1.一種10kV多級短弧位降電壓疊加過電壓防護(hù)裝置，包括絕緣本體(9)及分別設(shè)置在所述絕緣本體(9)兩端的高壓電極(1)和低壓電極(2)，其特征在于：還包括同軸套置在所述絕緣本體(9)上的兩個絕緣盤(7)，每個所述絕緣盤(7)的圓周面上均布置有多級短弧位降電壓疊加室(8)，且所述多級短弧位降電壓疊加室(8)分布在所述絕緣盤(7)二分之一至四分之三的圓周面上；
所述多級短弧位降電壓疊加室(8)包括沿所述絕緣盤(7)圓周面均勻鑲嵌的若干個電極(15)，每相鄰兩個所述電極(15)之間有第一放電間隙(11)；所述絕緣盤(7)圓周面上正對著每個所述第一放電間隙(11)位置處開有與所述第一放電間隙(11)連通的通孔(10)，且所述通孔(10)與外界連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述10kV多級短弧位降電壓疊加過電壓防護(hù)裝置，其特征在于：所述第一放電間隙(11)的距離為0.4～0.6mm，所述通孔(10)的孔徑大于所述第一放電間隙(11)的距離且小于所述電極(15)的最大寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述10kV多級短弧位降電壓疊加過電壓防護(hù)裝置，其特征在于：每個所述第一放電間隙(11)底部向內(nèi)凹陷有氣腔(16)，且每個所述通孔(10)端部邊沿向外延伸有凸起(17)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述10kV多級短弧位降電壓疊加過電壓防護(hù)裝置，其特征在于：所述多級短弧位降電壓疊加室(8)中的電極(15)均為由兩個弧度相同的弧面對合形成的電極(15)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述10kV多級短弧位降電壓疊加過電壓防護(hù)裝置，其特征在于：所述多級短弧位降電壓疊加室(8)的兩端分別設(shè)置有第一接閃電極(5)和第二接閃電極(6)，所述第一接閃電極(5)位于所述絕緣盤(7)的上表面，所述第二接閃電極(6)位于所述絕緣盤(7)的下表面；位于高壓側(cè)所述絕緣盤(7)上的第二接閃電極(6)與位于低壓側(cè)所述絕緣盤(7)上的第一接閃電極(5)相對布置且之間留有第二放電間隙(12)，且所述第二放電間隙(12)的距離為25～35mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述10kV多級短弧位降電壓疊加過電壓防護(hù)裝置，其特征在于：所述絕緣本體(9)的一端且位于所述高壓電極(1)的下方位置處設(shè)置有與所述高壓電極(1)等電位連接的第一引弧電極(3)，所述第一引弧電極(3)與高壓側(cè)所述絕緣盤(7)的第一接閃電極(5)相對布置且留有第三放電間隙(13)，且所述第三放電間隙(13)的距離為8～12mm；所述絕緣本體(9)的另一端且位于所述低壓電極(2)的上方位置處設(shè)置有與所述低壓電極(2)等電位連接的第二引弧電極(4)，所述第二引弧電極(4)與低壓側(cè)所述絕緣盤(7)的第二接閃電極(6)相對布置且之間留有第四放電間隙(14)，且所述第四放電間隙(14)距離為8～12mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述10kV多級短弧位降電壓疊加過電壓防護(hù)裝置，其特征在于：所述第一引弧電極(3)與對應(yīng)的所述第一接閃電極(5)、位于高壓側(cè)所述絕緣盤(7)上的所述第二接閃電極(6)與位于低壓側(cè)所述絕緣盤(7)上的所述第一接閃電極(5)、所述第二引弧電極(4)與對應(yīng)的所述第二接閃電極(6)均錯開相對布置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述10kV多級短弧位降電壓疊加過電壓防護(hù)裝置，其特征在于：兩個所述絕緣盤(7)均為硅橡膠圓盤式結(jié)構(gòu)，兩個所述絕緣盤(7)均由硅橡膠通過硫化工藝同軸連接在所述絕緣本體(9)上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述10kV多級短弧位降電壓疊加過電壓防護(hù)裝置，其特征在于：所述高壓電極(1)、所述第一引弧電極(3)、兩個所述第一接閃電極(5)、兩個所述第二接閃電極(6)、所述第二引弧電極(4)、所述低壓電極(2)及所述多級短弧位降電壓疊加室(8)中的所述電極(15)均為耐腐蝕材料，且通流容量為幅值100kA的8/20us沖擊電流。