本發(fā)明涉及一種內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)及其制造工藝，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

由于大功率mos管發(fā)熱量較大，而散熱效果的優(yōu)劣可以直接影響mos管及設(shè)備的穩(wěn)定性，因此通常會(huì)在大功率mos管背面貼裝散熱器以提高大功率三極管的散熱效率。然而，為保證其應(yīng)用于高壓環(huán)境中的大功率mos管的絕緣性能，需要在制造的過程中采用絕緣措施將引線框架與散熱器隔開。最常見的方法是把陶瓷片貼裝于引線框架與散熱器之間。這種絕緣措施有以下缺點(diǎn)：

1、陶瓷片的絕緣的絕緣性市場上優(yōu)劣不等，需要繁瑣的檢驗(yàn)流程確定其絕緣性；

2、陶瓷片裝片時(shí)如發(fā)生斜管將直接導(dǎo)致，芯片離載片臺(tái)的距離不等，絕緣效果也不等；

3、陶瓷片的制作流程繁瑣，市場價(jià)格昂貴。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)及其制造工藝，它能夠解決傳統(tǒng)陶瓷片絕緣價(jià)格昂貴的問題和絕緣性不可控的限制。

本發(fā)明解決上述問題所采用的技術(shù)方案為：一種內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)，它包括引線框架，所述引線框架包括載片臺(tái)和引腳，所述載片臺(tái)上通過粘結(jié)物質(zhì)或焊料設(shè)置有芯片，所述芯片通過焊線與引線框架的引腳電性連接，所述引線框架下方設(shè)置有散熱片，所述散熱片背面四周邊緣處設(shè)置有鎖膠臺(tái)階，所述引線框架、芯片、焊線和散熱片外圍均包封有塑封料，所述散熱片背面露出于塑封料之外。

所述載片臺(tái)上設(shè)置有v形槽，所述v形槽位于芯片外圍。

一種內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)的制造工藝，所述工藝包括如下步驟：

步驟一、取一引線框架，引線框架包含載片臺(tái)和引腳；

步驟二、在步驟一引線框架的載片臺(tái)上涂覆粘結(jié)物質(zhì)或焊料，然后在粘結(jié)物質(zhì)或焊料上植入芯片；

步驟三、在芯片正面與引腳正面之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè)；

步驟四、提供一散熱片，散熱片背面設(shè)有鎖膠臺(tái)階；

步驟五、在散熱片上表面貼上abf膜，并進(jìn)行熱固化作業(yè);

步驟六、預(yù)置散熱片至模具內(nèi)，并將步驟三完成鍵合金屬線作業(yè)的引線框架放入模具中的散熱片上，使載片臺(tái)下表面與散熱片上表面的abf膜貼合在一起；

步驟七、向模具內(nèi)注入塑封料；

步驟八、將步驟七完成塑封的半成品進(jìn)行切割或是沖切作業(yè)，使原本陣列式的塑封體切割或是沖切獨(dú)立開來，制得一種內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)。

步驟一中的載片臺(tái)上設(shè)有v形槽。

所述金屬線的材料采用金、銀、銅、鋁或是合金的材料。

所述金屬絲的形狀是絲狀或是帶狀。

所述塑封料采用有填料物質(zhì)或是無填料物質(zhì)的環(huán)氧樹脂。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

1、本發(fā)明通過塑封料進(jìn)行絕緣，工藝簡單，絕緣結(jié)構(gòu)制造成本低；

2、本發(fā)明散熱片和載片臺(tái)之間的絕緣層厚度可按需求進(jìn)行調(diào)整，其絕緣效果可控；

3、本發(fā)明能夠解決傳統(tǒng)陶瓷片絕緣價(jià)格昂貴的問題和絕緣性不可控的限制，另外，本發(fā)明絕緣層材料（abf膜）和塑封料材質(zhì)屬性一致，兩者結(jié)合優(yōu)良，可以更好實(shí)現(xiàn)熱傳遞。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖2~圖9為本發(fā)明一種內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)的制造工藝的各工序流程圖。

其中：

引線框架1

引腳1.1

載片臺(tái)1.2

芯片2

粘結(jié)物質(zhì)或焊料3

焊線4

散熱片5

v形槽6

鎖膠臺(tái)階7

abf膜8

模具9

塑封料10。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

如圖1所示，本實(shí)施例中的一種內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)，它包括引線框架1，所述引線框架1包括載片臺(tái)1.1和引腳1.2，所述載片臺(tái)1.1上通過粘結(jié)物質(zhì)或焊料3設(shè)置有芯片2，所述芯片2通過焊線4與引線框架1的引腳1.2電性連接，所述引線框架1下方設(shè)置有散熱片5，所述散熱片5背面四周邊緣處設(shè)置有鎖膠臺(tái)階7，所述引線框架1、芯片2、焊線4和散熱片5外圍均包封有塑封料10，所述散熱片5背面露出于塑封料10之外；

所述載片臺(tái)1.1上設(shè)置有v形槽6，所述v形槽6位于芯片2外圍。

其制造工藝如下：

步驟一、參見圖2，取一引線框架，引線框架包含載片臺(tái)和引腳，載片臺(tái)上設(shè)有v形槽；

步驟二，參見圖3，在步驟一引線框架的載片臺(tái)上涂覆粘結(jié)物質(zhì)或焊料，然后在粘結(jié)物質(zhì)或焊料上植入芯片；

步驟三，參見圖4，在芯片正面與引腳正面之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè)，所述金屬線的材料采用金、銀、銅、鋁或是合金的材料，金屬絲的形狀可以是絲狀也可以是帶狀；

步驟四，參見圖5，提供一散熱片，散熱片背面設(shè)有鎖膠臺(tái)階；

步驟五，參見圖6，在散熱片上表面貼上abf膜，并進(jìn)行熱固化作業(yè);

步驟六、參見圖7，預(yù)置散熱片至模具內(nèi)，并將步驟三完成鍵合金屬線作業(yè)的引線框架放入模具中的散熱片上，使載片臺(tái)下表面與散熱片上表面的abf膜貼合在一起；

步驟七、參見圖8，向模具內(nèi)注入塑封料，塑封料可以采用有填料物質(zhì)或是無填料物質(zhì)的環(huán)氧樹脂；

步驟八、參見圖9，將步驟七完成塑封的半成品進(jìn)行切割或是沖切作業(yè)，使原本陣列式的塑封體切割或是沖切獨(dú)立開來，制得一種內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)。

除上述實(shí)施例外，本發(fā)明還包括有其他實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案，均應(yīng)落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)及其制造工藝，所述結(jié)構(gòu)包括引線框架（1），所述引線框架（1）包括載片臺(tái)（1.1）和引腳（1.2），所述載片臺(tái)（1.1）上通過粘結(jié)物質(zhì)或焊料（3）設(shè)置有芯片（2），所述芯片（2）通過焊線（4）與引線框架（1）的引腳（1.2）電性連接，所述引線框架（1）下方設(shè)置有散熱片（5），所述散熱片（5）背面四周邊緣處設(shè)置有鎖膠臺(tái)階（7），所述引線框架（1）、芯片（2）、焊線（4）和散熱片（5）外圍均包封有塑封料（10），所述散熱片（5）背面露出于塑封料（10）之外。本發(fā)明一種內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)及其制造工藝，它能夠解決傳統(tǒng)陶瓷片絕緣價(jià)格昂貴的問題和絕緣性不可控的限制。

技術(shù)研發(fā)人員：王亞琴;劉愷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇長電科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.29
技術(shù)公布日：2017.07.07