本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，隨著顯示技術(shù)的發(fā)展以及人們對(duì)視覺(jué)感受的要求逐漸提高，高分辨率和低功耗的顯示器件越來(lái)越受到人們的關(guān)注。

通常，為了降低顯示器件的功耗，在層疊設(shè)置的電極之間、電極線(xiàn)之間或者電極與電極線(xiàn)之間設(shè)置有有機(jī)絕緣層。有機(jī)絕緣層的引入可以增大電極之間、電極線(xiàn)之間或者電極與電極線(xiàn)之間的距離，從而可以減小寄生電容，進(jìn)而可以降低顯示器件的功耗。通常，在有機(jī)絕緣層的表面還需要再設(shè)置一層無(wú)機(jī)鈍化層，以進(jìn)一步地降低功耗，以及防止暴露的金屬線(xiàn)或者金屬電極被氧化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種基板,該基板包括襯底基板；設(shè)置在所述襯底基板上的柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，所述柵線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)交叉限定像素區(qū)域；設(shè)置在所述像素區(qū)域中的薄膜晶體管；依次設(shè)置在所述薄膜晶體管上的有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)鈍化層；所述有機(jī)絕緣層至少在與所述無(wú)機(jī)鈍化層相接觸的部分設(shè)置有凹凸不平的結(jié)構(gòu)。

例如，在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的基板中，所述凹凸不平的結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)凹面結(jié)構(gòu)。

例如，在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的基板中，所述有機(jī)絕緣層中設(shè)置有用于電連接的過(guò)孔結(jié)構(gòu)，所述有機(jī)絕緣層至少在所述過(guò)孔結(jié)構(gòu)的周邊區(qū)域中與所述無(wú)機(jī)鈍化層相接觸的部分設(shè)置有所述凹面結(jié)構(gòu)。

例如，在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的基板中，所述凹面結(jié)構(gòu)至少分布在距離所述過(guò)孔結(jié)構(gòu)的預(yù)設(shè)距離內(nèi)。

例如，在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的基板中，所述凹面結(jié)構(gòu)在所述有機(jī)絕緣層的表面呈均勻分布。

例如，在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的基板中，距離所述過(guò)孔結(jié)構(gòu)越遠(yuǎn)，所述凹面結(jié)構(gòu)的密集程度越大。

例如，在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的基板中，距離所述過(guò)孔結(jié)構(gòu)越遠(yuǎn)，所述凹面結(jié)構(gòu)的橫截面積越大。

例如，在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的基板中，所述有機(jī)絕緣層的厚度為1～3μm，所述過(guò)孔結(jié)構(gòu)貫穿所述有機(jī)絕緣層，所述凹面結(jié)構(gòu)在垂直于所述襯底基板的方向上的尺寸與所述過(guò)孔結(jié)構(gòu)在垂直于所述襯底基板的方向上的尺寸之比為1/4～1/2。

例如，在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的基板中，所述凹面結(jié)構(gòu)的縱截面形狀包括半圓形、半橢圓形、矩形和梯形中的至少之一。

例如，在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的基板中，在所述有機(jī)絕緣層和所述無(wú)機(jī)鈍化層之間形成有第一電極，所述第一電極通過(guò)所述過(guò)孔結(jié)構(gòu)與所述薄膜晶體管的漏極電連接。

例如，在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的基板中，所述有機(jī)絕緣層的材料包括聚酰亞胺、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物、丙烯酸樹(shù)脂或者聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯中的一種或多種。

本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的基板，還包括：設(shè)置在所述無(wú)機(jī)鈍化層上的第二電極，其中，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。

本發(fā)明至少一實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括上述任一項(xiàng)基板。

本發(fā)明至少一實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述任一項(xiàng)顯示面板。

本發(fā)明至少一實(shí)施例還提供一種基板的制備方法，該制備方法包括：提供襯底基板；在所述襯底基板上形成柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，所述柵線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)交叉限定像素區(qū)域；在所述像素區(qū)域中形成薄膜晶體管；在所述薄膜晶體管上依次形成有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)鈍化層；其中，所述有機(jī)絕緣層至少在與所述無(wú)機(jī)鈍化層相接觸的部分設(shè)置有凹凸不平的結(jié)構(gòu)。

本公開(kāi)通過(guò)將有機(jī)絕緣層的至少與無(wú)機(jī)鈍化層相接觸的部分設(shè)置成凹凸不平的結(jié)構(gòu)來(lái)增加無(wú)機(jī)鈍化層與有機(jī)絕緣層的接觸面積，從而釋放了無(wú)機(jī)鈍化層中易于導(dǎo)致裂紋的內(nèi)應(yīng)力，進(jìn)而減少或者消除了無(wú)機(jī)鈍化層脫落現(xiàn)象的發(fā)生。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例，而非對(duì)本發(fā)明的限制。

圖1為一種膜層脫落的掃描電鏡圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)鈍化層的透視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖4所示結(jié)構(gòu)沿A-B切割后的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明再一實(shí)施例提供的一種有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)鈍化層的透視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為圖6所示結(jié)構(gòu)沿A-B切割后的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的一種有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)鈍化層的透視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為圖8所示結(jié)構(gòu)沿A-B切割后的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種顯示面板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種顯示裝置的框圖；

圖12為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種基板的制備方法的流程圖。

附圖標(biāo)記：

01-基板；2-漏極；3-源極；4-有源層；5-柵絕緣層；6-柵極；7-襯底基板；8-第二電極；9-第一電極；10-無(wú)機(jī)鈍化層；11-有機(jī)絕緣層；12-過(guò)孔結(jié)構(gòu)；13-柵線(xiàn)；14-數(shù)據(jù)線(xiàn)；15-像素區(qū)域；16-薄膜晶體管；17-凹面結(jié)構(gòu)；20-顯示面板；21-對(duì)置基板；22-液晶分子；30-顯示裝置。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

除非另外定義，本公開(kāi)使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開(kāi)中使用的“第一”、“第二”以及類(lèi)似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮?lèi)似的詞語(yǔ)意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類(lèi)似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

在制備顯示器件的過(guò)程中，為了降低顯示器件的功耗、提高顯示器件的分辨率，往往會(huì)在層疊設(shè)置的電極之間、電極線(xiàn)之間或者電極與電極線(xiàn)之間設(shè)置有機(jī)絕緣層，以增大電極之間、電極線(xiàn)之間或者電極與電極線(xiàn)之間的距離，從而減小寄生電容，進(jìn)而降低顯示器件的功耗。在有機(jī)絕緣層的表面還可以再設(shè)置一層無(wú)機(jī)鈍化層，以進(jìn)一步地降低功耗，以及防止暴露在外的金屬線(xiàn)或者金屬電極被氧化。然而，在形成有機(jī)絕緣層后，在后續(xù)的高溫處理過(guò)程中，有機(jī)絕緣層中的溶劑會(huì)揮發(fā)出來(lái)，從而形成在其上的無(wú)機(jī)鈍化層容易從有機(jī)絕緣層上脫落，進(jìn)而導(dǎo)致顯示器件顯示不良。本公開(kāi)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)無(wú)機(jī)鈍化層脫落的區(qū)域往往不在過(guò)孔結(jié)構(gòu)處，而是在過(guò)孔結(jié)構(gòu)的周邊，例如，圖1為一種膜層脫落的掃描電鏡圖，如圖所示，在過(guò)孔結(jié)構(gòu)之間的無(wú)機(jī)鈍化層和形成在無(wú)機(jī)鈍化層上的電極層脫落相對(duì)更嚴(yán)重，可以通過(guò)改變過(guò)孔結(jié)構(gòu)周邊有機(jī)絕緣層的結(jié)構(gòu)來(lái)減少無(wú)機(jī)鈍化層脫落現(xiàn)象的發(fā)生。

本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種基板，該基板包括：襯底基板；設(shè)置在襯底基板上的柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，該柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)交叉限定像素區(qū)域；設(shè)置在像素區(qū)域中的薄膜晶體管；依次設(shè)置在薄膜晶體管上的有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)鈍化層；該有機(jī)絕緣層至少在與無(wú)機(jī)鈍化層相接觸的部分設(shè)置有凹凸不平的結(jié)構(gòu)。

本公開(kāi)通過(guò)將有機(jī)絕緣層的至少與無(wú)機(jī)鈍化層相接觸的部分設(shè)置成凹凸不平的結(jié)構(gòu)來(lái)增加無(wú)機(jī)鈍化層與有機(jī)絕緣層的接觸面積，從而釋放了無(wú)機(jī)鈍化層中易于導(dǎo)致裂紋的內(nèi)應(yīng)力，進(jìn)而減少或者消除了無(wú)機(jī)鈍化層脫落現(xiàn)象的發(fā)生。

下面通過(guò)幾個(gè)實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。

實(shí)施例一

本實(shí)施例提供一種基板，例如，圖2為本實(shí)施例提供的一種基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為本實(shí)施例提供的一種基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2和圖3所示，該基板01包括：襯底基板7；設(shè)置在襯底基板7上的柵線(xiàn)13和數(shù)據(jù)線(xiàn)14，該柵線(xiàn)13和數(shù)據(jù)線(xiàn)14交叉限定像素區(qū)域15；設(shè)置在像素區(qū)域15中的薄膜晶體管16；依次設(shè)置在該薄膜晶體管16上的有機(jī)絕緣層11和無(wú)機(jī)鈍化層10；該有機(jī)絕緣層11至少在與無(wú)機(jī)鈍化層10相接觸的部分設(shè)置成凹凸不平的結(jié)構(gòu)，即有機(jī)絕緣層11至少在與無(wú)機(jī)鈍化層10直接接觸的界面被設(shè)置為凹凸不平。

例如，該凹凸不平的結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)凹面結(jié)構(gòu)。

需要說(shuō)明的是，該凹凸不平的結(jié)構(gòu)是指根據(jù)需要針對(duì)有機(jī)絕緣層而設(shè)置的結(jié)構(gòu)，區(qū)別于常規(guī)的制作方法中避免不了出現(xiàn)的不平整狀態(tài)，該凹凸不平的結(jié)構(gòu)也區(qū)別于起連接作用的過(guò)孔結(jié)構(gòu)，該凹凸不平的結(jié)構(gòu)可以包括相對(duì)于襯底基板凹陷的結(jié)構(gòu)，也包括相對(duì)于襯底基板凸起的結(jié)構(gòu)。該凹凸不平的結(jié)構(gòu)可以為凹面結(jié)構(gòu)也可以為凸出結(jié)構(gòu)，或者為凹面結(jié)構(gòu)和凸出結(jié)構(gòu)的組合，該凹面結(jié)構(gòu)相對(duì)于平坦表面的整體而言呈凹入狀態(tài)，而該凸出結(jié)構(gòu)相對(duì)于平坦表面的整體而言呈凸出狀態(tài)。下面以該凹凸不平的結(jié)構(gòu)為凹面結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說(shuō)明，但是本公開(kāi)的實(shí)施例不限于此。

例如，該薄膜晶體管16可以為底柵型薄膜晶體管，也可以為頂柵型薄膜晶體管，還可以為雙柵型薄膜晶體管。如圖3所示，以底柵型薄膜晶體管為例加以說(shuō)明，該薄膜晶體管包括設(shè)置在襯底基板7上的與柵線(xiàn)13連接的柵極6；設(shè)置在柵線(xiàn)13和柵極6上的柵絕緣層5，設(shè)置在柵絕緣層5上的與柵極6相對(duì)應(yīng)的有源層4，漏極2和源極3。該薄膜晶體管16作為形成在像素區(qū)域15中的子像素的開(kāi)關(guān)元件。

例如，柵絕緣層5的材料包括氧化硅、氮化硅；用于有源層4的材料包括非晶硅、金屬氧化物半導(dǎo)體以及有機(jī)物半導(dǎo)體等；用于漏極2和源極3的材料可以為銅、銅合金、鋁、鋁合金、鉬、鉬合金或其他適合的材料。

例如，襯底基板7包括透明絕緣基板，其材料可以是玻璃、石英、塑料或其他適合的材料。

例如，如圖2所示，兩條柵線(xiàn)13和兩條數(shù)據(jù)線(xiàn)14交叉設(shè)置限定像素區(qū)域15。圖3只示出了兩條柵線(xiàn)13和兩條數(shù)據(jù)線(xiàn)14，可以在襯底基板7上設(shè)置多條柵線(xiàn)13和多條數(shù)據(jù)線(xiàn)14。柵線(xiàn)13包括從其上分叉的多個(gè)柵極16，柵信號(hào)通過(guò)柵線(xiàn)13被施加到柵極16上。

例如，可用于柵線(xiàn)13和數(shù)據(jù)線(xiàn)14的材料包括銅、銅合金、鋁、鋁合金、鉬、鉬合金或其他適合的材料。

例如，如圖2和圖3所示，在有源層4、漏極2和源極3上設(shè)置有有機(jī)絕緣層11，在有機(jī)絕緣層11上設(shè)置有用于電連接的過(guò)孔結(jié)構(gòu)12，第一電極9通過(guò)該過(guò)孔結(jié)構(gòu)12與漏極2電連接。

例如，如圖3所示，薄膜晶體管的源極3與數(shù)據(jù)線(xiàn)14電連接或一體形成。

例如，有機(jī)絕緣層11至少在過(guò)孔結(jié)構(gòu)12的周邊區(qū)域中與無(wú)機(jī)鈍化層10相接觸的部分設(shè)置有凹面結(jié)構(gòu)。例如，至少在如圖3中虛線(xiàn)框所示的區(qū)域設(shè)置有凹面結(jié)構(gòu)。需要說(shuō)明的是，在這里，過(guò)孔結(jié)構(gòu)12的周邊區(qū)域是指有機(jī)絕緣層中相鄰的兩個(gè)過(guò)孔結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域。

例如，有機(jī)絕緣層11與第一電極9接觸的部分也可以設(shè)置凹面結(jié)構(gòu)，這樣可以增強(qiáng)第一電極9和有機(jī)絕緣層11之間的粘附能力。

例如，凹面結(jié)構(gòu)至少分布在距離過(guò)孔結(jié)構(gòu)12的預(yù)設(shè)距離內(nèi)。該預(yù)設(shè)距離例如為有機(jī)絕緣層中相鄰的兩個(gè)過(guò)孔結(jié)構(gòu)之間距離的一半，又例如為有機(jī)絕緣層中相鄰的兩個(gè)過(guò)孔結(jié)構(gòu)之間距離的三分之一。

例如，該凹面結(jié)構(gòu)的縱截面形狀包括半圓形、半橢圓形、矩形和梯形中的至少之一。

例如，圖4為本實(shí)施例提供的一種有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)鈍化層的透視結(jié)構(gòu)示意圖，圖5為圖4所示結(jié)構(gòu)沿A-B切割后的截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4和圖5所示，該凹面結(jié)構(gòu)17的橫截面的形狀為圓形，該凹面結(jié)構(gòu)17增大了有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)鈍化層的接觸面積，使無(wú)機(jī)鈍化層的裂紋應(yīng)力得以釋放，從而可以減少或者消除無(wú)機(jī)鈍化層脫落的現(xiàn)象。

例如，如圖4所示，該凹面結(jié)構(gòu)17在有機(jī)絕緣層11的表面呈均勻分布，即凹面結(jié)構(gòu)17在有機(jī)絕緣層11的表面間隔均勻。

例如，如圖4所示，距離過(guò)孔結(jié)構(gòu)12越遠(yuǎn)，凹面結(jié)構(gòu)17的橫截面積越大。即在圖4中，從左至右，凹面結(jié)構(gòu)的橫截面積越大逐漸增大。

例如，圖6為本實(shí)施例提供的再一種有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)鈍化層的透視結(jié)構(gòu)示意圖，圖7為圖6所示結(jié)構(gòu)沿A-B切割后的截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6和圖7所示，該凹面結(jié)構(gòu)17的橫截面的形狀為矩形，縱截面的形狀為梯形，該凹面結(jié)構(gòu)17增大了有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)鈍化層的接觸面積，使無(wú)機(jī)鈍化層易于造成裂紋的內(nèi)應(yīng)力得以釋放，從而可以減少或者消除無(wú)機(jī)鈍化層脫落現(xiàn)象的發(fā)生。

例如，如圖6和圖7所示，距離過(guò)孔結(jié)構(gòu)越遠(yuǎn)，凹面結(jié)構(gòu)的密集程度(單位面積內(nèi)的數(shù)量)越大。即在圖6和圖7中，從左至右，凹面結(jié)構(gòu)的密集程度逐漸增大。過(guò)孔結(jié)構(gòu)的存在減小了無(wú)機(jī)鈍化層脫落的風(fēng)險(xiǎn)，在距離過(guò)孔結(jié)構(gòu)越遠(yuǎn)的區(qū)域，無(wú)機(jī)鈍化層脫落的風(fēng)險(xiǎn)越大，可以通過(guò)在距離過(guò)孔結(jié)構(gòu)越遠(yuǎn)的區(qū)域增加凹面結(jié)構(gòu)的密集程度來(lái)增加有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)鈍化層的接觸面積，從而可以減少或者消除無(wú)機(jī)鈍化層脫落現(xiàn)象的發(fā)生。

例如，圖8為本實(shí)施例提供的又一種有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)鈍化層的透視結(jié)構(gòu)示意圖，圖9為圖8所示結(jié)構(gòu)沿A-B切割后的截面結(jié)構(gòu)示意圖。例如，在圖8所示的結(jié)構(gòu)中，凹面結(jié)構(gòu)的橫截面為矩形，凹面結(jié)構(gòu)的縱截面為倒梯形，這樣進(jìn)一步地增大了鈍化層和有機(jī)絕緣層的接觸面積，減小了鈍化層從有機(jī)絕緣層上脫落的可能性。

例如，該有機(jī)絕緣層上的凹面結(jié)構(gòu)的橫截面或者縱截面的形狀可以各不相同。

例如，該有機(jī)絕緣層的厚度為大約1～3μm，例如，1μm、1.5μm、2μm或者3μm。過(guò)孔結(jié)構(gòu)貫穿該有機(jī)絕緣層11，凹面結(jié)構(gòu)17在垂直于襯底基板的方向上的尺寸與過(guò)孔結(jié)構(gòu)在垂直于襯底基板的方向上的尺寸之比為1/4～1/2，即凹面結(jié)構(gòu)17與過(guò)孔結(jié)構(gòu)的深度之比為1/4～1/2。如圖9所示，凹面結(jié)構(gòu)17在垂直于襯底基板的方向上的尺寸為d1，過(guò)孔結(jié)構(gòu)在垂直于襯底基板的方向上的尺寸為有機(jī)絕緣層11的厚度，即為d2。例如，過(guò)孔結(jié)構(gòu)的深度為1～3μm，則過(guò)孔結(jié)構(gòu)12的深度為0.25～1.5μm，例如，0.25μm、1μm、1.25μm或者1.5μm。將凹面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)成上述尺寸可以增大鈍化層和有機(jī)絕緣層的接觸面積，同時(shí)還可以減小電極與電極之間、電極與電極線(xiàn)之間或者電極線(xiàn)與電極線(xiàn)之間的電容。

例如，該有機(jī)絕緣層11的材料包括聚酰亞胺、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物、丙烯酸樹(shù)脂或者聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯中的一種或多種。

例如，該無(wú)機(jī)鈍化層10的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、二氧化鈦或者三氧化二鋁中的一種或多種。

例如，如圖3所示，該基板01還包括設(shè)置在無(wú)機(jī)鈍化層10上的第二電極8，這樣，第一電極9為像素電極，第二電極8為公共電極。

例如，該第一電極9和第二電極8可以由透明導(dǎo)電材料或金屬材料形成，例如，該透明導(dǎo)電材料包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋅(GZO)氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)、氧化鋁鋅(AZO)和碳納米管等。該金屬材料包括銀、鋁等。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供一種顯示面板，該顯示面板包括實(shí)施例一中的任一基板。

例如，該基板可應(yīng)用于例如液晶顯示面板、有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板、電子紙顯示面板等。

例如，圖10為本實(shí)施例提供的一種顯示面板的截面結(jié)構(gòu)示意圖。例如，以液晶顯示面板為例加以說(shuō)明，如圖10所示，該顯示面板20包括實(shí)施例一中的任一基板01、與襯底基板7平行設(shè)置的對(duì)置基板21和設(shè)置于基板01和對(duì)置基板之間21的液晶分子22。例如，該基板01例如為陣列基板，該對(duì)置基板21例如為彩膜基板，陣列基板與彩膜基板21彼此對(duì)置以形成液晶盒。

例如，當(dāng)該顯示面板為有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板時(shí)，基板上還形成有有機(jī)發(fā)光材料疊層，例如，該有機(jī)發(fā)光材料疊層可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。每個(gè)像素單元的像素電極作為陽(yáng)極或陰極用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光材料發(fā)光以進(jìn)行顯示操作。

例如，當(dāng)該顯示面板為電子紙顯示面板時(shí)，基板上還形成有電子墨水層，每個(gè)像素單元的像素電極作為用于施加驅(qū)動(dòng)電子墨水中的帶電微顆粒移動(dòng)以進(jìn)行顯示操作的電壓。

實(shí)施例三

本發(fā)明至少一實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括實(shí)施例二中的任一顯示面板。例如，圖11為本實(shí)施例提供的一種顯示裝置的框圖。如圖11所示，該顯示裝置30包括顯示面板20。

該顯示裝置30的一個(gè)示例為液晶顯示裝置，其中，基板與對(duì)置基板彼此對(duì)置以形成液晶盒，在液晶盒中填充有液晶材料。該對(duì)置基板例如為彩膜基板。該基板為陣列基板，陣列基板的每個(gè)子像素的像素電極用于施加電場(chǎng)對(duì)液晶材料的旋轉(zhuǎn)的程度進(jìn)行控制從而進(jìn)行顯示操作。在一些示例中，該液晶顯示裝置還包括為陣列基板提供背光的背光源。

該顯示裝置30的另一個(gè)示例為有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(OLED)，其中，基板上形成有有機(jī)發(fā)光材料疊層，每個(gè)像素單元的像素電極作為陽(yáng)極或陰極用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光材料發(fā)光以進(jìn)行顯示操作。

該顯示裝置30的再一個(gè)示例為電子紙顯示裝置，其中，基板上形成有電子墨水層，每個(gè)像素單元的像素電極作為用于施加驅(qū)動(dòng)電子墨水中的帶電微顆粒移動(dòng)以進(jìn)行顯示操作的電壓。

例如，該顯示裝置30中的其他結(jié)構(gòu)可參見(jiàn)常規(guī)設(shè)計(jì)。該顯示裝置例如可以為手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對(duì)于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。該顯示裝置的實(shí)施可以參見(jiàn)上述有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。

實(shí)施例四

本實(shí)施例提供一種基板的制備方法。例如，圖12為實(shí)施例提供的一種基板的制備方法的流程圖，該制備方法包括：

S101：提供襯底基板；

例如，該襯底基板可以是透明絕緣基板，其材料可以是玻璃、石英、塑料或者其他適合的材料。

S102：在襯底基板上形成柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，該柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)交叉限定像素區(qū)域；

例如，兩條柵線(xiàn)和兩條數(shù)據(jù)線(xiàn)交叉設(shè)置限定像素區(qū)域。柵線(xiàn)包括從其上分叉的多個(gè)柵極，柵信號(hào)通過(guò)柵線(xiàn)被施加到柵極上。

例如，可用于柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)的材料包括銅、銅合金、鋁、鋁合金、鉬、鉬合金或其他適合的材料。

S103：在像素區(qū)域中形成薄膜晶體管；

例如，該薄膜晶體管可以為底柵型薄膜晶體管，也可以為頂柵型薄膜晶體管，還可以為雙柵型薄膜晶體管。以底柵型薄膜晶體管為例加以說(shuō)明，該薄膜晶體管包括設(shè)置在襯底基板上的與柵線(xiàn)連接的柵極；設(shè)置在柵線(xiàn)和柵極上的柵絕緣層；設(shè)置在柵絕緣層上的與柵極相對(duì)應(yīng)的有源層、源極和漏極，該薄膜晶體管可以作為形成在像素區(qū)域中的子像素的開(kāi)關(guān)元件。

例如，柵絕緣層的材料包括氧化硅、氮化硅；用于有源層的材料包括非晶硅、金屬氧化物半導(dǎo)體以及有機(jī)物半導(dǎo)體等；用于源極和漏極的材料可以為銅、銅合金、鋁、鋁合金、鉬、鉬合金或其他適合的材料。

S104：在該薄膜晶體管上依次形成有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)鈍化層，該有機(jī)絕緣層至少在與無(wú)機(jī)鈍化層相接觸的部分設(shè)置有凹凸不平的結(jié)構(gòu)。

需要說(shuō)明的是，該凹凸不平的結(jié)構(gòu)是指根據(jù)需要針對(duì)有機(jī)絕緣層而設(shè)置的結(jié)構(gòu)，區(qū)別于常規(guī)的制作方法中避免不了出現(xiàn)的不平整狀態(tài)，該凹凸不平的結(jié)構(gòu)也區(qū)別于起連接作用的過(guò)孔結(jié)構(gòu)，該凹凸不平的結(jié)構(gòu)可以包括相對(duì)于襯底基板凹陷的結(jié)構(gòu)，也包括相對(duì)于襯底基板凸起的結(jié)構(gòu)。該凹凸不平的結(jié)構(gòu)可以為凹面結(jié)構(gòu)也可以為凸出結(jié)構(gòu)，或者為凹面結(jié)構(gòu)和凸出結(jié)構(gòu)的組合，該凹面結(jié)構(gòu)相對(duì)于平坦表面的整體而言呈凹入狀態(tài)，而該凸出結(jié)構(gòu)相對(duì)于平坦表面的整體而言呈凸出狀態(tài)。下面以該凹凸不平的結(jié)構(gòu)為凹面結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說(shuō)明，但是本公開(kāi)的實(shí)施例不限于此。

例如，該凹面結(jié)構(gòu)的縱截面形狀包括半圓形、半橢圓形、矩形和梯形中的至少之一。該凹面結(jié)構(gòu)的橫截面的形狀包括圓形、矩形等。

例如，該制備方法還包括在有機(jī)絕緣層中形成用于電連接的過(guò)孔結(jié)構(gòu)，有機(jī)絕緣層至少在過(guò)孔結(jié)構(gòu)的周邊區(qū)域中與無(wú)機(jī)鈍化層相接觸的部分設(shè)置有凹面結(jié)構(gòu)。

例如，凹面結(jié)構(gòu)至少分布在距離過(guò)孔結(jié)構(gòu)的預(yù)設(shè)距離內(nèi)。該預(yù)設(shè)距離例如為相鄰的兩個(gè)過(guò)孔結(jié)構(gòu)之間距離的一半，又例如為有機(jī)絕緣層中相鄰的兩個(gè)過(guò)孔結(jié)構(gòu)之間距離的三分之一。

例如，該凹面結(jié)構(gòu)在有機(jī)絕緣層的表面均勻分布。即凹面結(jié)構(gòu)在有機(jī)絕緣層的表面間隔均勻。

例如，距離過(guò)孔結(jié)構(gòu)越遠(yuǎn)，凹面結(jié)構(gòu)的橫截面積越大。

例如，該有機(jī)絕緣層的材料包括聚酰亞胺、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物、丙烯酸樹(shù)脂或者聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯中的一種或多種。

例如，該無(wú)機(jī)鈍化層的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、二氧化鈦或者三氧化二鋁中的一種或多種。

例如，在薄膜晶體管上形成有機(jī)絕緣層的過(guò)程包括：在薄膜晶體管上涂覆有機(jī)絕緣層薄膜；在有機(jī)絕緣層薄膜上涂覆光刻膠；采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光、顯影。

例如，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光包括對(duì)光刻膠進(jìn)行全曝光和灰度曝光處理。通過(guò)全曝光和灰度曝光處理以及顯影后形成有機(jī)絕緣層的圖案，且該有機(jī)絕緣層的圖案包括設(shè)置在過(guò)孔結(jié)構(gòu)周邊的凹面結(jié)構(gòu)。

例如，涂覆的光刻膠的厚度為2μm～3μm。例如2μm、2.5μm或者3μm。

例如，形成有機(jī)絕緣層的過(guò)程還包括對(duì)有機(jī)絕緣層進(jìn)行烘干處理，烘干處理以使有機(jī)絕緣層固化。

例如，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或者濺射的方法沉積無(wú)機(jī)鈍化薄膜，然后通過(guò)構(gòu)圖工藝形成無(wú)機(jī)鈍化層的圖案。

本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置具有以下至少一項(xiàng)有益效果：通過(guò)將有機(jī)絕緣層的至少與無(wú)機(jī)鈍化層相接觸的部分設(shè)置成凹凸不平的結(jié)構(gòu)來(lái)增加無(wú)機(jī)鈍化層與有機(jī)絕緣層的接觸面積，從而釋放了無(wú)機(jī)鈍化層的中易于導(dǎo)致裂紋的內(nèi)應(yīng)力，進(jìn)而減少或者消除了無(wú)機(jī)鈍化層脫落現(xiàn)象的發(fā)生。

有以下幾點(diǎn)需要說(shuō)明：

(1)本發(fā)明實(shí)施例附圖只涉及到與本發(fā)明實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)。

(2)為了清晰起見(jiàn)，在用于描述本發(fā)明的實(shí)施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實(shí)際的比例繪制?？梢岳斫猓?dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類(lèi)的元件被稱(chēng)作位于另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

(3)在不沖突的情況下，本發(fā)明的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合以得到新的實(shí)施例。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。