技術總結
本發(fā)明屬于磁存儲技術領域，具體為一種可調(diào)控垂直交換耦合場大小的復合磁性多層膜結構。垂直復合薄膜結構為：玻璃襯底/Ta(5)?/Cu(3)?/[Co(0.28)/Ni(0.58)]5?/Cu(tCu)/TbxCo100?x(tFI)/Ta?(8)。通過對比和改變非磁性夾層金屬材料的厚度，制出具有高交換耦合場的[Co/Ni]5/Cu(tCu)?/TbCo復合膜結構，并且Cu厚度在0.7~2.0nm間改變時交換耦合場大小可在3?kOe~0?Oe間可調(diào)。復合結構[Co(0.28)/Ni(0.58)]5/Cu(tCu)?/?Tb25Co75(12)在選取Cu為0.7nm時所產(chǎn)生的高達3?kOe的交換耦合場值比傳統(tǒng)的反鐵磁材料（MnIr或PtMn）釘扎所提供的最大交換偏置場（~1?kOe）提升了近三倍。

技術研發(fā)人員：張宗芝;唐明洪;朱偉驊;林亮;趙柄丞
受保護的技術使用者：復旦大學
文檔號碼：201710120044
技術研發(fā)日：2017.03.02
技術公布日：2017.06.27