1.功率變流器中IGBT模塊的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：第一IGBT芯片(11)，其上表面為第一IGBT芯片集電極(14)連接區(qū)，其下表面設(shè)有第一IGBT芯片發(fā)射極(12)連接區(qū)和第一IGBT芯片柵極(13)連接區(qū)；第一石墨烯薄膜散熱層(10)與所述第一IGBT芯片發(fā)射極(12)連接區(qū)接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率變流器中IGBT模塊的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：第二IGBT芯片(21)，其上表面包括第二IGBT芯片發(fā)射極(39)連接區(qū)和第二IGBT芯片柵極(36)連接區(qū)，其下表面為第二IGBT芯片集電極(22)連接區(qū)；第二石墨烯薄膜散熱層(20)與所述第二IGBT芯片集電極(22)連接區(qū)接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率變流器中IGBT模塊的散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
基板(31)，其上表面包括第一IGBT芯片的柵極引出端(32)、第一IGBT芯片發(fā)射極(12)和第二IGBT芯片集電極(22)的共同引出端(33)；
與所述第一石墨烯薄膜散熱層(10)和第二石墨烯薄膜散熱層(20)橫向相連的金屬或石墨熱沉(42)，熱沉(42)固定在第一IGBT芯片(11)和第二IGBT芯片(21)中間，所述熱沉(42)的縱向厚度既小于第一IGBT芯片發(fā)射極(12)連接區(qū)的厚度，又小于第二IGBT芯片集電極(22)連接區(qū)的厚度；
與所述第一石墨烯薄膜散熱層(10)、第二石墨烯薄膜散熱層(20)、熱沉(42)、第一IGBT芯片柵極(13)連接區(qū)的下表面以及基板(31)上表面接觸的有石墨烯填充增強(qiáng)的導(dǎo)電導(dǎo)熱膠(43)；
所述基板(31)上方連接有支架(45)，母排(44)由所述支架(45)固定支撐，所述母排(44)上設(shè)有：與所述第一IGBT芯片的集電極引出端(35)相連的第一母排端子(46)；與所述第一IGBT芯片的柵極引出端(32)相連的第二母排端子(47)；與所述第一IGBT芯片發(fā)射極和第二IGBT芯片集電極的共同引出端(33)相連的第三母排端子(48)；與所述第二IGBT芯片的發(fā)射極引出端(41)相連的第四母排端子(49)；與所述第二IGBT芯片的柵極引出端(38)相連的第五母排端子(50)；
所述母排(44)及支架(45)構(gòu)成的結(jié)構(gòu)與基板(31)之間填充有硅膠(51)。
4.功率變流器中IGBT模塊散熱結(jié)構(gòu)的封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：
(1)在銅箔(60)表面生長(zhǎng)單層石墨烯(61)，形成石墨烯/銅箔結(jié)構(gòu)層，在石墨烯/銅箔結(jié)構(gòu)層上旋涂一層聚甲基丙烯酸甲酯PMMA(62)作為薄膜支撐層，得到PMMA/石墨烯/銅箔結(jié)構(gòu)層體系；
(2)使用氫氧化鈉溶液作為電解液，將直流電源負(fù)極連接到PMMA/石墨烯/銅箔結(jié)構(gòu)層體系的銅箔(60)上，同時(shí)將直流電源正極連接到鉑電極上，將電流逐漸加大，待銅箔(60)與PMMA和石墨烯分離，得到PMMA/石墨烯結(jié)構(gòu)層；
(3)分別將PMMA/石墨烯結(jié)構(gòu)層轉(zhuǎn)移到第一IGBT芯片發(fā)射極(12)和第二IGBT芯片集電極(22)上，使單層石墨烯與芯片直接結(jié)合，自然風(fēng)干后用丙酮去除PMMA，即芯片表面得到單層石墨烯薄膜；
(4)提供基板(31)，其上表面按照第一IGBT芯片(11)和第二IGBT芯片(21)的貼裝方式制作有電極引出線(xiàn)路，其中包括第一IGBT芯片(11)的柵極引出端(32)，第一IGBT芯片發(fā)射極(12)和第二IGBT芯片集電極(22)的共同引出端(33)，第一IGBT芯片(11)的集電極引出端(35)，第二IGBT芯片(21)的發(fā)射極引出端(41)，第二IGBT芯片(21)的柵極引出端(38)；在所述基板(31)表面用絲網(wǎng)印刷的方法涂上石墨烯增強(qiáng)導(dǎo)電導(dǎo)熱膠(43)，將熱沉(42)通過(guò)石墨烯增強(qiáng)導(dǎo)電導(dǎo)熱膠(43)粘在基板(31)表面；
(5)將第一IGBT芯片(11)和第二IGBT芯片(21)通過(guò)貼裝的方式，即第一IGBT芯片的發(fā)射極(12)和第二IGBT芯片的集電極(22)朝下，使單層石墨烯薄膜通過(guò)石墨烯增強(qiáng)導(dǎo)電導(dǎo)熱膠(43)與基板(31)形成良好接觸；同時(shí)，第一IGBT芯片(11)和第二IGBT芯片(21)分別放置在熱沉(42)兩邊，并使單層石墨烯薄膜、第一IGBT芯片的發(fā)射極(12)和第二IGBT芯片的集電極(22)都與熱沉(42)形成物理接觸，使得芯片局部熱點(diǎn)的熱量通過(guò)單層石墨烯傳遞給熱沉(42)，進(jìn)而傳遞給基板(31)；
(6)階梯升溫使石墨烯增強(qiáng)導(dǎo)電導(dǎo)熱膠(43)固化完全，將第一IGBT芯片的發(fā)射極(12)和第一IGBT芯片柵極(13)、第二IGBT芯片集電極(22)與基板(31)，以及熱沉(42)與基板(31)之間形成互連；用引線(xiàn)鍵合的方法通過(guò)金屬線(xiàn)分別將第一IGBT芯片集電極(14)、第二IGBT芯片柵極(36)、第二IGBT芯片發(fā)射極(39)與基板(31)上相應(yīng)的引出端相連；在基板(31)上方安裝母排(44)及支架(45)，于母排(44)及支架(45)構(gòu)成的結(jié)構(gòu)與基板(31)之間填充硅膠(51)，室溫固化。
5.如權(quán)利要求4所述功率變流器中IGBT模塊散熱結(jié)構(gòu)的封裝工藝，其特征在于，步驟(6)用引線(xiàn)鍵合的方法通過(guò)第一金屬線(xiàn)(34)將第一IGBT芯片集電極(14)與基板(31)上的第一IGBT芯片的集電極引出端(35)相連，通過(guò)第二金屬線(xiàn)(37)將第二IGBT芯片柵極(36)與基板(31)上的第二IGBT芯片的柵極引出端(38)相連，通過(guò)第三金屬線(xiàn)(40)將第二IGBT芯片發(fā)射極(39)與基板(31)上的第二IGBT芯片的發(fā)射極引出端(41)相連。
6.如權(quán)利要求4所述功率變流器中IGBT模塊散熱結(jié)構(gòu)的封裝工藝，其特征在于，步驟(6)所述母排(44)上有多個(gè)母排端子，其中第一IGBT芯片的集電極引出端(35)與第一母排端子(46)相連，第一IGBT芯片的柵極引出端(32)與第二母排端子(47)相連，第一IGBT芯片發(fā)射極(12)和第二IGBT芯片集電極(22)的共同引出端(33)與第三母排端子(48)相連，第二IGBT芯片的發(fā)射極引出端(41)與第四母排端子(49)相連，第二IGBT芯片的柵極引出端(38)與第五母排端子(50)相連。