技術總結
晶圓級封裝LED，涉及LED封裝。設有LED芯片、透鏡、透鏡粘結層，LED芯片設襯底層、摻雜半導體層、半導體發(fā)光層、導電反光層、電極、絕緣層和包覆介質，半導體發(fā)光層設于第一和第二摻雜半導體層之間，導電反光層設于第二摻雜半導體層下方，第二電極通過導電反光層實現(xiàn)與第二摻雜半導體層之間的電導通，第一電極與第一摻雜半導體層直接連接，第一電極與半導體發(fā)光層、第二摻雜半導體層、導電反光層之間由絕緣層絕緣，包覆介質設于LED芯片側壁的非襯底區(qū)域，襯底層內部設有過孔，過孔內壁設高反射率層，透鏡包括平板部和光耦合部，平板部固定至襯底層上，光耦合部設于襯底層內的過孔內，且光耦合部的光接收面朝向第一摻雜半導體層。

技術研發(fā)人員：林岳;郭偉杰;陳忠;呂毅軍
受保護的技術使用者：廈門大學
文檔號碼：201710154359
技術研發(fā)日：2017.03.15
技術公布日：2017.05.31