1.一種覆蓋金屬層填充孔或槽的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一芯片，其包含功能面和與其相對的非功能面，所述功能面包含有功能區(qū)和位于四周的焊墊；一基板,正面具有圍堰,所述基板正面與芯片功能面通過圍堰鍵合，所述圍堰覆蓋芯片焊墊，功能區(qū)與基板之間形成空腔，所述基板背面具有通孔或槽，所述通孔或槽貫穿圍堰露出所述芯片焊墊；在通孔或槽內(nèi)以及基板背面鋪設(shè)有金屬層，所述金屬層與焊墊電性連接；所述金屬層上覆蓋有導(dǎo)電互連材料，該導(dǎo)電互連材料的厚度小于用于電性互連的導(dǎo)電凸塊的厚度，且所述導(dǎo)電互連材料填滿或部分填充了所述通孔或槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆蓋金屬層填充孔或槽的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板正面對應(yīng)功能區(qū)的位置具有凹腔，所述凹腔的腔壁與腔底的角度是90°或是90°～180°范圍之間，其中包括180°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆蓋金屬層填充孔或槽的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電互連材料為錫膏或?qū)щ娔z。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆蓋金屬層填充孔或槽的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電互連材料在所述基板背面上呈單層或多層的平面狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆蓋金屬層填充孔或槽的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片和基板以及導(dǎo)電互連材料的封裝體厚度小于360微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆蓋金屬層填充孔或槽的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片和基板的組裝體與一電路板組裝，先使所述基板背面包含所述導(dǎo)電互連材料貼合于所述電路板上，然后在所述電路板上對所述組裝體的正面及周側(cè)進(jìn)行塑封層整體塑封。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的覆蓋金屬層填充孔或槽的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電路板上所述芯片組裝體以外的區(qū)域結(jié)合有其他芯片，所述芯片組裝體及其他芯片進(jìn)行塑封層整體一次塑封。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的覆蓋金屬層填充孔或槽的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板為硅基板、玻璃基板、陶瓷基板、塑料基板中的一種或其它硬質(zhì)基板。
9.一種覆蓋金屬層填充孔或槽的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、提供一芯片，所述芯片包含功能面和與其相對的非功能面，所述功能面包含有功能區(qū)和位于四周的焊墊；
步驟二、提供一基板，所述基板正面鋪設(shè)可光刻聚合物膠，通過曝光、顯影形成圍堰；
步驟三、所述芯片功能面與基板正面通過圍堰鍵合；
步驟四、在所述基板背面對應(yīng)焊墊的位置刻蝕形成通孔或槽，并露出焊墊；
步驟五、在所述通孔或槽內(nèi)以及基板背面鋪設(shè)絕緣層，并將所述通孔或槽底部的絕緣層去除露出焊墊；
步驟六、在通孔或槽內(nèi)以及基板背面通過涂布或濺射的方式鋪設(shè)金屬層，所述金屬層與焊墊電性連接；
步驟七、采用印刷、點膠或涂布的方式在步驟六的金屬層上設(shè)置導(dǎo)電互連材料，并且將通孔或槽完全或部分填充，所述導(dǎo)電互連材料通過金屬層與芯片焊墊電性連接，該導(dǎo)電互連材料的厚度小于用于電性互連的導(dǎo)電凸塊的厚度；
步驟八、提供一電路板，將基板背面包含所述導(dǎo)電互連材料與電路板貼合，進(jìn)行回流焊工藝，使所述芯片和基板的組裝體與所述電路板通過導(dǎo)電互連材料進(jìn)行互連；
步驟九、在所述電路板上對所述步驟八的組裝體的正面及周側(cè)進(jìn)行塑封層整體塑封。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的覆蓋金屬層填充孔或槽的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述電路板上所述芯片和基板的組裝體以外的區(qū)域結(jié)合有其他芯片，所述未塑封的芯片和基板的組裝體及其他芯片進(jìn)行塑封層整體一次塑封。