本發(fā)明涉及顯示裝置，尤其涉及使用有機(jī)el(有機(jī)電致發(fā)光)元件的顯示裝置。

背景技術(shù)：

在使用有機(jī)el元件的顯示裝置中，需要兼顧高發(fā)光效率和低外部光反射率。原理上為了使外部光反射大致為0，在出射側(cè)設(shè)置圓偏光板即可，但是，光取出效率不到一半，無法獲得高發(fā)光效率。這是因?yàn)閬碜杂袡C(jī)el元件的發(fā)光的一半以上也被圓偏光板吸收。

日本特開2003-17264號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中公開了一種顯示裝置，該顯示裝置通過將多個(gè)線狀的第一電極、該第一電極上方的包括發(fā)光層的有機(jī)物層和該有機(jī)物層上方的與第一電極交叉的多個(gè)線狀的第二電極層疊，而具有多個(gè)發(fā)光部。這是通過配置密合地存在于多個(gè)第一電極的下方的光吸收層來在抑制外部光反射的同時(shí)防止亮度的降低的發(fā)明。

特開2004-271963號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)中公開了一種發(fā)明，即在具有發(fā)光元件的顯示裝置中，以與發(fā)光元件接觸的方式設(shè)置太陽(yáng)能電池、非晶硅基板、單晶硅基板、粗面化硅基板、黑色絕緣片等的光吸收層，來抑制外部光反射。

日本特開2003-223993號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)3)中公開了在有機(jī)el元件的下方設(shè)置防反射層來防止外部光反射的顯示裝置。也公開了在有機(jī)el元件與防反射層之間配置電路層、元件基板的例子。

日本特開2005-222724號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)4)中公開了一種發(fā)明，即具備在一對(duì)電極間具有電光學(xué)層的發(fā)光元件的顯示裝置中，一個(gè)電極形成于光吸收層的表面，該光吸收層與一個(gè)電極的形狀對(duì)應(yīng)地圖形化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

在專利文獻(xiàn)1～4中公開的顯示裝置中，由發(fā)光元件的電極引起的外部光反射被光吸收層或者防反射層吸收，因此能夠相當(dāng)大地防止該外部光反射。但是，在有機(jī)el元件和量子點(diǎn)發(fā)光元件的內(nèi)部發(fā)光的光的一半被光吸收層或者防反射層吸收，因此存在發(fā)光效率變低的問題。在專利文獻(xiàn)3中，也有在有機(jī)el元件與防反射層之間設(shè)置有電路層和基板的例子，但是，在電路層具有各種配線、電容電極、tft(thinfilmtransistor，薄膜晶體管)等，在外部光照射到它們的情況下被反射，由此導(dǎo)致對(duì)比度的降低。另外，在外部光照射到tft的情況下成為tft的誤動(dòng)作的原因。僅將基板設(shè)置在有機(jī)el元件與防反射層之間的情況下，無法有效利用設(shè)置有機(jī)el元件的區(qū)域，顯示裝置的高精細(xì)化存在問題。并且，基板與有機(jī)el元件的下部電極之間的界面被粗糙化，擔(dān)心由該界面引起的反射對(duì)顯示造成不良影響。這是因?yàn)椋逵刹Ａ?、聚酰亞胺等形成，其表面的粗糙度、雜質(zhì)等的表面狀態(tài)與電路層以上的層相比沒有嚴(yán)格受到管理。

解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置包括：第一基板；形成在第一基板上的著色層；形成在著色層上的具有第一折射率的透明絕緣層；形成在透明絕緣層上的具有比第一折射率大的第二折射率的第一透明電極；形成在第一透明電極上的具有發(fā)光層的有機(jī)層；和形成在有機(jī)層上的第二透明電極。

本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置包括：第一基板；形成在第一基板上的著色層；形成在著色層上的防反射層，該防反射層由具有第一折射率的多個(gè)第一絕緣層和具有比第一折射率大的第二折射率的多個(gè)第二絕緣層彼此交替層疊而構(gòu)成；形成在防反射層上的第一透明電極；形成在第一透明電極上的具有發(fā)光層的有機(jī)層；和形成在有機(jī)層上的第二透明電極。

本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置包括：第一基板；形成在第一基板上的光學(xué)層；形成在光學(xué)層上的第一透明電極；形成在第一透明電極上的具有發(fā)光層的有機(jī)層；和形成在有機(jī)層上的第二透明電極。光學(xué)層是吸收來自外部的光且反射從發(fā)光層發(fā)出的與第一基板的法線所成的角度大于50度的立體角的光的層。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置的整體俯視圖。

圖2是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置的整體截面圖。

圖3是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置的整體電路圖。

圖4是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置的像素電路圖。

圖5是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置的多個(gè)像素的俯視圖。

圖6是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置的像素的截面圖。

圖7是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的有機(jī)el層的截面圖。

圖8是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示面板內(nèi)外與外部光的關(guān)系的圖。

圖9是表示來自有機(jī)el層的發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光的動(dòng)向的比較例。

圖10是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的來自有機(jī)el層的發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光的動(dòng)向的圖。

圖11是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的來自有機(jī)el層的發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光的入射角的關(guān)系的圖。

圖12是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置的像素的截面圖。

圖13是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置的像素的截面圖。

圖14是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置的像素的截面圖。

圖15是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置的像素的截面圖。

圖16是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置的像素的截面圖。

圖17是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置的像素的截面圖。

圖18是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置的顯示面板的俯視圖。

圖19是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的顯示裝置的顯示面板的端部的截面圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明。但是，本發(fā)明包含多個(gè)不同的方式，不由以下所例示的實(shí)施方式的內(nèi)容限定解釋。為了使說明更加明確，附圖與實(shí)際的情況相比，各部分的寬度、厚度、形狀等有時(shí)示意地表示，只是一個(gè)例子，未必限定本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的內(nèi)容。

<實(shí)施方式1＞

說明第1實(shí)施方式。圖1是顯示裝置dd的整體俯視圖。圖2是說明與顯示裝置dd的y-y'的截面對(duì)應(yīng)的整體截面圖。圖3是顯示裝置dd的整體電路圖。圖4是顯示裝置dd的像素電路圖。圖5是顯示裝置的多個(gè)像素pix的俯視圖。圖6是顯示裝置的像素pix的示意性截面圖。圖7是有機(jī)el層oled的截面圖。圖8是表示顯示面板pnl內(nèi)外與外部光的關(guān)系的圖。圖9是表示來自有機(jī)el層oled的發(fā)光點(diǎn)lep的發(fā)光el的動(dòng)向的比較例。圖10是表示來自有機(jī)el層oled的發(fā)光點(diǎn)lep的發(fā)光el的動(dòng)向的圖。圖11是表示來自有機(jī)el層oled的發(fā)光點(diǎn)lep的發(fā)光el的入射角的關(guān)系的圖。

圖1所示的顯示裝置dd包括顯示面板pnl、半導(dǎo)體裝置ic和撓性印制基板fpc。顯示面板pnl包括tft基板tft-s和以主面與tft基板tft-s的主面相對(duì)的方式設(shè)置的對(duì)置基板cs。具有在俯視時(shí)tft基板tft-s從對(duì)置基板cs露出的區(qū)域，定義為露出區(qū)域exp。

在露出區(qū)域exp中，以經(jīng)未圖示的連接端子與tft基板tft-s連接的方式配置半導(dǎo)體裝置ic，在露出區(qū)域exp的端部，撓性印制基板fpc經(jīng)撓性基板用端子fpc-tr與tft基板tft-s連接。撓性印制基板fpc被供給來自外部的視頻信號(hào)和控制信號(hào)，供給對(duì)顯示面板pnl和半導(dǎo)體裝置ic供給的視頻信號(hào)和控制信號(hào)。半導(dǎo)體裝置ic基于來自撓性印制基板fpc的視頻信號(hào)和控制信號(hào)，進(jìn)行顯示面板的顯示控制。半導(dǎo)體裝置ic可以安裝于撓性印制基板fpc。

在顯示面板pnl的配置對(duì)置基板cs的區(qū)域的與大半的區(qū)域相當(dāng)?shù)闹醒氩烤哂酗@示區(qū)域dp-r。在該顯示區(qū)域dp-r中呈矩陣狀(在x方向和y方向上呈矩陣狀)配置有像素pix。在該顯示區(qū)域dp-r中基于顯示信號(hào)和控制信號(hào)控制各像素pix而顯示顯示圖像。像素pix在xy方向上2×2地成為1個(gè)組，各自顯示紅藍(lán)綠白，該組成為顯示像素而進(jìn)行像素顯示。顯示圖像也呈矩陣狀配置。1個(gè)組未必需要在xy方向上2×2。特別是如果為不使用彩色濾光片的方式，則可以是像素pix在x方向上的3個(gè)組顯示紅藍(lán)綠，該組成為顯示像素而進(jìn)行圖像顯示，也可以是像素pix的y方向的3個(gè)組顯示紅藍(lán)綠，該組成為顯示像素而進(jìn)行圖像顯示。

在顯示面板pnl的配置對(duì)置基板cs的區(qū)域的與大半的區(qū)域相當(dāng)?shù)娘@示區(qū)域dp-r的周邊各自配置周邊電路pc。該周邊電路pc由半導(dǎo)體裝置ic控制。

圖2的顯示裝置dd的顯示面板pnl包括：由pet、聚碳酸酯等樹脂形成的鈍化膜pass-f；在鈍化膜pass-f上比鈍化膜薄的由玻璃或者聚酰亞胺形成的tft基板tft-s；在tft基板tft-s上由多個(gè)無機(jī)膜形成的無機(jī)層iol；在無機(jī)層iol上發(fā)揮光學(xué)作用的光學(xué)層opl；在光學(xué)層opl上形成有多個(gè)有機(jī)el元件的有機(jī)el形成層oled-fl；在有機(jī)el形成層oled-fl上以配置于顯示區(qū)域dp-r的方式由透光性的樹脂形成的充填層fil；在有機(jī)el形成層oled-fl上以包圍充填層fil的方式設(shè)置且通過因熱、紫外線而固化的樹脂或者粉末狀的玻璃熔融而形成的密封件dam；在充填層fil上形成有彩色濾光片的彩色濾光片層cf-fl；在彩色濾光片層cf-fl上由透光性的玻璃或者透光性的聚酰亞胺形成的對(duì)置基板cs；在對(duì)置基板cs上由pet、聚碳酸酯等的透光性的樹脂或者透光性的強(qiáng)度高的玻璃形成且比對(duì)置基板cs厚的鈍化膜pass-cf；和撓性基板用端子fpc-tr。在顯示面板pnl的顯示區(qū)域dp-r內(nèi)配置有多個(gè)像素pix?？梢栽阝g化膜pass-cf、對(duì)置基板cs或者遍及這兩者的區(qū)域形成有觸摸面板。此外，在各實(shí)施方式中，將從tft基板tft-s向?qū)χ没錭s去的方向稱為上，將從對(duì)置基板cs向tft基板tft-s去的方向稱為下。

顯示裝置dd還包括半導(dǎo)體裝置ic和與撓性基板用端子fpc-tr連接的撓性印制基板fpc。

圖3的顯示裝置dd的整體電路具有基于來自撓性印制基板fpc的視頻信號(hào)和控制信號(hào)對(duì)顯示裝置dd進(jìn)行驅(qū)動(dòng)顯示控制的控制器ctrl，控制各周邊電路pc，互換各種信號(hào)。該控制器ctrl形成在半導(dǎo)體裝置ic內(nèi)?？刂破鱟trl將來自撓性印制基板fpc的視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為顯示信號(hào)。周邊電路pc包括電源控制電路pss-c、顯示信號(hào)控制電路di-c和選擇信號(hào)控制電路vs-c。

電源控制電路pss-c與多個(gè)電源線pw-l連接，按照控制器ctrl的控制對(duì)上述電源線pw-l供給各種電源電壓。顯示信號(hào)控制電路di-c與多個(gè)信號(hào)線sig-l連接，基于來自控制器ctrl的顯示信號(hào)和控制對(duì)上述信號(hào)線sig-l供給各種顯示信號(hào)。選擇信號(hào)控制電路vs-c與多個(gè)選擇線sel-l連接，基于來自控制器ctrl的控制對(duì)上述選擇線sel-l供給選擇信號(hào)。

電源線pw-l是在x方向上配置多個(gè)且相互并列，在y方向上延伸的形態(tài)。信號(hào)線sig-l是在x方向上配置多個(gè)且相互并列，在y方向上延伸的形態(tài)。選擇線sel-l是在y方向上配置多個(gè)且相互并列，在x方向上延伸的形態(tài)。在電源線pw-l與選擇線sel-l的交叉部(信號(hào)線sig-l與選擇線sel-l的交叉部)分別設(shè)置有像素pix，呈矩陣狀配置像素pix。

圖4的像素pix包括由nmos形成的寫入晶體管w-tft、由pmos形成的驅(qū)動(dòng)晶體管d-tft、電容元件cap和發(fā)光元件lee，由上述構(gòu)成要素形成像素電路。

寫入晶體管w-tft的一個(gè)源極、漏極端子與信號(hào)線sig-l連接，另一個(gè)源極、漏極端子與驅(qū)動(dòng)晶體管d-tft的柵極端子連接，柵極端子與選擇線sel-l連接。電容元件cap的一個(gè)電極與驅(qū)動(dòng)晶體管d-tft的柵極端子連接，另一個(gè)電極與驅(qū)動(dòng)晶體管d-tft的源極端子連接。驅(qū)動(dòng)晶體管d-tft的源極端子與電源線pw-l連接，漏極端子與發(fā)光元件lee的陽(yáng)極ad連接。發(fā)光元件lee的陰極cd設(shè)置成由各像素pix共用。

圖5表示2×2的像素pix的平面布局。在由點(diǎn)劃線表示的像素pix中分別示出由虛線表示的寫入晶體管w-tft、由虛線表示的驅(qū)動(dòng)晶體管d-tft、由虛線表示的電容元件cap、由實(shí)線表示的發(fā)光元件lee、由虛線表示的陽(yáng)極ad和由虛線表示的接觸件cnt2。在發(fā)光元件lee的外側(cè)配置絕緣堤bank，成為不發(fā)光的區(qū)域。發(fā)光元件lee的區(qū)域?yàn)椴慌渲媒^緣堤bank的開口區(qū)域opn。成為以下形態(tài)，即絕緣堤bank的開口區(qū)域opn配置于配置陽(yáng)極ad的區(qū)域的內(nèi)部。接觸件cnt2是用于將陽(yáng)極ad連接到下層的電極的接觸件。接觸件cnt2與陽(yáng)極ad在俯視時(shí)重疊，在俯視時(shí)與絕緣堤重疊。成為絕緣堤bank覆蓋陽(yáng)極ad的所有周邊端部的形態(tài)。寫入晶體管w-tft的一部分與選擇線sel-l重疊，與陽(yáng)極幾乎不重疊，不與開口區(qū)域opn重疊。驅(qū)動(dòng)晶體管d-tft的大半與開口區(qū)域opn重疊，其大半與電容元件cap重疊，與陽(yáng)極ad重疊。電容元件cap的大半與開口區(qū)域opn重疊，其大半與驅(qū)動(dòng)晶體管d-tft重疊，與陽(yáng)極ad重疊。陽(yáng)極ad的端部的一部分分別與信號(hào)線sig-l、電源線pw-l、選擇線sel-l重疊。

圖6示出像素pix的示意性截面圖，也示出其周邊的截面。鈍化膜pass-f和鈍化膜pass-cf省略。tft基板tft-s上的無機(jī)層iol包括：由硅氮化膜和硅氧化膜的疊層構(gòu)成的基底層bl；配置在基底層bl上的由多晶硅、非晶硅和氧化物半導(dǎo)體中的任一者形成的半導(dǎo)體層sl；配置在基底層和半導(dǎo)體層sl上的柵極絕緣膜gi；隔著柵極絕緣膜gi配置在半導(dǎo)體層sl上的柵極電極ge；配置在柵極絕緣膜gi上的信號(hào)線sig-l和電源線pw-l；配置在柵極絕緣膜gi、柵極電極ge、信號(hào)線sig-l、電源線pw-l上的無機(jī)層間絕緣膜層iil1；配置在無機(jī)層間絕緣膜層iil1上的無機(jī)層間絕緣膜層iil2；配置在無機(jī)層間絕緣膜層iil2上的配線sd；配置在設(shè)置于半導(dǎo)體層sl上的柵極絕緣膜gi、無機(jī)層間絕緣膜層iil1和無機(jī)層間絕緣膜層iil2的開口內(nèi)的由配線sd的材料形成的接觸件cnt1。接觸件cnt1的底部的半導(dǎo)體層sl分別成為驅(qū)動(dòng)晶體管d-tft的源極、漏極。無機(jī)層iol基本上全部由無機(jī)材料形成。柵極絕緣膜gi、無機(jī)層間絕緣膜層iil1、無機(jī)層間絕緣膜層iil2均由硅氮化膜、硅氧化膜、硅碳化膜、硅碳氮化膜、鋁氧化膜、鋁氮化膜那樣的絕緣膜形成。柵極電極ge、信號(hào)線sig-l和電源線pw-l是相同的材料。信號(hào)線sig-l、電源線pw-l、柵極電極ge和配線sd由鋁、鉬、鈦和鎢中的任一者或者其疊層構(gòu)成。

在無機(jī)層iol上配置光學(xué)層opl。光學(xué)層opl包括平坦化膜pf、平坦化膜pf上的光吸收層lal和光吸收層lal上的選擇性反射層srl。平坦化膜pf是由丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂等樹脂形成的有機(jī)層，降低無機(jī)層iol的高低差。光吸收層lal是在丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂等樹脂中混合著色顏料而被著色的層，作為著色顏料主要使用黑色。也可以是藍(lán)色等的視認(rèn)性低的材料。并且，光吸收層lal既可以在樹脂中混合黑色等的著色染料而形成，也可以在樹脂中混合炭黑、鈦黑等的著色材料而形成。另外，作為光吸收層lal可以使用鉻，但是，在該情況下在與和光吸收層lal接觸的電極之間為了確保絕緣性，需要夾著絕緣層等。光吸收層lal的厚度為0.1～1.0μm。當(dāng)比0.1μm薄時(shí)無法充分進(jìn)行光吸收，當(dāng)比1μm厚時(shí)形成時(shí)間變長(zhǎng)。選擇性反射層srl形成為在上下方向上光能夠透過，其是由丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂等樹脂或者硅氧化膜形成的透明絕緣層，其折射率是1.5左右，在1.3～1.6的范圍內(nèi)。選擇性反射層srl的厚度為100nm～1.0μm。當(dāng)比100nm薄時(shí)因光的漏出而無法充分進(jìn)行光的反射，當(dāng)比1μm厚時(shí)形成時(shí)間變長(zhǎng)。

在光學(xué)層opl之上設(shè)置有有機(jī)el元件形成層oled-fl。有機(jī)el元件形成層oled-fl包括：陽(yáng)極ad；覆蓋陽(yáng)極ad的周邊部的絕緣堤bank；覆蓋陽(yáng)極ad和絕緣堤bank的有機(jī)el層oled；覆蓋有機(jī)el層的陰極cd；覆蓋陰極cd的密封膜sf；和將配線sd與陽(yáng)極ad連接的接觸件cnt2。陽(yáng)極ad形成為在上下方向上光能夠透過，由ito、izo等的金屬氧化物的透明導(dǎo)電膜形成。陽(yáng)極ad不使用具有不透過光的厚度的al、ag、mgal、ti、w等的各種金屬層。陽(yáng)極的厚度為10nm～1μm。當(dāng)比10nm薄時(shí)電阻值上升，發(fā)光顯示產(chǎn)生問題，當(dāng)比1μm厚時(shí)形成時(shí)間變長(zhǎng)。

由有機(jī)el層oled產(chǎn)生的光通過陽(yáng)極ad內(nèi)部，一部分被陽(yáng)極ad與選擇性反射層srl的界面反射而取出到外部，一部分透過陽(yáng)極ad和選擇性反射層srl被光吸收層lal吸收，對(duì)此將在后文詳細(xì)敘述。陽(yáng)極ad的折射率是2.0左右，在1.7～2.5的范圍內(nèi)，與選擇性反射層srl相比折射率高。絕緣堤bank是由丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂等樹脂形成的絕緣膜。有機(jī)el層oled是包含發(fā)光層eml的有機(jī)層，其詳細(xì)的構(gòu)造將在后文敘述。有機(jī)el層oled的厚度是0.1～0.5μm，根據(jù)其層構(gòu)造而進(jìn)行各種變化。陰極cd形成為在上下方向上光能夠透過，由ag、mgag等的薄膜金屬或ito、izo等的透明金屬氧化物導(dǎo)電層形成。在由ag、mgag等形成的情況下，成為大致20nm以下，形成得非常薄以使光通過。陽(yáng)極ad、有機(jī)el層oled、陰極cd具有彼此相同程度的折射率，為1.7～2.5之間的折射率。

在有機(jī)el形成層oled-fl上形成有充填層fil。充填層fil是透光性高的材料，由樹脂等形成。在充填層fil上形成有彩色濾光片層cf-fl。彩色濾光片層cf-fl具有紅色濾光片cf-r、綠色濾光片cf-g、藍(lán)色濾光片cf-b和在各色彩色濾光片間設(shè)置的黑矩陣bm。紅色濾光片cf-r通過在樹脂中混合紅色的顏料而形成。同樣，綠色濾光片cf-g通過在樹脂中混合綠色的顏料而形成。藍(lán)色濾光片cf-b通過在樹脂中混合藍(lán)色的顏料而形成。黑矩陣bm是通過在丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂等樹脂中混合黑色顏料而著色或者由鉻等黑色金屬材料形成的層。在彩色濾光片層cf-fl上形成有對(duì)置基板cs。本實(shí)施方式中的厚度、大小等的數(shù)值全都是一個(gè)例子，有時(shí)作為表示各部的大小關(guān)系的基準(zhǔn)使用。

在無機(jī)層iol內(nèi)形成有由虛線表示的驅(qū)動(dòng)晶體管d-tft等的各種晶體管。驅(qū)動(dòng)晶體管d-tft包括半導(dǎo)體層sl、柵極電極ge、存在于由半導(dǎo)體層sl和柵極電極ge夾著的區(qū)域的柵極絕緣膜gi。柵極電極ge正下方的半導(dǎo)體層sl成為驅(qū)動(dòng)晶體管d-tft的溝道，2個(gè)接觸件cnt1正下方的半導(dǎo)體層sl成為驅(qū)動(dòng)晶體管d-tft的源極、漏極。在有機(jī)el形成層oled-fl內(nèi)形成有由虛線表示的發(fā)光元件lee。如圖5所示，形成于在俯視時(shí)不形成絕緣堤bank的區(qū)域，由陽(yáng)極ad、與陽(yáng)極ad接觸的有機(jī)el層oled、與有機(jī)el層oled接觸的陰極cd形成。該發(fā)光元件lee的有機(jī)el層oled發(fā)光。像素pix是圖6所示的范圍，具有一種彩色濾光片。像素pix邊界包括彩色濾光片的邊界，在該邊界配置黑矩陣bm。

圖7所示的有機(jī)el層oled包括：處于陽(yáng)極ad上的空穴注入層hil、空穴注入層hil上的空穴輸送層htl、空穴輸送層htl上的發(fā)光層eml、發(fā)光層eml上的電子輸送層etl和電子輸送層etl上的電子注入層eil。上述各層由已知的有機(jī)材料形成。發(fā)光層eml是有機(jī)發(fā)光材料，因此，形成有機(jī)電致發(fā)光元件，但也可以是使用量子點(diǎn)來替代發(fā)光層eml的方式或者除了發(fā)光層eml的有機(jī)發(fā)光材料之外還添加量子點(diǎn)的方式，在該情況下，發(fā)光元件lee具有qled(量子點(diǎn)發(fā)光電子二極管)的性質(zhì)或者兼有qled和oled(有機(jī)發(fā)光電子二極管)這兩者的性質(zhì)。

如圖8所示，外部光ol通過空氣air中，進(jìn)入顯示面板pnl時(shí)，由于其折射率差，入射角θ'在顯示面板pnl內(nèi)比在空氣air中小。此外，以下所示的角全部是立體角。在此入射角θ'是與顯示裝置dd的顯示面垂直的直線即垂直線vl與外部光ol所成的角。這是因?yàn)?，空氣air的折射率大致為1，而顯示面板pnl的折射率比1大，為2左右。這表示，外部光ol幾乎全部以較小的入射角侵入顯示面板pnl內(nèi)部而被反射。

如圖9所示，發(fā)光元件lee的有機(jī)el層oled的發(fā)光點(diǎn)lep球面sph地各向同性地進(jìn)行發(fā)光el。在發(fā)光時(shí)，發(fā)光元件lee的有機(jī)el層oled能夠看作發(fā)光點(diǎn)lep的集合體。如圖9所示，在沒有選擇性反射層srl而陽(yáng)極ad之下為光吸收層lal的情況下，發(fā)光點(diǎn)的光中比吸收邊界ab靠下側(cè)的部分全部被吸收，該比吸收邊界ab靠下側(cè)的部分相當(dāng)于比球面sph的二分之一靠下側(cè)的部分。所以，光的一半無法利用。外部光ol被光吸收層lal吸收。此外，在有機(jī)el層oled與陽(yáng)極ad的邊界，基本上不發(fā)生發(fā)光el的反射。這是因?yàn)?，與有機(jī)el層oled的折射率相比陽(yáng)極ad的折射率通常較大，發(fā)光el進(jìn)入陽(yáng)極ad內(nèi)。

如圖10所示，與圖9不同，是在陽(yáng)極ad與光吸收層lal之間具有選擇性反射層srl的方式。在該情況下，來自發(fā)光點(diǎn)lep的發(fā)光el僅球面sph中的與吸收區(qū)域aa對(duì)應(yīng)的部分被吸收，除此之外能夠通過反射等取出到外部。發(fā)光el中的一部分被陽(yáng)極ad與選擇性反射層srl的界面反射，被取出到外部。設(shè)垂直線vl與吸收區(qū)域邊界aa-b所成的角為θ，與該角度范圍對(duì)應(yīng)的吸收區(qū)域aa的光被光吸收層lal吸收。

如圖11所示，在設(shè)陽(yáng)極的折射率為n1、選擇性反射層srl的折射率為n2的情況下，滿足反射條件的θ為(式1)那樣的關(guān)系。

sinθ＞n2/n1……(1)

球面sph的面積為(式2)那樣的關(guān)系，與吸收區(qū)域aa對(duì)應(yīng)的球面sph的球面部分的面積為(式3)那樣的關(guān)系。這表示，在θ為50°左右的情況下，被光吸收層lal吸收的發(fā)光el的比例較少，當(dāng)設(shè)定陽(yáng)極ad與選擇性反射層srl的折射率使得θ的值為50°以下時(shí)，能夠制作能夠充分高效率地取出發(fā)光el的顯示裝置dd。圖10所示的外部光ol以θ'那樣的角度入射選擇性反射層srl。該θ'大致比θ小，被光吸收層lal吸收。此外，這種θ的關(guān)系如果選擇在圖6中進(jìn)行了說明的選擇性反射層srl的材料和陽(yáng)極ad的材料，則能夠幾乎全部滿足。

4πr²……(2)

2π(1-cosθ)r²……(3)

如本實(shí)施方式所示，在陽(yáng)極ad之下設(shè)置選擇性反射層srl，并且在選擇性反射層srl之下設(shè)置光吸收層lal的情況下，能夠?qū)l(fā)光元件lee的發(fā)光el的相當(dāng)大的比例取出到外部。并且，由于光吸收層lal幾乎吸收所有的外部光ol，不在對(duì)置基板cs側(cè)設(shè)置圓偏光板也能夠充分防止外部光ol的反射，所以不需要圓偏光板，發(fā)光元件lee的發(fā)光el不會(huì)被圓偏光板去掉一半以上。并且，由于存在光吸收層lal，所以即使在其之下配置各種元件(tft、電容、各種配線)也不會(huì)發(fā)生由該各種元件引起的外部光反射。特別是，也不會(huì)發(fā)生tft接收外部光而進(jìn)行誤動(dòng)作這樣的不良情況。

<實(shí)施方式2＞

在以下的實(shí)施方式中，說明與上述的實(shí)施方式不同之處。對(duì)相同的構(gòu)成要素標(biāo)注與上述的實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記。圖12是顯示裝置的像素pix的示意性截面圖。沒有彩色濾光片層cf-fl而在密封膜sf與充填層fil之間按每個(gè)像素pix分別設(shè)置有彩色濾光片，在紅顯示用的像素pix設(shè)置有紅色濾光片cf-r1，在綠顯示用的像素pix設(shè)置有綠色濾光片cf-g1，在藍(lán)顯示用的像素pix設(shè)置有藍(lán)色濾光片cf-b1。在各彩色濾光片的邊界與充填層fil之間分別配置有黑矩陣bm1。通過像這樣在靠近發(fā)光元件lee的部位設(shè)置彩色濾光片、黑矩陣bm1，能夠可靠地防止光學(xué)混色(相鄰的發(fā)光層eml的光透過彩色濾光片而取出不期望的顏色的光的現(xiàn)象，例如紅色濾光片正下方的發(fā)光層的光透過相鄰的綠色濾光片而取出不期望的顏色的光的現(xiàn)象)。

黑矩陣bm1的端部可以如端部bm-e1那樣與絕緣堤bank的端部對(duì)齊，可以如端部bm-e2那樣與絕緣堤bank的平坦部(頂部)和斜面的邊界部對(duì)齊。通過采用端部bm-e1，能夠更可靠地防止光學(xué)混色。在采用端部bm-e2的情況下，由于絕緣堤bank的形成材料與有機(jī)el層oled的形成材料的不同所導(dǎo)致的材料的差異，發(fā)光點(diǎn)lep的發(fā)光el容易在絕緣堤bank的斜面反射而被取出到外部。這是因?yàn)?，與有機(jī)el層oled的折射率相比絕緣堤bank的折射率低，因此，發(fā)光el難以進(jìn)入絕緣堤bank內(nèi)部，在與有機(jī)el層oled的界面被反射。

<實(shí)施方式3＞

圖13是顯示裝置的像素pix的示意性截面圖。絕緣堤變?yōu)榻^緣堤bank1、處于絕緣堤bank1內(nèi)側(cè)的反射金屬件rm和處于反射金屬件rm內(nèi)側(cè)的絕緣堤bank2。黑矩陣bm的端部與絕緣堤bank2的平坦部(頂部)和斜面的邊界部對(duì)齊。通過像這樣設(shè)計(jì)，不僅能夠有效利用發(fā)光點(diǎn)lep的發(fā)光el中在絕緣堤bank1與有機(jī)el層oled的邊界反射而被取出到外部的部分，而且能夠有效利用發(fā)光點(diǎn)lep的發(fā)光el中在反射金屬件rm與絕緣堤bank1的邊界反射而被取出到外部的部分。通過使用反射金屬件rm，能夠可靠地使發(fā)光el反射，能夠更有效地取出光。關(guān)于實(shí)施方式2中由有機(jī)el層oled與絕緣堤bank的邊界引起的反射，根據(jù)發(fā)光el的入射角會(huì)進(jìn)入絕緣堤bank內(nèi)，因而不能有效地利用，但在本實(shí)施方式中，不會(huì)出現(xiàn)這樣的情況。此外，反射金屬件rm的下端部以不與陽(yáng)極ad接觸的方式夾著某些絕緣物。這是因?yàn)?，如果反射金屬件rm與陽(yáng)極ad接觸，則在相鄰陽(yáng)極ad間產(chǎn)生短路。反射金屬件rm以相鄰陽(yáng)極ad不短路的方式設(shè)置即可，因此可以不在下端部而在頂部設(shè)置缺口。通過使用實(shí)施方式2和3那樣的構(gòu)造，能夠通過使由選擇性反射層srl反射的光有效地被絕緣堤、反射金屬件反射而取出到外部。

<實(shí)施方式4＞

圖14是顯示裝置的像素pix的示意性截面圖。不存在彩色濾光片層cf-fl。并且，有機(jī)el層由按每個(gè)像素pix設(shè)置的進(jìn)行藍(lán)色發(fā)光的有機(jī)el層oled-b、進(jìn)行紅色發(fā)光的有機(jī)el層oled-r和進(jìn)行綠色發(fā)光的有機(jī)el層oled-g構(gòu)成。黑矩陣bm2配置在絕緣堤bank正上方的密封膜sf與充填層fil之間。有機(jī)el邊界部oled-d位于絕緣堤bank上的有機(jī)el層，這成為各個(gè)顏色的有機(jī)el層的邊界。在該邊界中，有機(jī)el層的發(fā)光層eml至少被分?jǐn)?，按每個(gè)有機(jī)el層使用不同的發(fā)光層eml。像這樣有機(jī)el層被分別涂成紅色、藍(lán)色、綠色，因此光學(xué)混色原理上不存在，因此也許能夠看作可以沒有黑矩陣，但在本實(shí)施方式中設(shè)置黑矩陣較好。這是因?yàn)?，在不使用圓偏光板并且沒有黑矩陣bm2的情況下，擔(dān)心照射到接觸件cnt2的外部光的反射。在接觸件cnt2上沒有覆蓋光吸收層lal，并且是嵌入形狀(銷形狀)，因此不知道照射到該處的光如何被反射到外部。因此，黑矩陣bm2應(yīng)為至少覆蓋接觸件cnt2的形態(tài)。

<實(shí)施方式5＞

圖15是顯示裝置的像素pix的示意性截面圖。替代平坦化膜和光吸收層，設(shè)置有具有上述兩者的功能的光吸收平坦化層la-pl。該光吸收平坦化層la-pl是在丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂等樹脂中該混合著色顏料而著色的層，作為著色顏料主要使用黑色。藍(lán)色等的視認(rèn)性低的材料也可以。并且，光吸收平坦化層la-pl也可以通過在樹脂中混合黑色等的著色染料而形成，也可以在樹脂中混合炭黑、鈦黑等的著色材料而形成。另外，作為光吸收平坦化層la-pl可以使用鉻，但是在該情況下，在與和光吸收層lal接觸的電極之間為了確保絕緣性，需要夾著絕緣層等。光吸收平坦化層la-pl的厚度是3～5μm。當(dāng)比3μm薄時(shí)，無法覆蓋其下層的構(gòu)造物地充分進(jìn)行平坦化，當(dāng)比5μm厚時(shí)，形成時(shí)間變長(zhǎng)。通過像這樣形成光學(xué)層opl，制造工藝能夠簡(jiǎn)化。

<實(shí)施方式6＞

圖16是顯示裝置的像素pix的示意性截面圖。替代選擇性反射層srl，設(shè)置由防反射多層膜arml。在陽(yáng)極ad與選擇性反射層srl的界面通常反射5％以下的外部光ol，成為外部光反射的原因。替代選擇性反射層srl，形成防反射多層膜arml，能夠更有效地抑制外部光反射。該防反射多層膜arml是由低折射率膜ln和高折射率膜hn交替層疊的形狀。低折射率膜ln的材料和折射率與上述選擇性反射層srl的材料和折射率相同。高折射率膜hn的材料是硅氮化膜、氧化鈦膜、氧化鋯膜，其折射率是1.7～2.5。形成如下結(jié)構(gòu)：將膜厚設(shè)計(jì)在100nm～1000nm的范圍，使得在低折射率膜ln與高折射率膜hn的界面反射的光和在高折射率膜hn與低折射率膜ln的界面反射的光在光學(xué)上抵消，由此反射率減少。多層膜能夠由一組低折射率膜ln和高折射率膜hn實(shí)現(xiàn)效果，但是，理想上層數(shù)越多越優(yōu)選。

<實(shí)施方式7＞

圖17是顯示裝置的像素pix的示意性截面圖。在選擇性反射層srl與光吸收層lal之間還設(shè)置有透明電極te。該透明電極te是使光上下透過的部件，其材料與陽(yáng)極ad相同。由該透明電極te、陽(yáng)極ad、透明電極te和陽(yáng)極ad之間的選擇性反射層srl形成電容元件cap。該電容元件cap如果將透明電極te擴(kuò)展至設(shè)置有陽(yáng)極ad的面積中的除了設(shè)置有接觸件cnt2的部分的附近以外的部位，則為較大的面積，在使用選擇性反射層srl那樣的低折射率材料的情況下通常介電常數(shù)也變低。因此，也存在電容元件cap的電容值不那么大的情況。因此，在期望電容值進(jìn)一步增大的電容元件cap的情況下，可以在其它的層設(shè)置電容元件或者在透明電極te與陽(yáng)極ad之間還夾著硅氮化膜等的介電常數(shù)高的膜。通過使用這樣的透明電極te，能夠有效地將陽(yáng)極ad下的區(qū)域用于像素電路，有助于布局的縮小。

<實(shí)施方式8＞

圖18是顯示面板pnl的俯視圖。圖19是與顯示面板pnl的x-x'的截面對(duì)應(yīng)的截面圖。以包圍顯示面板pnl的顯示區(qū)域dp-r的方式設(shè)置有水分阻擋構(gòu)造mps。在水分阻擋構(gòu)造的外側(cè)以沿著對(duì)置基板cs的4個(gè)邊的方式設(shè)置有陰極接觸件cdc。在靠近露出區(qū)域exp的、對(duì)置基板cs的2個(gè)角部附近也設(shè)置有陰極接觸件cdc。

如圖19所示，在顯示區(qū)域dp-r配置有多個(gè)像素pix。在其x'側(cè)配置有水分阻擋區(qū)域mp-r。在水分阻擋區(qū)域mp-r具有水分阻擋構(gòu)造mps，成為無機(jī)層iol與陰極cd接觸的形態(tài)。在它們之間可以插入其它的無機(jī)層。通過像這樣設(shè)置水分阻擋構(gòu)造mps，水分、氧等對(duì)有機(jī)el層oled產(chǎn)生不良影響的物質(zhì)不會(huì)從外部向顯示區(qū)域dp-r側(cè)侵入。在設(shè)置該水分阻擋構(gòu)造mps時(shí)，除去光學(xué)層opl，也除去光吸收層lal、選擇性反射層srl。該除去而形成的開口部是水分阻擋構(gòu)造開口mps-opn。在沒有光吸收層lal的狀態(tài)下，外部光ol入射而到達(dá)無機(jī)層iol的情況下，光到達(dá)無機(jī)層iol內(nèi)的各種元件，成為外部光反射、tft的誤動(dòng)作的原因。因此，以至少與該水分阻擋構(gòu)造開口mps-opn對(duì)應(yīng)的方式在密封膜sf上設(shè)置黑矩陣bm-mps。通過像這樣設(shè)置，能夠防止上述那樣的外部光反射、tft的誤動(dòng)作。

在水分阻擋區(qū)域mp-r的x'側(cè)設(shè)置有陰極接觸件區(qū)域cdc-r。處于該部位的陰極接觸件cdc是為了避免進(jìn)行顯示動(dòng)作時(shí)的陰極cd的電壓上升而用于降低陰極電阻的構(gòu)造。陰極接觸件cdc是規(guī)定的配線構(gòu)造，設(shè)置在選擇性反射層srl上，與陰極cd連接。該陰極接觸件cdc由與柵極電極ge相同的材料形成。因此，在該處入射外部光ol的情況下，產(chǎn)生反射，因此為了防止該反射而設(shè)置有黑矩陣bm-cdc。

在陰極接觸件區(qū)域cdc-r的x'側(cè)設(shè)置有密封區(qū)域es-r。在密封區(qū)域es-r的tft基板tft-s端部，光學(xué)層opl、絕緣堤bank等被除去，成為密封膜sf與無機(jī)層iol接觸的形態(tài)，不從外部侵入水和氧等。在密封膜sf之上具有密封件dam，在密封件dam內(nèi)部為了將對(duì)置基板cs和tft基板tft-s之間的距離保持為一定而設(shè)置有多個(gè)珠bz，珠bz為與密封膜sf及對(duì)置基板cs接觸的形態(tài)。在本實(shí)施方式中，將黑矩陣bm-mps和黑矩陣bm-cdc各自設(shè)置于需要的部位，但也可以設(shè)置跨越水分阻擋區(qū)域mp-r、陰極接觸件區(qū)域cdc-r和密封區(qū)域es-r的黑矩陣。

本說明書中公開的實(shí)施方式在所有方面都是例示，應(yīng)認(rèn)為這些實(shí)施方式并不是限制性的內(nèi)容。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書表示，而不由上述內(nèi)容表示，包含與權(quán)利要求書均等的意思和范圍內(nèi)的所有變更。另外，各實(shí)施方式所記載的技術(shù)特征能夠相互組合，通過組合能夠形成新的技術(shù)特征。例如在實(shí)施方式1至5中任一者的技術(shù)思想中附加實(shí)施方式6至8中任一者的技術(shù)思想的方式，也包含于本發(fā)明的技術(shù)思想。