本發(fā)明涉及離子注入跑片方法，特別涉及一種離子注入跑片方法。

背景技術(shù)：

硅太陽能電池在被暴露至來自太陽的太陽輻射時產(chǎn)生電能。該輻射與硅原子交互作用并形成電子和空穴，所述電子和空穴遷移到硅本體中的p離子摻雜區(qū)和n離子摻雜區(qū)，并在摻雜區(qū)之間產(chǎn)生電壓差和電流。取決于用途，太陽能電池已經(jīng)與集中元件集成以提高效率。太陽輻射使用將所述輻射引導(dǎo)至活性光伏材料的一個或更多部分的集中元件來積累和聚焦。盡管有效，但是這些太陽能電池仍有很多限制。

僅僅作為一個實(shí)例，太陽能電池依賴諸如硅的起始材料。這種硅通常使用多晶硅(即多晶體的硅)和/或多晶硅材料制成。這些材料通常難以制造。多晶硅電池通常通過制造多晶硅板來形成。盡管這些板可以有效地形成，但是它們不具備高效太陽能電池的最佳性能。單晶硅具有高級太陽能電池的適當(dāng)性能。然而，這種單晶硅價格昂貴，還難以按照高效且成本有效的方式用于太陽能用途。此外，多晶硅材料和單晶硅材料在傳統(tǒng)制造過程中均遭受稱為“刮線損失"的材料損失，其中，出于鑄件或生長晶錠并將材料單片化成晶片形式的因素，鋸割工藝消除起始材料的多達(dá)40％甚至達(dá)到60％。這是制備用作太陽能電池的薄多晶硅或單晶硅板的非常低效的方法。

通常，薄膜太陽能電池通過使用較少的硅材料是價格較不昂貴的，但是它們的非晶或多晶結(jié)構(gòu)與由多晶磕襯底制成的更昂貴的體硅相比效率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種離子注入方便、快速、成本低、制作的硅片質(zhì)量好的離子注入跑片方法。

為解決現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本發(fā)明提供的技術(shù)方案是：一種離子注入跑片方法，包括以下步驟：

一種離子注入跑片方法，其特征在于，包括以下步驟：

a)將多個硅片排列成一列或n列放入硅片托盤上，每列硅片的排放方向是硅片托盤的行進(jìn)方向，每兩個硅片之間具有一定的間隙，每兩個硅片之間的間隙相同，每列硅片之間垂直于硅片托盤行進(jìn)方向的間隔大于一個硅片的橫向尺寸，在硅片的正上方蓋上一個可以切換位置的隔板，在隔板上間隔設(shè)置有兩排或2n排供不同離子通過的通孔，兩排或2n排通孔的位置在硅片行進(jìn)方向上相互交叉錯開；

b)多個載有硅片的硅片托盤同時由多個輸送帶裝置從進(jìn)出片腔(或真空過渡腔室)輸送至緩沖區(qū)，緩沖區(qū)內(nèi)的硅片托盤從上至下逐個依次輸送至水平輸送裝置上，水平輸送裝置的輸送帶的中部設(shè)置離子注入設(shè)備，緩沖區(qū)內(nèi)的硅片托盤輸送出的個數(shù)達(dá)到一定個數(shù)時，進(jìn)出片腔(或真空過渡室)輸送帶裝置再一次性輸送與送出的托盤個數(shù)相同的硅片托盤到緩沖區(qū)內(nèi)；離子注入設(shè)備將其中一種離子通過隔板的其中一排或n排通孔逐片注入到硅片托盤上的硅片上；

c)硅片托盤上的硅片經(jīng)過離子注入設(shè)備注入其中一種離子后輸送到切換區(qū)，所述切換區(qū)內(nèi)由下至上依次設(shè)有多個用于疊放已經(jīng)注入其中一種離子的硅片托盤的托盤支架、及將水平輸送裝置輸送過來的硅片托盤逐個輸送至托盤支架上的垂直皮帶輸送裝置；所述切換區(qū)內(nèi)的硅片托盤存放滿料后，停止水平輸送裝置送料；

d)所述切換區(qū)內(nèi)還設(shè)有用于水平推動隔板、使隔板的另一排通孔對準(zhǔn)硅片托盤上的硅片正上方的隔板孔切換裝置；當(dāng)水平輸送裝置反向輸送硅片托盤時，隔板孔切換裝置將硅片托盤上的隔板推向另一側(cè)邊，使隔板的另一排通孔對準(zhǔn)硅片托盤上的硅片正上方，

e)硅片托盤反向輸送至離子注入設(shè)備的位置時，離子注入設(shè)備將另一種離子從隔板的另一排通孔注入硅片托盤上的硅片上；由于隔板上的兩排或n排通孔是在硅片行進(jìn)方向上相互錯開的，因此，兩種離子均可以注入到硅片上而不會重合；

f)硅片托盤上的硅片注入兩種離子后，輸送回緩沖區(qū)，緩沖區(qū)的垂直皮帶輸送裝置逐個將水平輸送裝置輸送的硅片托盤輸送至緩沖區(qū)內(nèi)，當(dāng)緩沖區(qū)的上方放入了足夠個數(shù)的托盤時，輸送帶裝置將多個托盤同時輸送出至進(jìn)出片腔(真空過渡腔室)，完成離子注入。

作為本發(fā)明離子注入跑片方法的一種改進(jìn)，步驟c和步驟e所述的離子為n^﹢型離子或p^﹢型離子，如果步驟c注入的離子是n^﹢型離子，則步驟e注入的離子是p^﹢型離子，如果步驟c注入的離子是p^﹢型離子，則步驟e注入的離子是n^﹢型離子。

作為本發(fā)明離子注入跑片方法的一種改進(jìn)，所述硅片托盤輸送入和輸送出進(jìn)出片腔(或真空過渡腔室)時，所述進(jìn)出片腔(真空過渡腔室)、緩沖區(qū)和所述切換區(qū)內(nèi)均由真空裝置抽真空，所述緩沖區(qū)和所述切換區(qū)在硅片托盤輸送入和輸送出時的真空度一致。

作為本發(fā)明離子注入跑片方法的一種改進(jìn)，所述輸送帶裝置每次輸入和輸出所述硅片托盤的個數(shù)為5個。

作為本發(fā)明離子注入跑片方法的一種改進(jìn)，兩排所述通孔的錯位距離為10μm～50μm。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：本方法容易實(shí)施、步驟簡單，離子注入的條件只需要在硅片托盤進(jìn)出的真空度一致即可實(shí)現(xiàn)；該方法采用離子擴(kuò)散的方式無法實(shí)現(xiàn)；本方法采用離子輸入的方式，控制單種類型的離子逐一注入硅片上，可以通過調(diào)節(jié)離子注入設(shè)備的離子注入量和注入環(huán)境，使離子注入的效果更佳，制作成本更低。

本發(fā)明的另一目的是提供一種離子注入跑片系統(tǒng)，包括水平進(jìn)出傳送區(qū)、托盤垂直輸送緩沖區(qū)、單個托盤水平傳送區(qū)和托盤垂直輸送切換儲存區(qū)，所述單個托盤水平傳送區(qū)的中部設(shè)有離子注入工位，所述水平進(jìn)出傳送區(qū)、托盤垂直輸送緩沖區(qū)和托盤垂直輸送切換儲存區(qū)的底部均設(shè)有真空發(fā)生裝置，所述水平進(jìn)出傳送區(qū)內(nèi)從上而下依次間隔設(shè)有五條水平皮帶傳送線，五層水平皮帶傳送線同時輸送五個硅片托盤，每層水平皮帶可以實(shí)現(xiàn)單獨(dú)傳動，五個所述硅片托盤由一帶升降功能的推車同時推到五條所述水平皮帶傳送線上方，將硅片托盤降低,落在水平皮帶傳送線上；所述硅片托盤正向依次經(jīng)過所述水平進(jìn)出傳送區(qū)、托盤垂直輸送緩沖區(qū)、單個托盤水平傳送區(qū)和托盤垂直輸送切換儲存區(qū)，在所述托盤垂直輸送切換儲存區(qū)進(jìn)行離子注入孔切換動作后反向依次經(jīng)過單個托盤水平傳送區(qū)、托盤垂直輸送緩沖區(qū)和所述水平進(jìn)出傳送區(qū)；所述硅片托盤正向經(jīng)過離子注入工位時注入的離子與所述硅片托盤反向經(jīng)過離子注入工位時注入的離子不同。

作為本發(fā)明離子注入跑片系統(tǒng)的一種改進(jìn)，所述硅片托盤上設(shè)有多條平行設(shè)置的滑軌，多條所述滑軌上安裝一隔板，所述隔板可以沿所述滑軌移動，所述隔板上具有兩排離子注入孔，兩排離子注入孔的位置相互交叉錯開，兩排所述離子注入孔的錯位距離為10μm～50μm，所述隔板的寬度小于所述硅片托盤的寬度，所述硅片托盤上平面中部排列設(shè)置有若干片硅片，所述隔板的兩排離子注入孔交替擋在所述硅片的正上方。

作為本發(fā)明離子注入跑片系統(tǒng)的一種改進(jìn)，所述水平進(jìn)出傳送區(qū)的一側(cè)設(shè)有第一套電磁離合器，所述五臺電磁離合器分別控制五層輸送裝置的運(yùn)動，可以實(shí)現(xiàn)每層單獨(dú)運(yùn)動，五層所述輸送裝置上的硅片托盤全部到位后，五層所述的輸送裝置開始輸送硅片托盤；所述托盤垂直輸送緩沖區(qū)的左右兩側(cè)均設(shè)有第二套電磁離合器，所述托盤垂直輸送緩沖區(qū)的腔室左右側(cè)壁上分別設(shè)有五條硅片托盤緩沖輸送線和兩條異形同步帶垂直輸送裝置，兩條所述異形同步帶垂直輸送裝置上的同步帶上間隔設(shè)有多個定位塊，可將緩沖輸送線上的硅片托盤取出，然后進(jìn)行垂直輸送到腔室底部水平輸送裝置上；所述托盤垂直輸送緩沖區(qū)的左右兩側(cè)均設(shè)有縮回水平傳動裝置，所述異形同步帶垂直輸送裝置在進(jìn)行垂直輸送時，所述縮回水平傳動裝置控制兩側(cè)硅片托盤水平輸送線向外側(cè)收回，防止干擾垂直輸送動作；

作為本發(fā)明離子注入跑片系統(tǒng)的一種改進(jìn)，所述單個托盤水平傳送區(qū)內(nèi)設(shè)有兩組水平輸送皮帶，離子注入工位位于兩組所述水平輸送皮帶之間，離子注入工位的正下方設(shè)有法拉第杯，用于收集離子。

作為本發(fā)明離子注入跑片系統(tǒng)的一種改進(jìn)，所述托盤垂直輸送切換儲存區(qū)的左右側(cè)壁上均設(shè)有異形同步帶垂直取料裝置，所述托盤垂直輸送切換儲存區(qū)的底部設(shè)有將異形同步帶垂直取料裝置上的硅片托盤推向單個托盤水平傳送區(qū)的第一水平推料氣缸，所述第一水平推料氣缸推動硅片托盤進(jìn)入單個托盤水平傳送區(qū)時，所述硅片托盤上的隔板推向硅片托盤的另一側(cè)，隔板上的另一排離子注入孔擋在所述硅片的正上方；

所述硅片托盤正向經(jīng)過離子注入工位時注入的離子為n^﹢型離子或p^﹢型離子，所述硅片托盤反向經(jīng)過離子注入工位時注入的離子n^﹢型離子或p^﹢型離子。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：本發(fā)明離子注入的條件只需要在硅片托盤進(jìn)出的真空度一致即可實(shí)現(xiàn)；該方法采用離子擴(kuò)散的方式無法實(shí)現(xiàn)；本方法采用離子輸入的方式，控制單種類型的離子逐一注入硅片上，可以通過調(diào)節(jié)離子注入設(shè)備的離子注入量和注入環(huán)境，使離子注入的效果更佳，制作成本更低。本產(chǎn)品離子注入時，可以采用兩種方式，硅片經(jīng)過第一種離子注入后，可以反向輸送進(jìn)行第二種離子注入，并輸送出成品。也可以流水線的方式，在單個托盤水平傳送區(qū)的輸出端在設(shè)置第二個離子注入工位，進(jìn)行第二種離子注入，并輸出成品。

附圖說明

下面就根據(jù)附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明及其有益的技術(shù)效果作進(jìn)一步詳細(xì)的描述，其中：

圖1是本發(fā)明硅片托盤進(jìn)入水平進(jìn)出傳送區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明硅片托盤進(jìn)入緩沖區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明硅片托盤進(jìn)入單個托盤水平傳送區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明硅片托盤進(jìn)入托盤垂直輸送切換儲存區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本發(fā)明硅片托盤反向進(jìn)入單個托盤水平傳送區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是本發(fā)明硅片托盤反向進(jìn)入緩沖區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是本發(fā)明硅片托盤反向進(jìn)入水平進(jìn)出傳送區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8是本發(fā)明離子注入跑片系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9是本發(fā)明硅片托盤結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10是本發(fā)明水平進(jìn)出傳送區(qū)結(jié)構(gòu)圖。

圖11是本發(fā)明水平進(jìn)出傳送區(qū)內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。

圖12是本發(fā)明托盤垂直輸送緩沖區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖13是本發(fā)明托盤垂直輸送緩沖區(qū)內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。

圖14是本發(fā)明單個托盤水平傳送區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖15是本發(fā)明托盤垂直輸送切換儲存區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖16是本發(fā)明托盤垂直輸送切換儲存區(qū)內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記名稱：

1-水平進(jìn)出傳送區(qū)；

11-水平皮帶傳送線12-硅片托盤13-推車14-第一套電磁離合器121-滑軌122-隔板123-離子注入孔124-硅片；

2-托盤垂直輸送緩沖區(qū)；

21-第二套電磁離合器22-硅片托盤緩沖輸送線23-異形同步帶垂直輸送裝置24-取料片25-第一水平推料氣缸；

3-單個托盤水平傳送區(qū)；

31-水平輸送皮帶32-離子收集腔

4-托盤垂直輸送緩沖區(qū)；

41-異形同步帶垂直取料裝置42-第二水平推料氣缸43-第三水平推料氣缸；

5-離子注入工位；

6-真空發(fā)生裝置。

具體實(shí)施方式

下面就根據(jù)附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述，但本發(fā)明的實(shí)施方式不局限于此。

實(shí)施例一：如圖1～圖7所示，一種離子注入跑片方法，包括以下步驟：

a)將多個硅片排列成一列或n列放入硅片托盤上，每列硅片的排放方向是硅片托盤的行進(jìn)方向，每兩個硅片之間具有一定的間隙，每兩個硅片之間的間隙相同，每列硅片之間垂直于硅片托盤行進(jìn)方向的間隔大于一個硅片的橫向尺寸，在硅片的正上方蓋上一個可以切換位置的隔板，在隔板上間隔設(shè)置有兩排或2n排供不同離子通過的通孔，兩排或2n排通孔的位置在硅片行進(jìn)方向上相互交叉錯開；

b)多個載有硅片的硅片托盤同時由多個輸送帶裝置從進(jìn)出片腔(或真空過渡腔室)輸送至緩沖區(qū)，緩沖區(qū)內(nèi)的硅片托盤從上至下逐個依次輸送至水平輸送裝置上，水平輸送裝置的輸送帶的中部設(shè)置離子注入設(shè)備，緩沖區(qū)內(nèi)的硅片托盤輸送出的個數(shù)達(dá)到一定個數(shù)時，進(jìn)出片腔(或真空過渡室)輸送帶裝置再一次性輸送與送出的托盤個數(shù)相同的硅片托盤到緩沖區(qū)內(nèi)；離子注入設(shè)備將其中一種離子通過隔板的其中一排或n排通孔逐片注入到硅片托盤上的硅片上；

c)硅片托盤上的硅片經(jīng)過離子注入設(shè)備注入其中一種離子后輸送到切換區(qū)，所述切換區(qū)內(nèi)由下至上依次設(shè)有多個用于疊放已經(jīng)注入其中一種離子的硅片托盤的托盤支架、及將水平輸送裝置輸送過來的硅片托盤逐個輸送至托盤支架上的垂直皮帶輸送裝置；所述切換區(qū)內(nèi)的硅片托盤存放滿料后，停止水平輸送裝置送料；

d)所述切換區(qū)內(nèi)還設(shè)有用于水平推動隔板、使隔板的另一排通孔對準(zhǔn)硅片托盤上的硅片正上方的隔板孔切換裝置；當(dāng)水平輸送裝置反向輸送硅片托盤時，隔板孔切換裝置將硅片托盤上的隔板推向另一側(cè)邊，使隔板的另一排通孔對準(zhǔn)硅片托盤上的硅片正上方，

e)硅片托盤反向輸送至離子注入設(shè)備的位置時，離子注入設(shè)備將另一種離子從隔板的另一排通孔注入硅片托盤上的硅片上；由于隔板上的兩排或n排通孔是在硅片行進(jìn)方向上相互錯開的，因此，兩種離子均可以注入到硅片上而不會重合；

f)硅片托盤上的硅片注入兩種離子后，輸送回緩沖區(qū)，緩沖區(qū)的垂直皮帶輸送裝置逐個將水平輸送裝置輸送的硅片托盤輸送至緩沖區(qū)內(nèi)，當(dāng)緩沖區(qū)的上方放入了足夠個數(shù)的托盤時，輸送帶裝置將多個托盤同時輸送出至進(jìn)出片腔(或真空過渡腔室)，完成離子注入。

優(yōu)選的，步驟c和步驟e所述的離子為n^﹢離子或p^﹢離子，如果步驟c注入的離子是n^﹢離子，則步驟e注入的離子是p^﹢離子，如果步驟c注入的離子是p^﹢離子，則步驟e注入的離子是n^﹢離子。

優(yōu)選的，硅片托盤輸送入和輸送出時，所述緩沖區(qū)和所述切換區(qū)內(nèi)均由真空裝置抽真空，所述緩沖區(qū)和所述切換區(qū)在硅片托盤輸送入和輸送出時的真空度一致。

優(yōu)選的，輸送帶裝置每次輸送入和輸送出所述硅片托盤的個數(shù)為5個。

優(yōu)選的，兩排所述通孔的錯位距離為20μm～30μm。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：本方法容易實(shí)施、步驟簡單，離子注入的條件只需要在硅片托盤進(jìn)出的真空度一致即可實(shí)現(xiàn)；該方法采用離子擴(kuò)散的方式無法實(shí)現(xiàn)；本方法采用離子輸入的方式，控制單種類型的離子逐一注入硅片上，可以通過調(diào)節(jié)離子注入設(shè)備的離子注入量和注入環(huán)境，使離子注入的效果更佳，制作成本更低。

實(shí)施例二：一種離子注入跑片方法，包括以下步驟：

a)將多個硅片排列成一列或n列放入硅片托盤上，每列硅片的排放方向是硅片托盤的行進(jìn)方向，每兩個硅片之間具有一定的間隙，每兩個硅片之間的間隙相同，每列硅片之間垂直于硅片托盤行進(jìn)方向的間隔大于一個硅片的橫向尺寸，在硅片的正上方蓋上一個可以切換位置的隔板，在隔板上間隔設(shè)置有兩排或2n排供不同離子通過的通孔，兩排或2n排通孔的位置在硅片行進(jìn)方向上相互交叉錯開；

b)多個載有硅片的硅片托盤同時由多個輸送帶裝置從進(jìn)出片腔(或真空過渡腔室)輸送至緩沖區(qū)，緩沖區(qū)內(nèi)的硅片托盤從上至下逐個依次輸送至水平輸送裝置上，水平輸送裝置的輸送帶的中部設(shè)置離子注入設(shè)備，緩沖區(qū)內(nèi)的硅片托盤輸送出的個數(shù)達(dá)到一定個數(shù)時，進(jìn)出片腔(或真空過渡室)輸送帶裝置再一次性輸送與送出的托盤個數(shù)相同的硅片托盤到緩沖區(qū)內(nèi)；離子注入設(shè)備將其中一種離子通過隔板的其中一排或n排通孔逐片注入到硅片托盤上的硅片上；

c)所述切換區(qū)內(nèi)還設(shè)有用于水平推動隔板、使隔板的另一排通孔對準(zhǔn)硅片托盤上的硅片正上方的隔板孔切換裝置；經(jīng)過切換位置后的硅片托盤輸送至第二個水平輸送裝置上，第二水平輸送裝置上設(shè)有注入第二種離子的離子注入設(shè)備，隔板孔切換裝置將硅片托盤上的隔板推向另一側(cè)邊，使隔板的另一排通孔對準(zhǔn)硅片托盤上的硅片正上方，

d)硅片托盤反向輸送至離子注入設(shè)備的位置時，離子注入設(shè)備將另一種離子從隔板的另一排通孔注入硅片托盤上的硅片上；由于隔板上的兩排通孔是相互錯開的，因此，兩種離子均可以注入到硅片上而不會重合；

e)硅片托盤上的硅片注入兩種離子后，從第二水平輸送裝置送出，完成離子注入。

如圖8～圖16所示，一種離子注入跑片系統(tǒng)，包括水平進(jìn)出傳送區(qū)1、托盤垂直輸送緩沖區(qū)2、單個托盤水平傳送區(qū)3和托盤垂直輸送切換儲存區(qū)4，單個托盤水平傳送區(qū)3的中部設(shè)有離子注入工位5，水平進(jìn)出傳送區(qū)1、托盤垂直輸送緩沖區(qū)2和托盤垂直輸送切換儲存區(qū)4的底部均設(shè)有真空發(fā)生裝置6，水平進(jìn)出傳送區(qū)1內(nèi)從上而下依次間隔設(shè)有五條可相互調(diào)節(jié)間距的水平皮帶傳送線11，五條水平皮帶傳送線11同時輸送五個硅片托盤12，五個硅片托盤12由一帶腳輪的推車13同時推入五條水平皮帶傳送線11上；硅片托盤12正向依次經(jīng)過水平進(jìn)出傳送區(qū)1、托盤垂直輸送緩沖區(qū)2、單個托盤水平傳送區(qū)3和托盤垂直輸送切換儲存區(qū)4，在托盤垂直輸送切換儲存區(qū)4進(jìn)行離子注入孔切換動作后反向依次經(jīng)過單個托盤水平傳送區(qū)3、托盤垂直輸送緩沖區(qū)4和水平進(jìn)出傳送區(qū)5；硅片托盤12正向經(jīng)過離子注入工位5時注入的離子與硅片托盤12反向經(jīng)過離子注入工位5時注入的離子不同。

優(yōu)選的，硅片托盤12上設(shè)有多條平行設(shè)置的滑軌121，多條滑軌121共同安裝有一隔板122，隔板122可以沿滑軌121移動，隔板122上具有兩排離子注入孔123，兩排離子注入孔123的位置相互交叉錯開，兩排離子注入孔123的錯位距離為20μm～30μm，隔板122的寬度小于硅片托盤12的寬度，硅片托盤12上平面中部排列設(shè)置有若干片硅片124，隔板122的兩排離子注入孔123交替擋在硅片的正上方。

優(yōu)選的，水平進(jìn)出傳送區(qū)1的一側(cè)設(shè)有第一套電磁離合器14，第一套電磁離合器14控制五條水平皮帶傳送線11調(diào)節(jié)間距，五條水平皮帶傳送線11上的硅片托盤12全部到位后，五條水平皮帶傳送線11開始輸送硅片托盤12，如果有其中一條水平皮帶傳送線11的硅片托盤12沒有到位，其它四條水平皮帶傳送線11也不能輸送硅片托盤12。

優(yōu)選的，托盤垂直輸送緩沖區(qū)2的前后兩側(cè)均設(shè)有第二套電磁離合器21，托盤垂直輸送緩沖區(qū)2的空腔前后側(cè)壁上分別設(shè)有五條硅片托盤緩沖輸送線22和兩條異形同步帶垂直輸送裝置23，兩條異形同步帶垂直輸送裝置23上的同步帶上間隔設(shè)有多個將硅片托盤緩沖輸送線上的硅片托盤取出送入單個托盤水平傳送區(qū)的取料片24；托盤垂直輸送緩沖區(qū)2的前后兩側(cè)均設(shè)有縮回干擾裝置，異形同步帶垂直輸送裝置23取硅片托盤緩沖輸送線22上的硅片托盤12時，縮回干擾裝置控制干擾桿縮回；托盤垂直輸送緩沖區(qū)2的底部設(shè)有將取料片24上的硅片托盤12推入單個托盤水平傳送區(qū)3上的第一水平推料氣缸25。

優(yōu)選的，單個托盤水平傳送區(qū)3內(nèi)設(shè)有兩組水平輸送皮帶31，離子注入工位5位于兩組水平輸送皮帶31之間，離子注入工位5的正下方設(shè)有離子收集腔32。

優(yōu)選的，托盤垂直輸送切換儲存區(qū)4的前側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁上均設(shè)有異形同步帶垂直取料裝置41，托盤垂直輸送切換儲存區(qū)4的底部設(shè)有將單個托盤水平傳送區(qū)3輸送的硅片托盤12水平推入異形同步帶垂直取料裝置41的第二水平推料氣缸42、及將異形同步帶垂直取料裝置41上的硅片托盤12推向單個托盤水平傳送區(qū)3的第三水平推料氣缸43，第三水平推料氣缸43推動硅片托盤12進(jìn)入單個托盤水平傳送區(qū)3時，硅片托盤12上的隔板122推向硅片托盤12的另一側(cè)，隔板122上的另一排離子注入孔123擋在硅片的正上方。

優(yōu)選的，硅片托盤12正向經(jīng)過離子注入工位5時注入的離子為n^﹢離子或p^﹢離子，硅片托盤12反向經(jīng)過離子注入工位5時注入的離子為n^﹢離子或p^﹢離子。如果硅片托盤12正向經(jīng)過離子注入工位5時注入的離子為n^﹢離子，則硅片托盤12反向經(jīng)過離子注入工位5時注入的離子為p^﹢離子。如果硅片托盤12正向經(jīng)過離子注入工位5時注入的離子為p^﹢離子，則硅片托盤12反向經(jīng)過離子注入工位5時注入的離子為n^﹢離子。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：本發(fā)明離子注入的條件只需要在硅片托盤進(jìn)出的真空度一致即可實(shí)現(xiàn)；該方法采用離子擴(kuò)散的方式無法實(shí)現(xiàn)；本方法采用離子輸入的方式，控制單種類型的離子逐一注入硅片上，可以通過調(diào)節(jié)離子注入設(shè)備的離子注入量和注入環(huán)境，使離子注入的效果更佳，制作成本更低。本產(chǎn)品離子注入時，可以采用兩種方式，硅片經(jīng)過第一種離子注入后，可以反向輸送進(jìn)行第二種離子注入，并輸送出成品。也可以流水線的方式，在單個托盤水平傳送區(qū)的輸出端在設(shè)置第二個離子注入工位，進(jìn)行第二種離子注入，并輸出成品。

盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和結(jié)構(gòu)的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同范圍限定。