本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域，尤其涉及一種P型PERC雙面太陽能電池、以及上述P型PERC雙面太陽能電池的制備方法，采用上述P型PERC雙面太陽能電池的太陽能電池組件，采用上述P型PERC雙面太陽能電池的太陽能系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

晶硅太陽能電池是一種有效吸收太陽輻射能，利用光生伏打效應(yīng)把光能轉(zhuǎn)換成電能的器件，當(dāng)太陽光照在半導(dǎo)體P-N結(jié)上，形成新的空穴-電子對，在P-N結(jié)電場的作用下，空穴由N區(qū)流向P區(qū)，電子由P區(qū)流向N區(qū)，接通電路后就形成電流。

傳統(tǒng)晶硅太陽能電池基本上只采用正面鈍化技術(shù)，在硅片正面用PECVD的方式沉積一層氮化硅，降低少子在前表面的復(fù)合速率，可以大幅度提升晶硅電池的開路電壓和短路電流，從而提升晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。但是由于硅片的背面沒有鈍化，光電轉(zhuǎn)換效率的提升仍然受到限制。

現(xiàn)有技術(shù)的雙面太陽能電池結(jié)構(gòu)：基底采用N型硅片，當(dāng)太陽光子照射電池背面時，在N型硅片中產(chǎn)生的載流子穿過厚度約為200微米的硅片，由于N型硅片少子壽命高，載流子復(fù)合速率低，部分載流子可以到達(dá)正面的p-n結(jié)；太陽能電池的正面為主要受光面，其轉(zhuǎn)換效率占整個電池轉(zhuǎn)換效率的比例很高；正背面的綜合作用，從而大大提高電池的轉(zhuǎn)換效率。但是，N型硅片價格高，N型雙面電池工藝復(fù)雜；因此，如何開發(fā)高效低成本的雙面太陽能電池成為企業(yè)和研究者關(guān)注的熱點。

另一方面，隨著對晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率的要求越來越高，業(yè)界一直在研究PERC背鈍化太陽電池技術(shù)。業(yè)界主流廠家主要在開發(fā)單面PERC太陽能電池， 本發(fā)明將PERC高效電池和雙面電池結(jié)合起來，旨在開發(fā)綜合光電轉(zhuǎn)換效率更高的PERC雙面太陽能電池。

對于PERC雙面太陽能電池，由于光電轉(zhuǎn)換效率高，同時雙面吸收太陽光，發(fā)電量更高，在實際應(yīng)用中具有更大的使用價值。因此，本發(fā)明旨在提出一種工藝簡單、成本較低、易于推廣、光電轉(zhuǎn)換效率高的P型PERC雙面太陽能電池。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種P型PERC雙面太陽能電池，結(jié)構(gòu)簡單，成本較低、易于推廣、光電轉(zhuǎn)換效率高。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還在于，提供一種P型PERC雙面太陽能電池的制備方法，工藝簡單，成本較低、易于推廣、光電轉(zhuǎn)換效率高。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還在于，提供一種P型PERC雙面太陽能電池組件，結(jié)構(gòu)簡單，成本較低、易于推廣、光電轉(zhuǎn)換效率高。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題還在于，提供一種P型PERC雙面太陽能系統(tǒng)，結(jié)構(gòu)簡單，成本較低、易于推廣、光電轉(zhuǎn)換效率高。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種P型PERC雙面太陽能電池，依次包括背銀電極、背鋁柵線、背面鈍化層、P型硅、N型發(fā)射極、正面氮化硅膜和正銀電極，所述背銀電極、背鋁柵線以第一預(yù)設(shè)夾角相交，10°＜第一預(yù)設(shè)夾角＜90°；

對背面鈍化層通過激光開槽形成激光開槽區(qū)，所述背鋁柵線通過激光開槽區(qū)與P型硅相連；

所述激光開槽區(qū)包括多組激光開槽單元，每一組激光開槽單元包括一個或多個激光開槽體，所述背鋁柵線與激光開槽體以第二預(yù)設(shè)夾角相交， 10°＜第二預(yù)設(shè)夾角≤90°。

作為上述方案的優(yōu)選方式，所述背銀電極、背鋁柵線以第一預(yù)設(shè)夾角相交，10°＜第一預(yù)設(shè)夾角＜90°；

所述背鋁柵線與激光開槽體以第二預(yù)設(shè)夾角相交，第二預(yù)設(shè)夾角＝90°。

作為上述方案的優(yōu)選方式，所述激光開槽體為直線型；

所述激光開槽單元之間為平行設(shè)置；

每一激光開槽單元中，所述激光開槽體為并列設(shè)置，所述激光開槽體處于同一平面上或上下錯開。

作為上述方案的優(yōu)選方式，所述激光開槽單元之間的間距為0.5-50mm。

每一激光開槽單元中，所述激光開槽體之間的間距為0.5-50mm。

所述激光開槽體的長度為50-5000微米，寬度為10-500微米。

所述背鋁柵線的根數(shù)為30-500條；

所述背鋁柵線的寬度為30-500微米，所述背鋁柵線的寬度小于所述激光開槽體的長度。

作為上述方案的優(yōu)選方式，所述背面鈍化層包括氧化鋁層和氮化硅層，所述氧化鋁層與P型硅連接，所述氮化硅層與氧化鋁層連接；

所述氮化硅層的厚度為20-500nm；

所述氧化鋁層的厚度為2-50nm。

相應(yīng)的，本發(fā)明還公開一種P型PERC雙面太陽能電池的制備方法，包括：

（1）在硅片正面和背面形成絨面，所述硅片為P型硅；

（2）對硅片進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；

（3）去除擴(kuò)散過程形成的正面磷硅玻璃和周邊PN結(jié)；

（4）在硅片背面沉積三氧化二鋁膜；

（5）在硅片背面沉積氮化硅膜；

（6）在硅片正面沉積氮化硅膜；

（7）對硅片背面激光開槽，形成激光開槽區(qū)，所述激光開槽區(qū)包括多組激光開槽單元，每一組激光開槽單元包括一個或多個激光開槽體；

（8）在所述硅片背面印刷背銀主柵電極；

（9）在所述硅片背面印刷鋁漿，得到背鋁柵線，所述背銀電極、背鋁柵線以第一預(yù)設(shè)夾角相交，所述背鋁柵線與激光開槽體以第二預(yù)設(shè)夾角相交，其中，10°＜第一預(yù)設(shè)夾角＜90°，10°＜第二預(yù)設(shè)夾角≤90°；

（10）在所述硅片正面印刷正電極漿料；

（11）對硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極和正銀電極；

（12）對硅片進(jìn)行抗LID退火。

作為上述方案的優(yōu)選方式，步驟（3）和（4）之間，還包括：

對硅片背面進(jìn)行拋光。

作為上述方案的優(yōu)選方式，所述激光開槽體為直線型；

所述激光開槽單元之間為平行設(shè)置；

每一激光開槽單元中，所述激光開槽體為并列設(shè)置，所述激光開槽體處于同一平面上或上下錯開；

所述激光開槽單元之間的間距為0.5-50mm。

每一激光開槽單元中，所述激光開槽體之間的間距為0.5-50mm。

所述激光開槽體的長度為50-5000微米，寬度為10-500微米；

所述背鋁柵線的根數(shù)為30-500條；

所述背鋁柵線的寬度為30-500微米，所述背鋁柵線的寬度小于所述激光開槽體的長度；

所述背鋁柵線也可以是曲線形、弧形、波浪形等。

相應(yīng)的，本發(fā)明還公開一種PERC太陽能電池組件，包括PERC太陽能電池和封裝材料，所述PERC太陽能電池是上述任一的P型PERC雙面太陽能電池。

相應(yīng)的，本發(fā)明還公開一種PERC太陽能系統(tǒng)，包括PERC太陽能電池，所述PERC太陽能電池是上述任一的P型PERC雙面太陽能電池。

實施本發(fā)明，具有如下有益效果：

本發(fā)明通過在硅片背面形成背面鈍化層后，對背面鈍化層通過激光開槽形成激光開槽區(qū)，然后以與激光劃線方向呈夾角或垂直的方向印刷鋁漿，使鋁漿通過開槽區(qū)與P型硅相連，得到背鋁柵線。背銀電極、背鋁柵線以第一預(yù)設(shè)夾角相交，10°＜第一預(yù)設(shè)夾角＜90°，可以提高背銀電極、背鋁柵線收集電子的能力，提高光電轉(zhuǎn)換效率。

所述背鋁柵線與激光開槽體以第二預(yù)設(shè)夾角相交， 10°＜第二預(yù)設(shè)夾角≤90°。該P(yáng)ERC雙面太陽能電池制備電池柵線結(jié)構(gòu)時，采用不同于常規(guī)印刷鋁漿的方式，由于鋁柵的寬度遠(yuǎn)小于激光開槽區(qū)的長度，可以不需要對鋁漿和激光開槽區(qū)實施精確對準(zhǔn)，簡化了激光工藝和印刷工藝，降低了印刷設(shè)備調(diào)試的難度，易于產(chǎn)業(yè)化大生產(chǎn)。另外，鋁漿覆蓋區(qū)以外的激光開槽區(qū)可以增加電池背表面對太陽光的吸收，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

因此，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單、工藝簡單，成本較低、易于推廣、光電轉(zhuǎn)換效率高。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一種P型PERC雙面太陽能電池的剖視圖；

圖2是本發(fā)明一種P型PERC雙面太陽能電池的背面結(jié)構(gòu)第一實施例的示意圖；

圖3是本發(fā)明一種P型PERC雙面太陽能電池的背面結(jié)構(gòu)第二實施例的示意圖；

圖4是本發(fā)明一種P型PERC雙面太陽能電池的激光開槽區(qū)一實施例的示意圖；

圖5是本發(fā)明一種P型PERC雙面太陽能電池的激光開槽區(qū)另一實施例的示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

現(xiàn)有的單面太陽能電池在電池的背面設(shè)有全鋁背電場覆蓋在硅片的整個背面，全鋁背電場的作用是提高了開路電壓Voc和短路電流Jsc，迫使少數(shù)載流子遠(yuǎn)離表面，少數(shù)載流子復(fù)合率降低，從而整體上提高電池效率。然而，由于全鋁背電場不透光，因此，具有全鋁背電場的太陽能電池背面無法吸收光能，只能正面吸收光能，電池的綜合光電轉(zhuǎn)換效率難以大幅度的提高。

針對上述技術(shù)問題，結(jié)合圖1，本發(fā)明提供一種P型PERC雙面太陽能電池，依次包括背銀電極1、背鋁柵線2、背面鈍化層3、P型硅4、N型發(fā)射極5、正面氮化硅膜6、正銀電極7；對背面鈍化層3通過激光開槽形成激光開槽區(qū)8，所述背鋁柵線2通過激光開槽區(qū)8與P型硅4相連。正銀電極7包括正銀電極主柵7A和正銀電極副柵7B。所述背面鈍化層3包括氧化鋁層31和氮化硅層32。

本發(fā)明對現(xiàn)有的單面PERC太陽能電池進(jìn)行改進(jìn)，不再設(shè)有全鋁背電場，而是將其變成許多的背鋁柵線2，采用激光開槽技術(shù)在背面鈍化層3上開設(shè)激光開槽區(qū)8，而背鋁柵線2印刷在這些平行設(shè)置的激光開槽區(qū)8上，從而能與P型硅4形成局部接觸，密集平行排布的背鋁柵線2不僅能起到提高開路電壓Voc和短路電流Jsc，降低少數(shù)載流子復(fù)合率，提高電池光電轉(zhuǎn)換效率的作用，可替代現(xiàn)有單面電池結(jié)構(gòu)的全鋁背電場，而且背鋁柵線2并未全面遮蓋硅片的背面，太陽光可從背鋁柵線2之間投射至硅片內(nèi)，從而實現(xiàn)硅片背面吸收光能，大幅提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

如圖2、3所示，背銀電極、背鋁柵線以第一預(yù)設(shè)夾角相交，10°＜第一預(yù)設(shè)夾角＜90°，可以提高背銀電極、背鋁柵線收集電子的能力，提高光電轉(zhuǎn)換效率。優(yōu)選的，10°＜第一預(yù)設(shè)夾角＜90°。

所述激光開槽區(qū)8包括多組激光開槽單元81，每一組激光開槽單元81包括一個或多個激光開槽體82，所述背鋁柵線與激光開槽體以第二預(yù)設(shè)夾角相交， 10°＜第二預(yù)設(shè)夾角≤90°。優(yōu)選的，所述背鋁柵線與激光開槽體垂直相交，第二預(yù)設(shè)夾角＝90°。

具體可以參見圖2、3所示的背面電極結(jié)構(gòu)的示意圖，如圖2所示，背銀電極、背鋁柵線傾斜相交，背鋁柵線與激光開槽體也是傾斜相交；如圖3所示，背銀電極、背鋁柵線傾斜相交，背鋁柵線與激光開槽體垂直相交。圖3為更優(yōu)的實施方式。

下面以水平方向設(shè)置的激光開槽單元為例，并結(jié)合圖4、5來進(jìn)一步闡述本發(fā)明，圖4、5所示的虛線框為激光開槽單元81，每一組激光開槽單元81包括一個或多個激光開槽體82。

需要說明的是，激光開槽單元81有多種實施方式，包括：

（1）每一組激光開槽單元81包括一個激光開槽體82，此時，激光開槽單元81為連續(xù)的直線開槽區(qū)，具體如圖5所示。多個激光開槽單元81沿著豎直方向排列布置。

（2）每一組激光開槽單元81包括多個激光開槽體82，此時，激光開槽單元81為線段式非連續(xù)的直線開槽區(qū)，具體如圖4所示。該多個激光開槽體82可以是兩個、三個、四個或以上，但不限于此。多個激光開槽單元81沿著豎直方向排列布置。

當(dāng)每一組激光開槽單元81包括多個激光開槽體82時，其分為以下幾種情況：

A、多個激光開槽體82的寬度、長度和形狀都是一樣的，其尺寸單位為微米級別，長度可以為50-5000微米，但不限于此；需要說明的是，所述激光開槽體可以處于同一平面上，也可以上下錯開（即不在同一平面）上，其錯開分布的形貌根據(jù)生產(chǎn)需要而定。

B、多個激光開槽體82的寬度、長度和形狀都是一樣的，其尺寸單位為毫米級別，長度可以為5-600毫米，但不限于此；需要說明的是，所述激光開槽體可以處于同一平面上，也可以上下錯開（即不在同一平面）上，其錯開分布的形貌根據(jù)生產(chǎn)需要而定。

C、多個激光開槽體82的寬度、長度和/或形狀不一樣的，其可以根據(jù)生產(chǎn)需要進(jìn)行組合設(shè)計。需要說明的是，所述激光開槽體可以處于同一平面上，也可以上下錯開（即不在同一平面）上，其錯開分布的形貌根據(jù)生產(chǎn)需要而定。

作為本發(fā)明優(yōu)選的實施方式，所述激光開槽體為直線型，方便加工，簡化工藝，降低生產(chǎn)成本。所述激光開槽體也可以設(shè)置為其他形狀，例如曲線形、弧形、波浪形等，其實施方式并不局限于本發(fā)明所舉實施例。

所述激光開槽單元之間為平行設(shè)置，每一激光開槽單元中，所述激光開槽體為并列設(shè)置，可以簡化生產(chǎn)工藝，適合大規(guī)模推廣應(yīng)用。

所述激光開槽單元之間的間距為0.5-50mm。每一激光開槽單元中，所述激光開槽體之間的間距為0.5-50mm。

所述激光開槽體82的長度為50-5000微米，寬度為10-500微米。優(yōu)選的，所述激光開槽體82的長度為250-1200微米，寬度為30-80微米。

激光開槽單元的長度、寬度和間距和鋁柵的根數(shù)和寬度是在綜合考慮鋁柵與P型硅的接觸面積、鋁柵的遮光面積和充分搜集電子的的基礎(chǔ)上優(yōu)化而來，目的是盡可能降低背面鋁柵的遮光面積，同時保證好的電流輸出，進(jìn)而提升電池的整體光電轉(zhuǎn)換效率。

所述背鋁柵線的根數(shù)為30-500條，所述背鋁柵線的寬度為30-500微米，所述背鋁柵線的寬度遠(yuǎn)小于所述激光開槽體的長度。優(yōu)選的，所述背鋁柵線的根數(shù)為80-220條，所述背鋁柵線的寬度為50-300微米。

所述背鋁柵線的寬度遠(yuǎn)小于所述激光開槽體的長度，在鋁柵與激光開槽體垂直的情況下，可以極大的方便背鋁柵線的印刷問題。不需要精確對準(zhǔn)，鋁柵都可以落在激光開槽區(qū)內(nèi)，簡化了激光工藝和印刷工藝，降低了印刷設(shè)備調(diào)試的難度，易于產(chǎn)業(yè)化大生產(chǎn)。

綜上，本發(fā)明通過對背面鈍化層通過激光開槽形成激光開槽區(qū)，然后以與激光劃線方向呈夾角或垂直的方向印刷鋁漿，使鋁漿通過開槽區(qū)與P型硅相連，得到背鋁柵線。該P(yáng)ERC雙面太陽能電池通過在硅片正面和背面制備電池柵線結(jié)構(gòu)，采用不同于常規(guī)印刷鋁漿的方式，可以不需要對鋁漿和激光開槽區(qū)實施精確對準(zhǔn)，工藝簡單，易于產(chǎn)業(yè)化大生產(chǎn)。鋁柵與激光開槽體平行，鋁漿和激光開槽區(qū)需要實施精確對準(zhǔn)，對印刷設(shè)備的精度和重復(fù)性要求很高，成品率難以得到控制，次品較多，造成平均光電轉(zhuǎn)換效率的下降。采用本發(fā)明，可以將成品率提高至99.5%。

進(jìn)一步，所述背面鈍化層3包括氧化鋁層31和氮化硅層32，所述氧化鋁層31與P型硅4連接，所述氮化硅層32與氧化鋁層31連接；

所述氮化硅層32的厚度為20-500nm；

所述氧化鋁層31的厚度為2-50nm。

優(yōu)選的，所述氮化硅層32的厚度為100-200nm；

所述氧化鋁層31的厚度為5-30nm。

相應(yīng)的，本發(fā)明還公開一種P型PERC雙面太陽能電池的制備方法，包括：

S101、在硅片正面和背面形成絨面，所述硅片為P型硅；

S102、對硅片進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；

S103、去除擴(kuò)散過程形成的正面磷硅玻璃和周邊PN結(jié)；

S104、在硅片背面沉積三氧化二鋁膜；

S105、在硅片背面沉積氮化硅膜；

S106、在硅片正面沉積氮化硅膜；

S107、對硅片背面激光開槽，形成激光開槽區(qū)，所述激光開槽區(qū)包括多組激光開槽單元，每一組激光開槽單元包括一個或多個激光開槽體；

S108、在所述硅片背面印刷背銀主柵電極；

S109、在所述硅片背面印刷鋁漿，得到背鋁柵線，所述背銀電極、背鋁柵線以第一預(yù)設(shè)夾角相交，所述背鋁柵線與激光開槽體以第二預(yù)設(shè)夾角相交，其中，10°＜第一預(yù)設(shè)夾角＜90°，10°＜第二預(yù)設(shè)夾角≤90°；

S110、在所述硅片正面印刷正電極漿料；

S111、對硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極和正銀電極。

S112、對硅片進(jìn)行抗LID退火。

需要說明的是，S106與S104、S105的順序可以互換，S106可以在S104、S105之前。

S103和S104之間，還包括：對硅片背面進(jìn)行拋光。本發(fā)明可以設(shè)有背面拋光步驟，也可以不設(shè)有背面拋光步驟。

還需要說明的是，制備方法中的激光開槽區(qū)和背鋁柵線的具體參數(shù)設(shè)定，同上所述，在此不再贅述。

相應(yīng)的，本發(fā)明還公開一種PERC太陽能電池組件，包括PERC太陽能電池和封裝材料，所述PERC太陽能電池是上述任一的P型PERC雙面太陽能電池。具體的，作為PERC太陽能電池組件的一實施例，其由上至下依次連接的高透鋼化玻璃、乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA、PERC太陽能電池、乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA和高透鋼化玻璃組成。

相應(yīng)的，本發(fā)明還公開一種PERC太陽能系統(tǒng)，包括PERC太陽能電池，所述PERC太陽能電池是上述任一的P型PERC雙面太陽能電池。作為PERC太陽能系統(tǒng)的一優(yōu)選實施例，包括PERC太陽能電池、蓄電池組，充放電控制器逆變器，交流配電柜和太陽跟蹤控制系統(tǒng)。其中，PERC太陽能系統(tǒng)可以設(shè)有蓄電池組、充放電控制器逆變器，也可以不設(shè)蓄電池組、充放電控制器逆變器，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際需要進(jìn)行設(shè)置。

需要說明的是，PERC太陽能電池組件、PERC太陽能系統(tǒng)中，除了P型PERC雙面太陽能電池之外的部件，參照現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計即可。

下面以具體實施例進(jìn)一步闡述本發(fā)明

實施例1

（1）在硅片正面和背面形成絨面，所述硅片為P型硅；

（2）對硅片進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；

（3）去除擴(kuò)散過程形成的正面磷硅玻璃和周邊PN結(jié)；

（4）在硅片背面沉積三氧化二鋁膜；

（5）在硅片背面沉積氮化硅膜；

（6）在硅片正面沉積氮化硅膜；

（7）對硅片背面激光開槽，形成激光開槽區(qū)，所述激光開槽區(qū)包括多組水平方向設(shè)置的激光開槽單元，每一組激光開槽單元包括一個水平方向設(shè)置的激光開槽體，所述激光開槽體的長度為1000微米，寬度為40微米；

（8）在所述硅片背面印刷背銀主柵電極；

（9）在所述硅片背面印刷鋁漿，得到背鋁柵線，所述背銀電極、背鋁柵線以第一預(yù)設(shè)夾角相交，所述背鋁柵線與激光開槽體以第二預(yù)設(shè)夾角相交，其中，第一預(yù)設(shè)夾角為30°，第二預(yù)設(shè)夾角為30°，背鋁柵線的根數(shù)為150條，所述背鋁柵線的寬度為150微米；

（10）在所述硅片正面印刷正電極漿料；

（11）對硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極和正銀電極。

（12）對硅片進(jìn)行抗LID退火。

實施例2

（1）在硅片正面和背面形成絨面，所述硅片為P型硅；

（2）對硅片進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；

（3）去除擴(kuò)散過程形成的正面磷硅玻璃和周邊PN結(jié)，并對硅片背面進(jìn)行拋光；

（4）在硅片背面沉積三氧化二鋁膜；

（5）在硅片背面沉積氮化硅膜；

（6）在硅片正面沉積氮化硅膜；

（7）對硅片背面激光開槽，形成激光開槽區(qū)，所述激光開槽區(qū)包括多組傾斜設(shè)置的激光開槽單元，每一組激光開槽單元包括多個傾斜設(shè)置的激光開槽體，所述激光開槽體的長度為500微米，寬度為50微米；

（8）在所述硅片背面印刷背銀主柵電極；

（9）在硅片背面印刷鋁漿，得到背鋁柵線，所述背銀電極、背鋁柵線以第一預(yù)設(shè)夾角相交，所述背鋁柵線與激光開槽體以第二預(yù)設(shè)夾角相交，其中，第一預(yù)設(shè)夾角為45°，第二預(yù)設(shè)夾角為90°，背鋁柵線的根數(shù)為200條，所述背鋁柵線的寬度為200微米；

（10）在所述硅片正面印刷正電極漿料；

（11）對硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極和正銀電極。

（12）對硅片進(jìn)行抗LID退火。

實施例3

（1）在硅片正面和背面形成絨面，所述硅片為P型硅；

（2）對硅片進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；

（3）去除擴(kuò)散過程形成的正面磷硅玻璃和周邊PN結(jié)；

（4）在硅片背面沉積三氧化二鋁膜；

（5）在硅片背面沉積氮化硅膜；

（6）在硅片正面沉積氮化硅膜；

（7）對硅片背面激光開槽，形成激光開槽區(qū)，所述激光開槽區(qū)包括多組傾斜設(shè)置的激光開槽單元，每一組激光開槽單元包括一個或多個傾斜方向設(shè)置的激光開槽體，所述激光開槽體的長度為300微米，寬度為30微米；

（8）在所述硅片背面印刷背銀主柵電極；

（9）在硅片背面印刷鋁漿，得到背鋁柵線，所述背銀電極、背鋁柵線以第一預(yù)設(shè)夾角相交，所述背鋁柵線與激光開槽體以第二預(yù)設(shè)夾角相交，其中，第一預(yù)設(shè)夾角為60°，第二預(yù)設(shè)夾角為60°，背鋁柵線的根數(shù)為250條，所述背鋁柵線的寬度為250微米；

（10）在所述硅片正面印刷正電極漿料；

（11）對硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極和正銀電極。

（12）對硅片進(jìn)行抗LID退火。

實施例4

（1）在硅片正面和背面形成絨面，所述硅片為P型硅；

（2）對硅片進(jìn)行擴(kuò)散，形成N型發(fā)射極；

（3）去除擴(kuò)散過程形成的正面磷硅玻璃和周邊PN結(jié)，并對硅片背面進(jìn)行拋光；

（4）在硅片背面沉積三氧化二鋁膜；

（5）在硅片背面沉積氮化硅膜；

（6）在硅片正面沉積氮化硅膜；

（7）對硅片背面激光開槽，形成激光開槽區(qū)，所述激光開槽區(qū)包括多組傾斜設(shè)置的激光開槽單元，每一組激光開槽單元包括一個或多個傾斜設(shè)置的激光開槽體，所述激光開槽體的長度為1200微米，寬度為200微米；

（8）在所述硅片背面印刷背銀主柵電極；

（9）在硅片背面印刷鋁漿，得到背鋁柵線，所述背銀電極、背鋁柵線以第一預(yù)設(shè)夾角相交，所述背鋁柵線與激光開槽體以第二預(yù)設(shè)夾角相交，其中，第一預(yù)設(shè)夾角為15°，第二預(yù)設(shè)夾角為90°，背鋁柵線的根數(shù)為300條，所述背鋁柵線的寬度為300微米；

（10）在所述硅片正面印刷正電極漿料；

（11）對硅片進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極和正銀電極。

（12）對硅片進(jìn)行抗LID退火。

最后所應(yīng)當(dāng)說明的是，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明作了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實質(zhì)和范圍。