1.一種結(jié)構(gòu)，包括：
鰭狀物，所述鰭狀物包括硅并且包括位于第二區(qū)域之上的第一區(qū)域；
柵極疊置體，所述柵極疊置體與所述第一區(qū)域的側(cè)壁表面相鄰，其中，所述柵極疊置體包括柵極電介質(zhì)和柵極電極；
源極和漏極；
電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層與所述第二區(qū)域的側(cè)壁表面相鄰，其中，所述電介質(zhì)層包括雜質(zhì)，所述雜質(zhì)還存在于所述第二區(qū)域內(nèi)并且與導(dǎo)電類型相關(guān)聯(lián)；以及
隔離材料，所述隔離材料與所述電介質(zhì)層相鄰。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中：
所述電介質(zhì)層包括磷摻雜的硅酸鹽玻璃(PSG)；
所述雜質(zhì)是磷；并且
所述鰭狀物與PMOS晶體管相關(guān)聯(lián)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述電介質(zhì)層與所述柵極電極或柵極電介質(zhì)的至少其中之一接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中：
所述第一區(qū)域具有小于20nm的橫向?qū)挾龋?/p>
所述鰭狀物具有介于20nm與150nm之間的垂直高度；并且
所述電介質(zhì)層具有如正交于所述側(cè)壁表面所測量到的介于1nm與5nm之間的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述電介質(zhì)層具有大體上共形的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，還包括第二鰭狀物，其中：
所述第二鰭狀物包括上層區(qū)域和下層區(qū)域；
第二柵極疊置體與所述上層區(qū)域的側(cè)壁表面相鄰；并且
第二源極和第二漏極耦合到所述上層區(qū)域；
第二電介質(zhì)層與所述下層區(qū)域的側(cè)壁表面相鄰，其中，所述第二電介質(zhì)層包括第二雜質(zhì)，所述第二雜質(zhì)還存在于所述下層區(qū)域內(nèi)并且與第二互補(bǔ)導(dǎo)電類型相關(guān)聯(lián)；并且
所述隔離材料將所述第一電介質(zhì)層與所述第二電介質(zhì)層分隔開。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述隔離材料包括多個電介質(zhì)層，所述多個電介質(zhì)層包括氮化硅層，所述氮化硅層與所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層相鄰。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其中：
所述第一電介質(zhì)層包括磷摻雜的硅酸鹽玻璃(PSG)；
所述鰭狀物與PMOS晶體管相關(guān)聯(lián)；
所述第二電介質(zhì)層包括硼摻雜的硅酸鹽玻璃(BSG)；并且
所述第二鰭狀物與NMOS晶體管相關(guān)聯(lián)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)，其中：
所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層形成了與所述鰭狀物的所述第二區(qū)域或所述第二鰭狀物的下層區(qū)域中的至少一個區(qū)域的側(cè)壁表面相鄰的層的疊置體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述層的疊置體還包括位于所述第一電介質(zhì)層與所述第二電介質(zhì)層之間的氮化硅層。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一區(qū)域包括濃度在10e17cm-3與10e19cm-3之間的所述第一雜質(zhì)。
12.根據(jù)權(quán)力要求11所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述下層區(qū)域包括濃度在10e17cm-3與10e19cm-3之間的所述第二雜質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)力要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中，包括所述雜質(zhì)的所述電介質(zhì)層在與第二區(qū)域的所述側(cè)壁表面相交的襯底表面之上延伸，位于所述襯底表面之上的所述電介質(zhì)層將所述隔離電介質(zhì)與所述襯底表面分隔開。
14.一種結(jié)構(gòu)，包括：
PMOS晶體管，所述PMOS晶體管進(jìn)一步包括：
第一鰭狀物，所述第一鰭狀物包括硅并且包括位于第二區(qū)域之上的第一區(qū)域；
柵極疊置體，所述柵極疊置體與所述第一區(qū)域的側(cè)壁表面相鄰，其中，所述柵極疊置體包括柵極電介質(zhì)和柵極電極；
源極和漏極；以及
第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層包括磷和硅、與所述第二區(qū)域的側(cè)壁表面相鄰，其中，磷還存在于所述第二區(qū)域內(nèi)；
NMOS晶體管，所述NMOS晶體管進(jìn)一步包括：
第二鰭狀物，所述第二鰭狀物包括硅并且包括位于下層區(qū)域之上的上層區(qū)域；
柵極疊置體，所述柵極疊置體與所述上層區(qū)域的側(cè)壁表面相鄰，其中，所述柵極疊置體包括柵極電介質(zhì)和柵極電極；
源極和漏極；以及
第二電介質(zhì)層，所述第二電介質(zhì)層包括硼和硅、與所述第二區(qū)域的側(cè)壁表面相鄰，其中，硼還存在于所述下層區(qū)域內(nèi)；以及
隔離材料，所述隔離材料將所述第一鰭狀物與所述第二鰭狀物分隔開，其中，所述隔離材料與所述第一電介質(zhì)層相鄰并且與所述第二電介質(zhì)層相鄰。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的結(jié)構(gòu)，其中：
所述第一區(qū)域具有小于20nm的橫向?qū)挾龋?/p>
所述鰭狀物具有介于20nm與150nm之間的垂直高度；并且
所述第一電介質(zhì)層具有如正交于所述側(cè)壁表面所測量到的介于1nm與5nm之間的厚度。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述隔離材料包括多個電介質(zhì)層，所述多個電介質(zhì)層包括氮化硅層，所述氮化硅層與所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層相鄰。
17.根據(jù)權(quán)力要求14所述的結(jié)構(gòu)，其中：
所述第一區(qū)域包括濃度在10e17cm-3與10e19cm-3之間的磷；并且
所述下層區(qū)域包括濃度在10e17cm-3與10e19cm-3之間的硼。
18.一種結(jié)構(gòu)，包括：
鰭狀物，所述鰭狀物包括硅并且包括位于第二區(qū)域之上的第一區(qū)域；
柵極疊置體，所述柵極疊置體與所述第一區(qū)域的側(cè)壁表面相鄰，其中，所述柵極疊置體包括柵極電介質(zhì)和柵極電極；
源極和漏極；以及
電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層包括硼和硅、與所述第二區(qū)域的側(cè)壁表面相鄰，其中，硼還存在于所述第二區(qū)域內(nèi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的結(jié)構(gòu)，還包括第二鰭狀物，其中：
所述第二鰭狀物包括上層區(qū)域和下層區(qū)域；
第二柵極疊置體與所述上層區(qū)域的側(cè)壁表面相鄰；并且
第二源極和第二漏極耦合到所述上層區(qū)域；
包括磷和硅的第二電介質(zhì)層與所述下層區(qū)域的側(cè)壁表面相鄰，其中，磷還存在于所述第二區(qū)域內(nèi)；并且
隔離材料將所述第一電介質(zhì)層與所述第二電介質(zhì)層分隔開。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的結(jié)構(gòu)，其中，所述第一電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層形成了與所述鰭狀物的所述第二區(qū)域或所述第二鰭狀物的下層區(qū)域中的至少一個區(qū)域的側(cè)壁表面相鄰的層的疊置體。