技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種金屬氧化物薄膜的制備方法，尤其是一種金屬氧化物高介電常數(shù)(簡(jiǎn)稱高K)薄膜和金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜的制備方法，采用納米尺寸熱物理效應(yīng)和靜電紡絲法相結(jié)合的工藝，用于金屬氧化物高K介電薄膜制備及薄膜晶體管制備場(chǎng)合，解決傳統(tǒng)金屬氧化物薄膜制備成本昂貴，工藝復(fù)雜，難以工業(yè)化生產(chǎn)或者成膜質(zhì)量低，可靠性差的難題，實(shí)現(xiàn)低成本且工業(yè)化生產(chǎn)，其整體工藝簡(jiǎn)單，原理可靠，成膜質(zhì)量高，制備時(shí)間短，能夠?qū)崿F(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)，制備的薄膜晶體管性能高，穩(wěn)定性好，成本低，應(yīng)用前景廣闊，具有良好的經(jīng)濟(jì)效益和廣闊的市場(chǎng)前景。

技術(shù)研發(fā)人員：單福凱;孟優(yōu);郭子棟;劉奧;劉國(guó)俠
受保護(hù)的技術(shù)使用者：青島大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710192874
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.28
技術(shù)公布日：2017.06.30