本發(fā)明涉及電子器件領(lǐng)域,特別涉及一種功率模塊及其制造方法。
背景技術(shù):
對(duì)于功率模塊,尤其是智能功率模塊,其使用環(huán)境一般較為苛刻,例如會(huì)被使用在很潮濕的環(huán)境中。通常地,功率模塊包括電路基板、設(shè)置在電路基板上的電子元器件和接線引腳、以及包覆電路基板和電子元器件的環(huán)氧塑封層。然而,環(huán)氧塑封層中的環(huán)氧塑封材料在潮濕的環(huán)境中容易吸水,而導(dǎo)致電路基板上的電路漏電而失效,從而影響功率模塊的使用壽命。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的主要目的是提出一種功率模塊,旨在降低功率模塊的吸水性。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提出的功率模塊包括:
功率模塊本體,包括電路基板和固設(shè)于所述電路基板上的電子元器件,所述電子元器件與所述電路基板的電路布線相電連接;
環(huán)氧塑封層,由環(huán)氧塑封材料塑封形成,并包覆所述功率模塊本體;
防吸水層,由防吸水材料形成,并包覆所述環(huán)氧塑封層的外表面;以及
接線引腳,與所述電路基板的電路布線電連接,并密封穿設(shè)所述環(huán)氧塑封層和所述防吸水層,而部分顯露在所述防吸水層外部。
優(yōu)選地,所述防吸水層為防吸水材料氣相沉積層。
優(yōu)選地,所述防吸水層為碳氟氣相沉積層。
優(yōu)選地,所述防吸水層為硅膠層。
優(yōu)選地,所述防吸水層的厚度范圍為0.1微米至10微米。
本發(fā)明還提出一種功率模塊的制造方法,包括以下步驟:
s10、提供一電路基板,在所述電路基板上固設(shè)電子元器件,并將所述電子元器件與所述電路基板的電路布線電連接,以形成功率模塊本體;
s20、在所述電路基板的電路布線上設(shè)置接線引腳;
s30、利用環(huán)氧塑封材料對(duì)所述功率模塊本體進(jìn)行塑封,以形成包覆所述功率模塊本體的環(huán)氧塑封層;
s40、利用防吸水材料對(duì)所述環(huán)氧塑封層進(jìn)行包覆,以在所述環(huán)氧塑封層的外表面形成防吸水層;
其中,所述接線引腳部分顯露在所述防吸水層外部。
優(yōu)選地,所述步驟s40具體為:利用氣源類防吸水材料在所述環(huán)氧塑封層的外表面氣相沉積,以形成所述防吸水層。
優(yōu)選地,所述氣源類防吸水材料為碳氟氣源等離子體。
優(yōu)選地,所述步驟s40具體為:利用呈膠狀的防吸水材料對(duì)所述環(huán)氧塑封層的外表面進(jìn)行涂覆,以形成所述防吸水層;或者
將塑封有所述環(huán)氧塑封層的所述功率模塊本體浸入呈膠狀的防吸水材料中,再拿出固化,以形成所述防吸水層。
優(yōu)選地,所述防吸水層的厚度范圍為0.1微米至10微米。
本發(fā)明的技術(shù)方案通過增設(shè)包覆環(huán)氧塑封層外表面的防吸水層,以降低整個(gè)功率模塊的吸水性,從而提高功率模塊的耐濕性能,使功率模塊的可靠性提升,進(jìn)而提高功率模塊的使用壽命。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖示出的結(jié)構(gòu)獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明功率模塊一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明功率模塊的制造方法一實(shí)施例的流程示意圖。
附圖標(biāo)號(hào)說明:
本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例,參照附圖做進(jìn)一步說明。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
需要說明,若本發(fā)明實(shí)施例中有涉及方向性指示(諸如上、下、左、右、前、后……),則該方向性指示僅用于解釋在某一特定姿態(tài)(如附圖所示)下各部件之間的相對(duì)位置關(guān)系、運(yùn)動(dòng)情況等,如果該特定姿態(tài)發(fā)生改變時(shí),則該方向性指示也相應(yīng)地隨之改變。
另外,若本發(fā)明實(shí)施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述,則該“第一”、“第二”等的描述僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示其相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。另外,各個(gè)實(shí)施例之間的技術(shù)方案可以相互結(jié)合,但是必須是以本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為基礎(chǔ),當(dāng)技術(shù)方案的結(jié)合出現(xiàn)相互矛盾或無法實(shí)現(xiàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種技術(shù)方案的結(jié)合不存在,也不在本發(fā)明要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
本發(fā)明提出一種功率模塊。
參照?qǐng)D1,在本發(fā)明一實(shí)施例中,該功率模塊包括:
功率模塊本體1,包括電路基板11和固設(shè)于電路基板11上的電子元器件12,電子元器件12與電路基板11的電路布線相電連接;
環(huán)氧塑封層2,由環(huán)氧塑封材料塑封形成,并包覆功率模塊本體1;
防吸水層3,由防吸水材料形成,并包覆環(huán)氧塑封層2的外表面;以及
接線引腳4,與電路基板11的電路布線電連接,并密封穿設(shè)環(huán)氧塑封層2和防吸水層3,而部分顯露在防吸水層3外部。
本實(shí)施例中,在電路基板11上,電子元器件12通常設(shè)有多個(gè);該多個(gè)電子元器件12優(yōu)選通過回流焊接的方式固定在電路基板11上,以提高功率模塊本體1的制備效率。并且,電子元器件12與電路基板11的電路布線之間則通常通過導(dǎo)電線13連接;然本設(shè)計(jì)不限于此,于其他實(shí)施例中,對(duì)于可采用倒裝工藝的電子元器件12,也可直接將電子元器件12倒裝在電路基板11的電路布線上,從而節(jié)省導(dǎo)電線13焊接的工序。另外,本實(shí)施例中,接線引腳4是部分顯露在防吸水層3外部的,如此,可使得該功率模塊通過該接線引腳4連接至對(duì)應(yīng)電子設(shè)備的電路系統(tǒng)中。
本發(fā)明的技術(shù)方案通過增設(shè)包覆環(huán)氧塑封層2外表面的防吸水層3,以降低整個(gè)功率模塊的吸水性,從而提高功率模塊的耐濕性能,使功率模塊的可靠性提升,進(jìn)而提高功率模塊的使用壽命。需要說明的是,本實(shí)施例中,該功率模塊具體為一種智能功率模塊,可以理解,智能功率模塊的使用環(huán)境通常更為苛刻,設(shè)置防吸水層3的需求更為迫切;當(dāng)然,防吸水層3的結(jié)構(gòu)也可用在普通的功率模塊上。
在本實(shí)施例中,防吸水層3優(yōu)選為由氣源類防吸水材料在環(huán)氧塑封層2外表面氣相沉積而成的防吸水材料氣相沉積層??梢岳斫?,防吸水材料氣相沉積層具有較好的防吸水性能,可顯著降低整個(gè)功率模塊的吸水性。另外,通過氣相沉積的方式,可在環(huán)氧塑封層2外表面的每個(gè)角落都形成有所述防吸水層3,以避免防吸水層3覆蓋不完全的現(xiàn)象出現(xiàn),同時(shí),易于形成厚度均勻的防吸水層3。本實(shí)施例中,具體地,所采用的氣源類防吸水材料優(yōu)選為碳氟氣源等離子體,以在環(huán)氧塑封層2的外表面覆蓋一層碳氟氣相沉積層,該碳氟氣相沉積層具體由碳氟有機(jī)化合物所構(gòu)成,此碳氟有機(jī)化合物的表面能低,能在環(huán)氧塑封層2外表面形成較強(qiáng)的水汽阻隔能力和較好的疏水能力,從而顯著降低整個(gè)功率模塊的吸水性;然本設(shè)計(jì)不限于此,于其他實(shí)施例中,所采用的氣源類防吸水材料還可但不限于為硅烷氣源等離子體等。
需要說明的是,在本發(fā)明的一些其他實(shí)施例中,防吸水層3還可為防吸水材料涂層??梢岳斫?,通過涂覆的方式,也可在環(huán)氧塑封層2外表面的每個(gè)角落都形成有所述防吸水層3,且涂覆工藝的所需設(shè)備簡單,容易實(shí)現(xiàn)。通常地,涂覆時(shí)所采用的防吸水材料可以為硅膠,而在環(huán)氧塑封層2的外表面形成硅膠涂層,硅膠具有良好的防吸水性。另外,在本發(fā)明的再一些其他實(shí)施例中,還可將功率模塊本體1整體浸在硅膠膠水中,再拿起,并將環(huán)氧塑封層2外表面滿布的硅膠膠水固化,以形成防吸水硅膠層,以確保防吸水硅膠層全部覆蓋環(huán)氧塑封層2的外表面。
可以理解,若防吸水層3過厚,防吸水材料需要較多,會(huì)導(dǎo)致成形所述防吸水層3所需的成本高,特別地,當(dāng)防吸水層3是通過氣相沉積的方式形成時(shí),成形的時(shí)間會(huì)過長,而導(dǎo)致成形效率低。若防吸水層3過薄,防吸水能力則可能會(huì)不足,特別地,容易出現(xiàn)有些位置未被覆蓋的現(xiàn)象。為此,本實(shí)施例中,防吸水層3的厚度范圍通常為0.1微米至10微米,并且優(yōu)選為1微米至5微米。
本發(fā)明還提出一種功率模塊的制造方法。
參照?qǐng)D2,在本發(fā)明一實(shí)施例中,該功率模塊的制造方法包括以下步驟:
s10、提供一電路基板,在所述電路基板上固設(shè)電子元器件,并將所述電子元器件與所述電路基板的電路布線電連接,以形成功率模塊本體。
本實(shí)施例中,在電路基板上,電子元器件通常設(shè)有多個(gè);該多個(gè)電子元器件優(yōu)選通過回流焊接的方式固定在電路基板上,以提高功率模塊本體的制備效率。具體地,在回流焊接過程中,通常先將粘結(jié)輔料(例如錫膏)印刷于電路基板的表面,再將電子元器件貼裝于帶有所述粘結(jié)輔料的電路基板上,接著,將帶有電子元器件的電路基板利用回流爐進(jìn)行回流焊接。
本實(shí)施例中,電子元器件與電路基板的電路布線之間則通常通過導(dǎo)電線連接;并且,為提高導(dǎo)電線與電子元器件、電路布線之間的連接可靠性,在連接所述導(dǎo)電線前,通常需要將經(jīng)過回流焊接的帶有電子元器件的電路基板進(jìn)行化學(xué)藥水清洗、及/或等離子清洗。然本設(shè)計(jì)不限于此,于其他實(shí)施例中,對(duì)于可采用倒裝工藝的電子元器件,也可直接將電子元器件倒裝在電路基板的電路布線上,從而節(jié)省導(dǎo)電線焊接的工序。
s20、在所述電路基板的電路布線上設(shè)置接線引腳。
s30、利用環(huán)氧塑封材料對(duì)所述功率模塊本體進(jìn)行塑封,以形成包覆所述功率模塊本體的環(huán)氧塑封層。
本實(shí)施例中,環(huán)氧塑封層通常是利用烤箱進(jìn)行固化處理的,以加快環(huán)氧塑封層的固化效率,從而提高功率模塊的制備效率。
s40、利用防吸水材料對(duì)所述環(huán)氧塑封層進(jìn)行包覆,以在所述環(huán)氧塑封層的外表面形成防吸水層。
本實(shí)施例中,接線引腳是部分顯露在防吸水層外部的,如此,可使得該功率模塊通過該接線引腳連接至對(duì)應(yīng)電子設(shè)備的電路系統(tǒng)中。
本發(fā)明的技術(shù)方案通過增設(shè)包覆環(huán)氧塑封層外表面的防吸水層,以降低整個(gè)功率模塊的吸水性,從而提高功率模塊的耐濕性能,使功率模塊的可靠性提升,進(jìn)而提高功率模塊的使用壽命。需要說明的是,本實(shí)施例中,該功率模塊具體為一種智能功率模塊,可以理解,智能功率模塊的使用環(huán)境通常更為苛刻,設(shè)置防吸水層的需求更為迫切;當(dāng)然,防吸水層的結(jié)構(gòu)也可用在普通的功率模塊上。
在本實(shí)施例中,所述步驟s40具體為:利用氣源類防吸水材料在所述環(huán)氧塑封層的外表面氣相沉積,以形成所述防吸水層。
可以理解,防吸水材料氣相沉積層具有較好的防吸水性能,可顯著降低整個(gè)功率模塊的吸水性。另外,通過氣相沉積的方式,可在環(huán)氧塑封層外表面的每個(gè)角落都形成有所述防吸水層,以避免防吸水層覆蓋不完全的現(xiàn)象出現(xiàn),同時(shí),易于形成厚度均勻的防吸水層。本實(shí)施例中,具體地,所采用的氣源類防吸水材料優(yōu)選為碳氟氣源等離子體,以在環(huán)氧塑封層的外表面覆蓋一層碳氟氣相沉積層,該碳氟氣相沉積層具體由碳氟有機(jī)化合物所構(gòu)成,此碳氟有機(jī)化合物的表面能低,能在環(huán)氧塑封層外表面形成較強(qiáng)的水汽阻隔能力和較好的疏水能力,從而顯著降低整個(gè)功率模塊的吸水性;然本設(shè)計(jì)不限于此,于其他實(shí)施例中,所采用的氣源類防吸水材料還可但不限于為硅烷氣源等離子體等。
需要說明的是,本設(shè)計(jì)不限于此,于一些其他實(shí)施例中,所述步驟s40還可具體為:利用呈膠狀的防吸水材料對(duì)所述環(huán)氧塑封層的外表面進(jìn)行涂覆,以形成所述防吸水層。可以理解,通過涂覆的方式,也可在環(huán)氧塑封層外表面的每個(gè)角落都形成有所述防吸水層,且涂覆工藝的所需設(shè)備簡單,容易實(shí)現(xiàn)。另外,于再一些其他實(shí)施例中,所述步驟s40還可具體為:將塑封有所述環(huán)氧塑封層的所述功率模塊本體浸入呈膠狀的防吸水材料中,再拿出固化,以形成所述防吸水層。如此,可確保防吸水硅膠層全部覆蓋環(huán)氧塑封層的外表面。通常地,涂覆或浸泡時(shí)所采用的防吸水材料可以為硅膠,而在環(huán)氧塑封層的外表面形成硅膠層,硅膠具有良好的防吸水性??梢岳斫?,無論是涂覆還是浸泡之后,都需要將附著在環(huán)氧塑封層外表面的呈膠狀的防吸水材料進(jìn)行固化,該固化可以是自然固化,也可以是烘烤固化;并且該固化優(yōu)選為烘烤固化,以避免因長時(shí)間的膠流動(dòng),而導(dǎo)至部分區(qū)域的防吸水層出現(xiàn)過薄現(xiàn)象。
可以理解,若防吸水層過厚,防吸水材料需要較多,會(huì)導(dǎo)致成形所述防吸水層所需的成本高,特別地,當(dāng)防吸水層是通過氣相沉積的方式形成時(shí),成形的時(shí)間會(huì)過長,而導(dǎo)致成形效率低。若防吸水層過薄,防吸水能力則可能會(huì)不足,特別地,容易出現(xiàn)有些位置未被覆蓋的現(xiàn)象。為此,本實(shí)施例中,防吸水層的厚度范圍通常為0.1微米至10微米,并且優(yōu)選為1微米至5微米。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是在本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思下,利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換,或直接/間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域均包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。