1.一種高功率光纖激光器,其特征在于:包括低熔點導(dǎo)熱材料、水冷光纖盤、光纖激光器或放大器和成型模具,光纖激光器或放大器的光纖盤繞在刻有光纖槽的水冷光纖盤上,外圍套有成型模具,低熔點導(dǎo)熱材料填充于成型模具內(nèi)部;所述低熔點導(dǎo)熱材料,包括低熔點合金和金屬粉末;其中,低熔點合金包括In、Bi、Sn和Ga,其中In的含量為60~65%重量,Bi的含量為25~30%重量,Sn的含量為5-10%重量,Ga的含量為1-4%重量;低熔點合金的含量為總重量的80-90%;金屬粉末為銀粉和/或銅粉,粉末直徑小于40μm;所述金屬粉末均勻分散于所述低熔點合金中,其含量為總重量的10~20%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖激光器,其特征在于:所述低熔點合金的熔點為55-75℃,優(yōu)選60-70℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖激光器,其特征在于:所述成型模具留有光纖進(jìn)出口,進(jìn)出口上裝配有對光纖無損傷的柔性材料,同時可阻止液態(tài)的低熔點導(dǎo)熱材料外流,成型模具上具有液態(tài)低熔點導(dǎo)熱材料的灌注口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖激光器,其特征在于:所述水冷光纖盤為圓柱形光纖盤、錐面型光纖盤、漏斗形光纖盤、平面型光纖盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖激光器,其特征在于:其還包括增益光纖、光纖熔點或無源器件。
6.一種如權(quán)利要求1所述的光纖激光器的制造方法,其特征在于光纖激光器或放大器的光纖盤繞在刻有光纖槽的水冷光纖盤上后,將低熔點合金熔化,然后加入銀粉和/或銅粉,混合均勻得到流質(zhì)的低熔點導(dǎo)熱材料,使其與光纖和水冷光纖盤緊密接觸,降溫成型,光纖完全包圍在固態(tài)的低熔點導(dǎo)熱材料內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光纖激光器的制造方法,其特征在于:在流質(zhì)低熔點導(dǎo)熱材料成型前插入TEC制冷片。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光纖激光器的制造方法,其特征在于:所述成型模具內(nèi)部導(dǎo)通有冷卻管道,具備主動散熱能力。