本發(fā)明涉及集成電路的領(lǐng)域。更特定來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及用于集成電路封裝中的引線(xiàn)框架。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體小型無(wú)引線(xiàn)(son)裝置及四方扁平無(wú)引線(xiàn)(qfn)裝置通常是通過(guò)將多個(gè)集成電路(ic)芯片組裝于金屬引線(xiàn)框架條帶上而制作。引線(xiàn)框架條帶200(圖2)經(jīng)布局以使每一引線(xiàn)框架100(圖1)包含ic芯片墊102(圖1)及經(jīng)協(xié)調(diào)線(xiàn)接合墊104。為了將裝置小型化且節(jié)約引線(xiàn)框架條帶200的布局中的區(qū)，所述布局通常經(jīng)設(shè)計(jì)使得一個(gè)引線(xiàn)框架100的接合線(xiàn)墊104通過(guò)水平鋸割道202及垂直鋸割道204而直接連接到鄰近引線(xiàn)框架100的相應(yīng)線(xiàn)接合墊104。

大多數(shù)引線(xiàn)框架條帶200是由基底金屬(例如銅或包含銅的合金)制成且鍍覆有可焊接金屬層(例如鎳層后接鈀層)。

圖3中所圖解說(shuō)明的橫截面是沿著圖2中的虛線(xiàn)206跨越水平鋸割道204截取。多個(gè)ic芯片304組裝于引線(xiàn)框架條帶200上。在將ic芯片304附接到ic芯片墊102且利用線(xiàn)接合306電連接到線(xiàn)接合墊104之后，將經(jīng)組裝引線(xiàn)框架條帶300囊封于保護(hù)性塑料化合物308中，而不使囊封化合物308覆蓋打算用于焊接的區(qū)310。

隨后，通過(guò)用鋸切斷囊封化合物308以及經(jīng)鍍覆金屬鋸割道202及204而從經(jīng)組裝引線(xiàn)框架條帶300單個(gè)化離散封裝式ic芯片400(圖4a)。由于鋸割步驟，線(xiàn)接合墊104具有側(cè)表面410(圖4a)，在側(cè)表面410處基底金屬因所述鋸割而被暴露。最后，通過(guò)將未被覆蓋區(qū)310焊料連接406到電路板402上的金屬墊404而將離散封裝式ic芯片400組裝于電路板402上，如圖4c中所展示。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

下文呈現(xiàn)經(jīng)簡(jiǎn)化發(fā)明內(nèi)容，以便提供對(duì)本發(fā)明的一或多個(gè)方面的基本理解。此發(fā)明內(nèi)容并非本發(fā)明的擴(kuò)展性概述，且既不打算識(shí)別本發(fā)明的關(guān)鍵或緊要元件，也不打算劃定其范圍。而是，本發(fā)明內(nèi)容的主要目的是以簡(jiǎn)化形式呈現(xiàn)本發(fā)明的一些概念作為稍后所呈現(xiàn)的更詳細(xì)描述的前言。

將ic芯片附接到引線(xiàn)框架條帶且囊封于保護(hù)性塑料化合物中。接著通過(guò)沿著鋸割道將個(gè)別ic芯片鋸割開(kāi)而單個(gè)化個(gè)別ic芯片。在單個(gè)化過(guò)程期間，鋸割會(huì)暴露未受保護(hù)引線(xiàn)框架金屬，所述未受保護(hù)引線(xiàn)框架金屬可能氧化且防止焊料潤(rùn)濕表面及防止在通過(guò)焊接將ic芯片附接到印刷電路板時(shí)形成強(qiáng)接合。

本發(fā)明涉及一種引線(xiàn)框架，其中所述引線(xiàn)框架的在單個(gè)化期間通過(guò)鋸割暴露的外側(cè)壁的大于50％是由焊料組成。本發(fā)明涉及一種引線(xiàn)框架條帶，其中鋸割道及所述引線(xiàn)框架的外表面的大于50％是由焊料組成。本發(fā)明涉及一種形成引線(xiàn)框架條帶的方法，其中所述鋸割道及所述引線(xiàn)框架的所述外表面主要由焊料組成。本發(fā)明涉及一種形成引線(xiàn)框架條帶的方法，其中所述鋸割道及所述引線(xiàn)框架的所述外表面完全由焊料組成。

附圖說(shuō)明

圖1(現(xiàn)有技術(shù))是引線(xiàn)框架的平面圖。

圖2(現(xiàn)有技術(shù))是引線(xiàn)框架條帶的平面圖。

圖3(現(xiàn)有技術(shù))是引線(xiàn)框架條帶上的封裝式ic芯片的橫截面。

圖4a、4b及4c描述通過(guò)焊接將封裝式ic附接到電路板。

圖5a描述根據(jù)實(shí)施例形成的引線(xiàn)框架。

圖5b及5c描述根據(jù)實(shí)施例形成的引線(xiàn)框架條帶。

圖6a及6b是圖解說(shuō)明根據(jù)實(shí)施例形成的引線(xiàn)框架條帶的橫截面。

圖7a及7b是圖解說(shuō)明根據(jù)實(shí)施例形成的引線(xiàn)框架條帶的橫截面。

圖8a到8l是以連續(xù)制作階段描繪的圖6a中的引線(xiàn)框架條帶的橫截面。

圖9a到9l是以連續(xù)制作階段描繪的圖7a中的引線(xiàn)框架條帶的橫截面。

具體實(shí)施方式

參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。所述圖未按比例繪制且其僅經(jīng)提供以圖解說(shuō)明本發(fā)明。為進(jìn)行說(shuō)明，下文參考實(shí)例性應(yīng)用來(lái)描述實(shí)施例的數(shù)個(gè)方面。應(yīng)理解，陳述眾多特定細(xì)節(jié)、關(guān)系及方法以提供對(duì)本發(fā)明的理解。然而，相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易地認(rèn)識(shí)到，可在不使用所述特定細(xì)節(jié)中的一或多者或者使用其它方法的情況下實(shí)踐本發(fā)明。在其它實(shí)例中，未詳細(xì)展示眾所周知的結(jié)構(gòu)或操作以避免使本發(fā)明模糊。實(shí)施例并不受動(dòng)作或事件的所圖解說(shuō)明排序限制，這是因?yàn)橐恍﹦?dòng)作可以不同次序發(fā)生及/或與其它動(dòng)作或事件同時(shí)發(fā)生。此外，并非需要所有所圖解說(shuō)明動(dòng)作或事件來(lái)實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的方法。

通過(guò)用鋸切斷囊封式化合物308以及經(jīng)鍍覆金屬鋸割道202及204(圖2)而從經(jīng)組裝引線(xiàn)框架條帶300單個(gè)化離散封裝式ic芯片400(圖4a)。在常規(guī)引線(xiàn)框架條帶上，由于鋸割步驟，線(xiàn)接合墊104具有側(cè)表面410(圖4a)，在側(cè)表面410處基底金屬被暴露。經(jīng)鋸割暴露基底金屬在暴露于空氣后即刻被氧化。在將封裝式ic芯片400焊接到電路板402之前施加的焊料膏有時(shí)不足以消除氧化。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí)，焊料406無(wú)法潤(rùn)濕線(xiàn)接合墊104的側(cè)壁且不會(huì)形成到封裝式ic芯片400的垂直側(cè)的焊料接合。此可導(dǎo)致封裝式ic芯片400與電路板402之間的弱接合，這可導(dǎo)致封裝式ic芯片400與電路板402之間的電連接的故障或可導(dǎo)致封裝式ic芯片400從電路板402的脫層。此在于使用期間由于電路板402上的機(jī)械應(yīng)力而發(fā)生故障時(shí)尤其成問(wèn)題。

圖5a中圖解說(shuō)明解決接合線(xiàn)墊104的側(cè)壁上的由于鋸割導(dǎo)致的經(jīng)暴露基底金屬的問(wèn)題的實(shí)施例引線(xiàn)框架510。在所述實(shí)施例中，用焊料506替代接合線(xiàn)墊104的通過(guò)鋸割而暴露的側(cè)壁上的基底金屬。

圖5b中的第一實(shí)例性引線(xiàn)框架條帶500由利用水平鋸割道502及垂直鋸割道504而連接在一起的多個(gè)實(shí)施例引線(xiàn)框架510組成。在此實(shí)施例中，用焊料506替代水平鋸割道502及垂直鋸割道504中的基底金屬中的全部或大部分。

圖5c中的第二實(shí)例性引線(xiàn)框架條帶512由利用水平鋸割道508及垂直鋸割道510而連接在一起的多個(gè)實(shí)施例引線(xiàn)框架510組成。在此實(shí)施例中，用焊料506替代水平鋸割道508及垂直鋸割道510的在接合線(xiàn)墊104之間的區(qū)域中的基底金屬中的全部或大部分。鋸割道區(qū)508及510的未連接到線(xiàn)接合墊104的其余部分保持為基底金屬。

圖6a圖解說(shuō)明其中用焊料602替代鋸割道中的在線(xiàn)接合墊104之間的全部基底金屬的實(shí)例。在鋸割之后，如圖6b中所展示，無(wú)基底金屬暴露于線(xiàn)接合墊104的側(cè)壁上。線(xiàn)接合墊104的側(cè)壁上的基底金屬被焊料606替代。此焊料側(cè)壁606與用于將ic芯片400附接到電路板402的焊料608形成強(qiáng)接合。

圖7a圖解說(shuō)明其中用焊料702替代鋸割道中的在線(xiàn)接合墊104之間的基底金屬中的大部分的實(shí)例。在鋸割之后，如圖7b中所展示，僅少量的基底金屬704暴露于線(xiàn)接合墊104的側(cè)壁上。線(xiàn)接合墊104的側(cè)壁上的超過(guò)50％的基底金屬被焊料706替代。側(cè)壁上的此焊料706與用于將ic芯片400附接到電路板402的焊料708形成強(qiáng)接合。

以在圖8a到8l中圖解說(shuō)明主要處理步驟的橫截面來(lái)描述用于以圖6a及6b中的橫截面形成實(shí)施例引線(xiàn)框架條帶的方法。

圖8a展示覆蓋有保護(hù)性干燥膜涂層802的金屬條帶800(引線(xiàn)框架條帶)。用于引線(xiàn)框架條帶制造中的金屬條帶800通常是由銅或銅合金形成。所述保護(hù)性干燥膜涂層可為(舉例來(lái)說(shuō))光致抗蝕劑或經(jīng)電沉積聚酰亞胺。

在圖8b中，將光致抗蝕劑圖案804形成為具有位于ic芯片墊102區(qū)與接合線(xiàn)墊104區(qū)之間的開(kāi)口803以及位于鋸割道504上方且稍寬于鋸割道504的開(kāi)口805。鋸割道504上方的開(kāi)口805暴露鋸割道504的整個(gè)寬度且還暴露附接到鋸割道504的接合線(xiàn)墊104的小的區(qū)。鋸割道504上方的開(kāi)口805可比鋸割道504寬介于約0.06mm到約0.2mm的范圍內(nèi)。在實(shí)例性實(shí)施例中，開(kāi)口805比鋸割道504寬0.06mm。

為了形成圖5b中所展示的引線(xiàn)框架，鋸割道504上方的光致抗蝕劑圖案開(kāi)口805敞開(kāi)整個(gè)鋸割道504。

為了形成圖5c中所展示的引線(xiàn)框架，鋸割道504上方的光致抗蝕劑圖案開(kāi)口805僅敞開(kāi)鄰近引線(xiàn)框架510上的接合線(xiàn)墊104之間的道區(qū)域。鋸割道區(qū)504的其余部分保持為基底金屬。

從敞開(kāi)區(qū)803及805蝕刻干燥膜涂層802，從而暴露引線(xiàn)框架條帶上的基底金屬。

在圖8c中，移除光致抗蝕劑圖案804且從干燥膜涂層中的敞開(kāi)區(qū)蝕刻基底金屬。在ic芯片墊102區(qū)與線(xiàn)接合墊104區(qū)之間將基底金屬蝕穿引線(xiàn)框架條帶800的大約半路806，且還蝕穿鋸割道504及鄰近于鋸割道504的線(xiàn)接合墊104的經(jīng)暴露區(qū)域的大約半路從而形成前側(cè)鋸割道溝槽808。

在圖8d中，移除干燥膜涂層802，且將金屬(例如鎳加鈀或鎳加鈀加金)的薄膜812沉積或電鍍到引線(xiàn)框架條帶800的經(jīng)暴露表面上以增強(qiáng)可焊接性。

在圖8e中，將具有稍寬于前側(cè)經(jīng)半蝕刻鋸割道808的開(kāi)口的前側(cè)絲網(wǎng)印刷掩模816居中定位于第一經(jīng)半蝕刻鋸割道808上方。接著將焊料膏818絲網(wǎng)印刷到引線(xiàn)框架條帶800上，從而完全填充且稍微過(guò)填充前側(cè)鋸割道溝槽808。

接著移除前側(cè)絲網(wǎng)印刷掩模816且使焊料膏818回流(如圖8f中所展示)，以填充前側(cè)鋸割道溝槽808且在線(xiàn)接合墊上形成焊料側(cè)壁606。在此實(shí)施例中，用焊料替代前側(cè)鋸割道溝槽808中的基底金屬以及鄰近于鋸割道504的線(xiàn)接合墊104的經(jīng)半蝕刻區(qū)域中的基底金屬。

現(xiàn)在參考圖8g，將引線(xiàn)框架條帶800上下倒置且將第二保護(hù)性干燥膜涂層820施加到引線(xiàn)框架條帶800的后側(cè)。在引線(xiàn)框架條帶800的后側(cè)上形成第二光致抗蝕劑圖案822，第二光致抗蝕劑圖案822具有暴露ic芯片墊102區(qū)與線(xiàn)接合墊104區(qū)之間的基底金屬的開(kāi)口814以及位于鋸割道504上方且稍寬于鋸割道504的開(kāi)口816。鋸割道504上方的開(kāi)口816可比鋸割道504寬介于約0.06mm到約0.2mm的范圍內(nèi)。在實(shí)例性實(shí)施例中，開(kāi)口816比鋸割道504寬0.06mm。

為了形成圖5b中所展示的引線(xiàn)框架，鋸割道504上方的光致抗蝕劑圖案開(kāi)口816敞開(kāi)整個(gè)鋸割道。

為了形成圖5c中所展示的引線(xiàn)框架，鋸割道504上方的光致抗蝕劑圖案開(kāi)口816僅敞開(kāi)鄰近引線(xiàn)框架510上的接合線(xiàn)墊104之間的鋸割道區(qū)域。

從ic芯片墊102區(qū)與線(xiàn)接合墊104區(qū)之間的開(kāi)口以及鋸割道504及附接到鋸割道504的經(jīng)暴露線(xiàn)接合墊104區(qū)域上方的敞開(kāi)區(qū)域蝕刻干燥膜涂層820。

圖8h展示在蝕刻第二保護(hù)性干燥膜涂層820且移除第二光致抗蝕劑圖案822之后的引線(xiàn)框架條帶800。

在圖8i中，在被第二保護(hù)性干燥膜涂層820中的開(kāi)口暴露之處蝕刻引線(xiàn)框架條帶800的基底金屬。蝕刻ic芯片墊102與線(xiàn)接合墊104之間的開(kāi)口824，使得這些開(kāi)口824與先前從引線(xiàn)框架條帶800的前側(cè)蝕刻的經(jīng)半蝕刻開(kāi)口806結(jié)合。此從ic芯片墊102與線(xiàn)接合墊104之間移除全部基底金屬且將ic芯片墊102與線(xiàn)接合墊104電隔離。還從鋸割道504及鄰近于鋸割道504的線(xiàn)接合墊104的經(jīng)暴露區(qū)域蝕刻基底金屬，此在填充前側(cè)鋸割道溝槽808的經(jīng)回流焊料818上停止。

在圖8j中，移除第二干燥膜涂層820，且將第二金屬830(例如鎳加鈀或鎳加鈀加金)沉積或電鍍到引線(xiàn)框架條帶800的經(jīng)暴露表面上以增強(qiáng)可焊接性。

在圖8k中，將具有位于后側(cè)鋸割道溝槽826上方且稍大于后側(cè)鋸割道溝槽826的開(kāi)口的后側(cè)絲網(wǎng)印刷掩模834放置于引線(xiàn)框架條帶800的后側(cè)上。接著將焊料膏836絲網(wǎng)印刷到引線(xiàn)框架條帶800上以填充且稍微過(guò)填充后側(cè)鋸割道溝槽826。

接著移除后側(cè)絲網(wǎng)印刷掩模834且使焊料膏836回流(如圖8l中所展示)，以完全填充鋸割道504且還用經(jīng)回流焊料836填充線(xiàn)接合墊104的外部分606。在此實(shí)施例中，鋸割道504中的基底金屬完全被焊料602替代。另外，線(xiàn)接合墊104的通過(guò)鋸割暴露的側(cè)壁中的基底金屬也完全被焊料606替代。

如先前所論述，當(dāng)使用此實(shí)施例通過(guò)鋸割而單個(gè)化封裝式ic芯片400時(shí)，無(wú)基底金屬被暴露。在單個(gè)化期間由于鋸割而形成的封裝式ic芯片400上的側(cè)壁完全由焊料606構(gòu)成。如圖6b中所圖解說(shuō)明，使用此實(shí)施例，在通過(guò)焊料608附接到集成電路板402期間形成到封裝式ic芯片400的側(cè)壁的強(qiáng)焊料接合。

以在圖9a到9l中圖解說(shuō)明主要處理步驟的橫截面來(lái)描述用于形成圖7b中所展示的第二實(shí)施例引線(xiàn)框架條帶的方法。

圖9a展示覆蓋有保護(hù)性干燥膜涂層902的金屬引線(xiàn)框架條帶900。經(jīng)蝕刻穿過(guò)引線(xiàn)框架條帶900的開(kāi)口906將ic芯片墊102與線(xiàn)接合墊104電隔離。

在圖9b中，將光致抗蝕劑圖案904形成為具有位于鋸割道504上方且稍寬于鋸割道504的開(kāi)口908。鄰近于鋸割道504的線(xiàn)接合墊104的一小部分被暴露。從敞開(kāi)區(qū)908蝕刻干燥膜涂層902。鋸割道504上方的開(kāi)口908可比鋸割道504寬介于約0.06mm到約0.2mm的范圍內(nèi)。在實(shí)例性實(shí)施例中，開(kāi)口908比鋸割道504寬0.06mm。

為了形成圖5b中所展示的引線(xiàn)框架，鋸割道上方的光致抗蝕劑圖案開(kāi)口908敞開(kāi)整個(gè)鋸割道。

為了形成圖5c中所展示的引線(xiàn)框架，鋸割道504上方的光致抗蝕劑圖案開(kāi)口908僅敞開(kāi)鄰近引線(xiàn)框架510上的接合線(xiàn)墊104之間的鋸割道區(qū)域。

在圖9c中，移除光致抗蝕劑圖案904，且從鋸割道504及線(xiàn)接合墊的經(jīng)暴露區(qū)域部分地蝕刻基底金屬，以形成前側(cè)鋸割道溝槽910。在此實(shí)施例中被移除的基底金屬的厚度小于引線(xiàn)框架條帶900的厚度的一半但超過(guò)所述厚度的四分之一。

在圖9d中，移除干燥膜涂層902，且將金屬膜912(例如鎳加鈀或鎳加鈀加金)沉積或電鍍到引線(xiàn)框架條帶900的經(jīng)暴露表面上以增強(qiáng)可焊接性。

在圖9e中，將具有位于前側(cè)鋸割道溝槽910上方的開(kāi)口的前側(cè)絲網(wǎng)印刷掩模916放置于引線(xiàn)框架條帶900的前側(cè)上。接著將焊料膏918絲網(wǎng)印刷到引線(xiàn)框架條帶900上以完全填充且稍微過(guò)填充前側(cè)鋸割道溝槽910。

接著移除前側(cè)絲網(wǎng)印刷掩模916且使焊料膏918回流(如圖9f中所展示)，從而填充前側(cè)鋸割道溝槽910且用焊料918填充鄰近于鋸割道504的線(xiàn)接合墊104的經(jīng)蝕刻區(qū)域。前側(cè)鋸割道溝槽910中的基底金屬被焊料918替代。另外，鄰近于鋸割道504的線(xiàn)接合墊104的經(jīng)半蝕刻區(qū)域中的基底金屬被焊料918替代。

現(xiàn)在參考圖9g，將引線(xiàn)框架條帶900上下倒置且將第二保護(hù)性干燥膜涂層920施加到引線(xiàn)框架條帶900的后側(cè)。

在圖9h中，形成具有位于鋸割道504上方且稍寬于鋸割道504的開(kāi)口924的第二光致抗蝕劑圖案922。鄰近于鋸割道504的線(xiàn)接合墊104的一小部分也被暴露。

鋸割道504上方的開(kāi)口924可比鋸割道504寬介于約0.06mm到約0.2mm的范圍內(nèi)。在實(shí)例性實(shí)施例中，開(kāi)口924比鋸割道504寬0.06mm。

為了形成圖5b中所展示的引線(xiàn)框架，鋸割道上方的光致抗蝕劑圖案開(kāi)口924敞開(kāi)整個(gè)鋸割道。

為了形成圖5c中所展示的引線(xiàn)框架，鋸割道504上方的光致抗蝕劑圖案開(kāi)口924僅敞開(kāi)鄰近引線(xiàn)框架510上的接合線(xiàn)墊104之間的鋸割道區(qū)域。

接著從敞開(kāi)區(qū)924蝕刻干燥膜涂層920，如圖9h中所展示。

在圖9i中，從鋸割道504部分地蝕刻引線(xiàn)框架條帶900的基底金屬，且還從附接到鋸割道504的線(xiàn)接合墊104的經(jīng)暴露區(qū)域蝕刻所述基底金屬。被移除的基底金屬的厚度小于引線(xiàn)框架條帶900的厚度的一半但超過(guò)所述厚度的四分之一。此形成后側(cè)鋸割道溝槽926且留下跨越鋸割道504的基底金屬條帶928。此基底金屬條帶928跨越鋸割道504將第一引線(xiàn)框架100的線(xiàn)接合墊104連接到第二引線(xiàn)框架100的線(xiàn)接合墊104。此金屬條帶928可給引線(xiàn)框架條帶900增加強(qiáng)化及剛性。

在圖9j中，移除第二干燥膜涂層920，且將第二金屬膜930(例如鎳加鈀或鎳加鈀加金)沉積或電鍍到引線(xiàn)框架條帶900的經(jīng)暴露表面上以增強(qiáng)可焊接性。

在圖9k中，將具有稍大于后側(cè)鋸割道溝槽926的開(kāi)口的后側(cè)絲網(wǎng)印刷掩模934放置于引線(xiàn)框架條帶900的后側(cè)上。接著將焊料膏936絲網(wǎng)印刷到引線(xiàn)框架條帶900上，從而填充且稍微過(guò)填充后側(cè)鋸割道溝槽926。

接著移除后側(cè)絲網(wǎng)印刷掩模934且使焊料膏936回流(如圖9l中所展示)，從而填充后側(cè)鋸割道溝槽926且還用經(jīng)回流焊料936填充經(jīng)部分蝕刻線(xiàn)接合墊。在此實(shí)施例中，鋸割道504中的基底金屬的超過(guò)一半被焊料936替代。另外，線(xiàn)接合墊104的在單個(gè)化期間通過(guò)鋸割暴露的側(cè)壁的超過(guò)一半被焊料936替代，從而僅留下基底金屬704的一小部分暴露于側(cè)壁上。

如先前所論述，當(dāng)利用此實(shí)施例通過(guò)鋸割而單個(gè)化封裝式ic芯片400時(shí)，經(jīng)暴露側(cè)壁的不到一半是基底金屬。如圖7b中所圖解說(shuō)明，通過(guò)用焊料706替代因鋸割而暴露于線(xiàn)接合墊104的側(cè)壁上的超過(guò)一半基底金屬，可在將封裝式ic芯片400焊接到集成電路板402時(shí)形成強(qiáng)可靠接合。

雖然上文已描述本發(fā)明的各種實(shí)施例，但應(yīng)理解，所述實(shí)施例僅通過(guò)實(shí)例而非限制的方式呈現(xiàn)。可在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，根據(jù)本文中的揭示內(nèi)容對(duì)所揭示實(shí)施例做出眾多改變。因此，本發(fā)明的廣度及范圍不應(yīng)受上文所描述實(shí)施例中的任一者限制。而是，本發(fā)明的范圍應(yīng)根據(jù)所附權(quán)利要求書(shū)及其等效形式來(lái)定義。