本發(fā)明涉及一種光伏發(fā)電部件，具體涉及一種口型聚光光伏電池芯片，屬太陽能光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

通常，聚光光伏發(fā)電系統(tǒng)所尋求的主要益處是在聚光光伏電池芯片的有效面積上得到從菲涅爾透鏡匯聚的高密度太陽光。透鏡的倍數(shù)越高，得到太陽光的密度越高，相同面積上使用的聚光光伏電池芯片越少，單位面積上的發(fā)電成本就越低。

目前通常從菲涅爾透鏡匯聚過來的焦斑都為正方形，該焦斑的形狀和大小也通常和聚光光伏電池芯片的形狀和大小一致，從而使菲涅爾透鏡匯聚過來的焦斑可以完全匯聚到聚光光伏電池芯片上。但是在實際應用中，聚光光伏電池芯片上的負電極層總是小于聚光光伏電池基材層，由于聚光光伏電池基材層上的基材材料相對很貴（一個平方厘米大小的基材材料大約在50元人民幣左右），這樣就極大浪費了聚光光伏電池基材層的基材材料；另外，由于負電極上的電流是通過電池材料中的離子通過碰撞而產(chǎn)生的，離子離負電極越遠，電流到達負電極的損耗就越大，從而降低光電轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種口型聚光光伏電池芯片，該電池芯片在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。

為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：一種口型聚光光伏電池芯片，其特征是，它包括負電極層，聚光光伏電池基材層，正電極層和有效面積，所述聚光光伏電池基材層一面覆上負電極層，另一面覆上正電極層，所述負電極層之內(nèi)的部分為有效面積。

所述負電極層為一平整口字形形狀，負電極層和聚光光伏電池基材層端面完全重合。

所述聚光光伏電池基材層為GaInP（磷化銦嫁）/GaAs（砷化鎵）/Ge（鍺）三層組合體。

所述正電極層為一完全密封的平面，正電極層面積形狀和聚光光伏電池基材層面積形狀完全一樣。

所述有效面積為正方形形狀。

本發(fā)明的優(yōu)點和積極效果是：1．該種電池芯片能極大地減少聚光光伏電池基材材料的用量，這樣就能減少聚光光伏電池芯片的制作成本；2．該電池芯片口字形形狀負電極能迅速地將電流導出，減小電流對其他電池材料中離子的碰撞，能將電池芯片的轉(zhuǎn)換效率整體提高。

附圖說明

圖1為一種口型聚光光伏電池芯片主視圖。

圖2為一種口型聚光光伏電池芯片俯視圖。

其中：1、負電極層，2、聚光光伏電池基材層，3、正電極層，4、有效面積。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步的說明。

一種口型聚光光伏電池芯片，如圖1～2所示，包括負電極層1，聚光光伏電池基材層2，正電極層3和有效面積4，所述聚光光伏電池基材層2一面覆上負電極層1，另一面覆上正電極層3，所述負電極層1之內(nèi)的部分為有效面積4，所述負電極層1為一平整口字形形狀，可以迅速地將電流導出，減小電流對其他電池材料中離子的碰撞概率，從而提高轉(zhuǎn)換效率，負電極層1和聚光光伏電池基材層2端面完全重合，這樣就完全利用了聚光光伏電池基材層，從而達到節(jié)約聚光光伏電池基材層基材材料的目的，

本發(fā)明中，作為變行實施例，聚光光伏電池芯片的正、負電極層也可以交換過來設定制作，故本發(fā)明的權(quán)利保護范圍以權(quán)利要求書限定的范圍為準。