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一種高集成度的IGBT功率模組的制作方法

文檔序號:12478295閱讀:337來源:國知局
一種高集成度的IGBT功率模組的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體以及功率模塊應(yīng)用領(lǐng)域,特別涉及一種高集成度的IGBT功率模組。



背景技術(shù):

面對日益枯竭的石油資源以及環(huán)境保護(hù)的巨大壓力,新能源車顯示了巨大優(yōu)勢和廣闊的發(fā)展前景。

新能源車的快速發(fā)展,帶動了車用逆變器的快速應(yīng)用。車用逆變器中的關(guān)鍵核心部件是IGBT((Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊,該模塊通過開關(guān)動作實現(xiàn)電功率變換,將直流電變換為交流電,或?qū)⒔涣麟娮儞Q為直流電。

車用逆變器中的IGBT功率模塊不光有高性能的要求,還有強散熱、高緊湊性和強拓展性的要求。高性能要求IGBT模塊在有限的布置空間輸出更高的電性能;強散熱要求IGBT功率模塊或IGBT功率模組模塊具有更高的散熱效率和散熱能力;高緊湊性要求IGBT功率模塊或IGBT功率模組體積小、功率密度高。拓展性要求IGBT功率模塊或IGBT功率模塊可通過不同組合實現(xiàn)不同電性能輸出需求。為了達(dá)到以上要求,IGBT功率模塊或IGBT功率模組必須在散熱結(jié)構(gòu)、與冷卻器集成、以及多模塊集成方面強化和改進(jìn)。

前期車用IGBT功率模塊在冷卻結(jié)構(gòu)上普遍采用單面水冷或雙面水冷,通過與散熱器結(jié)合實現(xiàn)冷卻散熱,形成功率模組?,F(xiàn)有功率模組雖有改進(jìn),但仍存在不足,特別在模塊冷卻效率、模塊與冷卻器集成和模塊拓展性方面存在不足,如單面水冷冷卻效率低,在有限空間很難有輸出性能的進(jìn)一步提升;雙面水冷有雙面翅針構(gòu)型,采用水槽式冷卻散熱器,這種結(jié)構(gòu)只易實現(xiàn)模組與其它部件單面連接,無法實現(xiàn)其它發(fā)熱部件的冷卻,如電容冷卻,雙面水冷的另一種方式是雙面平板構(gòu)型,采用疊壓冷卻器方式,但這種方式是間接水冷,冷卻效率低,同時疊壓冷卻器無法有效保證與模塊均勻緊密接觸,這將非均勻接觸導(dǎo)致的非一致熱阻會影響模塊內(nèi)部發(fā)熱不均,降低模塊壽命。

專利文獻(xiàn)1(申請?zhí)枺?00510076308.5;發(fā)明名稱:功率堆)描述了一種集成冷卻的IGBT功率模塊結(jié)構(gòu),IGBT模塊采用間接雙面水冷,冷卻器采用疊壓冷卻器方式,該結(jié)構(gòu)由于非直接水冷,冷卻效率低,同時疊壓冷卻器需要緊密與IGBT接觸,以保證低接觸熱阻,但專利中通過疊壓冷卻器的壓緊方式無法保證壓緊力均勻,這樣就存在接觸熱阻不一致導(dǎo)致模塊局部發(fā)熱失效的風(fēng)險。

專利文獻(xiàn)2(申請?zhí)枺?01110195686.0;發(fā)明名稱:包括相互層疊的報道提封裝體的半導(dǎo)體裝置)描述了一種包括相互層疊的半導(dǎo)體封裝體的半導(dǎo)體裝置,半導(dǎo)體裝置包括相互堆疊的多個半導(dǎo)體封裝體。半導(dǎo)體采用間接雙面水冷,冷卻器采用疊壓冷卻器方式,該結(jié)構(gòu)由于非直接水冷,冷卻效率低,同時該結(jié)構(gòu)水阻大,存在冷卻死區(qū),這樣存在散熱不均導(dǎo)致模塊局部發(fā)熱失效的風(fēng)險。

專利文獻(xiàn)3(申請?zhí)枺?00980105222.7;發(fā)明名稱:功率模塊、電力轉(zhuǎn)換裝置以及電動車)描述了一種功率模塊以及使用該功率模塊的電力轉(zhuǎn)換裝置,該裝置在筒型的殼體內(nèi)收容具有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體電路部分,進(jìn)而該半導(dǎo)體電路部隔著用于確保電絕緣的絕緣性部件所訴殼體的內(nèi)壁夾著而被支撐。半導(dǎo)體灌封在筒型殼體,采用雙面水冷單面密封方式,該結(jié)構(gòu)由于半導(dǎo)體需壓入到筒型殼體中,這將導(dǎo)致半導(dǎo)體與筒型殼體底部和頂部壓緊力不一致,存在接觸熱阻不一致導(dǎo)致模塊局部發(fā)熱失效的風(fēng)險。

因此,集成效果佳和散熱效果優(yōu)良的新能源車用新型封裝結(jié)構(gòu)的IGBT功率模塊和基于模塊的IGBT功率模組成為迫切的需求。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

針對上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種能夠提高冷卻效率的高集成度的IGBT功率模組。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:

本發(fā)明的實施例提供一種高集成度的IGBT功率模組,包括串接在一起的上蓋板、多個IGBT功率模塊、夾持板和下蓋板,所述多個IGBT功率模塊中的一個與所述上蓋板連接,所述多個IGBT功率模塊中的另一個與所述下蓋板連接,所述多個IGBT功率模塊中每兩個IGBT功率模塊通過所述夾持板連接;每個IGBT功率模塊包括兩個冷卻基板、功率器件、功率端子、信號端子和封裝體,所述功率器件設(shè)置在所述兩個冷卻基板之間,每個冷卻基板包括板狀的本體和突出形成在本體上的翅針結(jié)構(gòu),每個冷卻基板的本體上形成有開口,所述封裝體通過樹脂壓鑄形成,用于將所述兩個冷卻基板固定連接在一起,并使得形成在兩個冷卻基板的開口配合形成前后貫通的功率模塊導(dǎo)水槽;所述功率端子和所述信號端子從所述封裝體的側(cè)部伸出;所述下蓋板上形成有容置與其相配合的冷卻基板的下蓋板容置空間和與所述下蓋板容置空間連通的冷卻液進(jìn)口,所述下蓋板容置空間上形成有安置密封所述下蓋板容置空間的密封件的安置槽;所述上蓋板上形成有容置與其相配合的冷卻基板的上蓋板容置空間和與所述上蓋板容置空間連通的冷卻液出口,所述上蓋板容置空間上形成有安置密封所述上蓋板容置空間的密封件的安置槽;所述夾持板的兩側(cè)分別形成有夾持板容置空間和連通兩個夾持板容置空間的夾持板導(dǎo)水槽連通,夾持板容置空間用于容置與其相配合的冷卻基板,每個夾持板容置空間上形成有安置密封所述夾持板容置空間的密封件的安置槽;所述冷卻液進(jìn)口與所述下蓋板容置空間的連通位置、所述功率模塊導(dǎo)水槽、所述夾持板導(dǎo)水槽、所述冷卻液出口與所述上蓋板的連通位置布置成使得經(jīng)所述冷卻液進(jìn)口流入的冷卻液以迂回的流動路徑流動,所述冷卻液途徑所述下蓋板容置空間、多個夾持板容置空間和所述上蓋板容置空間對每個冷卻基板進(jìn)行冷卻后,通過所述冷卻液出口流出。

可選地,以所述冷卻液進(jìn)口與所述下蓋板容置空間的連通位置為參考位置,所述夾持板和所述上蓋板在靠近所述參考位置的端部分別形成有所述夾持板導(dǎo)水槽和所述冷卻液出口,所述功率模塊在遠(yuǎn)離所述參考位置的端部形成有所述功率模塊導(dǎo)水槽。

可選地,所述冷卻液進(jìn)口與所述下蓋板容置空間的連通位置、所述夾持板導(dǎo)水槽和所述冷卻液出口與所述上蓋板容置空間的連通位置分別設(shè)置在所述下蓋板、所述夾持板和所述上蓋板的上端,所述功率模塊導(dǎo)水槽設(shè)置在所述功率模塊的下端。

可選地,所述夾持板在上端橫向延伸形成長條形的夾持板導(dǎo)水槽,所述功率模塊在下端橫向延伸形成長條形的功率模塊導(dǎo)水槽。

可選地,所述翅針結(jié)構(gòu)與所述本體一體形成,包括以預(yù)定間隔布置的多個翅針。

可選地,所述翅針為圓柱形或菱形

可選地,所述上蓋板、所述冷卻基板、所述夾持板和所述下蓋板均由高導(dǎo)電材料制成。

可選地,所述上蓋板、所述夾持板和所述下蓋板由鋁材料制成,所述冷卻基板由銅材料或者鋁材料制成。

可選地,所述上蓋板、所述夾持板和所述下蓋板通過螺栓連接而連接在一起。

可選地,所述IGBT功率模組包括3個IGBT功率模塊或者6個IGBT功率模塊。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點:本發(fā)明的高集成度的IGBT模組的IGBT功率模塊采用雙面金屬翅針結(jié)構(gòu),從而能夠進(jìn)行雙面冷卻,提高了散熱效率,通過將IGBT功率模塊依次夾持在上蓋板、夾持板和下蓋板之間,冷卻液通過在上蓋板、夾持板和下蓋板之間流動來實現(xiàn)對IGBT功率模塊的均勻冷卻,同時IGBT功率模組可實現(xiàn)多IGBT功率模塊組合,這樣可在原有電性能需求下實現(xiàn)小型化設(shè)計,提高了緊湊性和性能的拓展。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的IGBT功率模組的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明的IGBT功率模組的IGBT功率模塊的主視圖。

圖3為本發(fā)明的IGBT功率模組的IGBT功率模塊的側(cè)視圖。

圖4為本發(fā)明的IGBT功率模組的上蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖。

(附圖標(biāo)記說明)

1-上蓋板;2-冷卻液出口;3-緊固孔;4-封裝體;5-A,5-B-夾持板;

6-直流功率端子;7-夾持板密封件安置槽;8-冷卻基板;9-冷卻液進(jìn)口;

10-下蓋板;11-下蓋板密封件安置槽;12-A-夾持板導(dǎo)水槽;

12-B-夾持板導(dǎo)水槽;13-信號端子;14-功率模塊導(dǎo)水槽;

15-交流功率端子;16-A-密封件;16-B-密封件;16-C-密封件;

16-D-密封件;16-E-密封件;16-F-密封件;17-上蓋板密封件安置槽;

18-IGBT功率模塊;19-IGBT功率模組

具體實施方式

為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合附圖及具體實施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖1為本發(fā)明的IGBT功率模組的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明的IGBT功率模塊的主視圖。圖3為本發(fā)明的IGBT功率模塊的側(cè)視圖。圖4為本發(fā)明的IGBT功率模組的上蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖。

本發(fā)明的一實施例提供一種高集成度的IGBT功率模組,如圖1所示,包括串接在一起的上蓋板1、多個IGBT功率模塊18、夾持板和下蓋板10,所述多個IGBT功率模塊18中的一個與所述上蓋板1連接,所述多個IGBT功率模塊中的另一個與所述下蓋板10連接,所述多個IGBT功率模塊中每兩個IGBT功率模塊通過所述夾持板連接,這樣夾持板的個數(shù)N與IGBT功率模塊的個數(shù)M之間關(guān)系為N=M-1,優(yōu)選,M等于3或者6。圖1示出了包括3個IGBT功率模塊的IGBT功率模組的結(jié)構(gòu),如圖1所示,位于前端(從圖面的左向右觀看)的IGBT功率模塊一側(cè)與上蓋板1連接,另一側(cè)與夾持板5-A連接,位于中間的IGBT功率模塊一側(cè)與夾持板5-A連接,另一側(cè)與夾持板5-B連接,位于后端的IGBT功率模塊一側(cè)與夾持板5-B連接,另一側(cè)與下蓋板10連接。

首先,參考圖2和圖3對本發(fā)明的IGBT功率模塊進(jìn)行介紹。

本發(fā)明中的IGBT功率模塊可包括兩個冷卻基板8、功率器件(未圖示)、功率端子、信號端子13和封裝體4,所述功率器件設(shè)置在所述兩個冷卻基板之間,功率器件可為單管、半橋或全橋等電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。每個冷卻基板包括板狀的本體和突出形成在本體上的翅針結(jié)構(gòu),每個冷卻基板的本體上形成有開口,所述封裝體通過樹脂壓鑄形成,用于將所述兩個冷卻基板固定連接在一起,并使得形成在兩個冷卻基板的開口配合形成前后貫通的功率模塊導(dǎo)水槽15,這樣,兩個冷卻基板可通過在連接的邊緣位置處澆注樹脂進(jìn)行密封連接起來,從而將功率器件封裝在內(nèi)部起來以構(gòu)成一個樹脂壓鑄體。所述功率端子和所述信號端子從所述封裝體4的側(cè)部伸出,功率端子和信號端子的具體設(shè)置可根據(jù)具體的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來進(jìn)行設(shè)置,在一示例中,如圖2所示出的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括兩個直流功率端子6,一個交流功率端子15和兩個信號端子13,交流功率端子15、直流功率端子6和信號端子13可采用高導(dǎo)電材料制成,優(yōu)選可采用銅材料制成銅排或者銅針的形式,具體規(guī)格視端子載流需求設(shè)定,為了增加功率端子間爬電距離,在壓鑄形成封裝體4時,在封裝體4的側(cè)部形成有凸臺20。形成的功率模塊導(dǎo)水槽15設(shè)置在靠近翅針結(jié)構(gòu)的位置,用于供冷卻液流通,例如,可形成為沿冷卻基板的下側(cè)橫向延伸的長條形,但并不局限于此,功率模塊導(dǎo)水槽的形狀、長寬比與翅針的距離需視散熱需求設(shè)定和流體分析結(jié)果設(shè)定。本發(fā)明的功率器件為現(xiàn)有技術(shù)中的器件,例如中國專利申請?zhí)枮?01610070303.X、發(fā)明名稱為一種新能源車用IGBT功率模塊所公開的結(jié)構(gòu),在此省略對其的詳細(xì)說明。翅針結(jié)構(gòu)可與冷卻基板的本體一體形成,即可使用相同的材料與本體一體形成,包括以預(yù)定間隔向往突出形成在本體上的多個翅針,如圖3所示。這樣,每個翅針之間形成有間隙,能夠增加冷卻液的流動面積,提高散熱效率。冷卻基板可采用高導(dǎo)熱材料制成,優(yōu)選可采用銅或鋁等材料,翅針可采用圓柱、菱形柱等形狀,具體結(jié)構(gòu)視散熱需求設(shè)定。為方便安裝,翅針結(jié)構(gòu)可整體形成為方形結(jié)構(gòu),但并不局限于此,也可根據(jù)需要設(shè)計成不同的形狀。

本發(fā)明中使用的IGBT功率模塊由于在每個冷卻基板上設(shè)置有多個翅針,即在IGBT功率模塊的兩面均設(shè)置有翅針結(jié)構(gòu),從而增加了散熱面積,提高了散熱效率,進(jìn)而能夠?qū)GBT功率模塊的兩面進(jìn)行有效地冷卻,能夠提高IGBT功率模塊的使用壽命。本實施例中的多個IGBT功率模塊可具有相同的結(jié)構(gòu),但并不局限于此,也可根據(jù)需要具有不同的結(jié)構(gòu)。

接著,參考圖1和圖4對本發(fā)明的上蓋板、夾持板和下蓋板進(jìn)行介紹。

如圖1所示,本發(fā)明的下蓋板10上形成有容置與其相配合的所述IGBT功率模塊18的冷卻基板(具體用于容置后冷卻基板的翅針結(jié)構(gòu))的下蓋板容置空間和與所述下蓋板容置空間連通的冷卻液進(jìn)口9,所述下蓋板容置空間上設(shè)置有安置密封所述下蓋板容置空間的密封件16E的下蓋板密封件安置槽11,即在下蓋板容置空間的周圍區(qū)域形成有嵌入密封件的凹槽,冷卻液進(jìn)口9可為突出形成在下蓋板上的通道,一端與下蓋板容置空間連通,另一端與提供冷卻液的裝置連接。這樣,當(dāng)將IGBT功率模塊18中的一個冷卻基板的翅針結(jié)構(gòu)嵌入到下蓋板容置空間時,通過將密封件16-E插入到下蓋板密封件安置槽11中,能夠?qū)⑶度氲睦鋮s基板的翅針結(jié)構(gòu)固定密封在下蓋板容置空間中,使得流入下蓋板容置空間中的冷卻液不會從下蓋板容置空間的周圍溢出。密封件16-E可采用密封圈或密封膠,密封圈或密封膠的材料屬性需與冷卻液匹配。

所述上蓋板10上形成有容置與其相配合的所述IGBT功率模塊18的冷卻基板(具體用于容置冷卻基板的翅針結(jié)構(gòu))的上蓋板容置空間和與所述上蓋板容置空間連通的冷卻液出口2,所述上蓋板容置空間上設(shè)置有安置密封所述上蓋板容置空間的密封件16-F的上蓋板密封件安置槽17,冷卻液出口2可為突出形成在上蓋板上的通道,一端與上蓋板容置空間連通,另一端與回收冷卻液的裝置連接。這樣,當(dāng)將IGBT功率模塊18中的一個冷卻基板的翅針結(jié)構(gòu)嵌入到下蓋板容置空間時,通過將密封件16-F插入到上蓋板密封件安置槽17中,能夠?qū)⑶度氲睦鋮s基板的翅針結(jié)構(gòu)固定密封在上蓋板容置空間中,使得流入上蓋板容置空間中的冷卻液不會從上蓋板容置空間的周圍溢出。密封件16-F可采用密封圈或密封膠,密封圈或密封膠的材料屬性需與冷卻液匹配。

所述夾持板的兩側(cè)分別形成有夾持板容置空間和與兩個夾持板容置空間連通的夾持板導(dǎo)水槽。每個夾持板容置空間用于容置與其相配合的IGBT功率模塊的冷卻基板,具體用于容置冷卻基板的翅針結(jié)構(gòu),每個夾持板容置空間上形成有安置密封夾持板容置空間的密封件的夾持板密封件安置槽7。在圖1所示包括3個IGBT功率模塊和2個夾持板的情況下,夾持板5-A和夾持板5-B的兩側(cè)分別形成有安置與之相結(jié)合的冷卻基板的夾持板容置空間和供冷卻液流通的夾持板導(dǎo)水槽12-A和12-B,夾持板導(dǎo)水槽12-A和12-B可為橫向形成在夾持板上端的長條形開口。夾持板的每個容置空間的周圍都形成有分別安置密封件16-D,16-C,16-B和16-A的安置槽,這樣,當(dāng)將IGBT功率模塊18的冷卻基板分別插入到相應(yīng)的容置空間中時,通過將密封件16-D,16-C,16-B和16-A分別插入到夾持板密封件安置槽7中,能夠?qū)⑶度氲睦鋮s基板的翅針結(jié)構(gòu)固定密封在夾持板容置空間中,使得流入夾持板容置空間中的冷卻液不會從夾持板容置空間的周圍溢出。密封件16-D,16-C,16-B和16-A可采用密封圈或密封膠,密封圈或密封膠的材料屬性需與冷卻液匹配。

所述上蓋板、所述夾持板和所述下蓋板之間通過螺栓連接,為此,可在上蓋板、夾持板和下蓋板上形成相配合的緊固孔。例如,可在上蓋板1的上側(cè)、下側(cè)形以及在側(cè)部形成有供螺栓通過的緊固孔3,在下蓋板9的上側(cè)、下側(cè)和側(cè)部的相應(yīng)位置形成與上蓋板上的緊固孔相配合的緊固孔,由于夾持板夾持在上蓋板和下蓋板之間,因此,可僅在每個夾持板的上側(cè)和下側(cè)的相應(yīng)位置形成與上蓋板和下蓋板上的上側(cè)和下側(cè)形成的緊固孔相配合的緊固孔即可。這樣,當(dāng)按順序?qū)⒍鄠€IGBT功率模塊的冷卻基板上的翅針結(jié)構(gòu)分別插入到相應(yīng)地容置空間中并進(jìn)行密封后,通過螺栓可實現(xiàn)上蓋板、IGBT功率模塊、夾持板和下蓋板之間的固定連接起來,防止冷卻液外漏。

為使得冷卻液能夠有效地對IGBT功率模塊進(jìn)行冷卻,所述冷卻液進(jìn)口與所述下蓋板容置空間的連通位置、所述功率模塊導(dǎo)水槽、所述夾持板導(dǎo)水槽、所述冷卻液出口與所述上蓋板的連通位置布置成使得經(jīng)所述冷卻液進(jìn)口流入的冷卻液以迂回的流動路徑流動,即以“波浪”型流動路徑迂回前進(jìn)向前流動,所述冷卻液途徑所述下蓋板容置空間、多個夾持板容置空間和所述上蓋板容置空間對每個冷卻基板進(jìn)行冷卻后,通過所述冷卻液出口流出。具體地,在以所述冷卻液進(jìn)口與所述下蓋板容置空間的連通位置為參考位置時,所述夾持板和所述上蓋板在靠近所述參考位置的端部分別形成有所述夾持板導(dǎo)水槽和所述冷卻液出口,所述功率模塊在遠(yuǎn)離所述參考位置的端部形成有所述功率模塊導(dǎo)水槽。在一示例中,所述冷卻液進(jìn)口與所述下蓋板容置空間的連通位置、所述夾持板導(dǎo)水槽和所述冷卻液出口與所述上蓋板容置空間的連通位置可分別設(shè)置在所述下蓋板、所述夾持板和所述上蓋板的上端,所述功率模塊導(dǎo)水槽可設(shè)置在所述功率模塊的下端。在另一示例中,所述冷卻液進(jìn)口與所述下蓋板容置空間的連通位置、所述夾持板導(dǎo)水槽和所述冷卻液出口與所述上蓋板容置空間的連通位置可分別設(shè)置在所述下蓋板、所述夾持板和所述上蓋板的下端,所述功率模塊導(dǎo)水槽可設(shè)置在所述功率模塊的上端,但是并不局限于此,只要能夠使得冷卻液以迂回的流動路勁流動的任何布置方式都可以。

在對本實施例的IGBT功率模組進(jìn)行冷卻時,外部提供的冷卻液首先通過冷卻液進(jìn)口9進(jìn)入下蓋板10的下蓋板容置空間中,由于IGBT功率模塊的冷卻基版的翅針結(jié)構(gòu),冷卻液會彌漫分散在翅針之間的間隙見進(jìn)行流動,從而充分地對位于下蓋板容置空間中的IGBT功率模塊的一面進(jìn)行冷卻,之后,冷卻液通過該IGBT功率模塊的功率模塊導(dǎo)水槽4流出而流入到與之相鄰的夾持板容置空間中,類似地,分散的冷卻液對該IGBT功率模塊的另一面進(jìn)行有效冷卻,隨后,冷卻液通過夾持板導(dǎo)水槽流出,流入另一個夾持板容置空間中對另一個IGBT功率模塊的一面進(jìn)行冷卻,依次類推,完成對所有串接的IGBT功率模塊的冷卻,最后冷卻液通過上蓋板的冷卻液出口2流出。

在本發(fā)明的另一實施例中,提供一種IGBT功率模組,包括1個IGBT功率模塊、上蓋板1和下蓋板10。本實施例中的IGBT功率模組與前述實施例的IGBT功率模組相類似,不同之處是只包括1個IGBT功率模塊,并且沒有包括夾持板,因此,為方便起見,省略對該實施例的IGBT功率模組的各結(jié)構(gòu)具體介紹。

在對本實施例的IGBT功率模組進(jìn)行冷卻時,外部提供的冷卻液首先通過冷卻液進(jìn)口9進(jìn)入下蓋板10的下蓋板容置空間中,由于IGBT功率模塊的后冷卻基版的翅針結(jié)構(gòu),冷卻液會彌漫分散在翅針之間的間隙見進(jìn)行流動,從而充分地對IGBT功率模塊的一面進(jìn)行冷卻,之后,冷卻液通過功率模塊導(dǎo)水槽4流出而流入到上蓋板容置空間中,類似地,分散的冷卻液對IGBT功率模塊的另一面進(jìn)行有效冷卻,隨后,冷卻液通過冷卻液出口2流出,完成對IGBT功率模塊的雙面冷卻。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤飾,這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。

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