技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明描述用于蝕刻低k及其它介電質(zhì)膜的方法及制程腔室。舉例而言，方法包括以等離子體制程修改低k介電層的部分。在掩模層及低k介電層的未經(jīng)修改的部分上有選擇地蝕刻低k介電層的經(jīng)修改的部分。描述具有用于交替地產(chǎn)生不同等離子體的多個(gè)腔室區(qū)域的蝕刻腔室。在實(shí)施例中，在一個(gè)操作模式中提供第一電荷耦合的等離子體源以產(chǎn)生至工作件的離子流，而在另一操作模式中提供第二等離子體源以提供反應(yīng)性物質(zhì)流而無至工作件的顯著離子流?？刂破鞑僮饕噪S時(shí)間重復(fù)循環(huán)操作模式以移除期望的介電材料的累積量。

技術(shù)研發(fā)人員：D·盧博米爾斯基;S·耐馬尼;E·葉;S·G·別洛斯托茨基
受保護(hù)的技術(shù)使用者：應(yīng)用材料公司
文檔號(hào)碼：201710127682
技術(shù)研發(fā)日：2012.10.17
技術(shù)公布日：2017.06.20