本申請(qǐng)以美國臨時(shí)專利申請(qǐng)第62/324702號(hào)(申請(qǐng)日：2016年4月19日)及美國臨時(shí)專利申請(qǐng)第62/382041號(hào)(申請(qǐng)日：2016年8月31日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)主張優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過參照這些基礎(chǔ)申請(qǐng)而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部內(nèi)容。

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)：

已知有具備引線接合和模制樹脂部的半導(dǎo)體封裝件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施方式提供可提高接合引線與模制樹脂部的密合性的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件具備半導(dǎo)體芯片、導(dǎo)電部、接合引線、模制樹脂部和分子接合層。所述接合引線設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片與所述導(dǎo)電部之間。所述模制樹脂部被覆所述半導(dǎo)體芯片、所述導(dǎo)電部的至少一部分及所述接合引線。所述分子接合層至少設(shè)在所述接合引線表面與所述模制樹脂部之間。所述分子接合層的至少一部分與含在所述接合引線中的金屬化學(xué)鍵合。所述分子接合層的至少一部分與含在所述模制樹脂部中的樹脂化學(xué)鍵合。

附圖說明

圖1是表示第1實(shí)施方式的電子設(shè)備的一個(gè)例子的立體圖。

圖2是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖3是放大地表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的一部分的剖視圖。

圖4是示意性地表示第1實(shí)施方式的分子接合層的組成的一個(gè)例子的圖示。

圖5是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的流程的一個(gè)例子的剖視圖。

圖6是表示第1實(shí)施方式的第1變形例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖7是表示第1實(shí)施方式的第2變形例的半導(dǎo)體封裝件的一部分的剖視圖。

圖8是表示第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖9是表示第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的一部分的剖視圖。

圖10是表示第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的一部分的剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件及半導(dǎo)體封裝件的制造方法進(jìn)行說明。再者，在以下的說明中，對(duì)于具有相同或類似的功能的構(gòu)成標(biāo)注相同的符號(hào)。而且，有時(shí)將它們的重復(fù)的說明省略。此外，附圖是示意圖，各構(gòu)成要素的數(shù)量、厚度、寬度、比率等與現(xiàn)實(shí)的有所不同。

(第1實(shí)施方式)

首先，參照?qǐng)D1～圖5對(duì)第1實(shí)施方式進(jìn)行說明。

圖1是表示第1實(shí)施方式的電子設(shè)備1的一個(gè)例子的立體圖。在電子設(shè)備1中可搭載第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10。電子設(shè)備1例如為可佩戴的設(shè)備，但并不局限于此。電子設(shè)備1例如為與iot(物聯(lián)網(wǎng)：internetofthings)對(duì)應(yīng)的電子設(shè)備，可通過無線或有線進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)連接。在此種情況下，半導(dǎo)體封裝件10的一個(gè)例子具有處理器(例如centralprocessingunit)、傳感器和無線模塊。再者，電子設(shè)備1及半導(dǎo)體封裝件10并不限定于上述例。電子設(shè)備1也可以是車載用的電子設(shè)備，也可以是其它用途的電子設(shè)備。半導(dǎo)體封裝件10也可以是作為車載用構(gòu)件或功率半導(dǎo)體而使用的半導(dǎo)體構(gòu)件，也可以是用于其它用途的半導(dǎo)體構(gòu)件。此外，以下所示的第2及第3實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體封裝件10也可以搭載在上述的電子設(shè)備1中。

圖2是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10的剖視圖。

如圖2所示的那樣，半導(dǎo)體封裝件10例如具備金屬基體20、半導(dǎo)體芯片30、分子接合層40、小片接合粘接層50、接合引線60、引片框架70和模制樹脂部80。

金屬基體20為“基體”的一個(gè)例子。再者，本申請(qǐng)中所說的“基體”，只要是固定半導(dǎo)體芯片30的部件即可，也可以不是金屬制?！盎w”也可以稱為“支持體”。

金屬基體20含有具有導(dǎo)電性的金屬(例如金屬原料)20m作為構(gòu)成原料。金屬基體20通過使用具有導(dǎo)電性的金屬，例如可作為半導(dǎo)體封裝件10的地線發(fā)揮作用。換句話來講，半導(dǎo)體芯片30可經(jīng)由小片接合粘接層50與金屬基體20電連接(例如接地連接)。此外，金屬基體20可使用導(dǎo)熱率高的材料。通過使用導(dǎo)熱率高的材料，可提高半導(dǎo)體封裝件10的通常工作時(shí)的散熱性。作為這樣的金屬基體20的材料(例如第1原料)，可列舉出cu、mo、ag、w、fe、ni或它們的合金等。例如，作為金屬基體20的材料，優(yōu)選使用cu或cu與mo的合金。通過使用這些材料作為金屬基體20的材料，可提高導(dǎo)熱率及導(dǎo)電性雙方。再者，在用金屬以外的材料形成基體時(shí)，基體的原料例如也可以是樹脂(例如合成樹脂)、陶瓷或其它原料。

半導(dǎo)體芯片(例如裸芯片)30例如是將包含硅的半導(dǎo)體作為構(gòu)成原料的部件。也可以將半導(dǎo)體芯片30的一個(gè)例子稱為“硅芯片”。半導(dǎo)體芯片30例如為以gan或sic等作為材料的hfet(異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管：heterojunctionfieldeffecttransistor)、或以si作為材料的ldmos(橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體：lateraldoublediffusemostransistor)等。此外，作為半導(dǎo)體芯片30的其它例子，可列舉出光半導(dǎo)體元件、壓電元件、存儲(chǔ)器元件、微型計(jì)算機(jī)元件、傳感器元件或無線通信用元件等。再者本申請(qǐng)中所說的“半導(dǎo)體芯片(或半導(dǎo)體芯片本體)”只要是包含電路的芯片即可，并不限定于特定用途的半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片30的原料的一個(gè)例子為硅30m。再者，與分子接合層40化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)的半導(dǎo)體芯片30的原料也可以是含在設(shè)于半導(dǎo)體芯片30表面的絕緣部中的絕緣原料。在此種情況下，以下說明中的“硅30m”也可以改讀為“絕緣原料”。

半導(dǎo)體芯片30具有第1面30a和第2面30b。在第1面30a設(shè)有作為電路的一部分的導(dǎo)電襯墊(例如連接部、電連接部、端子)31。第2面30b位于第1面30a的相反側(cè)。第2面30b面向小片接合粘接層50。本實(shí)施方式中，導(dǎo)電襯墊31通過在半導(dǎo)體芯片30的第1面30a上鍍敷導(dǎo)電性金屬而形成。作為導(dǎo)電性金屬，例如可使用au、ni或cu等。例如，導(dǎo)電襯墊31具有在作為電路的基體的cu鍍層上依次層疊ni鍍層、au鍍層而成的結(jié)構(gòu)。

小片接合粘接層50設(shè)在金屬基體20與半導(dǎo)體芯片30之間。小片接合粘接層50例如是利用釘扎效果而粘接(例如接合)金屬基體20和半導(dǎo)體芯片30的連接部件。小片接合粘接層50含有多個(gè)導(dǎo)電粒子和樹脂。小片接合粘接層50通過含在小片接合粘接層50中的多個(gè)導(dǎo)電粒子而相互接觸、相互導(dǎo)通，從而具有導(dǎo)電性。換句話來講，多個(gè)導(dǎo)電粒子將金屬基體20和半導(dǎo)體芯片30電連接。

接合引線60設(shè)在引片框架70與半導(dǎo)體芯片30的導(dǎo)電襯墊31之間。例如，接合引線60為在引片框架70與半導(dǎo)體芯片30的導(dǎo)電襯墊31之間延伸的導(dǎo)線部件。接合引線60使引片框架70與半導(dǎo)體芯片30的導(dǎo)電襯墊31電連接。接合引線60例如由金屬60m形成。金屬60m為金、銅或銅合金等。金屬60m為“第1金屬(例如第1金屬原料、第1原料)”的一個(gè)例子。

引片框架(例如連接部、電連接部、外部連接端子)70為“導(dǎo)電部”及“金屬構(gòu)件”各自的一個(gè)例子。引片框架70為半導(dǎo)體封裝件10的相對(duì)于外部部件(例如電路基板)的電連接端子。引片框架70的至少一部分突出到模制樹脂部80的外部。引片框架70例如形成半導(dǎo)體封裝件10的內(nèi)部布線的一部分。

圖3是放大地表示本實(shí)施方式的引片框架70的剖視圖。

如圖3所示的那樣，本實(shí)施方式的引片框架70具有本體部71和設(shè)在該引片框架70的表面上的金屬鍍層72。

本體部71形成引片框架70的大部分。本體部71為“導(dǎo)電部本體”及“金屬基體”各自的一個(gè)例子。本體部71由金屬71m形成。金屬71m為銅或銅合金等。金屬71m為“第3金屬(例如第3金屬原料、第3原料)”的一個(gè)例子。再者，“第3金屬”也可以與“第1金屬”相同，也可以不相同。

金屬鍍層72設(shè)在本體部71表面的至少一部分上。金屬鍍層72例如設(shè)在本體部71表面的全部上。金屬鍍層72是用于保護(hù)本體部71免受氧化等不良影響的金屬層。本實(shí)施方式中，金屬鍍層72是設(shè)在本體部71的表面上的阻擋層。

例如在本體部71由銅或銅合金形成時(shí)，如果本體部71在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下長期間暴露于空氣或濕氣中，則有時(shí)銅成分氧化。因此，將金屬鍍層72設(shè)在例如本體部71中的暴露于空氣及濕氣中的部分上。此外，例如，由銅或銅合金形成的部件如果在用樹脂密封的狀態(tài)下長期間使用，則與樹脂接觸的金屬表面的銅成分有時(shí)發(fā)生氧化。因而，將金屬鍍層72設(shè)在例如本體部71中的至少面向模制樹脂部80的表面上。由此，可以保護(hù)面向模制樹脂部80的本體部71的表面免受氧化等不良影響。

此外，銅成分有時(shí)向樹脂中擴(kuò)散，有時(shí)使銅或銅合金與樹脂之間的密合性劣化。這樣的現(xiàn)象可通過采用100℃以上的溫度及75％以上的濕度的壓力鍋蒸煮試驗(yàn)(pct)來確認(rèn)。本實(shí)施方式中，通過設(shè)置金屬鍍層72，能夠抑制本體部71的金屬成分向模制樹脂部80中擴(kuò)散。

如上所述，在保護(hù)金屬基體11免受種種不良影響方面，金屬鍍層72是有用的。

形成金屬鍍層72的金屬例如是具有保護(hù)功能(阻擋性)的金屬(例如阻擋金屬)。金屬鍍層72由金屬72m形成。金屬72m為“第2金屬(例如第2金屬原料、第2原料)”的一個(gè)例子。在使用銅或銅合金作為形成本體部71的金屬的情況下，金屬72m例如包含鎳、鎳合金、鈦、鈦合金、鎢及鎢合金中的至少一種。形成金屬鍍層72的金屬72m與形成本體部71的金屬71m相比，擴(kuò)散系數(shù)低(例如即難以向樹脂中擴(kuò)散)。再者，金屬鍍層72也可以是具有阻擋層以外的功能的金屬層。例如，金屬鍍層72也可以是以裝飾等為目的的金屬層。

金屬鍍層72的厚度例如為0.01μm以上且10μm以下。如果金屬鍍層72的厚度在上述下限值以上，則能夠有效地實(shí)現(xiàn)金屬鍍層72的保護(hù)功能。如果分子接合層40的厚度在上述上限值以下，則能夠抑制由金屬鍍層72導(dǎo)致的半導(dǎo)體封裝件10的厚度的增加。

模制樹脂部(例如絕緣部)80為“樹脂部”的一個(gè)例子。模制樹脂部80是用于保護(hù)半導(dǎo)體芯片30及接合引線60免受來自外部的壓力、濕氣及污染物質(zhì)等影響的部件。模制樹脂部80如圖2所示的那樣，一體地被覆金屬基體20、半導(dǎo)體芯片30、小片接合粘接層50、引片框架70的至少一部、以及接合引線60。模制樹脂部80形成在分子接合層40上。模制樹脂部80由樹脂(例如樹脂原料)80m形成。樹脂80m只要是具有絕緣性的材料即可，沒有特別的限定。樹脂80m例如是熱塑性樹脂或熱固性樹脂。作為樹脂80m，可列舉環(huán)氧樹脂等。此外，也可以在樹脂80m中添加作為添加劑的熔融球狀二氧化硅等應(yīng)力緩和劑。

接著，對(duì)分子接合層40進(jìn)行說明。

本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10如圖2及圖3所示的那樣，具備分子接合層40。分子接合層40至少設(shè)在接合引線60的表面與模制樹脂部80之間。再者，分子接合層40實(shí)際上非常薄，但為了便于說明，各圖中以一定程度的厚度示出。

本實(shí)施方式中，分子接合層40至少包含第1部分41、第2部分42、第3部分43及第4部分44。

第1部分41設(shè)在接合引線60的表面與模制樹脂部80之間，與接合引線60和模制樹脂部80雙方化學(xué)鍵合。由此，第1部分41將接合引線60和模制樹脂部80接合。

第2部分42設(shè)在引片框架70的表面(例如金屬鍍層72的表面)與模制樹脂部80之間，與引片框架70(例如金屬鍍層72)和模制樹脂部80雙方化學(xué)鍵合。由此，第2部分42將引片框架70(例如金屬鍍層72)和模制樹脂部80接合。

第3部分43設(shè)在半導(dǎo)體芯片30的表面與模制樹脂部80之間，與半導(dǎo)體芯片30和模制樹脂部80雙方化學(xué)鍵合。由此，第3部分43將半導(dǎo)體芯片30和模制樹脂部80接合。

第4部分44設(shè)在金屬基體20的表面與模制樹脂部80之間，與金屬基體20和模制樹脂部80雙方化學(xué)鍵合。由此，第4部分44將金屬基體20和模制樹脂部80接合。

第1部分41、第2部分42、第3部分43及第4部分44例如相互一體(例如一次連續(xù)地)地形成。

首先，對(duì)分子接合層40的第1部分41詳細(xì)地進(jìn)行說明。

本實(shí)施方式的分子接合層40包含由分子接合劑形成的分子接合體40r(參照?qǐng)D4)。分子接合劑例如為可與樹脂及金屬形成化學(xué)鍵(例如共價(jià)鍵)的化合物。再者本申請(qǐng)中所說的“共價(jià)鍵”，廣義上意味是具有共價(jià)鍵性的健，也包含配位健及準(zhǔn)共價(jià)鍵等。此外本申請(qǐng)中所說的“分子接合體”，意味是分子接合劑發(fā)生化學(xué)鍵合(例如化學(xué)反應(yīng))后殘留在接合部中的物質(zhì)。

作為分子接合劑，例如可列舉三嗪衍生物等化合物。作為三嗪衍生物，可列舉用以下的通式(c1)表示的化合物。

(c1)

(式中，r表示烴基或也可以夾雜異種原子或官能團(tuán)的烴基，x表示氫原子或烴基，y表示烷氧基，z表示也可以形成鹽的硫醇基、氨基或疊氮基、或也可以夾雜異種原子或官能團(tuán)的烴基，n1為1～3的整數(shù)，n2為1～2的整數(shù)。)

上述通式(c1)中，r優(yōu)選表示碳原子數(shù)為1～7的烴基、或在它們的主鎖中夾雜氮原子的烴基。x表示碳原子數(shù)為1～3的烴基。y表示碳原子數(shù)為1～3的烷氧基。n1優(yōu)選為3。n2優(yōu)選為2。z表示優(yōu)選也可以形成鹽的硫醇基、氨基或疊氮基或烷基。作為形成鹽的陽離子的元素，優(yōu)選堿金屬，其中更優(yōu)選li、na、k或cs。再者，在n2為2時(shí)，優(yōu)選至少1個(gè)z表示形成鹽的硫醇基、氨基或疊氮基。

分子接合層40的第1部分41的至少一部分(例如形成分子接合層40的分子接合劑的至少一部分)與含在接合引線60中的金屬60m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。同樣，分子接合層40的第1部分41的至少一部分(例如形成分子接合層40的分子接合劑的至少一部分)與含在模制樹脂部80中的樹脂80m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。由此，接合引線60和模制樹脂部80通過接合引線60與分子接合層40之間的化學(xué)鍵、及模制樹脂部80與分子接合層40之間的化學(xué)鍵而彼此接合。由此，使接合引線60和模制樹脂部80強(qiáng)固地密合。

圖4是示意性地表示分子接合層40的組成的一個(gè)例子的圖示。

如圖4所示的那樣，分子接合層40例如含有多個(gè)分子接合體40r。分子接合體40r含有通過上述的分子接合劑與接合對(duì)象物(firstmemberandsecondmember，第一膜和第二膜)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而形成的分子接合劑殘基。例如，分子接合體40r含有通過上述的分子接合劑與接合引線60及模制樹脂部80發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而形成的分子接合劑殘基。分子接合劑殘基例如為圖4所示那樣的三嗪二硫醇?xì)埢Ｔ僬?，分子接合體40r也可以含有圖4中的“s”及“z”。圖4中的“z”的一個(gè)例子為氨基烴基甲硅氧烷基。

例如，分子接合層40的第1部分41的至少一部分形成為單分子膜狀。含在分子接合層40的第1部分41中的至少1個(gè)分子接合體40r與接合引線60的金屬60m和模制樹脂部80的樹脂80m雙方化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。換句話來講，含在分子接合層40的第1部分41中的分子接合劑的1分子(例如分子接合體40r)與接合引線60的金屬60m和模制樹脂部80的樹脂80m雙方化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。

分子接合層40的第2部分42、第3部分43及第4部分44具有與第1部分41大致相同的構(gòu)成。例如，分子接合層40的第2部分42的至少一部分(例如形成分子接合層40的分子接合劑的至少一部分)與含在引片框架70中的金屬(例如金屬原料)化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。本實(shí)施方式中，分子接合層40的第2部分42的至少一部分與含在引片框架70的金屬鍍層72中的金屬72m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。同樣，分子接合層40的第2部分42的至少一部分(例如形成分子接合層40的分子接合劑的至少一部分)與含在模制樹脂部80中的樹脂80m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。由此，引片框架70和模制樹脂部80經(jīng)由引片框架70與分子接合層40之間的化學(xué)鍵及模制樹脂部80與分子接合層40之間的化學(xué)鍵而彼此接合。由此，使引片框架70和模制樹脂部80強(qiáng)固地密合。

例如，由阻擋金屬(例如鎳、鎳合金、鈦、鈦合金、鎢及鎢合金的至少一種)形成的金屬鍍層72例如對(duì)于由銅或銅合金形成的本體部71實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的保護(hù)功能，但對(duì)于模制樹脂部80沒有實(shí)現(xiàn)良好的密合性。但是，即使在這樣的情況下，通過在金屬鍍層72與模制樹脂部80之間設(shè)置分子接合層40，能夠確保金屬鍍層72與模制樹脂部80之間的良好的密合性。

例如，分子接合層40的第2部分42的至少一部分形成為單分子膜狀。含在分子接合層40的第2部分42中的至少1個(gè)分子接合體40r與引片框架70的金屬鍍層72的金屬72m和模制樹脂部80的樹脂80m雙方化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。換句話來講，含在分子接合層40的第2部分42中的分子接合劑的1分子(例如分子接合體40r)與引片框架70的金屬鍍層72的金屬72m和模制樹脂部80的樹脂80m雙方化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。

分子接合層40的第3部分43的至少一部分(例如形成分子接合層40的分子接合劑的至少一部分)與含在半導(dǎo)體芯片30中的硅30m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。同樣，分子接合層40的第3部分43的至少一部分(例如形成分子接合層40的分子接合劑的至少一部分)與含在模制樹脂部80中的樹脂80m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。由此，半導(dǎo)體芯片30和模制樹脂部80經(jīng)由半導(dǎo)體芯片30與分子接合層40之間的化學(xué)鍵及模制樹脂部80與分子接合層40之間的化學(xué)鍵而彼此接合。由此，使半導(dǎo)體芯片30和模制樹脂部80強(qiáng)固地密合。

例如，分子接合層40的第3部分43的至少一部分形成為單分子膜狀。含在分子接合層40的第3部分43中的至少1個(gè)分子接合體40r與半導(dǎo)體芯片30的硅30m和模制樹脂部80的樹脂80m雙方化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。換句話來講，含在分子接合層40的第3部分43中的分子接合劑的1分子(例如分子接合體40r)與半導(dǎo)體芯片30的硅30m和模制樹脂部80的樹脂80m雙方化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。

分子接合層40的第4部分44的至少一部分(例如形成分子接合層40的分子接合劑的至少一部分)與含在金屬基體20中的金屬20m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。同樣，分子接合層40的第4部分44的至少一部分(例如形成分子接合層40的分子接合劑的至少一部分)與含在模制樹脂部80中的樹脂80m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。由此，金屬基體20和模制樹脂部80經(jīng)由金屬基體20與分子接合層40之間的化學(xué)鍵及模制樹脂部80與分子接合層40之間的化學(xué)鍵而彼此接合。由此，使金屬基體20和模制樹脂部80強(qiáng)固地密合。

例如，分子接合層40的第4部分44的至少一部分形成為單分子膜狀。含在分子接合層40的第4部分44中的至少1個(gè)分子接合體40r與金屬基體20的金屬20m和模制樹脂部80的樹脂80m雙方化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。換句話來講，含在分子接合層40的第4部分44中的分子接合劑的1分子(例如分子接合體40r)與金屬基體20的金屬20m和模制樹脂部80的樹脂80m雙方化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。

接合引線60、引片框架70、半導(dǎo)體芯片30及金屬基體20中的至少1個(gè)與模制樹脂部80之間的密合強(qiáng)度優(yōu)選為2mpa以上，更優(yōu)選為5mpa以上，進(jìn)一步優(yōu)選為6mpa以上，進(jìn)而優(yōu)選為10mpa以上。密合強(qiáng)度例如可通過剪切試驗(yàn)進(jìn)行測(cè)定。作為拉伸試驗(yàn)的具體例子，可列舉semig69-0996中規(guī)定的方法。

再者，與金屬60m、金屬72m、硅30m、金屬20m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)的分子接合體40r和與樹脂80m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)的分子接合體40r可以相同，也可以不相同，如果1分子的分子接合體40r與金屬60m、金屬72m、硅30m或金屬20m和樹脂80m雙方化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)，則接合引線60、引片框架70、半導(dǎo)體芯片30或金屬基體20與模制樹脂部80的密合性進(jìn)一步提高。

分子接合層40的厚度優(yōu)選為0.5nm以上且20nm以下，更優(yōu)選為1nm以上且10nm以下。如果分子接合層40的厚度為上述下限值以上，則能夠進(jìn)一步提高接合引線60、引片框架70、半導(dǎo)體芯片30或金屬基體20與模制樹脂部80之間的密合性。如果分子接合層40的厚度為上述上限值以下，則能夠降低分子接合層40中所用的分子接合劑的量。

設(shè)在接合引線60、引片框架70、半導(dǎo)體芯片30或金屬基體20的表面上的分子接合層40的至少一部分優(yōu)選為單分子膜狀。例如，優(yōu)選分子接合層40的30％以上且100％以下為單分子膜狀，優(yōu)選分子接合層40的全部為單分子膜狀。在分子接合層40中的形成為單分子膜狀的區(qū)域中，1分子的分子接合劑與金屬60m、金屬72m、硅30m、金屬20m和樹脂80m雙方化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。因此，接合引線60、引片框架70、半導(dǎo)體芯片30或金屬基體20與模制樹脂部80之間的密合性進(jìn)一步提高，而且能夠?qū)⒎肿咏雍蠈?0中所用的分子接合劑的量降低到最低限。

分子接合層40相對(duì)于接合引線60、引片框架70、半導(dǎo)體芯片30、金屬基體20的被覆密度優(yōu)選為20面積％以上，更優(yōu)選為30面積％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為50面積％以上。如果所述被覆密度為上述下限值以上，則可進(jìn)一步提高接合引線60、引片框架70、半導(dǎo)體芯片30或金屬基體20與模制樹脂部80之間的密合性。因優(yōu)選所述被覆密度高而對(duì)其上限值沒有特別的限定。但是，作為被覆密度的上限值，例如可例示70面積％或80面積％。再者，在分子接合層40的被覆密度為100面積％時(shí)，定義為分子接合劑相對(duì)于要被覆的對(duì)象物的表面理論上最密地填充。分子接合劑的被覆密度可從采用x射線衍射法的測(cè)定結(jié)果中來求出。

接著，對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10的制造方法進(jìn)行說明。

作為半導(dǎo)體封裝件10的制造方法的一個(gè)例子，用分子接合劑被覆接合引線60、引片框架70的金屬鍍層72、半導(dǎo)體芯片30及金屬基體20的表面。由此，形成與含在接合引線60、引片框架70的金屬鍍層72、半導(dǎo)體芯片30及金屬基體20中的金屬60m、金屬72m、硅30m、金屬20m化學(xué)鍵合的分子接合層40。然后，通過用樹脂80m被覆分子接合層40的表面，形成與分子接合層40化學(xué)鍵合的模制樹脂部80。

圖5是表示半導(dǎo)體封裝件10的制造方法的流程的一個(gè)例子的剖視圖。

本實(shí)施方式中，首先，以中間夾著小片接合粘接層50的方式將金屬基體20和半導(dǎo)體芯片30重疊。由此，將半導(dǎo)體芯片30固定在金屬基體20上(圖5中的(a))。接著，通過接合引線60電連接半導(dǎo)體芯片30和引片框架70(圖5中的(b))。

接著，通過用分子接合劑被覆(例如通過涂布分子接合劑)接合引線60的表面、引片框架70的表面、半導(dǎo)體芯片30的表面及金屬基體20的表面，形成分子接合層40(圖5中的(c))。關(guān)于分子接合層40的形成，例如可通過將含有上述的分子接合劑的分子接合劑溶液涂布在接合引線60的表面、引片框架70的表面、半導(dǎo)體芯片30的表面及金屬基體20的表面上來進(jìn)行。作為涂布分子接合劑溶液的方法的例子，可列舉出將接合引線60、引片框架70、半導(dǎo)體芯片30及金屬基體20浸漬在分子接合劑溶液中的方法、或向這些部件噴涂分子接合劑溶液的方法等。本實(shí)施方式中，大致同時(shí)對(duì)接合引線60、引片框架70、半導(dǎo)體芯片30及金屬基體20涂布分子接合劑。再者，所謂“大致同時(shí)涂布”，例如意味著在分別對(duì)這些部件涂布分子接合劑的工序間，不存在其它工序(例如安裝其它部件的工序)。以其它觀點(diǎn)看，所謂“大致同時(shí)涂布”，例如意味著對(duì)這些部件連續(xù)地涂布分子接合劑。

分子接合劑優(yōu)選以分子接合劑溶液的形態(tài)使用。分子接合劑溶液可通過將上述分子接合劑溶解于溶劑中來調(diào)制。

作為溶劑，例如可列舉出水；甲醇、乙醇、異丙醇、乙二醇、丙二醇、溶纖劑及卡必醇等醇類；丙酮、甲乙酮及環(huán)己酮等酮類；苯、甲苯及二甲苯等芳香族烴；己烷、辛烷、癸烷、十二烷及十八烷等脂肪族烴；醋酸乙酯、丙酸甲酯及鄰苯二甲酸二甲酯等酯類；以及四氫呋喃、乙基丁基醚及苯甲醚等醚類。此外，也可使用將這些溶劑混合而成的混合溶劑。

分子接合劑溶液的濃度優(yōu)選為0.001質(zhì)量％以上且1質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0.01質(zhì)量％以上且0.1質(zhì)量％以下。如果分子接合劑溶液的濃度為上述下限值以上，則通過提高分子接合劑的被覆密度而能夠進(jìn)一步提高部件間的密合性。如果分子接合劑溶液的濃度為上述上限值以下，則能夠使分子接合劑穩(wěn)定地溶解于溶劑中。

將調(diào)制好的分子接合劑溶液涂布在接合引線60、引片框架70、半導(dǎo)體芯片30及金屬基體20的表面上?？梢詫⑼坎剂朔肿咏雍蟿┤芤旱慕雍弦€60、引片框架70、半導(dǎo)體芯片30及金屬基體20靜置，由此進(jìn)行接合引線60的金屬60m、引片框架70的金屬72m、半導(dǎo)體芯片30的硅30m及金屬基體20的金屬20m與分子接合劑的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。另外，也可以進(jìn)行對(duì)分子接合層40施加能量(例如熱或光(例如紫外線))的操作。通過施加能量的操作，也可以進(jìn)一步促進(jìn)分子接合劑與上述各部件的原料之間的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。作為施加外部能量的方法，例如可列舉加熱及照射紫外線。在采用熱時(shí)，可將150～200℃范圍的加熱進(jìn)行5分鐘以上，優(yōu)選進(jìn)行60分鐘以上，更優(yōu)選進(jìn)行80分鐘以上，此外優(yōu)選進(jìn)行120分鐘以上，優(yōu)選進(jìn)行240分鐘以下。例如，根據(jù)分子接合層的原料，可從5分鐘～120分鐘、60分鐘～240分鐘、優(yōu)選80分鐘～240分鐘等中選擇。此外，照射的紫外線的波長優(yōu)選為250nm以下，照射時(shí)間可根據(jù)分子接合劑溶液的涂布量適宜決定。然后，通過對(duì)涂布了分子接合劑的部件進(jìn)行清洗，接著進(jìn)行干燥，也可以將剩余的分子接合劑及溶液除去。例如通過將剩余的分子接合劑除去，分子接合層40可形成為單分子膜狀。清洗液例如可從與分子接合劑溶液中所用的上述溶劑相同的物質(zhì)中選擇。干燥可在150℃～200℃下進(jìn)行。通過這些操作，可用分子接合劑(例如分子接合體40r)被覆接合引線60、引片框架70、半導(dǎo)體芯片30及金屬基體20的表面。也就是說，可形成與含在接合引線60、引片框架70、半導(dǎo)體芯片30及金屬基體20中的原料化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)的分子接合層40。再者，在本實(shí)施方式時(shí)，作為外部能量而施加熱的操作，也可以通過作為形成模制樹脂部80的樹脂80m而向接合引線60、引片框架70、半導(dǎo)體芯片30及金屬基體20的周圍供給加熱的熱固性樹脂來進(jìn)行。

分子接合層40的厚度，可根據(jù)分子接合劑溶液的濃度及涂布量以及清洗時(shí)間及次數(shù)等條件進(jìn)行調(diào)節(jié)。

接著，向分子接合層40的表面供給用于形成模制樹脂部80的樹脂80m。也就是說，以被覆接合引線60、引片框架70的至少一部、半導(dǎo)體芯片30及金屬基體20的方式供給樹脂80m。由此，樹脂80m與分子接合層40相接。由此，樹脂80m和分子接合層40化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。例如，以比較高溫的狀態(tài)，以被覆接合引線60、引片框架70的至少一部、半導(dǎo)體芯片30及金屬基體20的方式供給樹脂80m。由此，可促進(jìn)樹脂80m和分子接合層40的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。由此，通過分子接合層40可形成與接合引線60、引片框架70的至少一部、半導(dǎo)體芯片30及金屬基體20接合的模制樹脂部80(圖5中的(d))。再者，樹脂80m的供給方法沒有特別的限定，可采用公知的多種方法。作為樹脂80m的供給方法，例如可列舉傳遞模塑成型及壓縮成形。

再者，分子接合劑的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)也可以在不施加熱或光等能量的情況下進(jìn)行。也可以取而代之，通過施加熱或光等能量來進(jìn)行分子接合劑的化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。

然后，例如進(jìn)行后固化、珩磨、外部涂裝、單片化等工序，完成半導(dǎo)體封裝件10。

這里，作為比較例，為提高引片框架70的相對(duì)于模制樹脂部80的密合性，考慮預(yù)先對(duì)引片框架70的金屬鍍層72的表面進(jìn)行化學(xué)的涂覆處理。但是，在包含小片接合及引線接合的安裝工序中，施加150℃～400℃的熱負(fù)荷。因此，通過所述涂覆處理而形成的涂層有因熱負(fù)荷而劣化或分解的可能性。此外，如果對(duì)引片框架70實(shí)施化學(xué)的涂覆處理，則有時(shí)妨礙小片接合及引線接合的工序。

另一方面，根據(jù)本實(shí)施方式這樣的分子接合層40，即使因安裝工序的熱負(fù)荷，分子接合層40也難以發(fā)生劣化或分解。因此，通過分子接合層40可確保引片框架70的金屬鍍層72與模制樹脂部80之間的密合性。此外，分子接合劑的涂布可在小片接合及引線接合的工序后進(jìn)行。因此，分子接合層40不會(huì)妨礙小片接合及引線接合的工序。

接著，對(duì)本實(shí)施方式的幾個(gè)變形例進(jìn)行說明。

圖6是表示第1變形例的半導(dǎo)體封裝件10的剖視圖。

如圖6所示的那樣，引片框架70具有突出到模制樹脂部80的外部的第1部分75和被覆在模制樹脂部80上的第2部分76。

在本變形例中，關(guān)于引片框架70，只在引片框架70的第2部分76的表面上設(shè)有分子接合層40。也就是說，分子接合層40沒有設(shè)在引片框架70的第1部分75的表面上。這樣的構(gòu)成例如可通過以用掩模被覆引片框架70的第1部分75的狀態(tài)涂布分子接合劑來形成。

根據(jù)這樣的構(gòu)成，模制樹脂部80的溢料等難以粘在引片框架70的第1部分75上。因此，容易進(jìn)行模制樹脂部80的溢料的除去等。

圖7是表示第2變形例的半導(dǎo)體封裝件10的剖視圖。

如圖7所示的那樣，本實(shí)施方式中，引片框架70的表面(例如金屬鍍層72的表面)例如可通過腐蝕等粗糙化。例如，引片框架70的表面粗糙度按算術(shù)平均粗糙度ra計(jì)為0.1μm以上。算術(shù)平均粗糙度ra例如由日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(jis)定義。

根據(jù)這樣的構(gòu)成，通過分子接合層40的接合效果和粗糙化的表面的釘扎效果所形成的復(fù)合效果，可進(jìn)一步提高引片框架70和模制樹脂部80之間的接合強(qiáng)度。

(第2實(shí)施方式)

接著，參照?qǐng)D8對(duì)第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式在半導(dǎo)體封裝件10中取代金屬基體20而具有基板90這點(diǎn)等上與第1實(shí)施方式不同。再者，以下說明的以外的構(gòu)成與第1實(shí)施方式相同。

圖8是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10的剖視圖。

如圖8所示的那樣，半導(dǎo)體封裝件10具備基板90、半導(dǎo)體芯片30、分子接合層40、小片接合粘接層50、接合引線60和模制樹脂部80。

基板(例如插入式基板)90為“基體”的另一個(gè)例子?；?0例如由樹脂(例如合成樹脂樹脂)或陶瓷等形成。本實(shí)施方式中，半導(dǎo)體芯片30載置在基板90上?；?0具有導(dǎo)電襯墊(例如連接部、電連接部、端子)91、多個(gè)釬焊連接部(例如外部連接端子)92、將導(dǎo)電襯墊91和釬焊連接部92電連接的布線圖形。接合引線60設(shè)在基板90的導(dǎo)電襯墊91與半導(dǎo)體芯片30的導(dǎo)電襯墊31之間?；?0的導(dǎo)電襯墊91被模制樹脂部80被覆?；?0的導(dǎo)電襯墊91為“導(dǎo)電部”的一個(gè)例子。小片接合粘接層50設(shè)在基板90與半導(dǎo)體芯片30之間。

本實(shí)施方式中，分子接合層40設(shè)在接合引線60的表面、基板90的導(dǎo)電襯墊91的表面、面向模制樹脂部80的基板90的表面、及半導(dǎo)體芯片30的表面上。分子接合層40將接合引線60、基板90的導(dǎo)電襯墊91、基板90及半導(dǎo)體芯片30和模制樹脂部80接合。

例如，分子接合層40具有第1部分41、第2部分42及第3部分43。第1部分41及第3部分43與第1實(shí)施方式中的第1部分41及第3部分43大致相同。本實(shí)施方式的第2部分42設(shè)在導(dǎo)電襯墊91的表面與模制樹脂部80之間與導(dǎo)電襯墊91和模制樹脂部80雙方化學(xué)鍵合。由此，第2部分42將導(dǎo)電襯墊91和模制樹脂部80接合。例如，分子接合層40的第2部分42的至少一部分(例如形成分子接合層40的分子接合劑的至少一部分)與含在導(dǎo)電襯墊91中的金屬91m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。例如，含在分子接合層40的第2部分42中的分子接合劑的1分子(例如分子接合體40r)與導(dǎo)電襯墊91的金屬91m和模制樹脂部80的樹脂80m雙方化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。

(第3實(shí)施方式)

接著，參照?qǐng)D9對(duì)第3實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式在只在金屬構(gòu)件100的一方的表面上設(shè)置金屬鍍層72這點(diǎn)等上與第1實(shí)施方式不同。再者，以下說明的以外的構(gòu)成與第1實(shí)施方式相同。

圖9是表示第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10的一部分的剖視圖。

如圖9所示的那樣，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10在金屬構(gòu)件(例如金屬部件、金屬基材)100中的樹脂層120的相反側(cè)的表面上經(jīng)由分子接合層40接合有樹脂層110。也就是說，金屬構(gòu)件100的一方的表面被樹脂層(例如樹脂部、絕緣部)110被覆，金屬構(gòu)件100的另一方的表面被樹脂層(例如樹脂部、絕緣部)120被覆。此外，通過分子接合層40提高了金屬構(gòu)件100與樹脂層110之間(例如金屬鍍層72與樹脂層110之間)的密合性。其結(jié)果是，可有效地保護(hù)金屬構(gòu)件100免受來自外部的壓力、濕氣及污染物質(zhì)等的影響。

作為第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10的制造方法，可采用第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10的制造方法。在半導(dǎo)體封裝件10的制造方法中，在金屬構(gòu)件100中的金屬鍍層72的表面及其相反側(cè)的表面涂布分子接合劑溶液，形成分子接合層40。接著，在分子接合層40的表面，涂布用于形成樹脂層110、120的樹脂110m、120m，進(jìn)行成膜。由此，能夠制造第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10。

(第4實(shí)施方式)

接著，參照?qǐng)D10對(duì)第4實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式在在金屬構(gòu)件100的兩面設(shè)置金屬鍍層72、72a這點(diǎn)等上與第3實(shí)施方式不同。再者，以下說明的以外的構(gòu)成與第3實(shí)施方式相同。

圖10是表示第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10的一部分的剖視圖。如圖10所示的那樣，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10在金屬構(gòu)件100的本體部71中的金屬鍍層72的相反側(cè)的表面上層疊有金屬鍍層72a、分子接合層40及樹脂層120。金屬鍍層72a為與金屬鍍層72大致相同的鍍層。也就是說，在半導(dǎo)體封裝件10的金屬構(gòu)件100中的金屬鍍層72的相反側(cè)的表面上設(shè)有金屬鍍層72a。在金屬鍍層72a的表面上經(jīng)由分子接合層40接合樹脂層120。也就是說，金屬構(gòu)件100的一方的表面被金屬鍍層72及樹脂層110被覆，金屬構(gòu)件100的另一方的表面被金屬鍍層72a及樹脂層120被覆。因此，能夠在金屬構(gòu)件100的表面的寬范圍中實(shí)現(xiàn)源自金屬鍍層72、72a的保護(hù)功能和源自樹脂層110、120的保護(hù)功能的雙方。

作為第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10的制造方法，可采用第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10的制造方法。在半導(dǎo)體封裝件10的制造方法中，首先，準(zhǔn)備金屬構(gòu)件100，其具備設(shè)在金屬構(gòu)件100的一方的表面上的金屬鍍層72和設(shè)在金屬構(gòu)件100的另一方的表面上的金屬鍍層72a。接著，在金屬構(gòu)件100的金屬鍍層72、72a的表面上涂布分子接合劑溶液，形成分子接合層40。接著，在分子接合層40的表面上涂布用于形成樹脂層110、120的樹脂110m、120m，進(jìn)行成膜。由此可制造第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10。

以上，對(duì)幾個(gè)實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體封裝件10及半導(dǎo)體封裝件10的制造方法進(jìn)行了說明。但是，實(shí)施方式的構(gòu)成并不限定于上述例子。例如，引片框架70也可以具有金屬鍍層72。也就是說，引片框架70全體也可以由本體部71的金屬71m(例如銅或銅合金)形成。在此種情況下，金屬71m為“第2金屬(例如第2金屬原料、第2原料)”的一個(gè)例子。也就是說，分子接合層40的至少一部分也可以與含在引片框架70中的金屬71m化學(xué)鍵合(例如共價(jià)鍵合)。根據(jù)這樣的構(gòu)成，也能提高引片框架70與模制樹脂部80之間的密合性。再者，“第2金屬”也可以與“第1金屬”相同，也可以不相同。

此外，以其它觀點(diǎn)看，半導(dǎo)體封裝件10也可以在接合引線60的表面不具有分子接合層40。一個(gè)觀點(diǎn)的半導(dǎo)體封裝件具備導(dǎo)電部、分子接合層和樹脂部。所述導(dǎo)電部在導(dǎo)電部的表面具有金屬鍍層。所述分子接合層設(shè)在所述金屬鍍層的表面。所述樹脂部通過所述分子接合層與所述金屬鍍層接合。所述分子接合層的至少一部分與含在所述金屬鍍層中的金屬化學(xué)鍵合。所述分子接合層的至少一部分與含在所述樹脂部中的樹脂化學(xué)鍵合。也就是說，半導(dǎo)體封裝件10例如只要至少具有設(shè)在金屬鍍層72與模制樹脂部80之間的分子接合層40即可。關(guān)于這樣的半導(dǎo)體封裝件10的制造方法，例如也可以在設(shè)置接合引線60之前對(duì)引片框架70單體涂布分子接合劑。由此，也可以在引片框架70的表面上形成分子接合層40。而且然后，也可以在形成了分子接合層40的引片框架70上連接接合引線60。

根據(jù)以上說明的至少1個(gè)實(shí)施方式，能夠提供可通過分子接合層提高了接合引線和模制樹脂部的密合性的半導(dǎo)體封裝件。

此外以其它觀點(diǎn)看，根據(jù)以上說明的至少1個(gè)實(shí)施方式，能夠提供可通過分子接合層提高了金屬鍍層和樹脂部的密合性的半導(dǎo)體封裝件。

以下，附記幾個(gè)半導(dǎo)體封裝件及半導(dǎo)體封裝件的制造方法的例子。

[1]、一種半導(dǎo)體封裝件，其具備：

金屬構(gòu)件，其具備金屬基體和設(shè)在所述金屬基體中的至少一方的表面上的金屬鍍層，

分子接合層，其設(shè)在所述金屬構(gòu)件中的至少所述金屬鍍層的表面上，

樹脂層，其通過所述分子接合層與所述金屬構(gòu)件接合；

所述分子接合層含有分子接合劑；

所述分子接合劑的至少一部分與含在所述金屬鍍層中的金屬共價(jià)鍵合；

所述分子接合劑的至少一部分與含在所述樹脂層中的樹脂共價(jià)鍵合。

[2]、根據(jù)上述[1]所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，

所述分子接合層中的所述分子接合劑相對(duì)于所述金屬構(gòu)件的被覆密度為20面積％以上且80面積％以下。

[3]、根據(jù)上述[1]所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，

所述分子接合層的至少一部為單分子膜狀；

所述分子接合劑的至少一部分與所述金屬和所述樹脂雙方共價(jià)鍵合。

[4]、根據(jù)上述[1]所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，

所述金屬基體含有銅或銅合金。

[5]、根據(jù)上述[1]所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，

所述金屬鍍層含有鎳或鎳合金。

[6]、根據(jù)上述[1]所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，

所述樹脂層為含有環(huán)氧樹脂的模制樹脂。

[7]、根據(jù)上述[1]所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，

所述金屬構(gòu)件為所述半導(dǎo)體封裝件的內(nèi)部布線即引片框架。

[8]、根據(jù)上述[1]所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，

所述分子接合劑為三嗪衍生物。

[9]、根據(jù)上述[8]所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，

所述三嗪衍生物為用通式(c1)表示的化合物。

(c1)

(式中，r表示烴基或也可以夾雜異種原子或官能團(tuán)的烴基，x表示氫原子或烴基，y表示烷氧基，z表示也可以形成鹽的硫醇基、氨基、或疊氮基或也可以夾雜異種原子或官能團(tuán)的烴基，n1為1～3的整數(shù)，n2為1～2的整數(shù)。)

[10]、一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其中，

通過用分子接合劑被覆具備金屬基體和設(shè)在所述金屬基體中的至少一方的表面上的金屬鍍層的金屬構(gòu)件中的至少所述金屬鍍層的表面，形成含有與含在所述金屬鍍層中的金屬共價(jià)鍵合的所述分子接合劑的分子接合層；

通過用樹脂被覆所述分子接合層表面，形成含有與所述分子接合劑共價(jià)鍵合的所述樹脂的樹脂層。

[11]、根據(jù)上述[10]所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其中，

通過將所述金屬鍍層的表面中的所述分子接合層的至少一部分形成為單分子膜狀，使所述分子接合劑的至少一部分與所述金屬和所述樹脂雙方共價(jià)鍵合。

[12]、根據(jù)上述[10]所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其中，

所述金屬基體含有銅或銅合金。

[13]、根據(jù)上述[10]所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其中，

所述金屬鍍層含有鎳或鎳合金。

[14]、根據(jù)上述[10]所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其中，

所述樹脂層為含有環(huán)氧樹脂的模制樹脂。

[15]、根據(jù)上述[10]所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其中，

所述金屬構(gòu)件為所述半導(dǎo)體封裝件的內(nèi)部布線即引片框架。

[16]、根據(jù)上述[10]所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其中，

所述分子接合劑為三嗪衍生物。

[17]、根據(jù)上述[16]所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其中，

所述三嗪衍生物為用通式(c1)表示的化合物。

(c1)

(式中，r表示烴基或也可以夾雜異種原子或官能團(tuán)的烴基，x表示氫原子或烴基，y表示烷氧基，z表示也可以形成鹽的硫醇基、氨基或疊氮基、或也可以夾雜異種原子或官能團(tuán)的烴基，n1為1～3的整數(shù)，n2為1～2的整數(shù)。)

以上，對(duì)本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但這些實(shí)施方式是作為例子而示出的，其意圖并非限定發(fā)明的范圍。這些實(shí)施方式能夠以其它各種方式實(shí)施，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式和其變形包含于發(fā)明的范圍、主旨中，同樣也包含于權(quán)利要求書中記載的發(fā)明和其均等的范圍內(nèi)。