技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高壓PIN二極管結(jié)構(gòu)及其制備方法，通過分段摻雜的工藝在具有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層中形成具有第二導(dǎo)電類型的摻雜立柱，從而可以在更薄的外延厚度下實(shí)現(xiàn)同等耐壓，在降低正向?qū)▔航档耐瑫r(shí)，獲得更佳的反向恢復(fù)特性；同時(shí)可以通過調(diào)整超結(jié)區(qū)域P型和N型的濃度和寬度，來調(diào)整PN結(jié)的注入效率，并提供額外的空穴，以在很高的Di/Dt的反向恢復(fù)過程中，可以注入空穴來避免N?/N+邊界的不穩(wěn)定動(dòng)態(tài)雪崩，進(jìn)而獲得更高魯棒性。

技術(shù)研發(fā)人員：吳多武;冷靜
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中航（重慶）微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.22
技術(shù)公布日：2017.09.01