本申請要求于2016年3月24日提交的第10-2016-0035442號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。

本發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體，更具體地，涉及一種包括下半導(dǎo)體芯片和上半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)：

越來越多的電子工業(yè)電子產(chǎn)品被制造為更輕、小型化、高速、多功能、高性能，并且在低成本下具有高可靠性。半導(dǎo)體封裝件被設(shè)計為以適合在電子產(chǎn)品中使用的形式來實現(xiàn)半導(dǎo)體芯片。由于半導(dǎo)體封裝件尺寸縮小，因此半導(dǎo)體封裝件的翹曲越來越成為一個問題。另外，需要各種研究來增強半導(dǎo)體封裝件的可靠性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明構(gòu)思的實施例提供了一種能夠消除或減小應(yīng)力的半導(dǎo)體裝置。

在一方面，本發(fā)明構(gòu)思針對一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：下封裝件；金屬層，位于下封裝件上；接地構(gòu)件，位于結(jié)合到其的金屬層上；以及上封裝件，位于下封裝件上。上封裝件包括位于第一絕緣圖案上的接地圖案。第一絕緣圖案位于上封裝件的底表面上，并具有暴露接地圖案的孔。接地構(gòu)件在孔內(nèi)部延伸并結(jié)合到接地圖案。

在另一方面，本發(fā)明構(gòu)思針對一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：下封裝件，包括下基底和下半導(dǎo)體芯片；虛設(shè)凸起，位于下基底上，虛設(shè)凸起與下半導(dǎo)體芯片隔開；金屬層，位于下半導(dǎo)體芯片和虛設(shè)凸起上；導(dǎo)電圖案，置于虛設(shè)凸起與金屬層之間并結(jié)合到虛設(shè)凸起和金屬層；凸起，在下基底上與金屬層隔開；以及上封裝件，位于下封裝件上，上封裝件結(jié)合到凸起。

在另一方面，本發(fā)明構(gòu)思針對一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：第一封裝件，包括位于具有第一信號圖案和第一接地圖案的第一基底上的第一半導(dǎo)體；第二封裝件，包括位于具有第二信號圖案和第二接地圖案的第二基底上的第二半導(dǎo)體。金屬屏蔽件位于第一封裝件與第二封裝件之間，并使用粘合劑附著到第一封裝件。金屬屏蔽件電連接到接地電位。

附圖說明

通過以下結(jié)合附圖對實施例的描述，本總體發(fā)明構(gòu)思的這些和/或其它方面和優(yōu)點將變得明顯且更容易理解，在附圖中：

圖1a是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體封裝件的平面圖。

圖1b是沿線i-ii截取的圖1a的剖視圖。

圖1c是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體封裝件的平面圖。

圖2a至圖2c是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體封裝件的制造狀態(tài)的沿線i-ii截取的圖1a的剖視圖。

圖3a是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體封裝件的平面圖。

圖3b是沿線iii-iv截取的圖3a的剖視圖。

圖4a至圖4c是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體封裝件的制造狀態(tài)的沿圖3a的線iii-iv截取的剖視圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細地參照附圖中示出其示例的本總體發(fā)明構(gòu)思的實施例，其中，同樣的附圖標記始終表示同樣的元件。為了解釋本總體發(fā)明構(gòu)思，在下面通過參照附圖描述實施例。

圖1a是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的半導(dǎo)體封裝件的平面圖。圖1b是沿線i-ii截取的圖1a的剖視圖。參照圖1a和圖1b，半導(dǎo)體封裝件1可以包括下封裝件100、金屬層200和上封裝件300。例如，下封裝件100和上封裝件300可以以層疊封裝(pop)構(gòu)造來組裝。下封裝件100可以包括下基底110、下半導(dǎo)體芯片(例如，集成電路)120和用來包封下半導(dǎo)體芯片120的下成型層130。下基底110可以是印刷電路板(pcb)、硅基底或再分布層。下基底110可以包括絕緣層111、下接地圖案115g和下信號圖案115s。下圖案115g和115s可以設(shè)置在絕緣層111之間。下圖案115g和115s可以包括金屬。下接地圖案115g可以與下信號圖案115s絕緣。

多個端子105g和105s可以設(shè)置在下基底110的底表面上。端子105g和105s可以包括導(dǎo)電材料并且具有焊球的形狀。端子105g和105s可以包括接地端子105g和信號端子105s。接地端子105g可以結(jié)合到下接地圖案115g。信號端子105s可以結(jié)合到下信號圖案115s。信號端子105s可以與接地端子105g絕緣。如這里使用的短語“電連接/結(jié)合到”意味著“直接連接/結(jié)合到”或者“通過其它導(dǎo)電元件間接連接/結(jié)合到”。

下半導(dǎo)體芯片120可以安裝在下基底110的頂表面上。下半導(dǎo)體芯片120可以包括集成電路(例如，邏輯電路)。多個下插件125g和125s可以設(shè)置在下基底110與下半導(dǎo)體芯片120之間。下插件125g和125s可以包括諸如金屬的導(dǎo)電材料并且具有焊料凸起或焊料柱的形狀。例如，在焊料凸起回流工藝中，焊料凸起可以具有在焊料回流之后變成柱狀形狀的基本上圓的或橢圓的剖面。下插件125g和125s可以包括下接地插件125g和下信號插件125s。當操作下半導(dǎo)體芯片120時，從下半導(dǎo)體芯片120產(chǎn)生的電信號可以通過下信號插件125s和下信號圖案115s傳輸?shù)叫盘柖俗?05s。同樣地，外部電信號可以通過信號端子105s、下信號圖案115s和下信號插件125s傳輸?shù)较掳雽?dǎo)體芯片120?？梢酝ㄟ^下接地插件125g、下接地圖案115g和接地端子105g將下半導(dǎo)體芯片120接地。

下成型層130可以與下基底110的頂表面接觸并覆蓋下半導(dǎo)體芯片120的側(cè)壁和凸起250g和250s的側(cè)壁。下成型層130還可以包括在下基底110與下半導(dǎo)體芯片120之間的間隙中。下成型層130可以包括諸如環(huán)氧成型化合物的絕緣聚合物材料?？蛇x擇地，底填充層(未示出)還可以設(shè)置在下基底110與下半導(dǎo)體芯片120之間的間隙中。在一些實施例中，下成型層130氣密性地密封下半導(dǎo)體芯片120阻止?jié)駳膺M入半導(dǎo)體封裝件1的操作環(huán)境。

凸起250g和250s可以設(shè)置在下基底110上。凸起250g和250s可以與下半導(dǎo)體芯片120橫向地隔開。例如，凸起250g和250s可以在第一方向d1和第二方向d2中的一個或兩個方向上與下半導(dǎo)體芯片120隔開。第一方向d1可以平行于下基底110的頂表面延伸。第二方向d2可以平行于下基底110的頂表面延伸并與第一方向d1正交。如這里使用的短語“橫向地設(shè)置”可以意味著“平行于第一方向d1和第二方向d2中的一個或兩個方向設(shè)置”。凸起250g和250s可以包括諸如金屬的導(dǎo)電材料。凸起250g和250s可以包括接地凸起250g和信號凸起250s。接地凸起250g可以在第一方向d1和第二方向d2中的一個或兩個方向上與信號凸起250s隔開，并與信號凸起250s電絕緣。接地凸起250g可以通過下接地圖案115g電連接到接地端子105g。信號凸起250s可以通過下信號圖案115s電連接到信號端子105s。

金屬層200可以設(shè)置在下半導(dǎo)體芯片120上。金屬層200還可以延伸到下成型層130上。金屬層200可以與凸起250g和250s橫向地隔開。在一個實施例中，金屬層200與凸起250g和250s之間的空間足以防止它們之間的電傳導(dǎo)。金屬層200可以具有在大約10μm至大約100μm的范圍內(nèi)的厚度。金屬層200可以防止或減少在制造半導(dǎo)體封裝件1或操作下半導(dǎo)體芯片120時可能發(fā)生的下封裝件100的翹曲。例如，下半導(dǎo)體芯片120的制造或操作會在半導(dǎo)體封裝件1的不同區(qū)域中導(dǎo)致熱差應(yīng)力(differentialthermalstress)，熱差應(yīng)力會使半導(dǎo)體封裝件1物理地變形或翹曲。如果金屬層200具有小于大約10μm的厚度，則金屬層200會很難防止下封裝件100的翹曲。如果金屬層200具有大于大約100μm的厚度，則半導(dǎo)體封裝件1會具有過大的厚度。在各種實施例中，金屬層200可以包括銅或鋁。在各種實施例中，金屬層200的過大的厚度會需要極大的凸起250s和250g，也將需要凸起250s與250g之間的增大的空間。

粘合層201可以置于下半導(dǎo)體芯片120與金屬層200之間。金屬層200可以使用粘合層201粘合到下半導(dǎo)體芯片120。粘合層201可以延伸到下成型層130上。在一個示例中，粘合層201可以包括非導(dǎo)電膜(ncf)。在另一個實施例中，粘合層201可以包括熱界面材料(tim)。金屬層200和熱界面材料可以具有比下成型層130和空氣中的每個的導(dǎo)熱率大的導(dǎo)熱率。在此情況下，當操作半導(dǎo)體封裝件1時，通過粘合層201和金屬層200從下半導(dǎo)體芯片120排出熱。因此，下半導(dǎo)體芯片120可以具有增強的操作可靠性。

上封裝件300可以設(shè)置在下封裝件100上且金屬層200置于其間。上封裝件300可以包括上基底310、上半導(dǎo)體芯片320和上成型層330。上基底310可以是印刷電路板(pcb)或再分布層。上基底310可以包括第一絕緣圖案311、第二絕緣圖案312、第三絕緣圖案313、第四絕緣圖案314、上接地圖案315g和上信號圖案315s。第一絕緣圖案311可以設(shè)置在上封裝件300的底表面300b上。絕緣圖案311-314的數(shù)量不限于附圖中示出的絕緣圖案。在其它實施例中，絕緣圖案的數(shù)量可以小于四個或大于四個。上接地圖案315g和上信號圖案315s可以置于絕緣圖案311-314之間。上接地圖案315g可以包括彼此電連接的導(dǎo)電層、過孔和焊盤。如圖1a中所示，上接地圖案315g可以包括如在平面圖中觀察的多邊形形狀的導(dǎo)電層。然而，上接地圖案315g可以具有各種平面形狀和平面區(qū)域。上接地圖案315g可以結(jié)合到接地凸起250g。上信號圖案315s可以包括彼此電連接的線、過孔和焊盤。上接地圖案315g可以與上信號圖案315s絕緣。上信號圖案315s可以結(jié)合到信號凸起250s。

上半導(dǎo)體芯片320可以安裝在上基底310上。上半導(dǎo)體芯片320可以包括集成電路(例如，存儲電路)。多個上插件325g和325s可以設(shè)置在上基底310與上半導(dǎo)體芯片320之間的間隙中。上插件325g和325s可以具有凸起、焊球或柱的形狀。在另一個實施例(未示出)中，上插件325g和325s可以是設(shè)置在上半導(dǎo)體芯片320的頂表面上的鍵合引線。上插件325g和325s可以包括金屬。上插件325g和325s可以包括上接地插件325g和上信號插件325s。上接地插件325g可以結(jié)合到上接地圖案315g，上信號插件325s可以結(jié)合到上信號圖案315s。上接地插件325g可以與上信號插件325s電絕緣。上成型層330可以設(shè)置在上基底310上并覆蓋上半導(dǎo)體芯片320。在各種實施例中，上成型層330氣密性地密封上半導(dǎo)體芯片320以使其在半導(dǎo)體封裝件1的操作環(huán)境中免受濕氣的影響。

接地構(gòu)件210可以設(shè)置在金屬層200與上基底310之間。接地構(gòu)件210可以包括導(dǎo)電粘合材料。例如，接地構(gòu)件210可以包括聚合物和分散在聚合物中的導(dǎo)電顆粒。導(dǎo)電顆?？梢园ㄣ~或鋁。如圖1a中所示，接地構(gòu)件210可以具有矩形平面形狀。接地構(gòu)件210的平面形狀和數(shù)量可以不限于附圖中示出的平面形狀和數(shù)量，而是具有多種修改。例如，接地構(gòu)件210可以具有圓形、橢圓形或多邊形的平面形狀。接地構(gòu)件210可以結(jié)合到金屬層200。接地構(gòu)件210可以在第一絕緣圖案311內(nèi)部延伸并因此結(jié)合到上接地圖案315g。接地構(gòu)件210可以防止半導(dǎo)體封裝件1受到由金屬層200處的靜電放電(esd)造成的電損壞。例如，如果不將金屬層200接地，則電荷會累積在金屬層200上。當金屬層200已經(jīng)累計一定數(shù)量的電荷時，電荷會從金屬層200移動到半導(dǎo)體芯片120和320中的電路圖案、基底110和310中的圖案115g、115s、315g和315s、插件125g、125s、325g和325s或其它導(dǎo)電組件中，這會對這些組件造成損壞。例如，累積在金屬層200上的電荷會通過電容耦合將電荷誘導(dǎo)到上述元件中。在另一個示例中，電荷會通過隧穿轉(zhuǎn)移到上述元件。在一些實施例中，金屬層200可以通過接地構(gòu)件210、上接地圖案315g、接地凸起250g和下接地圖案115g電連接到接地端子105g?？梢詫⒔饘賹?00接地，使得半導(dǎo)體封裝件1可以具有增強的可靠性。

金屬層200可以吸收從半導(dǎo)體封裝件1產(chǎn)生的電場或磁場(或者電場和磁場兩者)以屏蔽半導(dǎo)體芯片120和320以及相關(guān)的連接件而使它們免受電磁干擾(emi)。因為將金屬層200接地，所以金屬層200可以具有改善的emi屏蔽特性。

圖1c是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體封裝件的平面圖。在下面的實施例的描述中，為了避免重復(fù)，將省略與上述實施例中的特征相同特征的解釋。

與圖1b一起參照圖1c，半導(dǎo)體封裝件2可以包括下封裝件100、凸起250g和250s以及上封裝件300。金屬層200可以設(shè)置在下半導(dǎo)體芯片120上。金屬層200可以使用粘合層201粘合到下半導(dǎo)體芯片120。金屬層200可以防止下封裝件100翹曲。

在各種實施例中，接地構(gòu)件210可以被設(shè)置為單個實例或多個實例。接地構(gòu)件210可以被設(shè)置為在平面圖中與金屬層200疊置。接地構(gòu)件210可以具有閉環(huán)的形狀。接地構(gòu)件210的實例的平面形狀和數(shù)量可以不限于附圖中示出的平面形狀和數(shù)量，而是可以具有多種修改。如圖1b中所示，接地構(gòu)件210可以設(shè)置在金屬層200與上基底310之間，并可以結(jié)合到金屬層200和上基底310的上接地圖案315g。

圖2a至圖2c是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體封裝件的制造狀態(tài)的沿線i-ii截取的圖1a的剖視圖。在下面的實施例的描述中，為了避免重復(fù)，將省略與上述實施例中的特征相同特征的解釋。

參照圖2a，可以設(shè)置下封裝件100?？梢栽谙禄?10的底表面上形成多個端子105g和105s。可以在下基底110上安裝下半導(dǎo)體芯片120。可以在下基底110上形成多個下焊料251g和251s。下接地焊料251g可以結(jié)合到下接地圖案115g，下信號焊料251s可以結(jié)合到下信號圖案115s?？梢栽谙禄?10上設(shè)置下成型層130以覆蓋下半導(dǎo)體芯片120?？梢詧?zhí)行鉆孔工藝以部分地去除下成型層130來暴露下焊料251g和251s的頂表面。

可以在下半導(dǎo)體芯片120上設(shè)置金屬層200。金屬層200可以使用粘合層201粘合到下半導(dǎo)體芯片120。金屬層200和粘合層201的解釋可以與參照圖1a和圖1b描述的解釋基本上相同?？梢栽诒┞断潞噶?51g和251s之前或之后形成金屬層200。

參照圖2b，可以設(shè)置上封裝件300。上封裝件300可以包括上基底310、上半導(dǎo)體芯片320和上成型層330。可以將第一絕緣圖案311圖案化以在第一絕緣圖案311中形成第一孔311a、第二孔311b和第三孔311c。與第二絕緣圖案312、第三絕緣圖案313和第四絕緣圖案314相比，第一絕緣圖案311可以與上半導(dǎo)體芯片320進一步隔開。可以使第一孔311a至第三孔311c彼此隔開。第一孔311a可以暴露上信號圖案315s。第二孔311b和第三孔311c可以暴露上接地圖案315g。可以通過單個工藝步驟形成第一孔至第三孔311a-311c。

參照圖2c，可以在上基底310上形成接地構(gòu)件210以及多個上焊料253g和253s。例如，上信號焊料253s可以形成在第一孔311a中并結(jié)合到上信號圖案315s。上接地焊料253g可以形成在第二孔311b中并結(jié)合到上接地圖案315g?？梢栽诘谌?11c中設(shè)置導(dǎo)電粘合材料并因此可以形成接地構(gòu)件210。接地構(gòu)件210可以結(jié)合到上接地圖案315g。導(dǎo)電粘合材料可以包括聚合物和聚合物內(nèi)的金屬顆粒。

再次與圖1b一起參照圖2a和圖2c，可以將圖2c的上封裝件300設(shè)置在圖2a的下封裝件100上。在該步驟，上接地焊料253g可以與下接地焊料251g對準，上信號焊料253s可以與下信號焊料251s對準。接地構(gòu)件210可以設(shè)置在金屬層200上。

在另一個實施例中，在圖2c的步驟，接地構(gòu)件210可以不形成在第三孔311c中。在此情況下，可以在金屬層200上形成接地構(gòu)件210。之后，第三孔311c可以與接地構(gòu)件210對準，因此，可以在下封裝件100上設(shè)置上封裝件300。

可以焊接上接地焊料253g和下接地焊料251g以形成接地凸起250g?？梢院附由闲盘柡噶?53s和下信號焊料251s以形成信號凸起250s?？梢酝ㄟ^單個工藝(例如，回流工藝)來形成接地凸起250g和信號凸起250s。因此，上封裝件300可以電連接到下封裝件100?？梢酝ㄟ^到目前為止所描述的工藝來制造半導(dǎo)體封裝件1。

圖3a是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的半導(dǎo)體封裝件的平面圖。圖3b是沿線iii-iv截取的圖3a的剖視圖。參照圖3a和圖3b，半導(dǎo)體封裝件3可以包括下封裝件100、金屬層200和上封裝件300。下半導(dǎo)體芯片120可以通過下信號插件125s和下信號圖案115s電連接到信號端子105s?？梢酝ㄟ^下接地插件125g、下接地圖案115g和接地端子105g將下半導(dǎo)體芯片120接地。接地端子105g可以與信號端子105s絕緣。

上封裝件300可以設(shè)置在下封裝件100上。上封裝件300可以包括上基底310、上半導(dǎo)體芯片320和上成型層330。上接地插件325g可以結(jié)合到上接地圖案315g，上信號插件325s可以結(jié)合到上信號圖案315s。

多個凸起250g和250s可以設(shè)置在下基底110上。接地凸起250g可以與信號凸起250s橫向地隔開并且絕緣。接地凸起250g可以結(jié)合到下接地圖案115g，信號凸起250s可以結(jié)合到下信號圖案115s。凸起250g的頂表面250gu和凸起250s的頂表面250su可以具有比下成型層130的頂表面130u的水平高的水平。

金屬層200可以設(shè)置在下半導(dǎo)體芯片120和下成型層130上。金屬層200可以被設(shè)置為與凸起250g和250s橫向地隔開。金屬層200可以防止或減少下封裝件100的翹曲。粘合層201可以置于下半導(dǎo)體芯片120與金屬層200之間。粘合層201可以包括與參照圖1a和圖1b描述的材料基本上相同的材料。

虛設(shè)凸起220可以設(shè)置在下基底110與金屬層200之間。在一些實施例中，一個或更多個虛設(shè)凸起220可以是不用來將上封裝件300電連接到下封裝件100的凸起。其它實施例包括導(dǎo)電和非導(dǎo)電的虛設(shè)凸起220的組合。如在如同圖3a中所示的平面圖中觀察的，虛設(shè)凸起220可以與金屬層200疊置。虛設(shè)凸起220可以與凸起250g和250s橫向地隔開。下半導(dǎo)體芯片120與虛設(shè)凸起220之間的距離可以小于下半導(dǎo)體芯片120與凸起250g和250s中的一個之間的距離。如在平面圖中觀察的，虛設(shè)凸起220可以設(shè)置在下半導(dǎo)體芯片120與凸起250g和250s之間。如圖3b中所示，虛設(shè)凸起220可以具有比下成型層130的頂表面130u低的頂表面220u。虛設(shè)凸起220可以結(jié)合到下接地圖案115g并與下信號圖案115s絕緣。在各種實施例中，虛設(shè)凸起220可以包括銅或鋁。

導(dǎo)電圖案230可以設(shè)置在下成型層130內(nèi)的虛設(shè)凸起220上。下成型層130可以具有暴露虛設(shè)凸起220的頂表面220u的第一開口131。導(dǎo)電圖案230可以設(shè)置在第一開口131中。導(dǎo)電圖案230可以結(jié)合到虛設(shè)凸起220和金屬層200。導(dǎo)電圖案230可以包括導(dǎo)電粘合材料(例如，其中包含金屬顆粒的聚合物)?？梢酝ㄟ^導(dǎo)電圖案230、虛設(shè)凸起220、下接地圖案115g和接地端子105g將金屬層200接地。在一些實施例中，虛設(shè)凸起220和導(dǎo)電圖案230可以防止由金屬層200的靜電放電(esd)導(dǎo)致的對半導(dǎo)體封裝件3的電損壞。虛設(shè)凸起220和導(dǎo)電圖案230可以允許金屬層200具有增強的emi屏蔽特性。

圖4a至圖4c是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的半導(dǎo)體封裝件的制造狀態(tài)的沿線iii-iv截取的圖3a的剖視圖。在下面的實施例的描述中，為了避免重復(fù)，將省略與上述實施例中的特征相同特征的解釋。

參照圖4a，可以提供上封裝件300。上封裝件300可以包括上基底310、上半導(dǎo)體芯片320和上成型層330?？梢栽谏匣?10的底表面上形成上信號焊料253s和上接地焊料253g，并且上信號焊料253s結(jié)合到上信號圖案315s，上接地焊料253g結(jié)合到上接地圖案315g?？梢栽谏匣?10上安裝上半導(dǎo)體芯片320。可以在上基底310的頂表面上形成上接地插件325g和上信號插件325s，并且上接地插件325g結(jié)合到上接地圖案315g，上信號插件325s結(jié)合到上信號圖案315s。

參照圖4b，可以設(shè)置下封裝件100。例如，可以在下基底110上安裝下半導(dǎo)體芯片120?？梢栽谙禄?10上形成虛設(shè)凸起220、下接地焊料251g和下信號焊料251s?？梢酝ㄟ^用來形成下接地焊料251g和下信號焊料251s的相同的單個工藝來形成虛設(shè)凸起220。虛設(shè)凸起220可以包括與下焊料251g和251s的材料基本上相同的材料，并且也可以具有與下焊料251g和251s的形狀基本上相同的形狀。虛設(shè)凸起220和下接地焊料251g可以結(jié)合到下接地圖案115g。下信號焊料251s可以結(jié)合到下信號圖案115s。可以在下基底110上形成下成型層130以覆蓋虛設(shè)凸起220、下焊料251g和251s以及下半導(dǎo)體芯片120的側(cè)表面。可以進行鉆孔工藝以在下成型層130中形成第一開口131、第二開口132和第三開口133。第一開口131至第三開口133可以暴露虛設(shè)凸起220的相應(yīng)的頂表面220u、下接地焊料251g的頂表面以及下信號焊料251s的頂表面。第一開口131可以與第二開口132和第三開口133分離?？梢酝ㄟ^用來形成第二開口132和第三開口133的相同的單個工藝來形成第一開口131。

參照圖4c，可以在下基底110上設(shè)置導(dǎo)電圖案230和金屬層200。例如，導(dǎo)電粘合材料可以填充第一開口131，因此，可以形成導(dǎo)電圖案230。導(dǎo)電圖案230可以結(jié)合到虛設(shè)凸起220，并與下焊料251g和251s隔開。可以在下半導(dǎo)體芯片120和導(dǎo)電圖案230上設(shè)置金屬層200。金屬層200可以通過粘合層201粘合到下半導(dǎo)體芯片120。粘合層201可以不延伸到導(dǎo)電圖案230或虛設(shè)凸起220上。

再次與圖3b一起參照圖4a和圖4c，可以在圖4c的下封裝件100上設(shè)置圖4a的上封裝件300。在該步驟，上接地焊料253g可以與下接地焊料251g對準，上信號焊料253s可以與下信號焊料251s對準。上焊料253g和253s可以與下焊料251g和251s焊接，因此，可以形成多個凸起250g和250s。因此，上封裝件300可以電連接到下封裝件100。可以通過到目前為止所描述的工藝來制造半導(dǎo)體封裝件3。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思，在下半導(dǎo)體芯片上設(shè)置金屬層以防止或減少下封裝件的翹曲。將金屬層接地以防止半導(dǎo)體封裝件被由靜電放電(esd)導(dǎo)致的電損壞所損壞。

盡管已經(jīng)示出并描述了本總體發(fā)明構(gòu)思的一些實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員將領(lǐng)會的是，在不脫離其范圍限定在權(quán)利要求及其等同物的總體發(fā)明構(gòu)思的原理和精神的情況下，可以在這些實施例中做出改變。