相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2016年3月28日提交的美國臨時申請no.62/314,059的權(quán)益。上述申請的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。

本公開涉及襯底處理系統(tǒng)，更具體地涉及具有射頻(rf)供電的法拉第屏蔽件的包括線圈的襯底處理系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

這里提供的背景描述是為了一般地呈現(xiàn)本公開的上下文的目的。在該背景技術(shù)部分中描述的程度上的目前提名的發(fā)明人的工作和在申請時可能無資格另外作為現(xiàn)有技術(shù)的描述的方面既未清楚地，也未隱含地被承認(rèn)作為針對本公開的現(xiàn)有技術(shù)。

襯底處理系統(tǒng)通常用于蝕刻諸如半導(dǎo)體晶片等襯底上的薄膜。蝕刻通常包括濕化學(xué)蝕刻或干蝕刻?？梢允褂猛ㄟ^電感耦合等離子體(icp)產(chǎn)生的等離子體進(jìn)行干蝕刻。電感耦合等離子體可以由布置在處理室外部的與電介質(zhì)窗相鄰的線圈產(chǎn)生。在處理室內(nèi)流動的工藝氣體被點(diǎn)燃以產(chǎn)生等離子體。

微機(jī)電(mems)器件具有廣泛的應(yīng)用，包括汽車、工業(yè)、生物醫(yī)學(xué)和信息處理。對于這些和其他應(yīng)用的先進(jìn)微機(jī)電(mems)設(shè)備的需求不斷增長。先進(jìn)的mems器件尺寸更小，精度更高，響應(yīng)時間更快。mems器件中的運(yùn)動由靜電或機(jī)械結(jié)構(gòu)驅(qū)動。將壓電膜與mems器件集成提供了優(yōu)點(diǎn)，包括增強(qiáng)的性能，溫度穩(wěn)定性等。

壓電薄膜通常包括wurtzite或perovski晶體結(jié)構(gòu)。例如，pervoski鋯鈦酸鉛(pzt)膜在mems器件中使用時具有高壓電系數(shù)和機(jī)電耦合性能。在蝕刻pzt膜期間，非揮發(fā)性副產(chǎn)物沉積在電介質(zhì)窗和處理室內(nèi)的其它表面上。非揮發(fā)性副產(chǎn)物會導(dǎo)致工藝隨時間漂移并降低蝕刻工藝的重復(fù)性。為了降低成本，該工藝應(yīng)該具有高的平均清洗間隔時間(mtbc)以及快速室恢復(fù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

襯底處理系統(tǒng)包括處理室，處理室包括電介質(zhì)窗和布置在其中以支撐襯底的襯底支撐件。線圈被布置在處理室的外部且與電介質(zhì)窗相鄰。法拉第屏蔽件布置在線圈和電介質(zhì)窗之間。rf發(fā)生器被配置為向線圈提供rf功率。

在其它特征中，電容器連接到線圈和法拉第屏蔽件中的一個以調(diào)節(jié)沿著線圈的電壓駐波的位置。調(diào)諧電路設(shè)置在rf發(fā)生器和線圈之間。調(diào)諧電路包括：第一可變電容器，其包括第一端以及第二端，該第一端連接到rf發(fā)生器；第二可變電容器，其包括連接到第一可變電容器的第二端的第一端；以及第三可變電容器，其包括第一端和第二端。第三可變電容器的第一端連接到第一可變電容器的第二端和第二可變電容器的第一端，并且第三可變電容器的第二端連接到線圈。

在其它特征中，線圈包括第一端和第二端。調(diào)諧電路連接到第一端。第二端連接法拉第屏蔽件。第二端對應(yīng)于線圈的中心抽頭。電容器包括連接到所述第二端的一端和連接到固定參考電位的相對端。

在其它特征中，線圈包括第一端和第二端。調(diào)諧電路連接到線圈的第一端。線圈通過雜散電容耦合到法拉第屏蔽件。

在其他特征中，第一電容器包括連接到法拉第屏蔽件的第一端和連接到固定參考電位的第二端。

在其他特征中，第一電容器包括連接到線圈的第一端和連接到固定參考電位的第二端。

在其他特征中，第一電容器包括連接到法拉第屏蔽件的第一端和連接到固定參考電位的第二端。第二電容器包括連接到線圈的第一端和連接到固定參考電位的第二端。

在其它特征中，線圈包括第一端和第二端。調(diào)諧電路連接到線圈的第一端。線圈的第二端連接到法拉第屏蔽件。線圈通過雜散電容耦合到法拉第屏蔽件。

在其他特征中，第二端對應(yīng)于線圈的中心抽頭。電容器包括連接到第二端的一端和連接到固定參考電位的相對端。

在其他特征中，電容器包括連接到法拉第屏蔽件的第一端和連接到固定參考電位的第二端。

在其他特征中，第一電容器包括連接到第二端的一端和連接到固定參考電位的相對端。第二電容器包括連接到法拉第屏蔽件的第一端和連接到固定參考電位的第二端。

在其他特征中，法拉第屏蔽件包括絲網(wǎng)。

具體而言，本發(fā)明的一些方面可以闡述如下：

1.一種襯底處理系統(tǒng)，其包括：

處理室，其包括電介質(zhì)窗和布置在其中以支撐襯底的襯底支撐件；

線圈，其布置在所述處理室的外部與所述電介質(zhì)窗相鄰；

法拉第屏蔽件，其布置在所述線圈和所述電介質(zhì)窗之間；以及

rf發(fā)生器，其被配置為向所述線圈提供rf功率。

2.根據(jù)條款1所述的襯底處理系統(tǒng)，其還包括連接到所述線圈和所述法拉第屏蔽件中的一個以改變沿著所述線圈的電壓駐波的位置的電容器。

3.根據(jù)條款1所述的襯底處理系統(tǒng)，其還包括布置在所述rf發(fā)生器和所述線圈之間的調(diào)諧電路。

4.根據(jù)條款3所述的襯底處理系統(tǒng)，其中所述調(diào)諧電路包括：

第一可變電容器，其包括第一端和第二端，該第一端連接到所述rf發(fā)生器；

第二可變電容器，其包括連接到所述第一可變電容器的所述第二端的第一端；以及

第三可變電容器，其包括第一端和第二端，其中所述第三可變電容器的所述第一端連接到所述第一可變電容器的所述第二端和所述第二可變電容器的所述第一端，并且所述第三可變電容器的所述第二端連接到線圈。

5.根據(jù)條款3所述的襯底處理系統(tǒng)，其中：

所述線圈包括第一端和第二端；

所述調(diào)諧電路連接到所述第一端；以及

所述第二端連接到所述法拉第屏蔽件。

6.根據(jù)條款5所述的襯底處理系統(tǒng)，其中所述第二端對應(yīng)于所述線圈的中心抽頭。

7.根據(jù)條款5所述的襯底處理系統(tǒng)，其還包括電容器，所述電容器包括連接到所述第二端的一端和連接到固定參考電位的相對端。

8.根據(jù)條款3所述的襯底處理系統(tǒng)，其中：

所述線圈包括第一端和第二端；

所述調(diào)諧電路連接到所述線圈的所述第一端；以及

所述線圈通過雜散電容耦合到所述法拉第屏蔽件。

9.根據(jù)條款8所述的襯底處理系統(tǒng)，其還包括第一電容器，所述第一電容器包括連接到所述法拉第屏蔽件的第一端和連接到固定參考電位的第二端。

10.根據(jù)條款8所述的襯底處理系統(tǒng)，其還包括第一電容器，所述第一電容器包括連接到所述線圈的第一端和連接到固定參考電位的第二端。

11.根據(jù)條款8所述的襯底處理系統(tǒng)，其還包括：

第一電容器，其包括連接到法拉第屏蔽件的第一端和連接到固定參考電位的第二端；以及

第二電容器，其包括連接到所述線圈的第一端和連接到固定參考電位的第二端。

12.根據(jù)條款3所述的襯底處理系統(tǒng)，其中：

所述線圈包括第一端和第二端；

所述調(diào)諧電路連接到所述線圈的所述第一端；

所述線圈的所述第二端連接到所述法拉第屏蔽件；以及

所述線圈通過雜散電容耦合到所述法拉第屏蔽件。

13.根據(jù)條款12所述的襯底處理系統(tǒng)，其中所述第二端對應(yīng)于所述線圈的中心抽頭。

14.根據(jù)條款12所述的襯底處理系統(tǒng)，其還包括電容器，所述電容器包括連接到所述第二端的一端和連接到固定參考電位的相對端。

15.根據(jù)條款12所述的襯底處理系統(tǒng)，其還包括電容器，所述電容器包括連接到所述法拉第屏蔽件的第一端和連接到固定參考電位的第二端。

16.根據(jù)條款12所述的襯底處理系統(tǒng)，其還包括：

第一電容器，其包括連接到所述第二端的一端和連接到固定參考電位的相對端，

第二電容器，其包括連接到所述法拉第屏蔽件的第一端和連接到固定參考電位的第二端。

17.根據(jù)條款1所述的襯底處理系統(tǒng)，其中所述法拉第屏蔽件包括絲網(wǎng)。

根據(jù)詳細(xì)描述、權(quán)利要求書和附圖，本公開的其它應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒆兊蔑@而易見。詳細(xì)描述和具體示例僅旨在用于說明的目的，并且不旨在限制本公開的范圍。

附圖說明

根據(jù)詳細(xì)描述和附圖將更充分地理解本公開，其中：

圖1a是根據(jù)本公開的襯底處理系統(tǒng)的示例的功能框圖；

圖1b是示出法拉第屏蔽件的示例的平面圖；

圖2a根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)示出了在沒有rf供電的法拉第屏蔽件的情況下在線圈上的電壓駐波的示例以及處理室的窗口上的相應(yīng)的沉積和濺射的示例；

圖2b根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)示出了沒有法拉第屏蔽件的情況下電壓駐波作為沿著線圈的距離的函數(shù)的示例的曲線圖；

圖3a示出了根據(jù)本公開的在蝕刻期間在具有rf供電的法拉第屏蔽件的情況下由線圈產(chǎn)生的磁場和感應(yīng)電流的示例；

圖3b示出了根據(jù)本公開的在具有rf供電的法拉第屏蔽件的情況下使用線圈的在蝕刻期間的離子能量的示例；

圖4a是根據(jù)本公開的線圈、調(diào)諧電路和rf供電的法拉第屏蔽件的示例的電氣原理圖和功能框圖；

圖4b是示出圖4a的電壓駐波的曲線圖；

圖5是根據(jù)本公開的線圈、調(diào)諧電路和rf供電的法拉第屏蔽件的另一示例的電氣原理圖和功能框圖；

圖6a是根據(jù)本公開的線圈、調(diào)諧電路和rf供電的法拉第屏蔽件的另一示例的電氣原理圖和功能框圖；和

圖6b是示出圖6a的電壓駐波的曲線圖。

在附圖中，可以重復(fù)使用附圖標(biāo)記來標(biāo)識相似和/或相同的元件。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在參考圖1a，示出了根據(jù)本公開的襯底處理系統(tǒng)10的示例。襯底處理系統(tǒng)10包括rf發(fā)生器11。在一些示例中，rf發(fā)生器11包括rf源12和調(diào)諧電路13。調(diào)諧電路13將rf源12的輸出調(diào)諧到期望的頻率和/或期望的相位并且匹配線圈16的阻抗。在一些示例中，盡管rf源12的輸出是50歐姆，但是可以使用其他值。雖然示出單個線圈，但可以使用多個線圈。

在一些示例中，rf供電的法拉第屏蔽件20可以布置在線圈16和電介質(zhì)窗24之間。rf供電的法拉第屏蔽件20可以連接到線圈16上的抽頭上。在圖1b中，rf供電的法拉第屏蔽件20包括布置成鄰近電介質(zhì)窗24的導(dǎo)電材料網(wǎng)。

電介質(zhì)窗24沿著處理室28的一側(cè)布置。處理室28進(jìn)一步包括襯底支撐件(或基座)32。在處理期間，襯底34布置在襯底支撐件32上。襯底支撐件32可以包括靜電卡盤(esc)、機(jī)械卡盤或其它類型的卡盤。工藝氣體被供應(yīng)到處理室28，并且等離子體40在處理室28的內(nèi)部產(chǎn)生。等離子體40蝕刻襯底34的暴露表面。在一些示例中，可以使用rf源50和偏置匹配電路52以在操作期間偏置襯底支撐件32以進(jìn)一步控制離子能量。

氣體輸送系統(tǒng)56可以用于將蝕刻氣體混合物供應(yīng)到處理室28。氣體輸送系統(tǒng)56可以包括蝕刻氣體和惰性氣體源57、氣體計(jì)量系統(tǒng)58(例如閥和質(zhì)量流量控制器)和歧管59。在一些實(shí)例中，工藝氣體包括蝕刻氣體混合物。在一些示例中，蝕刻氣體包括pzt蝕刻氣體混合物。加熱器/冷卻器64可用于將襯底支撐件32加熱/冷卻至預(yù)定溫度。排放系統(tǒng)65包括閥66和泵67，以通過清出或抽排來從處理室28除去反應(yīng)物。

控制器54可用于控制蝕刻工藝?？刂破?4監(jiān)控系統(tǒng)參數(shù)并控制氣體混合物的輸送，激勵、維持和熄滅等離子體，去除反應(yīng)物，提供冷卻氣體等。另外，如下面詳細(xì)描述的那樣，控制器54可以控制rf發(fā)生器11、rf源50和偏置匹配電路52等的多種方面。

現(xiàn)在參考圖2a和2b，線圈上的電壓駐波(vsw)被示出為針對不使用rf供電的法拉第屏蔽件20的應(yīng)用的線圈長度的函數(shù)。在圖2a中，入射在電介質(zhì)窗上的離子具有隨著線圈上的電壓駐波的幅度而變化的能量。結(jié)果，電介質(zhì)窗的濺射發(fā)生在對應(yīng)于電壓駐波的高電壓大小的線圈的位置。電介質(zhì)窗上的沉積發(fā)生在對應(yīng)于電壓駐波的低電壓幅度的線圈的位置。換句話說，pzt蝕刻的副產(chǎn)物將沉積在電介質(zhì)窗上。在圖2b中示出了沒有法拉第屏蔽件的沿著線圈的示例性電壓分布?？梢岳斫?，連接rf供電的法拉第屏蔽件20將改變線圈16上的電壓駐波。

現(xiàn)在參見圖3a和3b，示出了具有rf供電的法拉第屏蔽件20的線圈的操作。在圖3a中，線圈16和rf供電的法拉第屏蔽件20感應(yīng)磁場和感應(yīng)電流，如圖所示的。在圖3b中，與圖2a和2b中的離子的可變能量相反，離子具有在整個電介質(zhì)窗24上的基本上均勻的離子能量。

現(xiàn)在參見圖4a和4b，示出了rf供電的法拉第屏蔽件20與線圈16的連接。在圖4a中，調(diào)諧電路13被示為包括可變電容器c1、c2和c3?？勺冸娙萜鱟1的一個端子連接到rf發(fā)生器11的輸出?？勺冸娙萜鱟1的另一個端子連接到可變電容器c2和c3的端子。可變電容器c2的另一個端子連接到諸如接地之類的固定參考電位?？勺冸娙萜鱟3的另一個端子連接到線圈16的一端。線圈16的相對端連接到可變電容器c4。rf供電的法拉第屏蔽件20還在線圈16的相對端之間的抽頭位置處連接到線圈16。rf供電的法拉第屏蔽件20的抽頭位置可以變化以實(shí)現(xiàn)最佳rf功率和/或變化vsw的位置。在線圈16和rf供電的法拉第屏蔽件20之間示出雜散電容cs。在圖4b中，示出了沿著線圈16的長度的電壓vpp。

現(xiàn)在參考圖5，示出了rf供電的法拉第屏蔽件20的另一示例。rf供電的法拉第屏蔽件20通過雜散電容cs耦合到線圈16。替代地，固定或可變電容器c6(未示出)可用于將rf供電的法拉第屏蔽件20耦合到線圈16?？勺冸娙萜鱟5可以用于調(diào)整rf供電的法拉第屏蔽件20的效果和/或調(diào)整vsw的位置。在一些示例中，可變電容器c5具有在8pf至650pf之間的范圍內(nèi)的電容，但是可以使用其他值。

現(xiàn)在參考圖6a和6b，示出了rf供電的法拉第屏蔽件20的另一示例。在圖6a中，rf供電的法拉第屏蔽件20直接連接到線圈16的相對端之間的抽頭位置。rf供電的法拉第屏蔽件20還通過雜散電容cs耦合到線圈16?？勺冸娙萜鱟5連接到rf供電的法拉第屏蔽件20。在圖6b中，示出了沿對應(yīng)于可變電容器c3的端子與對應(yīng)于電容器c4的端子之間的線圈長度的電壓vpp。rf供電的法拉第屏蔽件20由線圈16上的rf電壓直接提供?？梢允褂每勺冸娙萜鱟5來調(diào)節(jié)vsw。

通過使用rf供電的法拉第屏蔽件，在蝕刻期間，電介質(zhì)窗上的副產(chǎn)物沉積顯著減少。在一些示例中，蝕刻包括pzt蝕刻。由于rf供電的法拉第屏蔽件電壓降低，因此與電介質(zhì)窗的rf耦合也減小。因此，工藝的性能和可重復(fù)性得到改善?？梢岳斫猓勺冸娙萜骺梢允枪潭娙萜?，反之亦然。

前面的描述在本質(zhì)上僅僅是說明性的并且不意在以任何方式限制本公開、其應(yīng)用或用途。本公開的廣泛教導(dǎo)可以以各種形式來實(shí)現(xiàn)。因此，雖然本公開包括特定的實(shí)施例，但本公開的真實(shí)范圍不應(yīng)被如此限制，因?yàn)橐坏┭芯扛綀D、說明書和以下權(quán)利要求，其它的修改方案就會變得清楚。應(yīng)當(dāng)理解的是，方法中的一個或多個步驟可以以不同的順序(或同時)進(jìn)行，而不會改變本公開的原理。此外，雖然各實(shí)施方式在上面描述為具有某些特征，但相對于本公開的任何實(shí)施方式所描述的這些特征中的任何一個或多個可以在任何其它實(shí)施方式中實(shí)現(xiàn)和/或結(jié)合任何其它實(shí)施方式中的特征，即使這種結(jié)合未明確說明也如此。換言之，所描述的實(shí)施方式不是相互排斥的，并且一個或多個實(shí)施方式相互的更換方案保持在本公開的范圍內(nèi)。

在元件之間(例如，在模塊、電路元件、半導(dǎo)體層等等之間)的空間和功能關(guān)系使用各種術(shù)語描述，這些術(shù)語包括“連接”、“接合”、“耦合”、“相鄰”、“緊接”、“在……頂部”、“在……上面”、“在……下面”和“被設(shè)置”。除非明確地描述為“直接”，否則當(dāng)?shù)谝缓偷诙g的關(guān)系在上述公開內(nèi)容中描述時，這種關(guān)系可以是直接的關(guān)系，其中沒有其它中間元件存在于第一和第二元件之間，但也可以是間接的關(guān)系，其中一個或多個中間元件(或者在空間上或功能上)存在于第一和第二元件之間。如本文所用的，短語“a、b和c中的至少一個”應(yīng)當(dāng)解釋為意味著使用非排他邏輯“或”的邏輯(a或b或c)，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為是指“至少一個a，至少一個b，和至少一個c。

在一些實(shí)現(xiàn)方式中，控制器是系統(tǒng)的一部分，該系統(tǒng)可以是上述實(shí)例的一部分。這種系統(tǒng)可以包括半導(dǎo)體處理設(shè)備，其包括一個或多個處理工具、一個或多個處理室、用于處理的一個或多個平臺和/或具體的處理組件(晶片基座、氣流系統(tǒng)等)。這些系統(tǒng)可以與用于控制它們在處理半導(dǎo)體晶片或襯底之前、期間和之后的操作的電子器件一體化。電子器件可以稱為“控制器”，該控制器可以控制一個或多個系統(tǒng)的多種元件或子部件。根據(jù)處理要求和/或系統(tǒng)的類型，控制器可以被編程以控制本文公開的任何工藝，包括控制處理氣體輸送、溫度設(shè)置(例如，加熱和/或冷卻)、壓強(qiáng)設(shè)置、真空設(shè)置、功率設(shè)置、射頻(rf)發(fā)生器設(shè)置、rf匹配電路設(shè)置、頻率設(shè)置、流速設(shè)置、流體輸送設(shè)置、位置及操作設(shè)置、晶片傳送進(jìn)出工具和其他傳送工具和/或與具體系統(tǒng)連接或通過接口連接的裝載鎖。

概括地說，控制器可以定義為接收指令、發(fā)布指令、控制操作、啟用清洗操作、啟用端點(diǎn)測量等等的具有各種集成電路、邏輯、存儲器和/或軟件的電子器件。集成電路可以包括存儲程序指令的固件形式的芯片、數(shù)字信號處理器(dsp)、定義為專用集成電路(asic)的芯片和/或一個或多個微處理器或執(zhí)行程序指令(例如，軟件)的微控制器。程序指令可以是以多種單獨(dú)設(shè)置(或程序文件)的形式傳送到控制器的指令，該設(shè)置(或程序文件)定義用于在半導(dǎo)體晶片或系統(tǒng)上或針對半導(dǎo)體晶片或系統(tǒng)執(zhí)行特定處理的操作參數(shù)。在一些實(shí)施方式中，操作參數(shù)可以是由工藝工程師定義的用于在制備晶片的一個或多個(種)層、材料、金屬、氧化物、硅、二氧化硅、表面、電路和/或裸芯片期間完成一個或多個處理步驟的配方的一部分。

在一些實(shí)現(xiàn)方式中，控制器可以是與系統(tǒng)集成、耦接或者說是通過網(wǎng)絡(luò)連接系統(tǒng)或它們的組合的計(jì)算機(jī)的一部分或者與該計(jì)算機(jī)耦接。例如，控制器可以在“云端”或者是fab主機(jī)系統(tǒng)的全部或一部分，它們可以允許遠(yuǎn)程訪問晶片處理。計(jì)算機(jī)可以啟用對系統(tǒng)的遠(yuǎn)程訪問以監(jiān)測制造操作的當(dāng)前進(jìn)程，檢查過去的制造操作的歷史，檢查多個制造操作的趨勢或性能標(biāo)準(zhǔn)，以改變當(dāng)前處理的參數(shù)，設(shè)置處理步驟以跟隨當(dāng)前的處理或者開始新的工藝。在一些實(shí)例中，遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)(例如，服務(wù)器)可以通過網(wǎng)絡(luò)給系統(tǒng)提供工藝配方，網(wǎng)絡(luò)可以包括本地網(wǎng)絡(luò)或互聯(lián)網(wǎng)。遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)可以包括允許輸入或編程參數(shù)和/或設(shè)置的用戶界面，該參數(shù)和/或設(shè)置然后從遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)傳送到系統(tǒng)。在一些實(shí)例中，控制器接收數(shù)據(jù)形式的指令，該指令指明在一個或多個操作期間將要執(zhí)行的每個處理步驟的參數(shù)。應(yīng)當(dāng)理解，參數(shù)可以針對將要執(zhí)行的工藝類型以及工具類型，控制器被配置成連接或控制該工具類型。因此，如上所述，控制器可以例如通過包括一個或多個分立的控制器而分布，這些分立的控制器通過網(wǎng)絡(luò)連接在一起并且朝著共同的目標(biāo)(例如，本文所述的工藝和控制)工作。用于這些目的的分布式控制器的實(shí)例可以是與一個或多個遠(yuǎn)程集成電路(例如，在平臺水平或作為遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)的一部分)通信的室上的一個或多個集成電路，它們結(jié)合以控制室內(nèi)的工藝。

示例性系統(tǒng)可以包括但不限于，等離子體蝕刻室或模塊、沉積室或模塊、旋轉(zhuǎn)清洗室或模塊、金屬電鍍室或模塊、清潔室或模塊、倒角邊緣蝕刻室或模塊、物理氣相沉積(pvd)室或模塊、化學(xué)氣相沉積(cvd)室或模塊、原子層沉積(ald)室或模塊、原子層蝕刻(ale)室或模塊、離子注入室或模塊、軌道室或模塊、以及在半導(dǎo)體晶片的制備和/或制造中可以關(guān)聯(lián)上或使用的任何其他的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)。

如上所述，根據(jù)工具將要執(zhí)行的一個或多個工藝步驟，控制器可以與一個或多個其他的工具電路或模塊、其他工具組件、組合工具、其他工具界面、相鄰的工具、鄰接工具、位于整個工廠中的工具、主機(jī)、另一個控制器、或者將晶片的容器搬運(yùn)到半導(dǎo)體制造工廠中的工具位置和/或裝載口以及從工具位置和/或裝載口搬運(yùn)晶片的容器的材料搬運(yùn)中使用的工具通信。