi中的至少一種與預(yù)設(shè)氣體的混合氣體，對(duì)所述陽(yáng)極反射層進(jìn)行干法刻蝕；或者，采用草酸對(duì)所述陽(yáng)極反射層進(jìn)行濕法刻蝕。這樣可以有效地增大所述陽(yáng)極反射層在非像素區(qū)域上的粗糙度。例如，所述預(yù)設(shè)氣體包括氧氣和氫氣中至少一種。例如，所述預(yù)設(shè)其他為氧氣，或者，所述預(yù)設(shè)氣體為氫氣，或者，所述預(yù)設(shè)氣體為氧氣與氫氣的混合氣體，或者，所述預(yù)設(shè)氣體為氧氣、氫氣與其他氣體的混合氣體。

為了進(jìn)一步地增大所述陽(yáng)極反射層的粗糙度，優(yōu)選的，在對(duì)所述陽(yáng)極反射層進(jìn)行粗糙化刻蝕之后，還在對(duì)應(yīng)于所述非像素區(qū)域的所述陽(yáng)極反射層上形成硫化銀膜，即在陽(yáng)極反射層與非像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上形成ag2s(硫化銀)膜。優(yōu)選的，硫化銀膜采用六氟化硫的等離子體制備得到，這樣可以有效地增大所述陽(yáng)極反射層的粗糙度。

具體的，所述陽(yáng)極反射層采用ito/ag/ito結(jié)構(gòu)。

作為一種實(shí)施方式，為了將不同像素的陽(yáng)極分隔開，或者說(shuō)為了將陽(yáng)極反射層劃分為多個(gè)像素的陽(yáng)極，在形成陽(yáng)極反射層之后，還進(jìn)行陽(yáng)極圖案刻蝕。陽(yáng)極圖案刻蝕指的是將非像素區(qū)域上的陽(yáng)極反射層刻蝕掉一部分，使得不同像素的陽(yáng)極分隔開來(lái)。例如，在粗糙化處理后的第一有機(jī)絕緣膜上形成陽(yáng)極反射層之后，進(jìn)行陽(yáng)極圖案刻蝕；又如，在形成陽(yáng)極反射層并且對(duì)陽(yáng)極反射層進(jìn)行粗糙化刻蝕之后，進(jìn)行陽(yáng)極圖案刻蝕。

步驟s204：在所述陽(yáng)極反射層上形成第二有機(jī)絕緣膜，所述第二有機(jī)絕緣膜具有開口，所述開口與所述像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)。

具體的，在所述陽(yáng)極反射層上形成第二有機(jī)絕緣膜；去除所述第二有機(jī)絕緣膜位于所述陽(yáng)極反射層上的部分，形成所述開口，以暴露所述陽(yáng)極反射層。例如，可采用刻蝕方法去除所述第二有機(jī)絕緣膜位于所述陽(yáng)極反射層上的部分，形成所述開口。

步驟s205：在所述第二有機(jī)絕緣膜上形成有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層的面積大于所述第一開口的面積。

具體的，在第二有機(jī)絕緣膜上部形成比所述第二有機(jī)絕緣膜的開口面積大的有機(jī)發(fā)光層。所述有機(jī)發(fā)光層的面積大于所述第一開口的面積是指有機(jī)發(fā)光層覆蓋整個(gè)第二有機(jī)絕緣膜上的第一開口。

步驟s206：在所述有機(jī)發(fā)光層上形成陰極層。

具體的，陰極層可通過(guò)使用濺射、真空沉積、cvd、pld、印刷、ald等工藝形成。在示例性實(shí)施方式中，陰極層可被設(shè)置為使得相同的電壓被施加至所有像素。例如，陽(yáng)極反射層140、有機(jī)發(fā)光層160以及陰極層170組成oled器件。例如，附加地在陰極層上形成保護(hù)層(未示出)。保護(hù)層可覆蓋和保護(hù)oled(organiclight-emittingdiode，有機(jī)發(fā)光二極管)、薄膜晶體管、電容器等元器件。具體地，保護(hù)層可包括無(wú)機(jī)絕緣層和/或有機(jī)絕緣層，并且使用例如pecvd、apcvd和lpcvd的各種沉積方法形成。

需要說(shuō)明的是，薄膜晶體管不限于上述的結(jié)構(gòu)，并且可包括各種結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，薄膜晶體管為圖所示的頂柵型薄膜晶體管，在其他實(shí)施例中，薄膜晶體管也可以為柵極電極設(shè)置在半導(dǎo)體層下方的底柵型薄膜晶體管。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

解決了傳統(tǒng)的從有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光束除了往上方向射出外，還有部分從橫向方向射出技術(shù)問(wèn)題，它們或者射到非像素區(qū)域形成異常亮點(diǎn)，或者射到別的像素發(fā)光區(qū)域影響像素視覺(jué)效果，通過(guò)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法制造出來(lái)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，增加了有機(jī)發(fā)光裝置陽(yáng)極非像素區(qū)域的粗糙度，減少非像素區(qū)域的鏡面反射，減少了像素間的相互影響。

以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說(shuō)明書記載的范圍。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。