本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種差異化控制蝕刻深度的方法。

背景技術(shù)：

在面板制作中，蝕刻是需要經(jīng)常用到的工藝，通常，為了達(dá)到電學(xué)接觸、面板彎曲等目的，需要采用干法蝕刻或濕法蝕刻，蝕刻出不同深度的過孔。

現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)于不同深度的過孔，一般需要采用幾道光罩才能實(shí)現(xiàn)，這樣會(huì)使得工藝耗時(shí)較長，增加了生產(chǎn)成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要提供一種差異化控制蝕刻深度的方法，旨在解決不同深度的過孔采用多道光罩而使得工藝耗時(shí)較長的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種差異化控制蝕刻深度的方法，該方法包括：在層疊結(jié)構(gòu)的面板中的至少一層設(shè)置第一蝕刻阻檔圖案層；采用第一蝕刻劑對(duì)所述面板進(jìn)行第一次蝕刻，使得所述面板在設(shè)置有所述第一蝕刻阻檔圖案層的位置形成第一蝕刻深度，在未設(shè)置有所述第一蝕刻阻檔圖案層的位置形成第二蝕刻深度，通過控制蝕刻時(shí)間使得所述第二蝕刻深度深于所述第一蝕刻阻檔圖案層的底面；采用第二蝕刻劑對(duì)所述面板進(jìn)行第二次蝕刻，將所述第一蝕刻阻檔圖案層蝕刻掉。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過在層疊結(jié)構(gòu)的面板中的至少一層設(shè)置第一蝕刻阻檔圖案層；采用第一蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第一次蝕刻，使得面板在設(shè)置有第一蝕刻阻檔圖案層的位置形成第一蝕刻深度，在未設(shè)置有第一蝕刻阻檔圖案層的位置形成第二蝕刻深度，通過控制蝕刻時(shí)間使得第二蝕刻深度深于第一蝕刻阻檔圖案層的底面；采用第二蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第二次蝕刻，將第一蝕刻阻檔圖案層蝕刻掉的方法，使得未設(shè)有第一蝕刻阻檔圖案層的位置與設(shè)有第一蝕刻阻檔圖案層的位置形成深度差異化，進(jìn)而使得在同一道光罩工藝中僅通過轉(zhuǎn)換蝕刻劑即可蝕刻出不同的深度，減少了工藝耗時(shí)，降低了生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1是本發(fā)明提供的差異化控制蝕刻深度的方法第一實(shí)施例的流程示意圖；

圖2是圖1中層疊結(jié)構(gòu)在步驟S12中的狀態(tài)示意圖；

圖3是圖1中層疊結(jié)構(gòu)在步驟S13中的狀態(tài)示意圖；

圖4是本發(fā)明提供的差異化控制蝕刻深度的方法第二實(shí)施例的流程示意圖；

圖5是圖4中層疊結(jié)構(gòu)在步驟S22中的狀態(tài)示意圖；

圖6是圖4中層疊結(jié)構(gòu)在步驟S23中的狀態(tài)示意圖；

圖7是圖4中層疊結(jié)構(gòu)在步驟S24中的狀態(tài)示意圖；

圖8是圖4中層疊結(jié)構(gòu)在步驟S25中的狀態(tài)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所提供的一種差異化控制蝕刻深度的方法做進(jìn)一步詳細(xì)描述。

參閱圖1和圖2，本發(fā)明提供的差異化控制蝕刻深度的方法的第一實(shí)施例包括：

S11：在層疊結(jié)構(gòu)的面板中的至少一層設(shè)置第一蝕刻阻檔圖案層110；

為了便于說明，在本實(shí)施例中，層疊結(jié)構(gòu)以柔性顯示面板中的層疊結(jié)構(gòu)為例，即該層疊結(jié)構(gòu)包括由下至上的基板101、阻隔層102、緩沖層103、主動(dòng)層104、覆蓋主動(dòng)層104的柵極絕緣層105、柵極圖案層106、覆蓋柵極圖案層106的電容介電層107、電容電極圖案層108及覆蓋電容電極圖案層108的絕緣層109。

一般的，在柔性顯示面板的層疊結(jié)構(gòu)中，需要蝕刻出不同深度的待蝕刻孔，比如圖1中所示的待蝕刻孔A1及待蝕刻孔B1，待蝕刻孔A1用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線與主動(dòng)層104接觸，因而需要蝕刻至主動(dòng)層104的上表面，待蝕刻孔B1用于減輕面板彎曲時(shí)的應(yīng)力，需要蝕刻至緩沖層103的上表面，因此，在本實(shí)施例中，待蝕刻孔A1的待蝕刻深度小于待蝕刻孔B1的待蝕刻深度。

進(jìn)一步地，在待蝕刻孔A1的位置設(shè)置第一蝕刻阻擋圖案層110。

可選的，在待蝕刻孔A1的位置，在電容介電層107的上表面形成與電容電極圖案層108同層設(shè)置的第一蝕刻阻擋圖案層110，且為了簡化工藝，可在形成電容電極圖案層108的同時(shí)采用同一道光刻工藝形成第一蝕刻阻擋圖案層110。

其中，層疊結(jié)構(gòu)的材料為無機(jī)材料，比如SiN_x或SiO₂，第一蝕刻阻擋圖案層108的材料為金屬材料，比如Mo、Ti、A1l或TiA1l合金金屬。

S12：采用第一蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第一次蝕刻，使得面板在設(shè)置有第一蝕刻阻檔圖案層110的位置形成第一蝕刻深度，在未設(shè)置有第一蝕刻阻檔圖案層110的位置形成第二蝕刻深度，通過控制蝕刻時(shí)間使得第二蝕刻深度深于第一蝕刻阻檔圖案層110的底面；

具體地，采用第一蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第一次蝕刻，在待蝕刻孔A1及待蝕刻孔B1的位置會(huì)同時(shí)被蝕刻，如圖2中箭頭所示，當(dāng)待蝕刻孔A1的位置處蝕刻到第一蝕刻阻擋圖案層110的上表面時(shí)，由于蝕刻劑不能蝕刻第一蝕刻阻擋圖案層110而停止蝕刻，形成第一待蝕刻深度，而待蝕刻孔B1由于未設(shè)置第一蝕刻阻擋圖案層110而會(huì)繼續(xù)蝕刻，此時(shí)，通過控制蝕刻時(shí)間，使得待蝕刻孔B1的位置蝕刻到超過第一蝕刻阻擋圖案層110底面的位置，形成第二蝕刻深度，且在本實(shí)施例中，可通過控制蝕刻時(shí)間使超過第一蝕刻阻擋圖案層110底面的深度等于主動(dòng)層104的厚度。

其中，當(dāng)采用干法蝕刻時(shí)，第一蝕刻劑可以是包括但不限于CF₄與O₂的混合氣體或C₂FH₅、A1r與H₂的混合氣體；當(dāng)采用濕法蝕刻時(shí)，第一蝕刻劑可以是包括但不限于HF或B1OE的液體。

S13：采用第二蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第二次蝕刻，將第一蝕刻阻檔圖案層110蝕刻掉。

具體地，采用第二蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第二次蝕刻，如圖3中箭頭所示，由于第二蝕刻劑不能蝕刻無機(jī)材料的層疊結(jié)構(gòu)，只能對(duì)金屬材料的第一蝕刻阻擋圖案層110進(jìn)行蝕刻，而使得在待蝕刻孔B1的位置不進(jìn)行蝕刻，待蝕刻孔A1的位置繼續(xù)蝕刻，直至將第一蝕刻阻擋圖案層蝕刻掉，由于在步驟S12中，第二蝕刻深度深于第一蝕刻阻檔圖案層110的底面，而使得待蝕刻孔B1的蝕刻深度要大于待蝕刻孔A1的蝕刻深度。

其中，當(dāng)采用干法蝕刻時(shí)，第二蝕刻劑可以是包括但不限于SF₆與O₂的混合氣體、Cl₂與O₂的混合氣體或Cl₂與B1F₃的混合氣體；當(dāng)采用濕法蝕刻時(shí)，第二蝕刻劑可以是包括但不限于H₃PO₄、HNO₃或HCOOH的液體。

進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，為了使得待蝕刻孔A1與主動(dòng)層104接觸，待蝕刻孔B1與緩沖層103接觸，可重復(fù)使用第一蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行蝕刻，直至待蝕刻孔A1蝕刻到與主動(dòng)層104接觸、待蝕刻孔B1蝕刻到與緩沖層103接觸，且由于步驟S12中，可通過控制蝕刻時(shí)間使超過第一蝕刻阻擋圖案層110底面的深度等于主動(dòng)層104的厚度，使得在繼續(xù)蝕刻時(shí)，待蝕刻孔A1與待蝕刻孔B1可同時(shí)分別與主動(dòng)層104及緩沖層103接觸，此時(shí)即可完成待蝕刻孔A1與待蝕刻孔B1的蝕刻。

參閱圖4及圖5，本發(fā)明提供的差異化控制蝕刻深度的方法的第二實(shí)施例包括：

S21：在層疊結(jié)構(gòu)的面板中的至少一層設(shè)置第一蝕刻阻擋圖案層210及第二蝕刻阻檔圖案層211；

其中，第二蝕刻阻擋圖案層211所在的層位于第一蝕刻阻擋圖案層210所在的層的下方，且第二蝕刻阻擋圖案層211的圖案的數(shù)量少于第一蝕刻阻擋圖案層210的圖案的數(shù)量。

如圖5所示，本實(shí)施例中，柔性顯示面板的層疊結(jié)構(gòu)中的待蝕刻孔以待蝕刻孔A2、待蝕刻孔B2及待蝕刻孔C為例，其中，待蝕刻A2、待蝕刻孔B2與上述第一實(shí)施例中的待蝕刻孔A1、待蝕刻孔B1相同，待蝕刻孔C用于實(shí)現(xiàn)更大曲率半徑的彎折，需要蝕刻至基板201。

具體地，在待蝕刻孔A2的位置設(shè)置第一蝕刻阻擋圖案層210及第二蝕刻阻擋圖案層211，在待蝕刻孔B2的位置設(shè)置第一蝕刻阻擋圖案層210，設(shè)置第一蝕刻阻擋圖案層210的方法與上述第一實(shí)施例相同，設(shè)置第二蝕刻阻擋圖案層211時(shí)，可在柵極絕緣層205的表面形成與柵極圖案層206同層設(shè)置的第二蝕刻阻擋圖案層211，且為了簡化工藝，可在形成柵極圖案層206的同時(shí)采用同一道光刻工藝形成第二蝕刻阻擋圖案層211。

S22：采用第一蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第一次蝕刻，使得面板在設(shè)置有第一蝕刻阻檔圖案層210的位置形成第一蝕刻深度，在未設(shè)置有第一蝕刻阻檔圖案層210的位置形成第二蝕刻深度，通過控制蝕刻時(shí)間使得第二蝕刻深度深于第一蝕刻阻檔圖案層210的底面；

具體地，采用第一蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第一次蝕刻，如圖5中箭頭所示，在待蝕刻孔A2及待蝕刻孔B2的位置由于第一蝕刻阻擋圖案層210的存在而停止蝕刻，待蝕刻孔C可繼續(xù)蝕刻，并蝕刻至超過第一蝕刻阻擋圖案層210的底面的位置，具體原理與上述第一實(shí)施例中的步驟S12相同，在此不再贅述，在本實(shí)施例中，待蝕刻孔C的位置在該步驟中的超過第一蝕刻阻擋圖案層210的底面的深度等于阻隔層202和緩沖層203的厚度之和。

S23：采用第二蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第二次蝕刻，將第一蝕刻阻檔圖案層210蝕刻掉；

具體地，采用第二蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第二次蝕刻，如圖6中箭頭所示，在待蝕刻孔A2及待蝕刻孔B2的位置將第一蝕刻阻擋圖案層210蝕刻掉，而待蝕刻孔C位置不會(huì)進(jìn)行蝕刻，原理與上述步驟S13相同，在此不再贅述。

S24：采用第一蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第三次蝕刻，使得面板在設(shè)置有第二蝕刻阻檔圖案層211的位置和在未設(shè)置有第二蝕刻阻檔圖案層211的位置同步蝕刻直至未設(shè)置有所述第二蝕刻阻檔圖案層211的位置的蝕刻深度深于第二蝕刻阻檔圖案層211的底面；

具體地，當(dāng)步驟S23中蝕刻掉第一蝕刻阻擋圖案層210之后，轉(zhuǎn)換蝕刻劑，繼續(xù)使用第一蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行蝕刻，此時(shí)，待蝕刻孔A2、待蝕刻孔B2及待蝕刻孔C同步蝕刻，如圖7中箭頭所示，當(dāng)待蝕刻孔A2位置蝕刻到第二蝕刻阻擋圖案層的表面時(shí)待蝕刻孔A2的位置停止蝕刻，待蝕刻孔B2與待蝕刻孔C繼續(xù)蝕刻，通過控制蝕刻時(shí)間使得待蝕刻孔B2位置的蝕刻深度超過第二蝕刻阻擋圖案層211的底面，且在本實(shí)施例中，待蝕刻孔B2位置超過第二蝕刻阻擋圖案層211的底面的深度等于主動(dòng)層204的厚度。

S25：采用第二蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第四次蝕刻，將第二蝕刻阻檔圖案層211蝕刻掉。

參閱圖8，繼續(xù)轉(zhuǎn)換蝕刻劑，采用與步驟S23中相同的第二蝕刻劑將第二蝕刻阻擋層211蝕刻掉，此時(shí)，待蝕刻孔B2與待蝕刻孔C不會(huì)被蝕刻，且此時(shí)，在三個(gè)待蝕刻孔的位置，剩余的待蝕刻深度是相同的。

S26：采用第一蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第五次蝕刻。

繼續(xù)轉(zhuǎn)換蝕刻劑，采用第一蝕刻劑繼續(xù)對(duì)待蝕刻孔A2、待蝕刻孔B2及待蝕刻孔C進(jìn)行蝕刻，由于三個(gè)待蝕刻孔剩余的待蝕刻深度相同，因此，待蝕刻孔A2與主動(dòng)層204接觸、待蝕刻孔B2與緩沖層203接觸、待蝕刻孔C與基板201接觸可同時(shí)蝕刻完成，進(jìn)而形成三個(gè)不同深度的蝕刻孔。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過在層疊結(jié)構(gòu)的面板中的至少一層設(shè)置第一蝕刻阻檔圖案層；采用第一蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第一次蝕刻，使得面板在設(shè)置有第一蝕刻阻檔圖案層的位置形成第一蝕刻深度，在未設(shè)置有第一蝕刻阻檔圖案層的位置形成第二蝕刻深度，通過控制蝕刻時(shí)間使得第二蝕刻深度深于第一蝕刻阻檔圖案層的底面；采用第二蝕刻劑對(duì)面板進(jìn)行第二次蝕刻，將第一蝕刻阻檔圖案層蝕刻掉的方法，使得未設(shè)有第一蝕刻阻檔圖案層的位置與設(shè)有第一蝕刻阻檔圖案層的位置形成深度差異化，進(jìn)而使得在同一道光罩工藝中僅通過轉(zhuǎn)換蝕刻劑即可蝕刻出不同的深度，減少了工藝耗時(shí)，降低了生產(chǎn)成本。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。