技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種垂直溝道有機(jī)薄膜晶體管及其制作方法。所述垂直溝道有機(jī)薄膜晶體管包括：環(huán)形的有機(jī)半導(dǎo)體層、分別與所述環(huán)形的有機(jī)半導(dǎo)體層上下兩側(cè)接觸的環(huán)形的漏極和環(huán)形的源極、以及設(shè)于所述環(huán)形的有機(jī)半導(dǎo)體層的內(nèi)環(huán)內(nèi)部且與所述環(huán)形的有機(jī)半導(dǎo)體層絕緣間隔的柵極，可通過改變由溶液法制作的有機(jī)半導(dǎo)體層的厚度來改變薄膜晶體管的有效導(dǎo)電溝道長(zhǎng)度，進(jìn)而使得短溝道圖形的定義不再依賴于高精度的曝光和刻蝕設(shè)備，能夠降低制程難度和生產(chǎn)成本，同時(shí)環(huán)形的電極結(jié)構(gòu)可節(jié)省薄膜晶體管的平面空間，增加薄膜晶體管的適用場(chǎng)景，提升電路設(shè)計(jì)的靈活性。

技術(shù)研發(fā)人員：劉哲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢華星光電技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.28
技術(shù)公布日：2017.07.14