本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，尤其涉及一種柔性透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法。

背景技術(shù)：

目前現(xiàn)有液晶顯示器、電致發(fā)光顯示器、以及觸摸屏等產(chǎn)品中的透明導(dǎo)電薄膜是以ITO(摻錫氧化銦)透明導(dǎo)電薄膜為主導(dǎo)，ITO具有良好的導(dǎo)電性和透過(guò)率，然而ITO自身固有的脆性、昂貴的沉積制程以及銦的日益緊缺，限制了ITO在柔性顯示領(lǐng)域的應(yīng)用。

基于此，新興的柔性透明導(dǎo)電薄膜如碳納米管，石墨烯，導(dǎo)電聚合物，金屬網(wǎng)格以及納米金屬線逐漸進(jìn)入人們的視野，其中，最受關(guān)注的柔性透明導(dǎo)電薄膜為基于納米銀線(AgNW)的透明導(dǎo)電薄膜，AgNW薄膜具有優(yōu)異的耐彎折性、導(dǎo)電性和高透過(guò)率。

然而，AgNW薄膜的耐溫性能較差，導(dǎo)致其無(wú)法適用于采用高溫制程制作的薄膜器件領(lǐng)域，如不適用于TFT器件；AgNW薄膜還存在穩(wěn)定性差的問(wèn)題，導(dǎo)致其難以廣泛應(yīng)用于柔性顯示領(lǐng)域。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種柔性透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法，以解決現(xiàn)有AgNW薄膜耐溫性和穩(wěn)定性差的問(wèn)題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種柔性透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，該制備方法包括：

提供一柔性襯底；

在所述柔性襯底上形成納米材料導(dǎo)電層；

在所述納米材料導(dǎo)電層上形成無(wú)機(jī)保護(hù)層，所述無(wú)機(jī)保護(hù)層的組成材料為至少一種寬禁帶無(wú)機(jī)材料，所述寬禁帶無(wú)機(jī)材料的禁帶寬度大于或等于3eV。

進(jìn)一步地，所述納米材料導(dǎo)電層為碳納米管導(dǎo)電層、石墨烯導(dǎo)電層和納米金屬線導(dǎo)電層中的任意一種導(dǎo)電層。

進(jìn)一步地，所述納米金屬線導(dǎo)電層為納米銀線導(dǎo)電層、納米鋁線導(dǎo)電層、納米金線導(dǎo)電層和納米銅線導(dǎo)電層中的任意一種導(dǎo)電層。

進(jìn)一步地，采用溶液加工法在所述柔性襯底上形成所述納米材料導(dǎo)電層，所述溶液加工法為旋涂、噴涂、轉(zhuǎn)印、刮涂、狹縫涂覆或噴墨打印。

進(jìn)一步地，所述納米材料導(dǎo)電層的厚度為20nm～200nm。

進(jìn)一步地，所述寬禁帶無(wú)機(jī)材料為金屬氧化物、或氮化物、或硅化物。

進(jìn)一步地，所述寬禁帶無(wú)機(jī)材料為金屬氧化物；所述無(wú)機(jī)保護(hù)層的組成材料包括：氧化鋁、氧化鋅、氧化鈦、氧化鎂和氧化鋯中的任意一種或組合。

進(jìn)一步地，采用真空沉積法、溶液加工法或噴墨打印法在所述納米材料導(dǎo)電層上形成所述無(wú)機(jī)保護(hù)層。

進(jìn)一步地，所述無(wú)機(jī)保護(hù)層的厚度為5nm～200nm。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種柔性透明導(dǎo)電薄膜，該柔性透明導(dǎo)電薄膜包括：

柔性襯底；

位于所述柔性襯底上的納米材料導(dǎo)電層；

位于所述納米材料導(dǎo)電層上的無(wú)機(jī)保護(hù)層，所述無(wú)機(jī)保護(hù)層的組成材料為至少一種寬禁帶無(wú)機(jī)材料，所述寬禁帶無(wú)機(jī)材料的禁帶寬度大于或等于3eV。

本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性透明導(dǎo)電薄膜，在納米材料導(dǎo)電層上形成了無(wú)機(jī)保護(hù)層，無(wú)機(jī)保護(hù)層由至少一種寬禁帶無(wú)機(jī)材料組成，寬禁帶無(wú)機(jī)材料的禁帶寬度大于或等于3eV。本發(fā)明實(shí)施例中無(wú)機(jī)保護(hù)層覆蓋在納米材料導(dǎo)電層上，能夠阻隔水氧以保護(hù)納米材料導(dǎo)電層，也能夠有效改善納米材料導(dǎo)電層的穩(wěn)定性和耐高溫性，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)柔性透明導(dǎo)電薄膜的高穩(wěn)定性和優(yōu)異的耐溫性能，而禁帶寬度在3eV及以上的無(wú)機(jī)材料在可見光區(qū)域基本無(wú)吸收，因此形成的無(wú)機(jī)保護(hù)層也不會(huì)導(dǎo)致納米材料導(dǎo)電層的透過(guò)率在可見光范圍內(nèi)(尤其是380-500nm波段)發(fā)生嚴(yán)重的衰減。顯然，AgNW薄膜屬于納米材料導(dǎo)電層的一種，因此本發(fā)明實(shí)施例能夠解決現(xiàn)有AgNW薄膜耐溫性和穩(wěn)定性差的問(wèn)題，不僅適用于高溫制程的薄膜器件，還廣泛適用于柔性顯示器件。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖做一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的柔性透明導(dǎo)電薄膜的制備方法的流程圖；

圖2A是不同柔性透明導(dǎo)電薄膜的性能示意圖；

圖2B是不同柔性透明導(dǎo)電薄膜的透過(guò)率示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例二提供的柔性透明導(dǎo)電薄膜的示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例二提供的柔性透明導(dǎo)電薄膜的制程圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下將參照本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，通過(guò)實(shí)施方式清楚、完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1所示為本發(fā)明實(shí)施例一提供的柔性透明導(dǎo)電薄膜的制備方法的流程圖，本實(shí)施例的技術(shù)方案適用于制作柔性顯示器件的透明導(dǎo)電薄膜，尤其適用于制作柔性顯示器件中高溫制程薄膜器件的透明導(dǎo)電薄膜。

本實(shí)施例提供的柔性透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，具體包括如下步驟：

步驟110、提供一柔性襯底。

柔性襯底是柔性顯示器件的基礎(chǔ)，采用柔性襯底材料可以制成完全柔性的顯示器件，因此柔性顯示器件中的柔性透明導(dǎo)電薄膜是以柔性襯底為基礎(chǔ)進(jìn)行制作。本發(fā)明中柔性襯底為現(xiàn)有任意一種能夠應(yīng)用在柔性顯示器件中的柔性襯底，例如塑料柔性襯底、金屬箔片柔性襯底、超薄玻璃柔性襯底、紙質(zhì)柔性襯底、生物復(fù)合薄膜柔性襯底等。

在本實(shí)施例中可選柔性襯底為塑料柔性襯底，具體可選柔性襯底為聚酰亞胺、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺、聚酰胺或聚醚醚酮。塑料柔性襯底具備透明性、柔性、質(zhì)量輕、耐用、價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn)，具有廣闊的前景，有助于有機(jī)發(fā)光聚合物和有源矩陣薄膜晶體管陣列的生長(zhǎng)和印刷，適用于大規(guī)模制造柔性顯示器件。

步驟120、在柔性襯底上形成納米材料導(dǎo)電層。

目前主流柔性透明導(dǎo)電薄膜ITO自身固有的脆性、昂貴的沉積制程以及銦的日益緊缺，限制了ITO在柔性顯示領(lǐng)域的應(yīng)用。因此本實(shí)施例中在柔性襯底上形成納米材料導(dǎo)電層，納米材料導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電層。納米材料導(dǎo)電層的制程工藝相對(duì)簡(jiǎn)單且成本不高，可替代ITO成為主流透明導(dǎo)電層。

可選納米材料導(dǎo)電層為碳納米管導(dǎo)電層、石墨烯導(dǎo)電層和納米金屬線導(dǎo)電層中的任意一種導(dǎo)電層?？蛇x納米金屬線導(dǎo)電層為納米銀線導(dǎo)電層、納米鋁線導(dǎo)電層、納米金線導(dǎo)電層和納米銅線導(dǎo)電層中的任意一種導(dǎo)電層。納米材料導(dǎo)電層的耐彎折性、導(dǎo)電性和透光率高，且具有較小的彎曲半徑，在彎曲時(shí)電阻變化率較小，應(yīng)用在具有曲面顯示的設(shè)備上更具有優(yōu)勢(shì)，例如應(yīng)用在智能手表，手環(huán)等。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，納米材料導(dǎo)電層包括但不限于上述示例，現(xiàn)有任意一種能夠應(yīng)用于柔性透明導(dǎo)電薄膜的納米導(dǎo)電材料均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍，在此不再贅述。

本實(shí)施例中可選采用溶液加工法在柔性襯底上形成納米材料導(dǎo)電層，可選的溶液加工法為旋涂，噴涂，轉(zhuǎn)印，刮涂，狹縫涂覆或噴墨打印壓印。在本實(shí)施例中可選納米材料導(dǎo)電層的厚度為20nm～200nm，若納米材料導(dǎo)電層的厚度過(guò)薄，會(huì)影響柔性透明導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電性，若納米材料導(dǎo)電層的厚度過(guò)薄，會(huì)影響柔性透明導(dǎo)電薄膜的透過(guò)率。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，納米材料導(dǎo)電層的制備工藝包括但不限于溶液加工法，以及其厚度也不限于上述厚度范圍，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)產(chǎn)品所需自行選取制備工藝以及設(shè)定膜層厚度，在本發(fā)明中不進(jìn)行具體限制。

步驟130、在納米材料導(dǎo)電層上形成無(wú)機(jī)保護(hù)層，無(wú)機(jī)保護(hù)層的組成材料為至少一種寬禁帶無(wú)機(jī)材料，寬禁帶無(wú)機(jī)材料的禁帶寬度大于或等于3eV。

本實(shí)施例中在納米材料導(dǎo)電層上形成了由至少一種寬禁帶無(wú)機(jī)材料組成的無(wú)機(jī)保護(hù)層，寬禁帶無(wú)機(jī)材料的禁帶寬度大于或等于3eV，無(wú)機(jī)保護(hù)層覆蓋在納米材料導(dǎo)電層上，能夠阻隔水氧以保護(hù)納米材料導(dǎo)電層。納米材料導(dǎo)電層的耐溫性能和穩(wěn)定性差，導(dǎo)致現(xiàn)有柔性透明導(dǎo)電薄膜的耐溫性能和穩(wěn)定性差，而本實(shí)施例中基于寬禁帶無(wú)機(jī)材料的無(wú)機(jī)保護(hù)層具備優(yōu)異的耐溫性和穩(wěn)定性，則無(wú)機(jī)保護(hù)層覆蓋在納米材料導(dǎo)電層上能夠有效改善柔性透明導(dǎo)電薄膜的穩(wěn)定性和耐高溫性，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)柔性透明導(dǎo)電薄膜的高穩(wěn)定性和優(yōu)異的耐溫性能。

無(wú)機(jī)保護(hù)層的組成材料為至少一種寬禁帶無(wú)機(jī)材料，而禁帶寬度在3eV及以上的無(wú)機(jī)材料在可見光區(qū)域基本無(wú)吸收，因此無(wú)機(jī)保護(hù)層覆蓋納米材料導(dǎo)電層后，并不會(huì)影響納米材料導(dǎo)電層在可見光波段的透過(guò)率，也不會(huì)導(dǎo)致納米材料導(dǎo)電層的透過(guò)率在可見光波段特別是在380-500nm波段嚴(yán)重衰減。

本實(shí)施例提供的柔性透明導(dǎo)電薄膜，在納米材料導(dǎo)電層上形成了無(wú)機(jī)保護(hù)層，無(wú)機(jī)保護(hù)層由至少一種寬禁帶無(wú)機(jī)材料組成，寬禁帶無(wú)機(jī)材料的禁帶寬度大于或等于3eV。本實(shí)施例中無(wú)機(jī)保護(hù)層覆蓋在納米材料導(dǎo)電層上，能夠阻隔水氧以保護(hù)納米材料導(dǎo)電層，也能夠有效改善納米材料導(dǎo)電層的穩(wěn)定性和耐高溫性，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)柔性透明導(dǎo)電薄膜的高穩(wěn)定性和優(yōu)異的耐溫性能；而禁帶寬度在3eV及以上的無(wú)機(jī)材料在可見光區(qū)域基本無(wú)吸收，因此形成的無(wú)機(jī)保護(hù)層也不會(huì)導(dǎo)致納米材料導(dǎo)電層的透過(guò)率在可見光范圍內(nèi)(特別是380-500nm波段)嚴(yán)重衰減。顯然，AgNW薄膜屬于納米材料導(dǎo)電層的一種，因此本實(shí)施例能夠解決現(xiàn)有AgNW薄膜耐溫性和穩(wěn)定性差的問(wèn)題，不僅適用于高溫制程的薄膜器件，還廣泛適用于柔性顯示器件。

示例性的，在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，可選寬禁帶無(wú)機(jī)材料為金屬氧化物、或氮化物、或硅化物。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以了解，任意一種寬禁帶無(wú)機(jī)材料均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍，在此不再贅述。寬禁帶無(wú)機(jī)材料具有優(yōu)異的耐高溫性能和穩(wěn)定性，通過(guò)寬禁帶材料形成的無(wú)機(jī)保護(hù)層的保護(hù)可以使納米材料導(dǎo)電層在350℃的高溫條件下依然能夠保持良好導(dǎo)電性能，以及優(yōu)異的透過(guò)率，無(wú)機(jī)保護(hù)層能夠起到保護(hù)納米材料導(dǎo)電層的作用同時(shí)還不會(huì)影響納米材料導(dǎo)電層的性能。此外，禁帶寬度在3eV及以上的寬禁帶無(wú)機(jī)材料在可見光范圍特別是380nm-500nm波段基本無(wú)光吸收，因此形成的無(wú)機(jī)保護(hù)層在保護(hù)納米材料導(dǎo)電層的同時(shí)并不會(huì)影響柔性透明導(dǎo)電薄膜的透過(guò)率。

示例性的，在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，可選采用真空沉積法、溶液加工法或噴墨打印法在納米材料導(dǎo)電層上形成無(wú)機(jī)保護(hù)層?？蛇x采用溶液加工法或噴墨打印法形成無(wú)機(jī)保護(hù)層時(shí)，寬禁帶無(wú)機(jī)材料為可用鹽溶液加工的前驅(qū)體材料，例如無(wú)機(jī)保護(hù)層的組成材料包括氧化鎂或氧化鋁，則采用溶液加工法形成無(wú)機(jī)保護(hù)層時(shí)，無(wú)機(jī)保護(hù)層的組成材料為四水醋酸鎂前驅(qū)體溶液(氧化鎂)或九水硝酸鋁前驅(qū)體溶液等(氧化鋁)。在其他可選實(shí)施例中，根據(jù)寬禁帶無(wú)機(jī)材料的狀態(tài)不同，也可選采用其他工藝形成無(wú)機(jī)保護(hù)層，例如寬禁帶無(wú)機(jī)材料為氣相沉積材料或?qū)捊麕О胁模瑒t可以采用真空沉積法在納米材料導(dǎo)電層上形成無(wú)機(jī)保護(hù)層，也可選采用原子層沉積(ALD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、物理氣相沉積(PVD)及脈沖激光沉積(PLD)等成膜工藝在納米材料導(dǎo)電層上形成無(wú)機(jī)保護(hù)層。

示例性的，在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，可選無(wú)機(jī)保護(hù)層的厚度為5nm～200nm。相比于其它厚度而言，在這個(gè)范圍內(nèi)厚度的無(wú)機(jī)保護(hù)層可以起到阻隔水氧以保護(hù)納米材料導(dǎo)電層的作用(水氧透過(guò)率WVTR可達(dá)10-3～10^-5g/m²/day)，同時(shí)不影響納米材料導(dǎo)電層的導(dǎo)電性能。而若無(wú)機(jī)保護(hù)層的厚度過(guò)薄會(huì)導(dǎo)致無(wú)法發(fā)揮阻隔水氧的作用，起不到保護(hù)效果，會(huì)導(dǎo)致納米材料導(dǎo)電層易被氧化；而若無(wú)機(jī)保護(hù)層的厚度過(guò)厚會(huì)導(dǎo)致納米材料導(dǎo)電層無(wú)導(dǎo)電性，同時(shí)導(dǎo)致透過(guò)率下降。

示例性的，可選寬禁帶無(wú)機(jī)材料為金屬氧化物；無(wú)機(jī)保護(hù)層的組成材料包括：氧化鋁、氧化鋅、氧化鈦、氧化鎂和氧化鋯中的任意一種或組合。在此以無(wú)機(jī)保護(hù)層的組成材料包括氧化鋅和氧化鎂，納米材料導(dǎo)電層為納米銀線導(dǎo)電層為例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中提供的柔性透明導(dǎo)電薄膜的性能進(jìn)行詳細(xì)描述。

在本實(shí)施例中可選無(wú)機(jī)保護(hù)層的組成材料包括：氧化鋅(ZnO)和氧化鎂(MgO)，采用原子層沉積法形成無(wú)機(jī)保護(hù)層。通過(guò)調(diào)節(jié)ZnO和MgO在無(wú)機(jī)保護(hù)層中的比例可以獲得在可見光區(qū)域380到500nm的不同透過(guò)率導(dǎo)電薄膜，在此ZnO和MgO在無(wú)機(jī)保護(hù)層中的比例具體是指ZnO和MgO的原子層沉積周期數(shù)比例，顯然，可以通過(guò)調(diào)整原子層沉積的周期數(shù)進(jìn)行比例控制。

例如無(wú)機(jī)保護(hù)層為10nmZMO(ZnO和MgO的疊層材料)，ZnO和MgO的原子層沉積周期數(shù)比例為x:y，即按照沉積x層ZnO、沉積y層MgO、沉積x層ZnO、沉積y層MgO、…、沉積x層ZnO、沉積y層MgO的順序依次進(jìn)行原子層沉積直至形成10nm厚度的ZMO，其中原子層總層數(shù)中ZnO的總層數(shù)和MgO的總層數(shù)比例為x:y。將ZnO和MgO的原子層沉積周期數(shù)比例為x:y的無(wú)機(jī)保護(hù)層標(biāo)記為ZMO(x/y)。

如圖2A所示為不同柔性透明導(dǎo)電薄膜的性能示意圖。在此無(wú)機(jī)保護(hù)層ZMO即為ZnO和MgO形成的無(wú)機(jī)保護(hù)層，ZMO(x/y)即為ZnO和MgO的原子層沉積周期數(shù)比例為x:y。

第一種柔性透明導(dǎo)電薄膜的納米材料導(dǎo)電層為納米銀線導(dǎo)電層AgNW，無(wú)機(jī)保護(hù)層為10nmZMO(1/1)，即ZnO和MgO的原子層沉積周期數(shù)比例為1:1；測(cè)試后發(fā)現(xiàn)該柔性透明導(dǎo)電薄膜10nmZMO(1/1)/AgNW在300℃以上的高溫條件下依然能夠保持良好導(dǎo)電性能。

第二種柔性透明導(dǎo)電薄膜的納米材料導(dǎo)電層為AgNW，無(wú)機(jī)保護(hù)層為10nmZMO(5/1)，即ZnO和MgO的原子層沉積周期數(shù)比例為5:1；測(cè)試后發(fā)現(xiàn)該柔性透明導(dǎo)電薄膜10nmZMO(5/1)/AgNW在300℃以上的高溫條件下依然能夠保持良好導(dǎo)電性能。

第三種柔性透明導(dǎo)電薄膜的納米材料導(dǎo)電層為AgNW，不具有無(wú)機(jī)保護(hù)層，測(cè)試后發(fā)現(xiàn)該柔性透明導(dǎo)電薄膜在200℃以上的高溫條件下具有非常高的方塊電阻值，導(dǎo)電性能變差。

由圖2A可知，無(wú)機(jī)保護(hù)層能夠起到保護(hù)納米材料導(dǎo)電層的作用同時(shí)還不會(huì)影響納米材料導(dǎo)電層的性能。

如圖2B所示為具有無(wú)機(jī)保護(hù)層的柔性透明導(dǎo)電薄膜的透過(guò)率示意圖，主要示意了380nm-500nm的可見光波段內(nèi)不同柔性透明導(dǎo)電薄膜的透過(guò)率。在此無(wú)機(jī)保護(hù)層ZMO即為ZnO和MgO形成的無(wú)機(jī)保護(hù)層，ZMO(x/y)即為ZnO和MgO的原子層沉積周期數(shù)比例為x:y。

第一種柔性透明導(dǎo)電薄膜的納米材料導(dǎo)電層為納米銀線導(dǎo)電層AgNW，無(wú)機(jī)保護(hù)層為10nmZMO(1/1)，即ZnO和MgO的原子層沉積周期數(shù)比例為1:1；測(cè)試后發(fā)現(xiàn)該柔性透明導(dǎo)電薄膜10nmZMO(1/1)/AgNW在380nm-500nm的可見光波段內(nèi)的平均透過(guò)率為86.3％。

第二種柔性透明導(dǎo)電薄膜的納米材料導(dǎo)電層為AgNW，無(wú)機(jī)保護(hù)層為10nmZMO(5/1)，即ZnO和MgO的原子層沉積周期數(shù)比例為5:1；測(cè)試后發(fā)現(xiàn)該柔性透明導(dǎo)電薄膜10nmZMO(5/1)/AgNW在380nm-500nm的可見光波段內(nèi)的平均透過(guò)率為82.3％。

第三種柔性透明導(dǎo)電薄膜的納米材料導(dǎo)電層為AgNW，無(wú)機(jī)保護(hù)層為10nmAZO(1/20)，即氧化鋁Al₂O₃和ZnO的原子層沉積周期數(shù)比例為1:20；測(cè)試后發(fā)現(xiàn)該柔性透明導(dǎo)電薄膜10nmAZO(1/20)/AgNW在380nm-500nm的可見光波段內(nèi)的平均透過(guò)率77.5％。

顯然無(wú)機(jī)保護(hù)層不會(huì)導(dǎo)致納米材料導(dǎo)電層的透過(guò)率在可見光波段嚴(yán)重衰減。其中，10nmZMO(1/1)/AgNW和10nmZMO(5/1)/AgNW的透過(guò)率優(yōu)于10nmAZO(1/20)/AgNW，有著5％-9％明顯的提高，在本實(shí)施例中優(yōu)選無(wú)機(jī)保護(hù)層的組成材料包括氧化鋅和氧化鎂。

如圖3所示，為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種柔性透明導(dǎo)電薄膜，該柔性透明導(dǎo)電薄膜采用上述任意實(shí)施例所述的制備方法進(jìn)行制作。本實(shí)施例提供的柔性透明導(dǎo)電薄膜包括：柔性襯底210；位于柔性襯底210上的納米材料導(dǎo)電層220；位于納米材料導(dǎo)電層220上的無(wú)機(jī)保護(hù)層230，無(wú)機(jī)保護(hù)層230的組成材料為至少一種寬禁帶無(wú)機(jī)材料，寬禁帶無(wú)機(jī)材料的禁帶寬度大于或等于3eV。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明中柔性透明導(dǎo)電薄膜中的納米材料導(dǎo)電層包括但不限于碳納米管導(dǎo)電層、石墨烯導(dǎo)電層和納米金屬線導(dǎo)電層，還可以是采用金屬網(wǎng)格技術(shù)制造的金屬網(wǎng)格導(dǎo)電層，或者是其它柔性透明導(dǎo)電層，如導(dǎo)電聚合物導(dǎo)電層，在本發(fā)明中不進(jìn)行具體限制。

需要說(shuō)明的是，如圖4所示本實(shí)施例提供的柔性透明導(dǎo)電薄膜200會(huì)在剛性基板240上制造，然后依次形成柔性襯底210、納米材料導(dǎo)電層220和無(wú)機(jī)保護(hù)層230，最后將剛性基板240與柔性透明導(dǎo)電薄膜200分離以得到所需的柔性透明導(dǎo)電薄膜200?？蛇x剛性基板240為玻璃襯底、硅片或金屬基板。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明所述的柔性透明導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)包括但不限于上述結(jié)構(gòu)，如在柔性襯底和納米材料導(dǎo)電層之間還設(shè)置有粘合層等，以及柔性透明導(dǎo)電薄膜的制備工藝包括但不限于上述所述。本發(fā)明所述的柔性透明導(dǎo)電薄膜具有基于寬禁帶材料的無(wú)機(jī)保護(hù)層，能夠阻隔水氧以保護(hù)納米材料導(dǎo)電層，提高柔性透明導(dǎo)電薄膜的耐高溫性能、穩(wěn)定性和透過(guò)率。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種柔性設(shè)備，該柔性設(shè)備具有如上任意實(shí)施例所述的柔性透明導(dǎo)電薄膜，該柔性透明導(dǎo)電薄膜作為柔性設(shè)備的透明電極，具有優(yōu)異的耐高溫性能、穩(wěn)定性和透過(guò)率。在本實(shí)施例中可選該柔性設(shè)備為薄膜器件或柔性顯示器件。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。