本發(fā)明涉及電子部件及其制造方法。

背景技術：

以往，在各種電子設備中使用許多例如層疊陶瓷電容器等電子部件。例如，在專利文獻1中，作為電子部件的一個例子記載了一種具備外部電極的層疊陶瓷電子部件，該外部電極只設置在長方體狀的電容器主體的端面上并包括與內(nèi)部電極連接的導電層。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2000-277371號公報

技術實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

期望提高電子部件的內(nèi)部電極與外部電極的連接可靠性。

本發(fā)明的主要的目的在于，提供一種內(nèi)部電極與外部電極的連接可靠性高的電子部件。

用于解決課題的技術方案

本發(fā)明涉及的電子部件具備電子部件主體、第一內(nèi)部電極、第二內(nèi)部電極、第一外部電極、以及第二外部電極。電子部件主體具有第一主面和第二主面、第一側(cè)面和第二側(cè)面、以及第一端面和第二端面。第一主面和第二主面沿著長度方向和寬度方向延伸。第一側(cè)面和第二側(cè)面沿著長度方向和層疊方向延伸。第一端面和第二端面沿著寬度方向和層疊方向延伸。第一內(nèi)部電極設置在電子部件主體內(nèi)。第二內(nèi)部電極設置在電子部件主體內(nèi)。第一外部電極設置在第一端面上，并與第一內(nèi)部電極連接。第二外部電極設置在第二端面上，并與所述第二內(nèi)部電極連接。第一外部電極包括設置在第一端面上的第一導電層。第二外部電極包括設置在第二端面上的的第二導電層。第一內(nèi)部電極貫通第一導電層。

優(yōu)選是，在本發(fā)明涉及的電子部件中，第二內(nèi)部電極貫通第二導電層。

可以是，在本發(fā)明涉及的電子部件中，第一外部電極還包括設置在第一導電層上的第三導電層，第一導電層和第三導電層中至少第一導電層包含陶瓷粒子，第一導電層中的陶瓷粒子的含量比第三導電層中的陶瓷粒子的含量多。

可以是，在本發(fā)明涉及的電子部件中，第二外部電極還包括設置在第二導電層上的第四導電層，第二導電層和第四導電層中至少第二導電層包含陶瓷粒子，第二導電層中的陶瓷粒子的含量比第四導電層中的陶瓷粒子的含量多。

優(yōu)選是，在本發(fā)明涉及的電子部件中，第三導電層通過第一導電層與電子部件主體隔離。

優(yōu)選是，在本發(fā)明涉及的電子部件中，第四導電層通過第二導電層與電子部件主體隔離。

優(yōu)選是，在本發(fā)明涉及的電子部件中，在從寬度方向觀察時，第一內(nèi)部電極的第一導電層內(nèi)的部分具有彎曲的形狀。

優(yōu)選是，在本發(fā)明涉及的電子部件中，在從寬度方向觀察時，第二內(nèi)部電極的第二導電層內(nèi)的部分具有彎曲的形狀。

在本發(fā)明涉及的電子部件的制造方法中，電子部件包括：電子部件主體，具有沿著長度方向和寬度方向延伸的第一主面和第二主面、沿著長度方向和層疊方向延伸的第一側(cè)面和第二側(cè)面、以及沿著寬度方向和層疊方向延伸的第一端面和第二端面；第一內(nèi)部電極，設置在電子部件主體內(nèi)；第二內(nèi)部電極，設置在電子部件主體內(nèi)；第一外部電極，設置在第一端面上，并與第一內(nèi)部電極連接；以及第二外部電極，設置在第二端面上，并與第二內(nèi)部電極連接，第一外部電極包括設置在第一端面上的第一導電層，第二外部電極包括設置在第二端面上的第二導電層，第一內(nèi)部電極貫通第一導電層。

在本發(fā)明涉及的電子部件的制造方法中，進行形成第一生片的第一生片形成工序，第一生片包括用于構成電子部件主體的陶瓷糊劑層和用于構成第一導電層的導電性糊劑層。在第一生片上，將用于構成第一內(nèi)部電極的導電性糊劑層形成在陶瓷糊劑層上以及用于構成第一導電層的導電性糊劑層上。進行第二生片形成工序，在形成了用于構成第一內(nèi)部電極的導電性糊劑層的第一生片上，將第二生片形成在用于構成第一內(nèi)部電極的導電性糊劑層上，該第二生片包括用于構成電子部件主體的陶瓷糊劑層和用于構成第一導電層的導電性糊劑層。

優(yōu)選是，在本發(fā)明涉及的電子部件的制造方法中，通過噴墨法形成陶瓷糊劑層以及導電性糊劑層。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種內(nèi)部電極與外部電極的連接可靠性高且esr(等效串聯(lián)電阻)低的電子部件。

附圖說明

圖1是第一實施方式涉及的電子部件的示意性立體圖。

圖2是第一實施方式涉及的電子部件的示意性俯視圖。

圖3是圖2的線iii-iii處的示意性剖視圖。

圖4是第二實施方式涉及的電子部件的示意性俯視圖。

圖5是圖4的線v-v處的示意性剖視圖。

圖6是第三實施方式涉及的電子部件的示意性俯視圖。

圖7是圖6的線vii-vii處的示意性剖視圖。

圖8是第四實施方式涉及的電子部件的示意性剖視圖。

圖9是在比較例1中制作的電子部件的示意性俯視圖。

圖10是圖9的線x-x處的示意性剖視圖。

圖11是將在比較例2中制作的電子部件的一部分放大的示意性剖視圖。

圖12是表示實施例5、比較例1、比較例2中的esr值的曲線圖。

圖中，1、1a、1b、1c：電子部件，10：電子部件主體，10a：第一主面，10b：第二主面，10c：第一側(cè)面，10d：第二側(cè)面，10e：第一端面，10f：第二端面，10g：電介質(zhì)層，11：第一內(nèi)部電極，12：第二內(nèi)部電極，13：第一外部電極，14：第二外部電極，13a、13b、13c、14a、14b、14c：導電層，15、16：輔助電極。

具體實施方式

以下，對實施了本發(fā)明的優(yōu)選的方式的一個例子進行說明。但是，下述的實施方式只是例示。本發(fā)明絲毫不限定于下述的實施方式。

此外，在實施方式等中參照的各圖中，對于具有實質(zhì)上相同的功能的構件標注相同的附圖標記。此外，在實施方式等中參照的圖是示意性地記載的圖。圖中描繪的物體的尺寸的比率等有時與實際的物體的尺寸的比率等不同。即使在各圖之間，有時物體的尺寸比率等也不同。具體的物體的尺寸比率等應參考以下的說明進行判斷。

(第一實施方式)

圖1是第一實施方式涉及的電子部件的示意性立體圖。圖2是第一實施方式涉及的電子部件的示意性俯視圖。圖3是圖2的線iii-iii處的示意性剖視圖。

圖2和圖3所示的電子部件1可以是陶瓷電容器，也可以是壓電部件、熱敏電阻或電感器等。

電子部件1具備長方體狀的電子部件主體10。該電子部件主體10具有第一主面10a和第二主面10b(參照圖3)、第一側(cè)面10c和第二側(cè)面10d(參照圖2)、以及第一端面10e和第二端面10f。第一主面10a和第二主面10b沿著長度方向l和寬度方向w延伸。第一側(cè)面10c和第二側(cè)面10d沿著層疊方向t和長度方向l延伸。第一端面10e和第二端面10f沿著層疊方向t和寬度方向w延伸。長度方向l、寬度方向w以及層疊方向t分別正交。

另外，在本發(fā)明中，“長方體狀”包括角部、棱線部被形成了圓角的長方體。即，“長方體狀”的構件意味著具有第一主面和第二主面、第一側(cè)面和第二側(cè)面、以及第一端面和第二端面的所有構件。此外，也可以在主面、側(cè)面、端面的一部分或全部形成凹凸等。

電子部件主體10的尺寸沒有特別限定。例如，電子部件主體10的厚度尺寸優(yōu)選為0.2mm以上且5mm以下，長度尺寸優(yōu)選為0.3mm以上且40mm以下，寬度尺寸優(yōu)選為0.1mm以上且50mm以下。

電子部件主體10能夠由與電子部件1的功能相應的適宜的陶瓷等絕緣體構成。具體地，在電子部件1為電容器的情況下，能夠由介電陶瓷形成電子部件主體10。作為介電陶瓷的具體例子，例如可舉出batio3、catio3、srtio3、bacatio3、cazro3等。在電子部件1為電容器的情況下，也可以根據(jù)電子部件1要求的特性在電子部件主體10中適當添加例如mn化合物、mg化合物、si化合物、al化合物、v化合物、fe化合物、cr化合物、co化合物、ni化合物、稀土類化合物等副成分。

在電子部件1為壓電部件的情況下，能夠由壓電陶瓷形成電子部件主體。作為壓電陶瓷的具體例子，例如可舉出pzt(鋯鈦酸鉛)類陶瓷等。

在電子部件1例如為熱敏電阻的情況下，能夠由半導體陶瓷形成電子部件主體。作為半導體陶瓷的具體例子，例如可舉出尖晶石類陶瓷等。

在電子部件1為例如電感器的情況下，能夠由磁性體陶瓷形成電子部件主體。作為磁性體陶瓷的具體例子，例如可舉出鐵氧體陶瓷等。

以下，在本實施方式中，對電子部件1為層疊陶瓷電容器的例子進行說明。具體地，在本實施方式中，對電子部件1為具有兩個外部電極的層疊陶瓷電容器的例子進行說明。但是，本發(fā)明不限定于該結(jié)構。本發(fā)明涉及的電子部件也可以是具有3個以上的外部電極的層疊電容器。

如圖3所示，在電子部件主體10的內(nèi)部設置有內(nèi)部電極。具體地，在電子部件主體10的內(nèi)部設置有多個第一內(nèi)部電極11和多個第二內(nèi)部電極12。

第一內(nèi)部電極11為矩形。第一內(nèi)部電極11設置為與第一主面10a和第二主面10b平行。即，第一內(nèi)部電極11沿著長度方向l和寬度方向w設置。第一內(nèi)部電極11露出在第一端面10e，并且未露出在第一主面10a和第二主面10b、第一側(cè)面10c和第二側(cè)面10d、以及第二端面10f。

第二內(nèi)部電極12為矩形。第二內(nèi)部電極12設置為與第一主面10a和第二主面10b平行。即，第二內(nèi)部電極12沿著長度方向l和寬度方向w設置。因而，第二內(nèi)部電極12和第一內(nèi)部電極11彼此平行。第二內(nèi)部電極12露出在第二端面10f，并且未露出在第一主面10a和第二主面10b、第一側(cè)面10c和第二側(cè)面10d、以及第一端面10e。

第一內(nèi)部電極11和第二內(nèi)部電極12沿著層疊方向t交替設置。在層疊方向t上相鄰的第一內(nèi)部電極11和第二內(nèi)部電極12隔著電介質(zhì)層10g對置。電介質(zhì)層10g的厚度例如能夠設為0.2μm以上且40μm以下的程度。位于最靠近第一主面10a側(cè)的內(nèi)部電極11、12與第一主面10a之間的距離、以及位于最靠近第二主面10b側(cè)的內(nèi)部電極11、12與第二主面10b之間的距離例如優(yōu)選為20μm以上且500μm以下。

第一內(nèi)部電極11和第二內(nèi)部電極12能夠由適宜的導電材料構成。第一內(nèi)部電極11和第二內(nèi)部電極12例如能夠由選自由ni、cu、ag、pd以及au構成的組的金屬、或包含選自由ni、cu、ag、pd以及au構成的組的一種以上的金屬的合金(例如，ag-pd合金等)構成。

此外，第一內(nèi)部電極11和第二內(nèi)部電極12也可以進一步包含陶瓷粒子。陶瓷粒子優(yōu)選包含與電子部件主體10包含的成分(陶瓷成分)是同種成分的共通材料(commonmaterial)。第一內(nèi)部電極11和第二內(nèi)部電極12包含的陶瓷粒子的含量優(yōu)選為20體積％以下，更優(yōu)選為15體積％以下。

第一內(nèi)部電極11和第二內(nèi)部電極12的厚度分別優(yōu)選為例如0.2μm以上且3μm以下的程度。

如圖2和圖3所示，電子部件1具備第一外部電極13和第二外部電極14。第一外部電極13與第一內(nèi)部電極11電連接。另一方面，第二外部電極14與第二內(nèi)部電極12電連接。

第一外部電極13形成在第一端面10e上。在本實施方式中，對只在第一端面10e上形成有第一外部電極13的例子進行說明。但是，本發(fā)明不限定于該結(jié)構。例如，第一外部電極也可以形成為橫跨第一端面、第一主面和第二主面、以及第一側(cè)面和第二側(cè)面中的至少一個。

第一外部電極13具有導電層(第一導電層)13a和導電層(第三導電層)13b。導電層13a形成在第一端面10e上。導電層13b形成在導電層13a上。即，導電層13a、13b依次層疊在第一端面10e上。導電層13b通過導電層13a與電子部件主體10隔離。

導電層13a的厚度例如能夠設為10μm以上且200μm以下。導電層13b的厚度例如能夠設為0.1μm以上且10μm以下。導電層13a的厚度優(yōu)選為導電層13b的厚度的等倍以上且200倍以下，更優(yōu)選為10倍以上且200倍以下。

在本實施方式中，導電層13a和導電層13b分別由燒成的電極構成。導電層13a、13b分別包含金屬等導電體。除了導電體以外，導電層13a、13b還可以分別包含玻璃等。優(yōu)選導電層13a、13b中的至少導電層13a包含陶瓷粒子。陶瓷粒子優(yōu)選包含與電子部件主體10包含的成分(陶瓷成分)是同種成分的共通材料。關于導電層13a、13b包含的導電體，例如優(yōu)選包含cu、ni、ag、pd、ag-pd合金以及au中的至少一種，更優(yōu)選包含cu。

導電層13a中的陶瓷粒子的含量優(yōu)選為30體積％以上且70體積％以下，更優(yōu)選為40體積％以上且60體積％以下。

導電層13b中的陶瓷粒子的含量優(yōu)選為0體積％以上且20體積％以下，更優(yōu)選為0體積％以上且10體積％以下。

優(yōu)選導電層(第一導電層)13a中的陶瓷粒子的含量比導電層(第三導電層)13b中的陶瓷粒子的含量多，更優(yōu)選為導電層(第三導電層)13b中的陶瓷粒子的含量的1.5倍以上，進一步優(yōu)選為兩倍以上。

另外，陶瓷粒子的含量能夠按照以下的要點求出。

首先，將電子部件的第一側(cè)面與第一側(cè)面平行地研磨至寬度成為1/2為止，并進行離子銑削而除去研磨松垂(abrasivesagging)，從而使截面露出。

接著，選擇露出的截面中的面積為5.0×10^-4mm²的部分作為測定范圍。在選擇測定范圍時，選擇空隙、變形少的部分。

接著，求出電極或?qū)щ妼觾?nèi)的、陶瓷粒子所占的面積和金屬所占的面積。此外，求出電極或?qū)щ妼拥拿娣e。電極或?qū)щ妼拥拿娣e是金屬所占的面積和陶瓷粒子所占的面積的總和。然后，基于下述式求出陶瓷粒子的含量。具體地，利用掃描型顯微鏡觀察截面，根據(jù)反射電子像中的攝像對比度的差異判別金屬所占的部分和陶瓷粒子所占的部分。然后，進行圖像分析，從而計算出金屬所占的部分和陶瓷粒子所占的部分各自的面積。另外，在測定范圍內(nèi)存在空隙的情況下、或在由于燒成時產(chǎn)生的變形等而造成電介質(zhì)層的材料進入到電極、導電層內(nèi)的情況下，忽略該空隙、進入的部分的面積，并計算出陶瓷粒子的含量。

(陶瓷粒子的含量)＝(電極或?qū)щ妼觾?nèi)的陶瓷粒子的面積)/(電極或?qū)щ妼拥拿娣e)

第二外部電極14形成在第二端面10f上。在本實施方式中，對只在第二端面10f上形成有第二外部電極14的例子進行說明。但是，本發(fā)明不限定于該結(jié)構。例如，第二外部電極也可以形成為橫跨第二端面、第一主面和第二主面、以及第一側(cè)面和第二側(cè)面中的至少一個。

第二外部電極14具有導電層14a(第二導電層)和導電層(第四導電層)14b。導電層14a形成在第二端面10f上。導電層14b形成在導電層14a上。即，導電層14a、14b依次層疊在第二端面10f上。導電層14b通過導電層14a與電子部件主體10隔離。

導電層14a的厚度例如能夠設為10μm以上且200μm以下。導電層14b的厚度例如能夠設為0.1μm以上且10μm以下。導電層14a的厚度優(yōu)選為導電層14b的厚度的等倍以上且200倍以下，更優(yōu)選為10倍以上且200倍以下。

在本實施方式中，導電層14a和導電層14b分別由燒成的電極構成。導電層14a、14b分別包含金屬等導電體。除了導電體以外，導電層14a、14b還可以進一步包含玻璃。導電層14a、14b中的導電層14a優(yōu)選包含陶瓷粒子。關于陶瓷粒子，優(yōu)選包含與電子部件主體10包含的成分(陶瓷成分)是同種成分的共通材料。關于導電層14a、14b包含的導電性粒子，例如優(yōu)選包含cu、ni、ag、pd、ag-pd合金以及au中的至少一種，更優(yōu)選包含cu。

導電層14a中的陶瓷粒子的含量優(yōu)選為30體積％以上且70體積％以下，更優(yōu)選為40體積％以上且60體積％以下。導電層14b中的陶瓷粒子的含量優(yōu)選為0體積％以上且20體積％以下，更優(yōu)選為0體積％以上且10體積％以下。

優(yōu)選導電層(第二導電層)14a中的陶瓷粒子的含量比導電層(第四導電層)14b中的陶瓷粒子的含量多，更優(yōu)選為導電層(第四導電層)14b中的陶瓷粒子的含量的1.5倍以上，進一步優(yōu)選為兩倍以上。

通過使第一導電層13a、第二導電層14a含有熱膨脹率接近電子部件主體10的共通材料等的陶瓷粒子，從而可抑制在電子部件主體10產(chǎn)生裂縫、剝離等。此外，通過使第三導電層13b、第四導電層14b中的陶瓷粒子的含量比較少，從而能夠提高對第三導電層13b、第四導電層14b的表面的鍍附性(platabilityandadhesiveness)、將第三導電層13b、第四導電層14b與金屬端子進行連接時的接合強度。

構成電子部件主體10的陶瓷等絕緣體的熱膨脹率與構成第一外部電極13和第二外部電極14的金屬等導電體的熱膨脹率大不相同。因此，會由于在燒成時等的溫度變化造成的收縮、膨脹而產(chǎn)生應力，有時會在電子部件主體產(chǎn)生裂縫，或者外部電極從電子部件主體剝離。通過使第一導電層13a、第二導電層14a含有熱膨脹率接近電子部件主體10的共通材料等的陶瓷粒子，從而可抑制在電子部件主體10產(chǎn)生裂縫、剝離等。

可是，在內(nèi)部電極和外部電極在電子部件主體的端面接觸的情況下，由于燒成時的收縮、溫度變化造成的收縮等，有時內(nèi)部電極與外部電極會分離，從而使內(nèi)部電極與外部電極的連接可靠性降低。

在本實施方式中，第一內(nèi)部電極11貫通導電層13a，第二內(nèi)部電極12貫通導電層14a。因此，第一內(nèi)部電極11與導電層13a的接觸面積大，第二內(nèi)部電極12與導電層14a的接觸面積也大。因此，在電子部件1中，第一內(nèi)部電極11與第一外部電極13的連接可靠性高，第二內(nèi)部電極12與第二外部電極14的連接可靠性也高。此外，能夠進一步降低電子部件1的esr。

此外，在導電層13b與導電層14b之間的導通路徑中，陶瓷粒子的含量高且電阻高的導電層13a、14a所占的比例降低。因此，在安裝后的電子部件1中，導電層13b與導電層14b之間的esr降低。因此電子部件1的esr低。

不過，未必一定要使全部的內(nèi)部電極11貫通導電層13a。也未必一定要使全部的內(nèi)部電極12貫通導體層14a。此外，未必一定要使內(nèi)部電極11橫跨寬度方向w上的整個區(qū)域貫通導體層13a。也未必一定要使內(nèi)部電極12橫跨寬度方向w上的整個區(qū)域貫通導體層14a。

在本實施方式涉及的電子部件1中，陶瓷粒子的含量少且熱收縮率與電子部件主體10大不相同的導電層13b、14b，通過陶瓷粒子的含量多且熱收縮率接近電子部件主體10的導電層13a、14a與電子部件主體10隔離。因此，由燒成時等的溫度變化造成的收縮率大不相同的導電層13b、14b和電子部件主體10被由燒成時等的溫度變化造成的收縮率與電子部件主體10近似的導電層13a、14a隔離。因此，在通過燒成來制作電子部件1時、電子部件1的溫度變化時等，不易在電子部件主體10、導電層13a、14a、13b、14b等產(chǎn)生裂縫等。

在本實施方式涉及的電子部件1中，在電子部件主體10的內(nèi)部除了內(nèi)部電極11、12以外還可以設置輔助電極15、16。輔助電極15與第一外部電極13連接。輔助電極15不與第二內(nèi)部電極12對置，因此實質(zhì)上對電容的形成沒有貢獻。輔助電極16與第二外部電極14連接。輔助電極16不與第一內(nèi)部電極11對置，因此實質(zhì)上對電容的形成沒有貢獻。通過設置一直到達導電層13a的內(nèi)部的輔助電極15和一直到達導電層14a的內(nèi)部的輔助電極16，從而能夠提高第一內(nèi)部電極11與第一外部電極13的連接可靠性和接合強度、以及第二內(nèi)部電極12與第二外部電極14的連接可靠性和接合強度。

輔助電極15優(yōu)選貫通導電層13a，輔助電極16優(yōu)選貫通導電層14a。由此，能夠進一步提高第一內(nèi)部電極11與第一外部電極13的連接可靠性和接合強度、以及第二內(nèi)部電極12與第二外部電極14的連接可靠性和接合強度。

(電子部件1的制造方法的一個例子)

接著，對電子部件1的制造方法的一個例子進行說明。

首先，準備具有第一內(nèi)部電極11和第二內(nèi)部電極12的電子部件主體10。具體地，使用陶瓷糊劑和導電性糊劑通過噴墨法對電子部件1進行造型，從而完成電子部件1。

更具體地，準備包含陶瓷粉末的用于構成電介質(zhì)層10g的陶瓷糊劑和用于構成內(nèi)部電極11、12、導體層13a、13b、14a、14b以及輔助電極15、16的導電性糊劑。例如使用噴墨法等適當?shù)貙@些糊劑進行印刷，從而制作生片。具體地，形成包括用于構成電介質(zhì)層10g(電子部件主體10)的陶瓷糊劑層和用于構成導電層13a、14a的導電性糊劑層的生片(第一生片形成工序)。在第一生片形成工序中形成的生片中，長度方向l上的兩端部由導電性糊劑層構成，這兩個導電性糊劑層之間由陶瓷糊劑層構成。另外，在第一生片形成工序中，也可以反復進行多次糊劑的印刷，從而層疊多層生片。

接著，通過噴墨法在生片上印刷用于構成第一內(nèi)部電極11導電性糊劑層和用于構成輔助電極16的導電性糊劑層，從而形成用于構成第一內(nèi)部電極11和輔助電極16的導電性糊劑層(第一工序)。另外，在第一工序中，印刷導電性糊劑，使得導電性糊劑從生片的長度方向l上的兩端部垂下。通過該導電性糊劑形成用于構成第三導電層13b、第四導電層14b的導電性糊劑部。在第一工序中，在生片形成工序中形成的用于構成導電層13a的導電性糊劑層上，形成用于構成第一內(nèi)部電極11的導電性糊劑層，使得到達用于構成導電層13a的導電性糊劑層的前端之上。通過這樣，從而能夠形成貫通第一導電層13a的第一內(nèi)部電極11。此外，在第一生片形成工序中形成的用于構成導電層14a的導電性糊劑層上，形成用于構成輔助電極16的導電性糊劑層，使得到達用于構成導電層14a的導電性糊劑層的前端之上。通過這樣，從而能夠形成貫通第二導電層14a的輔助電極16。

接著，在形成了用于構成第一內(nèi)部電極11的導電性糊劑層的生片上，通過噴墨法印刷陶瓷糊劑和用于構成導電層13a的導電性糊劑，使得覆蓋用于構成第一內(nèi)部電極11的導電性糊劑層，此外，印刷陶瓷糊劑和用于構成導電層14a的導電性糊劑，使得覆蓋用于構成輔助電極16的導電性糊劑層，從而形成生片(第二生片形成工序)。在第二生片形成工序中形成的生片中，長度方向l上的兩端部由導電性糊劑層構成，這兩個導電性糊劑層之間由陶瓷糊劑層構成。

接著，在第二生片形成工序中制作的生片上，形成用于構成第二內(nèi)部電極12的導電性糊劑層和用于構成輔助電極15的導電性糊劑層(第二工序)。另外，在第二工序中，印刷導電性糊劑，使得導電性糊劑從生片的長度方向l上的兩端部垂下。通過該導電性糊劑，形成用于構成第三導電層13b、第四導電層14b的導電性糊劑部。在第二工序中形成的用于構成第三導電層13b、第四導電層14b的導電性糊劑部，分別與在第一工序中形成的用于構成第三導電層13b、第四導電層14b的導電性糊劑部連接。在第二工序中，在第二生片形成工序中形成的用于構成第二導電層14a的導電性糊劑層上，形成用于構成第二內(nèi)部電極12的導電性糊劑層，使得其到達導電性糊劑層的前端之上。通過這樣，從而能夠形成貫通第二導電層14a的第二內(nèi)部電極12。此外，在第二生片形成工序中形成的用于構成導電層13a的導電性糊劑層上，形成用于構成輔助電極15的導電性糊劑層，使得其到達用于構成導電層13a的導電性糊劑層的前端之上。通過這樣，從而能夠形成貫通第一導電層13a的輔助電極15。

接著，在形成了用于構成第二內(nèi)部電極12的導電性糊劑層的生片上，通過噴墨法等印刷陶瓷糊劑和用于構成導電層14a的導電性糊劑，使得覆蓋用于構成第二內(nèi)部電極12的導電性糊劑層，此外，印刷陶瓷糊劑和用于構成導電層13a的導電性糊劑，使得覆蓋用于構成輔助電極15的導電性糊劑層，從而形成生片(第三生片形成工序)。另外，也可以根據(jù)要制造的電子部件1所要求的特性等在第三生片形成工序中層疊形成多個陶瓷生片。

接著，在通過重復進行第一工序、第二生片形成工序、第二工序以及第三生片形成工序而得到的層疊體上，與第一生片形成工序同樣地，對通過形成多個生片而形成的層疊體進行燒成，從而制作電子部件主體10(燒成工序)。

另外，層疊體的燒成溫度、燒成時間能夠根據(jù)所使用的材料等而適當?shù)卦O定。燒成體的燒成溫度例如能夠設為1100℃以上且1400℃以下的程度。燒成體的燒成時間例如能夠設為1小時以上且20小時以下。此外，也可以在對層疊體進行燒成之前，進行用于除去層疊體包含的粘合劑等有機成分的脫脂。

通過進行以上的工序，從而能夠完成電子部件1。

像本實施方式那樣，通過使用噴墨法進行電子部件1的造型，從而能夠容易地對電子部件1進行造型。另外，也可以使用噴墨法以外的例如絲網(wǎng)印刷法等進行電子部件1的造型。

以下，對本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式的其它例子進行說明。在以下的說明中，對與上述第一實施方式具有實質(zhì)上相同的功能的構件標注相同的附圖標記，并省略說明。

(第二實施方式)

圖4是第二實施方式涉及的電子部件的示意性俯視圖。圖5是圖4的線v-v處的示意性剖視圖。

圖4和圖5所示的電子部件1a與第一實施方式涉及的電子部件1的不同點在于，第一外部電極13還具有覆蓋導電層13a、13b的導電層13c，第二外部電極14還具有覆蓋導電層14a、14b的導電層14c。導電層13c形成為，從形成了導電層13a、13b的第一端面10e上起到達第一主面10a和第二主面10b以及第一側(cè)面10c和第二側(cè)面10d。導電層14c形成為，從形成了導電層14a、14b的第二端面10f上起到達第一主面10a和第二主面10b以及第一側(cè)面10c和第二側(cè)面10d。通過設置這樣的導電層13c、14c，從而例如電子部件1a對安裝基板的安裝變得容易。此外，能夠提高電子部件1a對安裝基板的安裝強度。

另外，導電層13c、14c例如可以通過對利用噴墨法、絲網(wǎng)印刷法等印刷的導電性糊劑層進行燒成而形成，電可以通過使導電性糊劑與層疊體的端部接觸而形成導電性糊劑層，并對其進行燒成而形成。

此外，也可以在導電層13c、14c的表面上形成鍍層。

(第三實施方式)

圖6是第三實施方式涉及的電子部件的示意性俯視圖。圖7是圖6的線vii-vii處的示意性剖視圖。

第三實施方式涉及的電子部件1b與第一實施方式涉及的電子部件1的不同點在于，僅由第一內(nèi)部電極11貫通的導電層構成第一外部電極13，并僅由第二內(nèi)部電極12貫通的導電層構成第二外部電極14。在本發(fā)明中，只要第一外部電極至少具有第一內(nèi)部電極貫通的導電層即可，且只要第二外部電極至少具有第二內(nèi)部電極貫通的導電層即可。

另外，也可以在第一外部電極13和第二外部電極14中的至少一方的表面形成鍍層。

(第四實施方式)

圖8是第四實施方式涉及的電子部件的示意性剖視圖。

圖8所示的電子部件1c與第一實施方式涉及的電子部件1的不同點在于，在從寬度方向w觀察時，第一內(nèi)部電極11的導電層13a內(nèi)的部分和第二內(nèi)部電極12的導電層14a內(nèi)的部分分別具有彎曲的形狀。

在本實施方式中，第一內(nèi)部電極11的導電層13a內(nèi)的部分具有彎曲的形狀，因此第一內(nèi)部電極11與導電層13a的接觸面積大。此外，通過第一內(nèi)部電極11的彎曲部產(chǎn)生錨固效應。因此，第一內(nèi)部電極11與第一外部電極13的連接可靠性更高。

同樣地，在本實施方式中，第二內(nèi)部電極12的導電層14a內(nèi)的部分具有彎曲的形狀，因此第二內(nèi)部電極12與導電層14a的接觸面積大。此外，通過第二內(nèi)部電極的彎曲部產(chǎn)生錨固效應。因此，第二內(nèi)部電極12與第二外部電極14的連接可靠性更高。

另外，也可以在第一外部電極13和第二外部電極14中的至少一方的表面上形成鍍層。

以下，基于具體的實施例對本發(fā)明進行更詳細的說明，但是本發(fā)明絲毫不限定于以下的實施例，能夠在不變更其要旨的范圍內(nèi)適當?shù)刈兏M行實施。

例如，可以在第一外部電極13、第二外部電極14連接有金屬端子。金屬端子可通過焊接、利用銅釬料等的釬焊、利用銅粉和玻璃粉的混合糊劑進行的燒接、熔接等，與外部電極連接。

此外，未必一定要設置輔助電極15、16。

(實施例1)

使用噴墨法在以下的條件下制作了具有與第一實施方式涉及的電子部件1實質(zhì)上相同的結(jié)構的層疊陶瓷電容器。

層疊陶瓷電容器的尺寸：8mm×6mm×4mm

電介質(zhì)層的厚度：平均20μm

內(nèi)部電極的厚度：平均2.0μm

內(nèi)部電極的層疊數(shù)目：155個

位于最靠近主面?zhèn)鹊膬?nèi)部電極與主面之間的距離：300μm

電介質(zhì)層：鋯酸鉀

內(nèi)部電極和外部電極：作為陶瓷粒子包含共通材料(鋯酸鉀)的ni

導電層13a、14a中的共通材料的含量：40體積％

導電層13b、14b中的共通材料的含量：0體積％

層疊體的燒成：首先，在氮環(huán)境下在280℃進行5小時的低溫脫脂，然后在800℃進行5小時的高溫脫脂。此后，在還原環(huán)境下在1330℃進行5小時的燒成。

(實施例2)

除了使導電層13a、14a中的共通材料的含量為55體積％以外，與實施例1同樣地制作了層疊陶瓷電容器。

(實施例3)

除了使導電層13a、14a中的共通材料的含量為70體積％以外，與實施例1同樣地制作了層疊陶瓷電容器。

(實施例4)

除了使導電層13a、14a中的共通材料的含量為40體積％并且使導電層13b、14b中的共通材料的含量為10體積％以外，與實施例1同樣地制作了層疊陶瓷電容器。

(實施例5)

除了使導電層13a、14a中的共通材料的含量為55體積％以外，與實施例4同樣地制作了層疊陶瓷電容器。

(實施例6)

除了使導電層13a、14a中的共通材料的含量為70體積％以外，與實施例4同樣地制作了層疊陶瓷電容器。

(實施例7)

除了使導電層13a、14a中的共通材料的含量為40體積％并且使導電層13b、14b中的共通材料的含量為20體積％以外，與實施例1同樣地制作了層疊陶瓷電容器。

(實施例8)

除了使導電層13a、14a中的共通材料的含量為55體積％以外，與實施例7同樣地制作了層疊陶瓷電容器。

(實施例9)

除了使導電層13a、14a中的共通材料的含量為70體積％以外，與實施例7同樣地制作了層疊陶瓷電容器。

(實施例10)

除了做成為與第二實施方式涉及的層疊陶瓷電容器1a實質(zhì)上相同的結(jié)構以外，與實施例5同樣地制作了層疊陶瓷電容器。

(實施例11)

除了做成為與第三實施方式涉及的層疊陶瓷電容器1b實質(zhì)上相同的結(jié)構以外，與實施例2同樣地制作了層疊陶瓷電容器。

(比較例1)

如圖9和圖10所示，除了未在導電層13a、14a的內(nèi)部設置內(nèi)部電極11、12以外，與實施例5同樣地制作了層疊陶瓷電容器。

(比較例2)

如圖11所示，除了未設置導電層13b、14b以外，與比較例1同樣地制作了層疊陶瓷電容器。

(共通材料的含量的測定)

通過第一實施方式記載的方法求出共通材料的含量。利用掃描型顯微鏡以1000倍的倍率進行觀察。

(esr的測定)

使用安捷倫科技(agilenttechnologies)公司制造的精密電感電容電阻表“e4980a”以及測試夾具“16044a”在1mhz計測了在各實施例和比較例中制作的樣品的esr。對于各實施例和比較例，對各5個樣品進行該esr計測，并將其平均值作為esr值。將結(jié)果示于表1。此外，將實施例5、比較例1以及比較例2的esr值示于圖12。

(是否產(chǎn)生裂縫的評價)

取在各實施例和比較例中制作的樣品各10個，將第一側(cè)面與第一側(cè)面平行地研磨至寬度成為1/2為止，并進行離子銑削而除去研磨松垂，從而使截面露出。觀察該截面，確認是否產(chǎn)生了裂縫。將結(jié)果示于表1。

[表1]

根據(jù)表1的結(jié)果可知，通過將內(nèi)部電極11、12做成貫通導電層13a、14a的構造，從而能夠降低esr值。