技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種芯片嵌入硅基式扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，該封裝結(jié)構(gòu)包括硅基體，硅基體具有第一表面和第二表面，硅基體的第一表面上形成有至少一向第二表面延伸的凹槽A，凹槽A內(nèi)設(shè)有至少一顆焊盤面向上的芯片，且芯片的焊盤面高出硅基體第一表面一段距離，第一表面上鋪設(shè)有暴露凹槽A及芯片的厚膠層，厚膠層的厚度與凹槽A的深度之和接近或等于芯片的厚度，芯片的焊盤的電性通過金屬布線層扇出至厚膠層上方。本發(fā)明通過在硅基體表面引入厚膠層，該厚膠層與硅基體一起作為芯片扇出的載體，降低了芯片埋入硅基體時對凹槽刻蝕深度和凹槽底部刻蝕均勻性的要求，達到了節(jié)省硅基體上刻蝕工藝時間，降低刻蝕和封裝成本，減小翹曲度的目的。

技術(shù)研發(fā)人員：于大全;鄒益朝;黃真瑞
受保護的技術(shù)使用者：華天科技（昆山）電子有限公司
文檔號碼：201710136893
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.09
技術(shù)公布日：2017.06.20