本發(fā)明屬于陣列基板修復(fù)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其修復(fù)方法。

背景技術(shù)：

如圖1、圖2所示，顯示裝置的陣列基板包括多條交疊設(shè)置且通過柵絕緣層51相互隔開的柵線1和數(shù)據(jù)線2，數(shù)據(jù)線2比柵線1更遠離基底9，且二者交疊處通過柵絕緣層51隔開。

若某像素(圖中未示出)的驅(qū)動電路(圖中未示出)發(fā)生不良，可能導(dǎo)致柵線1與數(shù)據(jù)線2發(fā)生短路不良。如圖3所示，為修復(fù)短路不良，現(xiàn)有方法是通過激光在短路點21兩側(cè)將數(shù)據(jù)線2切斷，并在修復(fù)區(qū)中沉積鎢粉形成修復(fù)線3，修復(fù)線3兩端通過鈍化層52中的過孔(通過激光形成)與數(shù)據(jù)線2的兩個位于短路點21兩側(cè)的位置分別連接(如圖12所示)，從而數(shù)據(jù)線2信號可沿修復(fù)線3繞過短路點21傳遞，消除短路不良(當(dāng)然此時短路像素會變成暗點)。可見，修復(fù)線3與柵線1有交疊，但因為二者間有柵絕緣層51、鈍化層52等，故它們正常情況下不會導(dǎo)通。

但是，在有機發(fā)光二極管(OLED)陣列基板中有彩膜層8(可包括彩色濾光膜和黑矩陣)，彩膜層8厚度較大(一般厚數(shù)微米)，若修復(fù)線3制備在彩膜層8上則其與數(shù)據(jù)線2連接處容易斷線，為此，如圖3、圖12所示，需要先通過激光將修復(fù)區(qū)的彩膜層8剝離。

但是，由于彩膜層8厚度大，將其剝離所需的激光能量也大，故很難保證既將彩膜層8完全剝離又不損傷其下方的絕緣層，因此如圖4所示，在剝離彩膜層8時很容易將柵線1上方的柵絕緣層51和鈍化層52也剝離掉，這樣修復(fù)線3就會與柵線1接觸并導(dǎo)通，導(dǎo)致數(shù)據(jù)線2與柵線1仍然通過修復(fù)線3短路，造成維修不良。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明至少部分解決現(xiàn)有的陣列基板修復(fù)時可能因修復(fù)線與柵線導(dǎo)通而造成修復(fù)不良的問題，提供一種可避免修復(fù)不良的陣列基板及其修復(fù)方法。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，包括基底，以及在遠離基底的方向上依次設(shè)置的多條第一引線、第一絕緣層、多條第二引線、彩膜層，所述第一引線與第二引線相互交疊且被第一絕緣層隔開；且所述陣列基板還包括：

設(shè)于第一絕緣層與彩膜層間的遮蔽結(jié)構(gòu)，所述遮蔽結(jié)構(gòu)由金屬材料構(gòu)成，且位于第一引線上方無第二引線的位置，在第一引線寬度方向上遮蔽結(jié)構(gòu)覆蓋第一引線。

優(yōu)選的是，所述遮蔽結(jié)構(gòu)在第一引線長度方向上的兩端通過第一絕緣層中的過孔與第一引線連接。

優(yōu)選的是，所述遮蔽結(jié)構(gòu)與第二引線同層設(shè)置。

優(yōu)選的是，每條所述第一引線上方設(shè)有多個遮蔽結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的是，所述第一引線為柵線，第一絕緣層為柵絕緣層，第二引線為數(shù)據(jù)線。

優(yōu)選的是，所述第二引線與彩膜層間還設(shè)有第二絕緣層。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種上述陣列基板的修復(fù)方法，所述陣列基板修復(fù)方法包括：

S1、查找所述第二引線上的不良點；

S2、激光剝離修復(fù)區(qū)的彩膜層；所述修復(fù)區(qū)連接所述不良點兩側(cè)的第二引線且與第一引線交疊，所述修復(fù)區(qū)與第一引線的交疊處設(shè)有遮蔽結(jié)構(gòu)；

S3、在所述修復(fù)區(qū)中形成連接所述不良點兩側(cè)的第二引線的修復(fù)線，所述修復(fù)線在遮蔽結(jié)構(gòu)上方跨過第一引線。

優(yōu)選的是，所述不良點為第二引線與第一引線發(fā)生短路的短路點；且在所述步驟S1后，還包括：分別在所述短路點兩側(cè)將第二引線切斷，所述切斷的位置位于修復(fù)區(qū)與第二引線的兩個交點之間。

優(yōu)選的是，對上述遮蔽結(jié)構(gòu)兩端與第一引線相連的陣列基板；在所述步驟S1后，還包括：分別在對應(yīng)所述修復(fù)線的位置兩側(cè)將遮蔽結(jié)構(gòu)切斷，所述切斷位置位于遮蔽結(jié)構(gòu)與第一引線的兩個連接點之間。

優(yōu)選的是，對上述具有第二絕緣層的陣列基板；所述步驟S2包括：激光剝離所述修復(fù)區(qū)的彩膜層和第二絕緣層。

本發(fā)明的陣列基板中，在第一引線與彩膜層(可包括彩色濾光膜和黑矩陣)間設(shè)有獨立的金屬的遮蔽結(jié)構(gòu)，故在進行修復(fù)時，可讓修復(fù)線在遮蔽結(jié)構(gòu)處與第一引線交疊，這樣，即使在剝離彩膜層時相應(yīng)絕緣層損壞，遮蔽結(jié)構(gòu)也不會損壞(因為其由金屬材料)構(gòu)成，故修復(fù)線只能與獨立的遮蔽結(jié)構(gòu)導(dǎo)通，而不會與第一引線導(dǎo)通，從而避免了修復(fù)不良。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的一種陣列基板產(chǎn)生不良時的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中沿AA’線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為現(xiàn)有的一種陣列基板進行修復(fù)后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為發(fā)生修復(fù)不良時圖3中沿BB’線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明的實施例的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為圖5中沿CC’線的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為圖5中沿CC’線的另一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明的實施例的一種陣列基板進行修復(fù)后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為圖8中沿DD’線的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明的實施例的另一種陣列基板進行修復(fù)后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為圖10中沿EE’線的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為現(xiàn)有陣列基板中修復(fù)線與數(shù)據(jù)線連接處的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

其中，附圖標記為：1、柵線；2、數(shù)據(jù)線；21、短路點；3、修復(fù)線；4、遮蔽結(jié)構(gòu)；51、柵絕緣層；52、鈍化層；8、彩膜層；9、基底。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細描述。

在本發(fā)明中，兩結(jié)構(gòu)“同層設(shè)置”是指二者是由同一個材料層經(jīng)同一構(gòu)圖工藝形成的，故它們在層疊關(guān)系上處于相同層中，但并不代表它們與基底間的距離必然相等。

實施例1：

如圖5至圖11所示，本實施例提供一種陣列基板，包括基底9，以及在遠離基底9的方向上依次設(shè)置的多條第一引線、第一絕緣層、多條第二引線、彩膜層8，第一引線與第二引線相互交疊且被第一絕緣層隔開；且陣列基板還包括：

設(shè)于第一絕緣層與彩膜層8間的遮蔽結(jié)構(gòu)4，遮蔽結(jié)構(gòu)4由金屬材料構(gòu)成，且位于第一引線上方無第二引線的位置，在第一引線寬度方向上遮蔽結(jié)構(gòu)覆蓋第一引線。

也就是說，本實施例的陣列基板中，在第一引線與彩膜層8(可包括彩色濾光膜和黑矩陣)間設(shè)有獨立的金屬的遮蔽結(jié)構(gòu)4，故在進行修復(fù)時，可讓修復(fù)線3在遮蔽結(jié)構(gòu)4處與第一引線交疊，這樣，即使在剝離彩膜層8時相應(yīng)絕緣層損壞，遮蔽結(jié)構(gòu)4也不會損壞(因為其由金屬材料)構(gòu)成，故修復(fù)線3只能與獨立的遮蔽結(jié)構(gòu)4導(dǎo)通，而不會與第一引線導(dǎo)通，從而避免了修復(fù)不良。

具體的，本實施例的陣列基板中具有彩膜層8，故其優(yōu)選為有機發(fā)光二極管(OLED)陣列基板，因為這類陣列基板的彩膜層8一般是直接設(shè)在陣列基板中的。當(dāng)然，如果陣列基板為COA(Color On Array)模式的液晶顯示陣列基板等，也是可行的。

當(dāng)然，在該陣列基板中，還應(yīng)具有驅(qū)動電路、像素(如像素電極、公共電極、陰極、陽極、有機發(fā)光層等)等其它結(jié)構(gòu)，在此不再進行詳細描述。

優(yōu)選的，以上第一引線為柵線1，第一絕緣層為柵絕緣層51，第二引線為數(shù)據(jù)線2。

優(yōu)選的，在第二引線(數(shù)據(jù)線2)與彩膜層8間還設(shè)有第二絕緣層，該第二絕緣層可為鈍化層52。

其中，當(dāng)具有第二絕緣層時，以上遮蔽結(jié)構(gòu)4優(yōu)選位于第一絕緣層和第二絕緣層之間。

在以下內(nèi)容中，均以第一引線為柵線1，第一絕緣層為柵絕緣層51，第二引線為數(shù)據(jù)線2，第二絕緣層為鈍化層52為例進行說明。當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)理解，如果第一引線為數(shù)據(jù)線、第二引線為柵線，或者引線為其它類型，也都是可行的。

優(yōu)選的，遮蔽結(jié)構(gòu)4與數(shù)據(jù)線2同層設(shè)置。

也就是說，如圖5、圖6所示，由于遮蔽結(jié)構(gòu)4與數(shù)據(jù)線2都位于柵絕緣層51以上，二者的層位置可相同(即都位于柵絕緣層51和鈍化層52之間)，故它們可由同一個材料層經(jīng)同一次構(gòu)圖工藝形成，以簡化陣列基板的制備工藝。

當(dāng)然，在具有鈍化層52時，遮蔽結(jié)構(gòu)4也可位于鈍化層52之上，這樣其就與數(shù)據(jù)線2不同層了，故此時遮蔽結(jié)構(gòu)4需要單獨制備。

優(yōu)選的，遮蔽結(jié)構(gòu)4在柵線1長度方向上的兩端通過柵絕緣層51中的過孔與其下方的柵線1連接。

也就是說，遮蔽結(jié)構(gòu)4也可如圖6所示直接位于柵絕緣層51上。但遮蔽結(jié)構(gòu)4也可如圖7所示，其兩個端部通過柵絕緣層51中的過孔與柵線1連接，即遮蔽結(jié)構(gòu)4可形成“橋狀”。“橋狀”的遮蔽結(jié)構(gòu)4有利于降低柵線1的電阻，而在發(fā)生不良需要修復(fù)時，只要將該“橋狀”遮蔽結(jié)構(gòu)4的兩端部與中部切斷，仍可實現(xiàn)避免修復(fù)線3與柵線1短路的效果。

優(yōu)選的，每條柵線1上方設(shè)有多個遮蔽結(jié)構(gòu)4。

顯然，每條柵線1會與多條數(shù)據(jù)線2有交疊，而每條數(shù)據(jù)線2都可能發(fā)生不良，故如圖5所示，優(yōu)選每條柵線1上方設(shè)置多個遮蔽結(jié)構(gòu)4(最優(yōu)選在每兩條數(shù)據(jù)線2之間均而有一個遮蔽結(jié)構(gòu)4)，這樣不論哪條數(shù)據(jù)線2發(fā)生不良，都可在較近范圍內(nèi)找到用于使修復(fù)線3通過的遮蔽結(jié)構(gòu)4。

本實施例還提供一種上述陣列基板的修復(fù)方法，其方法包括：

S11、查找數(shù)據(jù)線2上的不良點；

S12、激光剝離修復(fù)區(qū)的彩膜層8；修復(fù)區(qū)連接不良點兩側(cè)的數(shù)據(jù)線2且與柵線1交疊，修復(fù)區(qū)與柵線1的交疊處設(shè)有遮蔽結(jié)構(gòu)4；

S13、在修復(fù)區(qū)中形成連接不良點兩側(cè)的數(shù)據(jù)線2的修復(fù)線3，修復(fù)線3在遮蔽結(jié)構(gòu)4上方跨過柵線1。

也就是說，如圖8、圖9所示，當(dāng)本實施例的陣列基板的數(shù)據(jù)線2中產(chǎn)生不良點而需要進行修復(fù)時，則先通過激光剝離除去修復(fù)區(qū)中的彩膜層8，之后在修復(fù)區(qū)中通過沉積鎢粉等方式形成修復(fù)線3，該修復(fù)線3(或者說修復(fù)區(qū))將不良點兩側(cè)的數(shù)據(jù)線2連接起來，使數(shù)據(jù)線2中的信號可經(jīng)修復(fù)線3繞過不良點傳遞。

其中，該修復(fù)線3(或者說修復(fù)區(qū))要跨過柵線1，故其在遮蔽結(jié)構(gòu)4處與柵線1交疊，從而即使在剝離彩膜層8時導(dǎo)致柵線1上方的絕緣層(如鈍化層52，此時柵絕緣層51位于遮蔽結(jié)構(gòu)4下方，故不會損壞)損壞，則修復(fù)線3也只會與遮蔽結(jié)構(gòu)4連接，但不會與柵線1導(dǎo)通，從而避免了柵線1與數(shù)據(jù)線2短路，消除了修復(fù)不良。

優(yōu)選的，不良點為數(shù)據(jù)線2與柵線1發(fā)生短路的短路點21；且在步驟S11后，還包括：分別在短路點21兩側(cè)將數(shù)據(jù)線2切斷，切斷的位置位于修復(fù)區(qū)與數(shù)據(jù)線2的兩個交點之間。

也就是說，如果以上不良點為短路點21(如因驅(qū)動電路短路)，則除形成修復(fù)線3外，還要保證短路點21處沒有信號，故如圖9、圖10所示，還需要通過激光在短路點21兩側(cè)將數(shù)據(jù)線2切斷。當(dāng)然，為保證修復(fù)線3能傳遞信號，故以上切斷應(yīng)位于修復(fù)區(qū)(或者說修復(fù)線3)與數(shù)據(jù)線2的兩交點的內(nèi)側(cè)。

當(dāng)然，如果數(shù)據(jù)線2的不良點為斷路點，則也可不進行本步驟。

優(yōu)選的，當(dāng)遮蔽結(jié)構(gòu)4兩端通與柵線1連接時，則在步驟S11后，還包括：分別在修復(fù)線3兩側(cè)將遮蔽結(jié)構(gòu)4切斷，切斷位置位于遮蔽結(jié)構(gòu)4與柵線1的兩個連接點之間。

也就是說，如果遮蔽結(jié)構(gòu)4為以上描述的兩端與柵線1連接的形式，則如圖10、圖11所示，在修復(fù)過程中，還需要在對應(yīng)修復(fù)線3的位置兩側(cè)將遮蔽結(jié)構(gòu)4切斷，即將遮蔽結(jié)構(gòu)4中部與其兩端部切斷，從而保證數(shù)據(jù)線2即使與遮蔽結(jié)構(gòu)4的中部發(fā)生連接也不會與柵線1導(dǎo)通。當(dāng)然，為實現(xiàn)以上效果，以上切斷點必須位于遮蔽結(jié)構(gòu)4與柵線1的兩個連接點的內(nèi)側(cè)。

優(yōu)選的，當(dāng)數(shù)據(jù)線2與彩膜層8間設(shè)有鈍化層52時，則步驟S12包括：

激光剝離修復(fù)區(qū)的彩膜層8和鈍化層52。

顯然，如果數(shù)據(jù)線2上方還有鈍化層52，則修復(fù)線3與數(shù)據(jù)線2會被鈍化層52隔開，故在現(xiàn)有技術(shù)中，還要在將彩膜層8剝離后，繼續(xù)在數(shù)據(jù)線2上方的鈍化層52中形成過孔，以使修復(fù)線3與數(shù)據(jù)線2能通過過孔連接。而在本實施例的陣列基板修復(fù)方法中，由于有遮蔽結(jié)構(gòu)4，故不必用鈍化層52實現(xiàn)柵線1與修復(fù)線3的絕緣，因此，可在剝離彩膜層8時增大激光能量，將修復(fù)區(qū)的全部鈍化層52都剝離掉，這樣即可實現(xiàn)修復(fù)線3與數(shù)據(jù)線2的連接，從而可簡化修復(fù)工藝。

當(dāng)然，若此時遮蔽結(jié)構(gòu)4不是位于柵絕緣層51與鈍化層52之間，而是設(shè)在鈍化層52上，則在剝離過程中，遮蔽結(jié)構(gòu)4下方的鈍化層52會被保留下來而不能被剝離掉，但其不影響本發(fā)明的實現(xiàn)。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。