技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種實現(xiàn)表面等離子激元增強型納米結(jié)構(gòu)薄膜太陽電池的方法，包括在襯底之上依次制備一個二氧化硅納米球陣列/銀納米顆粒復合納米結(jié)構(gòu)和一個PIN或NIP型薄膜太陽電池。其中二氧化硅納米球陣列采用浸漬提拉法及等離子體刻蝕技術(shù)制備獲得，銀納米顆粒結(jié)構(gòu)制備工藝為蒸發(fā)、濺射、溶膠凝膠、聚焦離子束刻蝕或電子束刻蝕技術(shù)中至少一種；薄膜太陽電池包括無機薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池及由以上兩種中至少一種構(gòu)成的疊層太陽電池。本發(fā)明有益效果是：表面等離子激元的引入可獲得具有定域化高能電場的納米微腔結(jié)構(gòu)，以增強光程拓展、提升光子剪裁與調(diào)制效果，并優(yōu)化電荷收集性能，利于電池光學及電學特性的同步提升。

技術(shù)研發(fā)人員：黃茜;仝玉鵬;任千尚;侯國付;安世崇;張曉丹;趙穎
受保護的技術(shù)使用者：南開大學
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.23
技術(shù)公布日：2017.10.27