本發(fā)明實施例涉及材料組合物及其方法。

背景技術(shù)：

電子工業(yè)經(jīng)歷了對更小和更快的電子器件的不斷增長的需求，這些電子器件同時能夠支持更多數(shù)量的日益復(fù)雜且精細的功能。因此，在半導(dǎo)體工業(yè)中存在制造低成本、高性能和低功率集成電路(ic)的持續(xù)趨勢。迄今為止，這些目標(biāo)在很大程度上是通過縮小半導(dǎo)體ic尺寸(例如，最小部件尺寸)而實現(xiàn)的，從而提高生產(chǎn)效率并降低相關(guān)成本。然而，這種縮放還給半導(dǎo)體制造工藝帶來了增加的復(fù)雜性。因此，實現(xiàn)半導(dǎo)體ic和器件的持續(xù)發(fā)展要求半導(dǎo)體制造工藝和技術(shù)中的類似發(fā)展。

通常，給定半導(dǎo)體ic的最小部件尺寸是在光刻工藝中使用的輻射源的波長以及光刻膠組成和光刻膠選擇性等因素的函數(shù)。隨著半導(dǎo)體光刻技術(shù)的進步，所使用的輻射源的波長已經(jīng)減小，并且輻射源本身可能相對較弱，使得光刻膠已經(jīng)被設(shè)計為盡可能有效地利用輻射源。作為一個示例，已經(jīng)引入化學(xué)放大光刻膠(car)組合物，以努力增加光刻膠對曝光光源的敏感性。然而，car系統(tǒng)遇到了難以克服的限制，例如薄膜中的光子吸收差、適度的蝕刻選擇性和有限的分辨率增益。此外，對具有高分辨率、低線寬粗糙度(lwr)和高敏感性的光刻膠的需求比由這種car系統(tǒng)提供的能力增加地更快。因此，化學(xué)放大光刻膠可能不能滿足半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)發(fā)展所需要的下一代光刻要求。

因此，現(xiàn)有技術(shù)在所有方面都沒有被證明是完全令人滿意的。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：提供襯底；在所述襯底上方形成光刻膠層，其中，所述光刻膠層包括包含極紫外(euv)吸收元件和橋接元件的多金屬配合物，并且其中，所述極紫外吸收元件包括第一金屬類型，所述橋接元件包括第二金屬類型；對所述光刻膠層執(zhí)行曝光工藝；以及在執(zhí)行所述曝光工藝之后，顯影曝光的所述光刻膠層以形成圖案化的光刻膠層。

根據(jù)本發(fā)明的另一些實施例，還提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：在半導(dǎo)體襯底上沉積第一材料層；在所述第一材料層上形成第二材料層，其中，所述第二材料層包括硅硬掩模；在所述第二材料層上形成第三材料層，其中，所述第三材料層包括光刻膠，并且其中，所述光刻膠包括多金屬配合物；和通過光刻工藝形成光刻膠圖案。

根據(jù)本發(fā)明的又一些實施例，還提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：提供襯底；在所述襯底上方形成光刻膠層，其中，所述光刻膠層包括第一金屬類型和第二金屬類型的多金屬配合物，并且其中，所述第一金屬類型包含極紫外(euv)吸收元件，和所述第二金屬類型包含橋接元件；對所述光刻膠層執(zhí)行曝光工藝，其中，所述曝光工藝使用極紫外光源執(zhí)行，并且通過包括電路圖案的中間掩模投射到所述光刻膠層上；和在執(zhí)行所述曝光工藝之后，顯影曝光的光刻膠層以形成圖案化的光刻膠層，其中，所述圖案化的光刻膠層包括所述電路圖案。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時，從下面的詳細描述可以最好地理解本公開的各方面。注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準實踐，各個部件沒有按比例繪制。實際上，為了清楚討論起見，可以任意地增加或減小各個部件的尺寸。

圖1示出根據(jù)各個實施例的用于圖案化襯底的方法的流程圖；

圖2a-2e提供根據(jù)圖1的方法構(gòu)造的在各個制造階段的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的橫截面圖；

圖3-14示出了根據(jù)一些實施例的用于光刻膠層的第一類型的多金屬配合物的金屬和配體官能團以及交聯(lián)和置換反應(yīng)；

圖15-25示出了根據(jù)一些實施例的用于光刻膠層的第二類型的多金屬配合物的金屬和配體官能團以及交聯(lián)和置換反應(yīng)；

圖26-32示出了根據(jù)一些實施例的用于光刻膠層的第三類型的多金屬配合物的金屬和配體官能團以及交聯(lián)和置換反應(yīng)；

圖33-44示出了根據(jù)一些實施例的用于光刻膠層的第四類型的多金屬配合物的金屬和配體官能團以及交聯(lián)和置換反應(yīng)；

圖45-48示出了根據(jù)一些實施例的用于光刻膠層的第五類型的多金屬配合物的金屬和配體官能團以及交聯(lián)和置換反應(yīng)；和

圖49-56示出了根據(jù)一些實施例的用于光刻膠層的多金屬配合物的附加的實施例。

發(fā)明詳述

以下公開提供了用于實現(xiàn)所提供主題的不同部件的許多不同的實施例或示例。下面描述構(gòu)件和布置的具體示例以簡化本公開。當(dāng)然，這些僅是示例而不旨在限制。例如，在下面的描述中，第一部件形成在第二部件上方或之上可以包括其中第一部件和第二部件以直接接觸形成的實施例，并且還可以包括其中附加部件可以形成在第一部件和第二部件之間，使得第一部件和第二部件可以不直接接觸。另外，本公開可以在各種示例中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，并且本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。

此外，為在本文中可以使用諸如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”和“上部”等空間相對術(shù)語以便于描述一個元件或部件征與另一個元件或部件的關(guān)系，如圖中所示?？臻g相對術(shù)語旨在涵蓋除了圖中所示的方位之外使用或操作中的器件的不同方位。該設(shè)備可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或為其他取向)，并且同樣可以對本文中使用的空間相對描述詞進行相應(yīng)地解釋。

本公開總體上涉及用于半導(dǎo)體器件制造的方法，更具體地涉及在極紫外(euv)光刻中的光刻膠(光刻膠)材料組合物和/或配合物以及使用它們的方法。在一些情況下，本文示出和描述的實施例也可用于深uv(duv)和電子束(e-束)光刻。另外，本文提出的各個實施例可以用于增加光刻膠的敏感性(例如，對于duv、uv或電子束輻射源)。通常，光刻圖案化包括用光刻膠膜涂覆襯底、將光刻膠膜暴露于輻射源(例如，duv、uv或電子束輻射源)以及在顯影劑(化學(xué)溶液)中顯影曝光的光刻膠。顯影劑除去部分曝光的光刻膠，例如正性光刻膠的曝光部分或負性光刻膠的未曝光部分，從而形成圖案化的光刻膠層。然后可以在隨后的蝕刻工藝中將圖案化的光刻膠層用作蝕刻掩模，將圖案化的光刻膠層的圖案轉(zhuǎn)印到下面的材料層?；蛘?，光刻膠圖案可用作在施加到下面的材料層(例如外延半導(dǎo)體層)的后續(xù)離子注入工藝中的離子注入掩模。

一般來說，給定半導(dǎo)體ic的最小部件尺寸是在光刻工藝中使用的輻射源的波長以及光刻膠組成和光刻膠選擇性等因素的函數(shù)。隨著半導(dǎo)體光刻技術(shù)的進步，所使用的輻射源的波長已經(jīng)減小，例如對于duv光刻從248nm(例如，對于krf激光器)減小到193nm(例如，對于arf激光器)，對于euv光刻波長減小到13.5nm。用于產(chǎn)生這些波長的光的輻射源(光源)可能相對較弱，使得光刻膠已經(jīng)被設(shè)計為盡可能有效地利用這些光源。通常，這個目標(biāo)部分地通過使用化學(xué)放大光刻膠來實現(xiàn)，其中這種化學(xué)放大增加了光刻膠對曝光光源的敏感性。目前，大多數(shù)半導(dǎo)體公司使用化學(xué)放大光刻膠(car)用于大批量制造(hvm)?；瘜W(xué)放大光刻膠已經(jīng)用于248nm(例如，對于krf激光器)和193nm(例如對用于arf激光器)duv光刻以及用于13.5nmeuv光刻。然而，car系統(tǒng)遇到了難以克服的限制，例如薄膜中的光子吸收差、適度的蝕刻選擇性和有限的分辨率增益。此外，對具有高分辨率、低線寬粗糙度(lwr)和高敏感性的光刻膠的需求比由這種光刻膠體系提供的能力增加得更快?？紤]到euv化學(xué)放大光刻膠的示例，在euvcar的組成中沒有高euv吸收元件。因此，euvcar的敏感性可能較低。雖然仍然可能存在提高car系統(tǒng)的敏感性的途徑，但是lwr和分辨率可能由于“rls權(quán)衡”而受損，這表明同時提高分辨率、lwr和敏感性是非常困難的。因此，化學(xué)放大光刻膠可能不能滿足半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)發(fā)展所需要的下一代光刻要求。

本公開的實施例提供了優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的優(yōu)點，但是應(yīng)當(dāng)理解，其他實施例可以提供不同的優(yōu)點，并非所有優(yōu)點都必須在本文中討論，并且沒有特別的優(yōu)點是所有實施例必需的。通常，根據(jù)本文公開的實施例，提供了更有效地通過使用光刻光源(例如，euv光)改善光刻膠性能的更好的方法。例如，在一些實施例中，提供非car多金屬光刻膠(例如，諸如euv光刻膠)，其中多金屬光刻膠提供改善的光吸收(例如，euv光吸收)，同時還增加多金屬光刻膠的蝕刻選擇性。在一些實施例中，多金屬配合物用作光刻膠中心以增加光刻膠的euv吸收。已經(jīng)描述了含金屬和/或非careuv光刻膠的一些示例，例如passarelli等人在“organometalliccarboxylateresistsforextremeultravioletwithhighsensitivity”，j.micro/nanolith.memsmoems.14(4)，043503(2015年10月14日)中描述的；trikeriotis等人在“developmentofaninorganicphotoresistforduv，euv，andelectronbeamimaging”，proc.spie7639，advancesinresistmaterialsandprocessingtechnologyxxvii，76390e(2010年3月26日)；以及toriumi等人在“metalresistforextremeultravioletlithographycharacterizedbyscanningtransmissionelectronmicroscopy”，appliedphysicsexpress9,031601(2016)中所述的，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。然而，本文公開的實施例提供了包括多于一個金屬原子(例如，多于一個sb原子)的光刻膠組合物，以增加非car多金屬euv光刻膠的euv光吸收，從而提高光刻膠的敏感性。特別是，本公開提供了用于光刻膠形成(例如，euv光刻膠形成)的至少五種類型的多金屬配合物，如下所述。在一些實施例中，多金屬配合物包括彼此連接的金屬原子。在一些情況下，多金屬配合物包括通過離子鍵彼此連接的金屬原子。在一些實施例中，多金屬配合物包括彼此連接的一些金屬原子和通過配體分離的一些金屬原子。在一些情況下，多金屬配合物包括通過配體分離的所有金屬原子。如上所述，本文公開的實施例的至少一些優(yōu)點包括euv光刻膠敏感性的提高和高的蝕刻選擇性。此外，在一些實施例中，由euv吸收產(chǎn)生的二次電子可通過化學(xué)鍵和空間傳遞。

還應(yīng)注意，本公開的材料組合物、金屬配合物和方法不限于特定的襯底類型、掩模類型、光刻膠類型、輻射源(例如，輻射波長)和/或光刻系統(tǒng)類型。例如，可以將材料組合物、金屬配合物和方法應(yīng)用于在各種襯底材料(諸如硅、鍺、碳化硅(sic)、硅鍺(sige)、金剛石、化合物半導(dǎo)體和合金半導(dǎo)體)上的圖案化的部件和/器件，襯底可以可選地包括一個或多個外延層(外延層)，其可以被應(yīng)變以用于性能增強，可以包括絕緣體上硅(soi)結(jié)構(gòu)，和/或具有其他合適的強化部件。本公開的實施例還可適用于采用反射掩模(例如，用于極紫外(euv)光刻)、透射掩模、二元強度掩模、相移掩模以及本領(lǐng)域已知的其他掩模類型的工藝。在一些示例中，本文公開的實施例可適用于采用各種類型的光刻膠的工藝，光刻膠例如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、su-8、euv光刻膠、正性光刻膠、負性光刻膠或本領(lǐng)域已知的其他類型的光刻膠。另外，本公開的實施例可適用于各種光刻系統(tǒng)/對準器類型，例如接觸對準器、接近度對準器、投影對準器或euv光刻系統(tǒng)。因此，本公開的實施例還可適用于采用諸如uv光、深uv(duv)光、euv光或本領(lǐng)域已知的其他輻射源的各種輻射源(輻射波長)中的任何輻射源的系統(tǒng)。

首先參照圖1，其中示出了根據(jù)各個實施例的用于圖案化襯底(例如，半導(dǎo)體晶圓)的方法100的流程圖。方法100可以全部或部分地通過采用諸如深紫外(duv)光刻、極紫外(euv)光刻、電子束(e-束)光刻、x射線光刻和/或其他光刻工藝的高級光刻工藝的系統(tǒng)來實現(xiàn)，以改善圖案尺寸精度。在本實施例中，euv和/或電子束光刻用作主要示例。應(yīng)當(dāng)理解，可以在方法100之前、期間和之后提供附加操作，并且對于該方法的另外的實施例可以替換、消除或移動所描述的一些操作。還應(yīng)注意，方法100是示例性的，而不旨在將本公開限制在所附權(quán)利要求中明確記載的內(nèi)容之外。下面將結(jié)合圖2a-2e進一步描述方法100。

具體而言，圖2a-2e提供了根據(jù)一些實施例構(gòu)造的在各個制造階段的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的橫截面圖。下面結(jié)合圖2a-2e描述方法100，其中通過使用方法100的實施例制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200。半導(dǎo)體器件200可以是在ic加工期間制造的中間器件或其一部分，其可以包括邏輯電路，存儲器結(jié)構(gòu)，諸如電阻器、電容器和電感器的無源組件，以及諸如二極管、場效應(yīng)晶體管(fet)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)、互補金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)晶體管、雙極晶體管、高壓晶體管、高頻晶體管、鰭式fet(finfet)、其他三維(3d)fet、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)、互補金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)晶體管、雙極晶體管、高壓晶體管、高頻晶體管、其他存儲器單元及其組合的有源器件。

方法100開始于框102，其中，提供襯底。參照圖2a的示例，在框102的實施例中，其中示出了包括襯底202的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的橫截面圖。在一些實施例中，襯底202可以包括如上所述的半導(dǎo)體襯底，并且襯底202可以包括多個層，包括形成在襯底202上的導(dǎo)電層或絕緣層，有機層和/或多個強化部件，如前所述。根據(jù)本領(lǐng)域中已知的設(shè)計要求，襯底202還可以包括各種摻雜配置。

在一些實施例中，襯底202包括待處理例如待圖案化或待注入的底層(或材料層)204。例如，底層204可以包括待圖案化的硬掩模層。在一些情況下，底層204可以包括待被離子注入的外延半導(dǎo)體層。然而，在一些實施例中，襯底202可以不包括底層，并且可選地在襯底202上方形成底層(例如，204)。在一個實施例中，底層204可以包括硬掩模層，其包括諸如氧化硅、氮化硅(sin)、氮氧化硅、氮化鈦或其他合適的材料或組合物的材料。在一些實施例中，底層204可以包括抗反射涂層(arc)，例如包括諸如氧化硅、碳氧化硅或等離子體增強化學(xué)氣相沉積的氧化硅的材料的無氮抗反射涂層(nfarc)。在各個實施例中，底層204可以包括高k介電層、柵極層、硬掩模層、界面層、覆蓋層、擴散/阻擋層、介電層、導(dǎo)電層、其他合適的層和/或其組合。

在一些實施例中，結(jié)構(gòu)200可以可選地包括用于圖案化半導(dǎo)體晶圓的掩模。因此，在一些實施例中，襯底202可以包括掩模襯底，掩模襯底可以包括透明材料(例如石英)或諸如氧化硅-氧化鈦復(fù)合物的低熱膨脹材料。掩模襯底202可以進一步包括待圖案化的材料層。在該示例的進一步中，襯底202可以包括用于制造深紫外(duv)掩模、極紫外(euv)掩?；蚱渌愋偷难谀５难谀Ｒr底。因此，在一些實施例中，底層204可以包括待被圖案化以限定電路圖案的材料層。例如，底層204可以包括吸收層，例如鉻層。

方法100進行到框104，其中在襯底202上方或可選地在底層204上方形成光刻膠層(或簡單的光刻膠層)206(圖2a)。在各種示例中，根據(jù)本文所述的實施例，光刻膠層206包括多金屬配合物。另外，光刻膠層206可以包括非car層。光刻膠層206對在光刻曝光工藝中使用的輻射敏感，并且對蝕刻工藝(或離子注入工藝)具有耐受性。與至少一些當(dāng)前光刻膠組合物相比，如下文更詳細描述的，包含多金屬配合物的光刻膠層206提供具有提高的敏感性和蝕刻選擇性的光刻膠(例如，euv光刻膠)。在一些實施例中，光刻膠層206可以通過旋涂工藝形成。在一些示例中，在形成光刻膠層206之前，在襯底202上方或可選地在底層204上方形成粘附層(例如，hmds層)。在一些實施例中，在形成光刻膠層206之后，并且在執(zhí)行曝光工藝之前，可以執(zhí)行預(yù)烘烤工藝，例如，以蒸發(fā)溶劑和致密化光刻膠層206。在各個實施例中，光刻膠層206對各種類型的輻射敏感，諸如duv輻射(例如，來自krf激光器的248nm輻射或來自arf激光器的193nm輻射)、euv輻射(例如13.5nm輻射)、電子束(e-束)或離子束。為了本示例的目的，光刻膠層206對euv輻射敏感。用于光刻膠層206的各種光刻膠組合物和多金屬配合物的細節(jié)在下面結(jié)合圖3-56更詳細地討論和/或說明。在一些示例中，光刻膠層206在通過euv輻射曝光之后可溶于正性顯影劑或負性顯影劑。

方法100進行到框106，其中將圖案曝光到涂覆有光刻膠的襯底上。參照圖2b的示例，在框106的實施例中，其中示出了結(jié)構(gòu)200的橫截面圖，其中光刻膠層206(圖2a)已經(jīng)通過中間掩模曝光(例如通過光刻成像系統(tǒng))。在一些實施例中，光刻膠層206通過euv輻射(例如13.5nm)曝光。或者，在一些實施例中，光刻膠層206可以通過duv輻射(例如，來自248nmkrf準分子激光器或193nmarf準分子激光器)、x射線輻射、電子束、離子束和/或其他合適的輻射源。在各種示例中，框106的曝光可以在空氣中、在液體(例如，浸沒式光刻)中或在真空中(例如，對于euv光刻和電子束光刻)執(zhí)行。在一些實施例中，用諸如透射掩?；蚍瓷溲谀５难谀椛涫M行圖案化，掩?？梢园ㄖT如相移部件和/或光學(xué)鄰近校正(opc)的分辨率增強部件，并且可以使用離軸照明(oai)執(zhí)行。在一些其他實施例中，在不使用掩模(例如使用數(shù)字圖案產(chǎn)生器或直接寫入模式)的情況下，以預(yù)定圖案(例如ic布局)直接調(diào)制輻射束。在本示例中，輻射束包括euv輻射，并且在euv光刻系統(tǒng)中執(zhí)行框106的曝光。

在一些實施例中，在框106的曝光之后，可以執(zhí)行烘烤工藝。例如，在一些實施例中，在光刻膠層206曝光之后，并且在執(zhí)行光刻膠顯影處理之前，可以執(zhí)行后烘烤工藝以穩(wěn)定和硬化顯影的光刻膠層。在一些示例中，作為框106的曝光工藝的結(jié)果，在光刻膠層206中形成潛在圖案。作為示例，潛在圖案是指光刻膠層206上的曝光圖案，其隨后在顯影工藝之后將變?yōu)槲锢砉饪棠z圖案。在各個實施例中，光刻膠層206的潛在圖案可以包括未曝光部分206a和曝光部分206b。在各個實施例中，光刻膠層206的曝光部分206b可以作為框106的曝光工藝的結(jié)果被物理或化學(xué)地改變?？紤]到框106的曝光，下面討論了光刻膠層206如何改變的額外細節(jié)(例如，參照圖3-56)。在一些實施例中，如果使用正性光刻膠，則曝光部分206b將在隨后的顯影工藝中溶解。在一些情況下，如果使用負性光刻膠，則曝光部分206b將變得不溶，并且隨后的顯影工藝可以代替溶解未曝光部分206a。

方法100進行到框108，其中執(zhí)行顯影工藝以形成圖案化的光刻膠層。參照圖2b和2c的示例，在框108的實施例中，在形成包括未曝光部分和曝光部分206a/206b的潛在圖像之后，執(zhí)行光刻膠顯影工藝，產(chǎn)生圖案化的光刻膠層206'。在一些實施例中，光刻膠顯影工藝包括本領(lǐng)域已知的濕化學(xué)顯影工藝。如上所述，如果使用負性光刻膠，則曝光部分206b將變得不溶。因此，參照圖2c的示例，其示出了在顯影工藝之后的結(jié)構(gòu)200，示出了使用負性光刻膠。

方法100進行到框110，其中通過圖案化的光刻膠層的開口對襯底執(zhí)行制造工藝。例如，可以使用圖案化的光刻膠層206'作為掩模對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200進行制造工藝，使得制造工藝應(yīng)用于圖案化的光刻膠層206'的開口(例如，底層204的曝光區(qū)域)內(nèi)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的部分，而被圖案化的光刻膠層206'覆蓋的其他部分被保護免于制造工藝。在一些實施例中，框110的制造工藝可以包括使用圖案化的光刻膠層206'作為蝕刻掩模對底層204施加蝕刻工藝，從而將圖案從圖案化的光刻膠層206'轉(zhuǎn)移到底層204?；蛘撸谝恍嵤├?，框110的制造工藝可以包括使用圖案化的光刻膠層206'作為離子注入掩模對半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200施加離子注入工藝，從而在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200(例如，在底層204)中形成各種摻雜部件。

如上所述，在本示例中，底層204可以包括硬掩模層。在該示例的進一步中，圖案化的光刻膠層206'的圖案可以首先被轉(zhuǎn)移到底層204(例如，硬掩模層204)，形成圖案化的硬掩模層204'(圖2d)，然后轉(zhuǎn)移到襯底202的其他層。例如，可以使用干(等離子體)蝕刻工藝、濕蝕刻工藝、其組合和/或其他蝕刻方法，通過圖案化的光刻膠層206'的開口蝕刻硬掩模層204。例如，干蝕刻工藝可以包括含氧氣體、含氟氣體、含氯氣體、含溴氣體、含碘氣體、其他合適的氣體和/或等離子體和/或其組合。在一些實施例中，圖案化的光刻膠層206'可以在蝕刻硬掩模層204和形成圖案化的硬掩模層204'的期間被部分地或完全地消耗。在一個實施例中，可以剝離在蝕刻工藝之后剩余的圖案化的光刻膠層206'的任何部分，在襯底202上方留下圖案化的硬掩模層204'，如圖2e所示。

方法100可以包括在上述步驟之前、期間或之后的其他步驟。在一個實施例中，襯底202是半導(dǎo)體襯底，并且方法100繼續(xù)形成鰭式場效應(yīng)晶體管(finfet)器件。在這樣的示例中，方法100還可以包括在半導(dǎo)體襯底202中形成多個有源鰭。另外，在進一步的示例中，框110還可以包括穿過圖案化的硬掩模204'的開口蝕刻襯底202以在襯底202中形成溝槽；用介電材料填充該溝槽；執(zhí)行化學(xué)機械拋光(cmp)工藝以形成淺溝槽隔離(sti)部件；使sti部件外延生長和/或凹進sti部件以形成鰭狀有源區(qū)。在一些實施例中，方法100包括形成多個柵電極、柵極間隔件、摻雜源極/漏極區(qū)、用于柵極/源極/漏極部件的接觸件等的其他步驟。在一些實施例中，后續(xù)處理可在襯底上形成各種接觸件/通孔/線和多層互連部件(例如，金屬層和層間電介質(zhì))，其被配置為連接各個部件以形成可以包括一個或多個器件(例如，一個或多個finfet器件)的功能電路。在進一步的示例中，多層互連件可以包括垂直互連件，例如通孔或接觸件，以及水平互連件，例如金屬線。各種互連部件可以采用各種導(dǎo)電材料，包括銅、鎢和/或硅化物。在一個示例中，鑲嵌和/或雙鑲嵌工藝用于形成銅相關(guān)的多層互連結(jié)構(gòu)。此外，可以在方法100之前、期間和之后實施額外的工藝步驟，并且根據(jù)方法100的各個實施例，可以替換或消除上述一些工藝步驟。

現(xiàn)參照圖3-48，其中示出了用于光刻膠層206的多金屬配合物的一些實施例，其在一些情況下可被稱為多金屬光刻膠配合物。在各個實施例中，多金屬光刻膠配合物提供euv光刻膠，因此對諸如euv輻射的輻射敏感。特別是，應(yīng)注意，盡管在圖3-48的實施例中所示的反應(yīng)顯示為由euv輻射催化，但在一些情況下，反應(yīng)可類似地響應(yīng)于其他類型的輻射，例如duv、電子束、x射線、離子束或其他類型的輻射。在一些實施例中，本公開的光刻膠可以包括金屬氧化物納米顆粒、有機和/或無機分子、分子有機金屬材料或本領(lǐng)域已知和/或本文所述的其他材料。首先參照圖3-14，其中示出了用于第一類型的多金屬配合物的金屬和配體官能團以及交聯(lián)和置換反應(yīng)。參照圖15-25，其中示出了用于第二類型的多金屬配合物的金屬和配體官能團以及交聯(lián)和置換反應(yīng)。圖26-32示出了用于第三類型的多金屬配合物的金屬和配體官能團以及交聯(lián)和置換反應(yīng)。圖33-44示出了用于第四類型的多金屬配合物的金屬和配體官能團以及交聯(lián)和置換反應(yīng)。圖45-48示出了用于第五類型的多金屬配合物的金屬和配體官能團以及交聯(lián)和置換反應(yīng)。

在進一步的上述示例中，考慮圖3的多金屬配合物，圖3示出第一金屬'm1'(例如第一金屬原子)、第二金屬'm2'(例如第二金屬原子)和多個稱為l、l'的配體，和配位體。在各個實施例中，第一金屬'm1'可包括用于吸收體(例如euv吸收體)或反應(yīng)位點的活化劑。在至少一個示例中，第一金屬'm1'可包括釕，但是如下所述預(yù)期其他金屬。在一些實施例中，第二金屬'm2'可以包括高euv吸收體。在至少一個示例中，第二金屬'm2'可包括銻，但如下所述預(yù)期其他金屬。在本文所述的各個實施例中，第一金屬'm1'可以充當(dāng)金屬之間(例如，兩個第二金屬'm2'原子之間)、金屬和配體之間、和/或配體之間的橋。在一些情況下，盡管第二金屬'm2'可以包括高euv吸收體，但是第一金屬'm1'可以不包括高euv吸收體。然而，除了充當(dāng)橋以外，第一金屬'm1'可以進一步催化反應(yīng)性位點(例如，如圖3所示的反應(yīng)性配體位點)的形成，從而使得多金屬配合物參與交聯(lián)反應(yīng)和/或使得參與交聯(lián)反應(yīng)更容易。在一些情況下，反應(yīng)性位點的形成包括形成適于雙鍵的反應(yīng)性位點和/或形成含自由基的位點。換句話說，本文公開的實施例可以包括具有橋接元件(例如第一金屬)和euv吸收元件(例如第二金屬)的多金屬配合物，其中橋接元件具有有利的催化性能以使得雙鍵交聯(lián)反應(yīng)更容易。

還應(yīng)注意，圖3-48中所示的不同的第一、第二、第三、第四和第五類型的多金屬配合物可以作為合成多金屬配合物的不同方法的結(jié)果而形成。此外，如上所述，所示的五種類型的多金屬配合物中的每種仍然包括橋接元件(例如，第一金屬)和euv吸收元件(例如，第二金屬)。另外，在本文示出和描述的各個實施例中，可以產(chǎn)生(例如，通過euv吸收)二次電子，其中這種二次電子可以被轉(zhuǎn)移(例如，通過化學(xué)鍵和/或空間)并與配體相互作用以進一步幫助活化用于隨后參與交聯(lián)反應(yīng)的配體。在圖3-48所示的示例中，至少一些配體(例如，標(biāo)記為l’和l”的配體)可以是非常穩(wěn)定的配體，因此可能非常難以活化，因此這樣的配體可能不直接參與交聯(lián)反應(yīng)。例如，還注意到，置換反應(yīng)(例如，如圖8和其他所示)可以包括用第二配體置換第一配體，其中例如第二配體包括適于參與隨后的交聯(lián)反應(yīng)的活化配體。還應(yīng)注意，上文提供的討論和示例可同樣適用于圖3-48所示的各種多金屬配合物類型，以及圖49-56的多金屬配合物。

現(xiàn)參照圖49-56，其中示出了用于光刻膠層206的多金屬配合物的另外的實施例。在一些情況下，圖49-56所示的示例可以包括圖3-48的示例的各個實施例。如上面類似地指出的，雖然圖49-56的示例中示出的反應(yīng)顯示為由euv輻射催化，但在一些情況下，反應(yīng)可響應(yīng)于其他類型的輻射，例如duv、電子束、x射線、離子束或其他類型的輻射。如前所述，本公開的實施例可以包括非car多金屬euv光刻膠。在一些光刻膠的實施例中，ru用作通過配位化學(xué)鍵與兩個高euv吸收金屬sb結(jié)合的中心。在一些情況下，苯乙烯將連接到sb或ru用于交聯(lián)反應(yīng)。在一些實施例中，另外的苯乙烯使得交聯(lián)反應(yīng)更有效。在一些情況下，sb陰離子可用于通過含有環(huán)戊二烯基和sb(r)3配體的陽離子釕亞乙烯基配合物增加euv吸收。圖49-56特別示出了根據(jù)各個實施例的含ru和sb的光刻膠配合物。此外，圖49-56示出了示例性反應(yīng)(例如，其可以包括烯烴、環(huán)丙烷等的反應(yīng))，并且其中由euv吸收產(chǎn)生的二次電子可以通過化學(xué)鍵和空間轉(zhuǎn)移。

現(xiàn)在討論用于光刻膠層206的各種光刻膠組合物和多金屬配合物的其他細節(jié)以及可以根據(jù)本公開的實施例制造的各種方法和結(jié)構(gòu)(例如，結(jié)構(gòu)200的材料)的其他方面的額外細節(jié)。

例如，本公開的一些實施例提供了一種形成半導(dǎo)體圖案的方法，其中該方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成第一材料層，在第一材料層的頂部上形成第二材料層(例如，其中第二材料層是硅硬掩模)，在第二材料層的頂部上形成第三材料層(例如，其中第三材料層是光刻膠)，以及通過光刻工藝形成光刻膠圖案。在一些示例中，光刻膠圖案可以在隨后的蝕刻工藝中用作蝕刻掩模，例如用于將圖案化的光刻膠層的圖案轉(zhuǎn)印到下面的材料層(例如，以形成半導(dǎo)體圖案)。或者，光刻膠圖案可以在隨后施加到下面的材料層的離子注入工藝中用作離子注入掩模。在一些實施例中，與硅硬掩模和光刻膠相比，第一材料層具有不同的光學(xué)性質(zhì)。在一些情況下，與光刻膠相比，第一材料層具有實質(zhì)上不同的n、k或t值。在各個實施例中，第一材料層包括不同的聚合物結(jié)構(gòu)、酸不穩(wěn)定分子、光致產(chǎn)酸劑(pag)負載、淬滅劑負載、發(fā)色團、交聯(lián)劑或溶劑中的至少一種，其導(dǎo)致與光刻膠不同的n值。在一些實施例中，第一材料層、第二材料層(例如，硅硬掩模)和光刻膠具有不同的耐蝕刻性。在一些情況下，第一材料層或光刻膠包含至少一個耐蝕刻分子。例如，耐蝕刻分子可以包括低onishi數(shù)結(jié)構(gòu)、雙鍵、三鍵、硅、氮化硅、ti、tin、al、氧化鋁或sion等。在一些實施例中，半導(dǎo)體襯底基本上是導(dǎo)電的或半導(dǎo)電的，其電阻小于10³歐姆米。在一些示例中，半導(dǎo)體襯底可以包括金屬、金屬合金和/或具有式mxa的金屬氮化物/硫化物/硒化物/氧化物/硅化物，其中m是金屬，x是n、s、se、o或si，a＝0.4～2.5。例如，ti、al、co、ru、tin、wn2、tan。在一些實施例中，半導(dǎo)體襯底包括介電常數(shù)在約1-40的范圍內(nèi)的電介質(zhì)。在各個實施例中，半導(dǎo)體襯底根據(jù)式mxb可以包括si、金屬氧化物和金屬氮化物，其中m是金屬或si，x是n或o，b＝0.4～2.5。例如，sio2、氮化硅、氧化鋁、氧化鉿、氧化鑭。

另外，在一些示例中，本公開的實施例提供了一種形成半導(dǎo)體圖案的方法，其中該方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成第一材料層，在第一材料層的頂部上形成第二材料層(例如，其中第二材料層是硅硬掩模)，在第二材料層的頂部上形成第三材料層(例如，其中第三材料層是光刻膠)，以及通過光刻形成光刻膠圖案。在一些示例中，光刻膠圖案可以在隨后的蝕刻工藝中用作蝕刻掩模，例如用于將圖案化的光刻膠層的圖案轉(zhuǎn)印到下面的材料層(例如，以形成半導(dǎo)體圖案)?；蛘?，光刻膠圖案可以在隨后施加到下面的材料層的離子注入工藝中用作離子注入掩模。在一些示例中，第二材料層可以包括含硅聚合物、交聯(lián)劑、發(fā)色團、pag、淬滅劑(堿)、氟添加劑和/或溶劑。在一些實施例中，與第一材料層和光刻膠相比，第二材料層可以具有不同的光學(xué)性質(zhì)。在一些情況下，與第一材料層和光刻膠相比，第二材料層具有基本上不同的n、k或t值。在各個實施例中，第二材料層可以包括不同的含硅聚合物結(jié)構(gòu)、酸不穩(wěn)定分子、pag負載、淬滅劑負載、發(fā)色團、交聯(lián)劑和/或溶劑中的至少一種，其可導(dǎo)致與光刻膠相比不同的n值。在一些實施例中，第一材料層、第二材料層(例如，硅硬掩模)和光刻膠具有不同的耐蝕刻性。在一些情況下，第二層包括至少一個耐蝕刻分子。例如，耐蝕刻分子可以包括低onishi數(shù)結(jié)構(gòu)、雙鍵、三鍵、硅、氮化硅、ti、tin、al、氧化鋁或sion等。

此外，本公開的實施例提供了一種用于形成半導(dǎo)體圖案的方法，其中該方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成第一材料層，在第一材料層的頂部上形成第二材料層(例如，其中第二材料層是硅硬掩模)，在第二材料層的頂部上形成第三材料層(例如，其中第三材料層是光刻膠)，以及通過光刻形成光刻膠圖案。在一些示例中，光刻膠圖案可以在隨后的蝕刻工藝中用作蝕刻掩模，例如用于將圖案化的光刻膠層的圖案轉(zhuǎn)印到下面的材料層(例如，以形成半導(dǎo)體圖案)?；蛘?，光刻膠圖案可以在隨后施加到下面的材料層的離子注入工藝中用作離子注入掩模。在一些情況下，光刻膠可以包括聚合物、金屬配合物、多金屬配合物、pag、淬滅劑(堿)和/或溶劑。在一些示例中，多金屬光刻膠是負性光刻膠。例如，負性多金屬光刻膠配合物可以包括至少一個可交聯(lián)基團或反應(yīng)性位點和至少兩種不同種類的金屬。在一些實施例中，一些金屬(例如，多金屬光刻膠的)將在光學(xué)曝光后吸收euv光子，而其他金屬將增強euv吸收或活化可交聯(lián)基團或反應(yīng)性位點。在一些情況下，一些金屬還可以幫助產(chǎn)生更多的二次電子并且用作吸收體和反應(yīng)性位點之間的連通體。在各個實施例中，激發(fā)的(例如，euv曝光的)金屬配合物將催化交聯(lián)反應(yīng)。在各種示例中，在金屬配合物交聯(lián)之后，金屬配合物可以變成非常大(巨大)的聚合物。在一些實施例中，在聚合物變成較大mw的聚合物之后，聚合物可能不能被有機溶劑例如乙酸正丁酯或水溶液溶解。

在一些實施例中，多金屬配合物是有機金屬配合物。在一些情況下，多金屬配合物具有至少一種能夠吸收euv光的金屬原子(例如，第二金屬'm2')，例如ce、la、sb、bi、pb、hf、zr、ti、cr、w、mo、fe、ru、os、co、rh、ir、ni、pd、pt、cu、ag、au、zn、cd、al、ga、tl、ge、sn、pb和/bi。在一些示例中，多金屬配合物具有至少一種能夠增強euv吸收或活化可交聯(lián)基團或反應(yīng)位點(例如，第一金屬'm1')并且還可以幫助產(chǎn)生更多的二次電子并充當(dāng)吸收體和反應(yīng)性位點之間的連通體的金屬原子，諸如ce、la、sb、bi、pb、hf、zr、ti、cr、w、mo、fe、ru、os、co、rh、ir、ni、pd、pt、cu、ag、au、zn、cd、al、ga、tl、ge、sn、pb和/bi。在一些實施例中，光刻膠可以進一步包括表面活性劑、發(fā)色團和/或交聯(lián)劑。舉例來說，多金屬配合物具有約100～10000的分子量(mw)。在一些實施例中，該mw值可以對應(yīng)于上述“較大mw的聚合物”。

本公開的又一些實施例提供了一種用于形成半導(dǎo)體圖案的方法，其中該方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成第一材料層，在第一材料層的頂部上形成第二材料層(例如，其中第二材料層是硅硬掩模)，在第二材料層的頂部上形成第三材料層(例如，其中第三材料層是光刻膠)，以及通過光刻形成光刻膠圖案。在一些示例中，光刻膠圖案可以在隨后的蝕刻工藝中用作蝕刻掩模，例如用于將圖案化的光刻膠層的圖案轉(zhuǎn)印到下面的材料層(例如，以形成半導(dǎo)體圖案)。或者，光刻膠圖案可以在隨后施加到下面的材料層的離子注入工藝中用作離子注入掩模。在一些實施例中，光刻膠包括至少聚合物、金屬配合物、多金屬配合物、pag、淬滅劑(堿)和/或溶劑。在一些情況下，用于光刻膠中的多金屬配合物含有交聯(lián)基團，其中交聯(lián)基團可以是有機的、無機的或有機/無機基團的共混物。在一些實施例中，有機和無機交聯(lián)基團可以通過酸催化反應(yīng)在約80℃至約300℃下在曝光區(qū)域中交聯(lián)。在一些示例中，該結(jié)構(gòu)(例如，交聯(lián)基團)可以包括非環(huán)狀結(jié)構(gòu)和/或環(huán)狀結(jié)構(gòu)，并且環(huán)狀結(jié)構(gòu)可以是芳族環(huán)和非芳族環(huán)。在一些示例中，該結(jié)構(gòu)可含有官能化基團，例如-i、-br、-cl、-nh2、-cooh、-oh、-sh、-n3、-s(＝o)-、烯烴、炔烴、亞胺、醚、乙烯基醚、縮醛、半縮醛、酯、醛、酮、酰胺、砜、乙酸、氰化物和/丙二烯。在一些情況下，交聯(lián)基團是光敏基團，并且交聯(lián)鍵可以通過曝光區(qū)域中的輻射工藝形成。交聯(lián)基團可以包括具有至少一個光敏官能團如環(huán)氧基、偶氮化合物、烷基鹵、亞胺、烯烴、炔烴、過氧化物、酮、醛、丙二烯、芳族基團或雜環(huán)基團的c3-c20烷基。在一些實施例中，芳族結(jié)構(gòu)可以包括苯基、萘基、菲基、蒽基、非那烯基(phenalenyl)和/或含有一至五元環(huán)的其他芳族衍生物。在一些實施例中，可以交聯(lián)(例如，暴露于euv光下)的多金屬配合物包含螯合配體。例如，螯合配體可以是特定類型的，例如m-or、m-oocr、m-oc(＝o)or、m-cl、m-br、m-nr3、m-pr3、m-asr3、m-sbr3、m-cn、m-sr、mc(＝o)r、mn(r)-c(＝o)r、m-cr＝crr、mr、edta、二齒、三齒、六齒和/或多齒配體。

本文所述的各個實施例提供了優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的幾個優(yōu)點。將理解，并非所有的優(yōu)點都必須在本文中討論，沒有特別的優(yōu)點是所有實施例必需的，并且其他實施例可以提供不同的優(yōu)點。作為一個示例，本文討論的實施例包括通過使用光刻光源(例如，euv光)更有效地改善光刻膠性能的方法。例如，在一些實施例中，提供非car多金屬光刻膠，其中多金屬光刻膠提供改善的光吸收(例如，euv光吸收)，同時還增加多金屬光刻膠的蝕刻選擇性。在一些實施例中，多金屬配合物用作光刻膠中心以增加光刻膠的euv吸收。此外，本文公開的實施例提供了包含多于一個euv吸收金屬原子(例如，多于一個sb原子)的光刻膠組合物，以增加非car多金屬euv光刻膠的euv光吸收，從而提高光刻膠的敏感性。特別是，如上所述，本發(fā)明提供了用于光刻膠形成(例如，euv光刻膠形成)的至少五種類型的多金屬配合物。在一些實施例中，多金屬配合物包括彼此連接的金屬原子。在一些情況下，多金屬配合物包括通過離子鍵彼此連接的金屬原子。在一些實施例中，多金屬配合物包括彼此連接的一些金屬原子和通過配體分離的一些金屬原子。在一些情況下，多金屬配合物包括通過配體分離的所有金屬原子。如上所述，本文公開的實施例的至少一些優(yōu)點包括euv光刻膠敏感性的提高和高蝕刻選擇性。此外，在一些實施例中，通過euv吸收產(chǎn)生的二次電子可以通過化學(xué)鍵和空間轉(zhuǎn)移，進一步改善本文公開的多金屬配合物的效力。因此，本公開的實施例有助于克服至少一些當(dāng)前光刻膠組合物和方法的多種缺點。

因此，本公開的實施例之一描述了一種方法，其包括提供襯底并在襯底上形成光刻膠層。在各個實施例中，光刻膠層包括包含極紫外(euv)吸收元件和橋接元件的多金屬配合物。舉例來說，euv吸收元件包括第一金屬類型，橋接元件包括第二金屬類型。在一些實施例中，對光刻膠層執(zhí)行曝光工藝。在執(zhí)行曝光工藝之后，曝光的光刻膠層被顯影以形成圖案化的光刻膠層。

在另一實施例中，討論了一種方法，其中在半導(dǎo)體襯底上沉積第一材料層。此后，在一些實施例中，在第一材料層上形成第二材料層。在一些情況下，第二材料層包括硅硬掩模。在各種示例中，然后在第二材料層上形成第三材料層，其中第三材料層包括光刻膠。在一些實施例中，光刻膠包括多金屬配合物。在一些實施例中，然后例如通過光刻工藝形成光刻膠圖案。

在另一個實施例中，討論了一種半導(dǎo)體器件制造的方法，包括提供襯底并在襯底上方形成光刻膠層，其中光刻膠層包括多金屬配合物。在各個實施例中，多金屬配合物包括第一金屬類型和第二金屬類型，其中第一金屬類型包括極紫外(euv)吸收元件，第二金屬類型包括橋接元件。在一些情況下，對光刻膠層執(zhí)行曝光工藝，其中曝光工藝使用euv光源執(zhí)行，并且通過包括電路圖案的中間掩模投射到光刻膠層上。在一些情況下，電路圖案包括一個或多個finfet器件電路圖案。在各個實施例中，在執(zhí)行曝光工藝之后，對曝光的光刻膠層顯影以形成圖案化的光刻膠層，其中圖案化的光刻膠層包括電路圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：提供襯底；在所述襯底上方形成光刻膠層，其中，所述光刻膠層包括包含極紫外(euv)吸收元件和橋接元件的多金屬配合物，并且其中，所述極紫外吸收元件包括第一金屬類型，所述橋接元件包括第二金屬類型；對所述光刻膠層執(zhí)行曝光工藝；以及在執(zhí)行所述曝光工藝之后，顯影曝光的所述光刻膠層以形成圖案化的光刻膠層。

在上述方法中，所述極紫外吸收元件包括所述第一金屬類型的多個原子。

在上述方法中，所述橋接元件執(zhí)行可交聯(lián)基團或反應(yīng)位點的euv吸收增強和活化中的至少一種。

在上述方法中，所述極紫外吸收元件和所述橋接元件中的至少一個用于產(chǎn)生用來活化可交聯(lián)基團或反應(yīng)性位點的二次電子。

在上述方法中，所述極紫外吸收元件包括至少兩個銻原子，并且其中，所述橋接元件包括橋接所述至少兩個銻原子的釕原子。

在上述方法中，所述橋接元件充當(dāng)兩個極紫外吸收元件原子之間、極紫外吸收元件原子和配體之間和/或兩個配體之間的橋。

在上述方法中，還包括：作為對所述光刻膠層執(zhí)行曝光處理的結(jié)果，將所述多金屬配合物交聯(lián)到另一多金屬配合物。

在上述方法中，還包括：在形成所述圖案化的光刻膠層之后，通過所述圖案化的光刻膠層的開口對所述襯底執(zhí)行制造工藝。

根據(jù)本發(fā)明的另一些實施例，還提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：在半導(dǎo)體襯底上沉積第一材料層；在所述第一材料層上形成第二材料層，其中，所述第二材料層包括硅硬掩模；在所述第二材料層上形成第三材料層，其中，所述第三材料層包括光刻膠，并且其中，所述光刻膠包括多金屬配合物；和通過光刻工藝形成光刻膠圖案。

在上述方法中，所述第一材料層包括與所述光刻膠相比不同的聚合物結(jié)構(gòu)、酸不穩(wěn)定分子、光致產(chǎn)酸劑(pag)負載、淬滅劑負載、發(fā)色團、交聯(lián)劑和溶劑中的至少一種。

在上述方法中，所述第一材料層、所述第二材料層和所述光刻膠具有不同的耐蝕刻性。

在上述方法中，所述第一材料層和所述光刻膠中的至少一種包含至少一個耐蝕刻分子，所述耐蝕刻分子包括低onishi數(shù)結(jié)構(gòu)、雙鍵、三鍵、硅、氮化硅、ti、tin、al、氧化鋁和sion中的至少一種。

在上述方法中，所述第二材料層包括含硅聚合物、交聯(lián)劑、發(fā)色團、pag、淬滅劑(堿)、氟添加劑和溶劑中的一種或多種。

在上述方法中，所述第二材料層包括與所述光刻膠相比不同的含硅聚合物結(jié)構(gòu)、酸不穩(wěn)定分子、pag負載、淬滅劑負載、發(fā)色團、交聯(lián)劑和溶劑中的至少一種。

在上述方法中，所述光刻膠進一步包括聚合物、金屬配合物、pag、淬滅劑(堿)和溶劑中的一種或多種。

在上述方法中，所述光刻膠是負性光刻膠，并且其中，所述負性光刻膠包括可交聯(lián)基團和反應(yīng)性位點中的至少一種，以及至少兩種不同種類的金屬。

根據(jù)本發(fā)明的又一些實施例，還提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：提供襯底；在所述襯底上方形成光刻膠層，其中，所述光刻膠層包括第一金屬類型和第二金屬類型的多金屬配合物，并且其中，所述第一金屬類型包含極紫外(euv)吸收元件，和所述第二金屬類型包含橋接元件；對所述光刻膠層執(zhí)行曝光工藝，其中，所述曝光工藝使用極紫外光源執(zhí)行，并且通過包括電路圖案的中間掩模投射到所述光刻膠層上；和在執(zhí)行所述曝光工藝之后，顯影曝光的光刻膠層以形成圖案化的光刻膠層，其中，所述圖案化的光刻膠層包括所述電路圖案。

在上述方法中，所述多金屬配合物包括交聯(lián)基團，并且其中，所述交聯(lián)基團是有機基團、無機基團或有機/無機基團的共混物。

在上述方法中，所述多金屬配合物包括一種或多種配體類型的螯合配體，所述配體類型包括m-or、m-oocr、m-oc(＝o)or、m-cl、m-br、m-nr3、m-pr3、m-asr3、m-sbr3、m-cn、m-sr、mc(＝o)r、m-n(r)-c(＝o)r、m-cr＝crr、m-r、edta、二齒、三齒、六齒和/或多齒。

在上述方法中，所述電路圖案包括一個或多個finfet器件電路圖案。

前文概述了幾個實施例的特征，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本公開的方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，他們可以容易地使用本公開作為設(shè)計或修改用于實現(xiàn)本文所介紹的實施例的相同目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點的其他工藝和結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)認識到，這樣的等同結(jié)構(gòu)不脫離本公開的精神和范圍，并且在不脫離本公開的精神和范圍的情況下，他們可以進行各種改變、替換和變更。