本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，超高分辨率(pixels per inch，簡稱PPI)技術(shù)的開發(fā)，正逐漸成為主流發(fā)展方向之一，然而，超高分辨率產(chǎn)品的開口率往往較低。

如圖1(a)和圖1(b)所示，由于傳統(tǒng)的BCE(背溝道刻蝕型)結(jié)構(gòu)和Self-Aligned(自對準(zhǔn)型)結(jié)構(gòu)的TFT(Thin Film Transistor，簡稱薄膜晶體管)尺寸較大，使得陣列基板的開口率降低，因此，不適用于超高分辨率產(chǎn)品的開發(fā)。如圖1(c)所示，為了保證超高分辨率產(chǎn)品的開口率，有文獻(xiàn)報(bào)道了一種Vertical(垂直)結(jié)構(gòu)的TFT，相較于BCE結(jié)構(gòu)和Self-Aligned結(jié)構(gòu)的TFT，Vertical結(jié)構(gòu)的TFT的尺寸大大減小，并且具有良好的TFT特性，因此，Vertical結(jié)構(gòu)的TFT在超高分辨率產(chǎn)品中具有很大的應(yīng)用前景。

如圖1(c)所示，Vertical結(jié)構(gòu)的TFT的源極02和漏極01之間間隔一層絕緣層30，溝道長度近似等于絕緣層的厚度(約0.5μm)，極易引發(fā)短溝道效應(yīng)，不利于TFT特性的穩(wěn)定。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板，可在不改變Vertical結(jié)構(gòu)的TFT尺寸及厚度的基礎(chǔ)上增大其溝道長度，從而改善由于短溝道效應(yīng)引起的TFT特性不穩(wěn)定的現(xiàn)象。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，提供一種薄膜晶體管，包括襯底，依次設(shè)置在所述襯底上的第一導(dǎo)電層、絕緣層、第二導(dǎo)電層，以及有源層、柵絕緣層、柵極；所述有源層設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層、所述絕緣層和所述第二導(dǎo)電層的一側(cè)，所述柵絕緣層設(shè)置于所述有源層遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電層、所述絕緣層、所述第二導(dǎo)電層的一側(cè)，所述柵極設(shè)置于所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述有源層的一側(cè)。

所述第一導(dǎo)電層上表面的尺寸大于等于所述絕緣層下表面的尺寸，所述絕緣層上表面的尺寸大于等于所述第二導(dǎo)電層下表面的尺寸；所述薄膜晶體管的溝道長度大于所述絕緣層與所述有源層接觸的第一側(cè)面上，所述絕緣層的上表面與所述第一側(cè)面相交的邊到所述絕緣層的下表面與所述第一側(cè)面相交的邊的距離。

可選的，所述第一側(cè)面呈臺階狀。

可選的，所述絕緣層的上表面尺寸大于與其接觸的所述第二導(dǎo)電層下表面的尺寸；所述第一側(cè)面呈平面狀。

優(yōu)選的，所述絕緣層的材料為SiOx。

第二方面，提供一種陣列基板，包括第一方面所述的薄膜晶體管。

第三方面，提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括在襯底上依次形成第一導(dǎo)電層、絕緣層、第二導(dǎo)電層，以及有源層、柵絕緣層、柵極；所述有源層位于所述第一導(dǎo)電層、所述絕緣層和所述第二導(dǎo)電層的一側(cè)，所述柵絕緣層位于所述有源層遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電層、所述絕緣層、所述第二導(dǎo)電層的一側(cè)，所述柵極位于所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述有源層的一側(cè)。

所述第一導(dǎo)電層上表面的尺寸大于等于所述絕緣層下表面的尺寸，所述絕緣層上表面的尺寸大于等于所述第二導(dǎo)電層下表面的尺寸；所述薄膜晶體管的溝道長度大于所述絕緣層與所述有源層接觸的第一側(cè)面上，所述絕緣層的上表面與所述第一側(cè)面相交的邊到所述絕緣層的下表面與所述第一側(cè)面相交的邊的距離。

可選的，所述絕緣層的上表面尺寸大于與其接觸的所述第二導(dǎo)電層下表面的尺寸；所述第一側(cè)面呈平面狀。形成所述第二導(dǎo)電層、所述絕緣層，包括：

在所述第一導(dǎo)電層上依次形成絕緣層薄膜、第二導(dǎo)電層薄膜，并通過掩模曝光工藝形成第一光刻膠圖案。

采用濕法刻蝕對所述第二導(dǎo)電層薄膜進(jìn)行過刻刻蝕，形成尺寸小于所述第一光刻膠圖案的尺寸的所述第二導(dǎo)電層。

采用干法刻蝕對所述絕緣層薄膜進(jìn)行刻蝕，形成所述第一側(cè)面呈平面狀的所述絕緣層。

可選的，所述第一側(cè)面呈臺階狀。形成所述第二導(dǎo)電層、所述絕緣層，包括：

在所述第一導(dǎo)電層上依次形成絕緣層薄膜、第二導(dǎo)電層薄膜，并通過掩模曝光工藝形成第一光刻膠圖案；采用濕法刻蝕對所述第二導(dǎo)電層薄膜進(jìn)行過刻刻蝕，形成尺寸小于所述第一光刻膠圖案的尺寸的所述第二導(dǎo)電層；采用干法刻蝕對所述絕緣層薄膜進(jìn)行第一次刻蝕，形成所述第一側(cè)面呈平面狀的所述絕緣層。

采用灰化工藝減小所述第一光刻膠圖案的尺寸，形成第二光刻膠圖案，所述第二光刻膠圖案的尺寸大于等于所述第二導(dǎo)電層的尺寸。

采用干法刻蝕對所述第一側(cè)面呈平面狀的所述絕緣層進(jìn)行第二次刻蝕，形成所述第一側(cè)面呈一級臺階狀的所述絕緣層。

進(jìn)一步優(yōu)選的，在所述第二導(dǎo)電層的尺寸小于所述第二光刻膠圖案的尺寸的情況下，形成所述第一側(cè)面呈一級臺階狀的所述絕緣層后，所述方法還包括：至少重復(fù)一次對所述第二光刻膠圖案進(jìn)行灰化并對所述第一側(cè)面呈一級臺階狀的所述絕緣層進(jìn)行第三次刻蝕，以使所述第一側(cè)面呈多級臺階狀。其中，對所述第二光刻膠圖案進(jìn)行灰化并對所述第一側(cè)面呈一級臺階狀的所述絕緣層進(jìn)行第三次刻蝕，包括：

采用灰化工藝減小所述第二光刻膠圖案的尺寸，形成第三光刻膠圖案，所述第三光刻膠圖案的尺寸大于等于所述第二導(dǎo)電層的尺寸。

采用干法刻蝕對所述第一側(cè)面呈一級臺階狀的所述絕緣層進(jìn)行第三次刻蝕，以使所述第一側(cè)面的臺階數(shù)增加一級。

優(yōu)選的，述有源層、所述柵絕緣層、所述柵極通過一次構(gòu)圖工藝形成。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板，通過在襯底上依次設(shè)置第一導(dǎo)電層、絕緣層、第二導(dǎo)電層，以及有源層、柵絕緣層、柵極，形成Vertical結(jié)構(gòu)的TFT，并使Vertical結(jié)構(gòu)的TFT的溝道長度大于絕緣層與有源層接觸的第一側(cè)面上，絕緣層的上表面與第一側(cè)面相交的邊到絕緣層的下表面與第一側(cè)面相交的邊的距離，從而在不改變Vertical結(jié)構(gòu)的TFT的尺寸及厚度的基礎(chǔ)上，增大TFT的溝道長度，進(jìn)而改善由于短溝道效應(yīng)引起的TFT特性不穩(wěn)定的現(xiàn)象。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1(a)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種BCE結(jié)構(gòu)的TFT的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1(b)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種Self-Aligned結(jié)構(gòu)的TFT的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1(c)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種Vertical結(jié)構(gòu)的TFT的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的側(cè)視示意圖一；

圖3(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的側(cè)視示意圖二；

圖3(c)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的側(cè)視示意圖三；

圖3(d)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的側(cè)視示意圖四；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的側(cè)視示意圖五；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的側(cè)視示意圖六；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的側(cè)視示意圖七；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的側(cè)視示意圖八；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的側(cè)視示意圖九；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的側(cè)視示意圖十；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的側(cè)視示意圖十一；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的側(cè)視示意圖十二；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT的側(cè)視示意圖十三；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備第一側(cè)面為平面狀的TFT的流程示意圖；

圖14(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備第一側(cè)面為平面狀的TFT的過程示意圖一；

圖14(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備第一側(cè)面為平面狀的TFT的過程示意圖二；

圖14(c)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備第一側(cè)面為平面狀的TFT的過程示意圖三；

圖15為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備第一側(cè)面為一級臺階狀的TFT的流程示意圖；

圖16(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備第一側(cè)面為一級臺階狀的TFT的過程示意圖一；

圖16(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備第一側(cè)面為一級臺階狀的TFT的過程示意圖二；

圖16(c)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備第一側(cè)面為一級臺階狀的TFT的過程示意圖三；

圖16(d)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備第一側(cè)面為一級臺階狀的TFT的過程示意圖四；

圖16(e)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備第一側(cè)面為一級臺階狀的TFT的過程示意圖五；

圖17為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備第一側(cè)面為二級臺階狀的TFT的流程示意圖；

圖18(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備第一側(cè)面為二級臺階狀的TFT的過程示意圖一；

圖18(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備第一側(cè)面為二級臺階狀的TFT的過程示意圖二。

附圖標(biāo)記：

01-漏極；02-源極；10-襯底；20-第一導(dǎo)電層；30-絕緣層；31-絕緣層薄膜；32-第一側(cè)面；33-第三側(cè)面；40-第二導(dǎo)電層；41-第二導(dǎo)電層薄膜；42-第二側(cè)面；50-有源層；60-柵絕緣層；70-柵極；81-第一光刻膠圖案；82-第二光刻膠圖案；83-第三光刻膠圖案。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT，如圖2-12所示，包括襯底10，依次設(shè)置在襯底10上的第一導(dǎo)電層20、絕緣層30、第二導(dǎo)電層40，以及有源層50、柵絕緣層60、柵極70；有源層50設(shè)置于第一導(dǎo)電層20、絕緣層30和第二導(dǎo)電層40的一側(cè)，柵絕緣層60設(shè)置于有源層50遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電層20、絕緣層30、第二導(dǎo)電層40的一側(cè)，柵極70設(shè)置于柵絕緣層60遠(yuǎn)離有源層50的一側(cè)。

第一導(dǎo)電層20上表面的尺寸大于等于絕緣層30下表面的尺寸，絕緣層30上表面的尺寸大于等于第二導(dǎo)電層40下表面的尺寸；所述TFT的溝道長度大于絕緣層30與有源層50接觸的第一側(cè)面32上，絕緣層30的上表面與第一側(cè)面32相交的邊到絕緣層30的下表面與第一側(cè)面32相交的邊的距離。

此處，如圖2所示，絕緣層30與有源層50接觸的側(cè)面為第一側(cè)面32，第二導(dǎo)電層40與有源層50接觸的側(cè)面為第二側(cè)面42，絕緣層30的多個(gè)側(cè)面中與第一側(cè)面32相鄰的側(cè)面為第三側(cè)面33。TFT的溝道長度為：第二側(cè)面42與第二導(dǎo)電層40下表面相交的邊到第一側(cè)面32與絕緣層30上表面相交的邊的距離A，與第一側(cè)面32和第三側(cè)面33相交的邊的長度B之和(圖2僅示出第一側(cè)面為平面狀的立體圖)。

示例的，如圖3(b)所示，第二側(cè)面42與第二導(dǎo)電層40下表面相交的邊到第一側(cè)面32與絕緣層30上表面相交的邊的距離為A＝L1，第一側(cè)面32和第三側(cè)面33相交的邊的長度為B＝L2，TFT的溝道長度為L1+L2，相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的TFT溝道長度增加了L1；如圖8所示，第二側(cè)面42與第二導(dǎo)電層40下表面相交的邊到第一側(cè)面32與絕緣層30上表面相交的邊的距離為A＝L3，第一側(cè)面32和第三側(cè)面33相交的邊的長度為B＝L4+L5+L6，TFT的溝道長度為L3+L4+L5+L6，相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的TFT溝道長度增加了L3+L4；如圖9所示，第二側(cè)面42與第二導(dǎo)電層40下表面相交的邊到第一側(cè)面32與絕緣層30上表面相交的邊的距離為A＝0，第一側(cè)面32和第三側(cè)面33相交的邊的長度為B＝L7+L8+L9+L10+L11，TFT的溝道長度為L7+L8+L9+L10+L11，相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的TFT溝道長度增加了L7+L8。

需要說明的是，第一，在TFT中，若第一導(dǎo)電層20為源極，則第二導(dǎo)電層40為漏極；或者，第一導(dǎo)電層20為漏極，第二導(dǎo)電層40為源極。

此處，第一導(dǎo)電層20和第二導(dǎo)電層40的材料可以是例如Mo(鉬)、Cu(銅)、Al(鋁)、AlNd(鋁釹合金)等金屬材料，也可以是例如ITO(氧化銦錫)、IZO(銦鋅氧化物)等透明導(dǎo)電材料。

第二，不對TFT的類型進(jìn)行限定，可以是非晶硅、金屬氧化物、多晶硅、有機(jī)等類型的TFT。

第三，不對絕緣層30的材料進(jìn)行限定，例如可以是SiO_x(氧化硅)、SiN_x(氮化硅)、SiON(氮氧化硅)、以及有機(jī)樹脂等。

第四，如圖3(a)所示，在不增加TFT尺寸的情況下，有源層50、柵絕緣層60、柵極70可以僅設(shè)置于第一導(dǎo)電層20、絕緣層30和第二導(dǎo)電層40的一側(cè)，并在襯底10上延伸，也可以設(shè)置于第一導(dǎo)電層20、絕緣層30和第二導(dǎo)電層40的一側(cè)，并由第二導(dǎo)電層40的側(cè)面延伸至其上表面，與第二導(dǎo)電層40的上表面部分接觸(如圖3(b)所示)或完全接觸(如圖3(c)所示)，如圖3(d)所示，也可以僅設(shè)置于第一導(dǎo)電層20、絕緣層30和第二導(dǎo)電層40的一側(cè)。

第五，第一導(dǎo)電層20中遠(yuǎn)離襯底10的表面為上表面，與上表面相對的表面為第一導(dǎo)電層20的下表面，鄰接于上表面和下表面之間的多個(gè)表面為第一導(dǎo)電層20的多個(gè)側(cè)面；絕緣層30中遠(yuǎn)離襯底10的表面為上表面，與上表面相對的表面為絕緣層30的下表面，鄰接于上表面和下表面之間的多個(gè)表面為絕緣層30的多個(gè)側(cè)面，其中，多個(gè)側(cè)面中與有源層50接觸的側(cè)面為第一側(cè)面32；第二導(dǎo)電層40中遠(yuǎn)離襯底10的表面為上表面，與上表面相對的表面為第二導(dǎo)電層40的下表面，鄰接于上表面和下表面之間的多個(gè)表面為第二導(dǎo)電層40的多個(gè)側(cè)面，其中，多個(gè)側(cè)面中與有源層50接觸的側(cè)面為第二側(cè)面42。

第六，不對第一側(cè)面32的形狀進(jìn)行限定，其形狀可以是平面狀、曲面狀、臺階狀等等。

第七，由于在形成第一側(cè)面32的過程中，需對整個(gè)TFT進(jìn)行工藝操作，因此，除了第一側(cè)面32以外，絕緣層30的其他多個(gè)側(cè)面也會(huì)形成和第一側(cè)面32形狀相同的形狀。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT，通過在襯底10上依次設(shè)置第一導(dǎo)電層20、絕緣層30、第二導(dǎo)電層40，以及有源層50、柵絕緣層60、柵極70，形成Vertical結(jié)構(gòu)的TFT，并使Vertical結(jié)構(gòu)的TFT的溝道長度大于絕緣層30與有源層50接觸的第一側(cè)面32上，絕緣層30的上表面與第一側(cè)面32相交的邊到絕緣層30的下表面與第一側(cè)面32相交的邊的距離，從而在不改變Vertical結(jié)構(gòu)的TFT的尺寸及厚度的基礎(chǔ)上，增大TFT的溝道長度，進(jìn)而改善由于短溝道效應(yīng)引起的TFT特性不穩(wěn)定的現(xiàn)象。

可選的，如圖5-12所示，第一側(cè)面32呈臺階狀。

需要說明的是，第一側(cè)面32的臺階數(shù)由絕緣層30的厚度決定，受工藝的限制，當(dāng)絕緣層30的厚度一定時(shí)，第一側(cè)面32的臺階數(shù)增加到一定程度，工藝將無法實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明實(shí)施例通過將第一側(cè)面32設(shè)置為臺階狀，一方面，可以增加TFT的溝道長度；另一方面，由于絕緣層30的厚度較大(不小于)，且經(jīng)過刻蝕形成的絕緣層30的坡度較角度很大，在后續(xù)設(shè)置有源層50、柵絕緣層60、以及柵極70的過程中，容易使有源層50、柵絕緣層60、以及柵極70斷裂，為了避免這種情況，將第一側(cè)面32設(shè)置為臺階狀，臺階狀的第一側(cè)面32中與襯底10平行的平面可起到緩沖作用，大大降低了有源層50、柵絕緣層60、以及柵極70斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。

可選的，如圖2-圖4所示，絕緣層30的上表面尺寸大于與其接觸的第二導(dǎo)電層40下表面的尺寸；第一側(cè)面32呈平面狀。

本發(fā)明實(shí)施例中，在絕緣層30的上表面尺寸大于與其接觸的第二導(dǎo)電層40下表面的尺寸的情況下，將第一側(cè)面32設(shè)置為平面狀，一方面，可以增加TFT的溝道長度；另一方面，具有制備工藝簡單的優(yōu)點(diǎn)。

優(yōu)選的，絕緣層30的材料為SiOx。

本發(fā)明實(shí)施例采用SiOx作為絕緣層材料，相較于SiN_x、SiON、以及有機(jī)樹脂等材料，SiOx不會(huì)導(dǎo)體化，從而避免使第一導(dǎo)電層20和第二導(dǎo)電層40通過絕緣層30導(dǎo)通。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，包括本發(fā)明前述任一實(shí)施例所述的TFT。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，所述陣列基板包括Vertical結(jié)構(gòu)的TFT，通過在TFT的襯底10上依次設(shè)置第一導(dǎo)電層20、絕緣層30、第二導(dǎo)電層40，以及有源層50、柵絕緣層60、柵極70，并使TFT的溝道長度大于絕緣層30與有源層50接觸的第一側(cè)面32上，絕緣層30的上表面與第一側(cè)面32相交的邊到絕緣層30的下表面與第一側(cè)面32相交的邊的距離，從而在不改變Vertical結(jié)構(gòu)的TFT的尺寸及厚度的基礎(chǔ)上，增大TFT的溝道長度，進(jìn)而改善由于短溝道效應(yīng)引起的TFT特性不穩(wěn)定的現(xiàn)象。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT的制備方法，如圖13-18所示，包括在襯底10上依次形成第一導(dǎo)電層20、絕緣層30、第二導(dǎo)電層40，以及有源層50、柵絕緣層60、柵極70；有源層50位于第一導(dǎo)電層20、絕緣層30和第二導(dǎo)電層40的一側(cè)，柵絕緣層60位于有源層50遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電層20、絕緣層30、第二導(dǎo)電層40的一側(cè)，柵極70位于柵絕緣層60遠(yuǎn)離有源層50的一側(cè)。

第一導(dǎo)電層20上表面的尺寸大于等于絕緣層30下表面的尺寸，絕緣層30上表面的尺寸大于等于第二導(dǎo)電層40下表面的尺寸；所述TFT的溝道長度大于絕緣層30與有源層50接觸的第一側(cè)面32上，絕緣層30的上表面與第一側(cè)面32相交的邊到絕緣層30的下表面與第一側(cè)面32相交的邊的距離。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT的制備方法，具有與前述陣列基板相同的技術(shù)效果，在此不再贅述。

可選的，如圖13-14(c)所示，絕緣層30的上表面尺寸大于與其接觸的第二導(dǎo)電層40下表面的尺寸；第一側(cè)面32呈平面狀。

基于此，如圖13所示，形成第二導(dǎo)電層40、絕緣層30，具體可通過如下步驟實(shí)現(xiàn)：

S101、如圖14(a)所示，在第一導(dǎo)電層20上依次形成絕緣層薄膜31、第二導(dǎo)電層薄膜41，并通過掩模曝光工藝形成第一光刻膠圖案81。

S102、如圖14(b)所示，采用濕法刻蝕對第二導(dǎo)電層薄膜41進(jìn)行過刻刻蝕，形成尺寸小于第一光刻膠圖案81的尺寸的第二導(dǎo)電層40。

S103、如圖14(c)所示，采用干法刻蝕對絕緣層薄膜31進(jìn)行刻蝕，形成第一側(cè)面32呈平面狀的所述絕緣層30。

此處，采用濕法刻蝕對第二導(dǎo)電層薄膜41進(jìn)行過刻刻蝕、采用干法刻蝕對絕緣層薄膜31進(jìn)行刻蝕，均與具體的CD Bias(Critical Dimension Bias，簡稱刻蝕量)有關(guān)，不同的CD Bias所需的時(shí)間不同。

在此基礎(chǔ)上，還可通過剝離工藝，去除第一光刻膠圖案81，以方便后續(xù)形成有源層50、柵絕緣層60、柵極70。

需要說明的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該知道，采用干法刻蝕對絕緣層薄膜31進(jìn)行刻蝕后，所形成的第一側(cè)面32呈平面狀的絕緣層30的上表面尺寸，基本等于第一光刻膠圖案81的尺寸。

本發(fā)明實(shí)施例中，在絕緣層30的上表面尺寸大于與其接觸的第二導(dǎo)電層40下表面的尺寸的情況下，通過對絕緣層薄膜31進(jìn)行干法刻蝕，形成第一側(cè)面32為平面狀的絕緣層30，一方面，可以增加TFT的溝道長度；另一方面，具有制備工藝簡單的優(yōu)點(diǎn)。

當(dāng)然，還可以通過其他方式形成第一側(cè)面32呈平面狀的所述絕緣層30，在此不做限定。

可選的，如圖15-16(e)所示，第一側(cè)面32呈臺階狀。

基于此，如圖15所示，形成第二導(dǎo)電層40、絕緣層30，具體可通過如下步驟實(shí)現(xiàn)：

S201、如圖16(a)所示，在第一導(dǎo)電層20上依次形成絕緣層薄膜31、第二導(dǎo)電層薄膜41，并通過掩模曝光工藝形成第一光刻膠圖案81。

S202、如圖16(b)所示，采用濕法刻蝕對第二導(dǎo)電層薄膜41進(jìn)行過刻刻蝕，形成尺寸小于第一光刻膠圖案81的尺寸的第二導(dǎo)電層40。

S203、如圖16(c)所示，采用干法刻蝕對絕緣層薄膜31進(jìn)行第一次刻蝕，形成第一側(cè)面32呈平面狀的所述絕緣層30。

需要說明的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該知道，采用干法刻蝕對絕緣層薄膜31進(jìn)行刻蝕后，所形成的第一側(cè)面32呈平面狀的所述絕緣層30的上表面尺寸，基本等于第一光刻膠圖案81的尺寸。

S204、如圖16(d)所示，采用灰化工藝減小第一光刻膠圖案81的尺寸，形成第二光刻膠圖案82，第二光刻膠圖案82的尺寸大于等于第二導(dǎo)電層40的尺寸。

S205、如圖16(e)所示，采用干法刻蝕對第一側(cè)面32呈平面狀的所述絕緣層30進(jìn)行第二次刻蝕，形成第一側(cè)面32呈一級臺階狀的所述絕緣層30(圖16(e)僅示出第一側(cè)面32為一級臺階狀的其中一種情況，其他情況可參考圖5-8)。

此處，采用濕法刻蝕對第二導(dǎo)電層薄膜41進(jìn)行過刻刻蝕、采用干法刻蝕對絕緣層薄膜31進(jìn)行第一次刻蝕、采用干法刻蝕對第一側(cè)面32呈平面狀的所述絕緣層30進(jìn)行第二次刻蝕，均與具體的CD Bias有關(guān)，不同的CD Bias所需的時(shí)間不同。

在此基礎(chǔ)上，還可通過剝離工藝，去除第二光刻膠圖案82，以方便后續(xù)形成有源層50、柵絕緣層60、柵極70。

需要說明的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該知道，采用干法刻蝕對第一側(cè)面32呈平面狀的所述絕緣層30進(jìn)行刻蝕后，所形成的第一側(cè)面32呈一級臺階狀的所述絕緣層30的上表面尺寸，基本等于第二光刻膠圖案82的尺寸。

本發(fā)明實(shí)施例通過對絕緣層薄膜31進(jìn)行第一次干法刻蝕，形成第一側(cè)面32呈平面狀的絕緣層30，再采用灰化工藝減小第一光刻膠圖案81的尺寸，最后對第一側(cè)面32呈平面狀的所述絕緣層30進(jìn)行第二次干法刻蝕，形成第一側(cè)面32呈一級臺階狀的絕緣層30，一方面，可以增加TFT的溝道長度；另一方面，臺階狀的第一側(cè)面32中與襯底10平行的平面可起到緩沖作用，大大降低了有源層50、柵絕緣層60、以及柵極70斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。

當(dāng)然，還可以通過其他方式形成第一側(cè)面32呈一級臺階狀的所述絕緣層30，在此不做限定。

進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖17-18(b)所示，在第二導(dǎo)電層40的尺寸小于第二光刻膠圖案82的尺寸的情況下，形成第一側(cè)面32呈一級臺階狀的所述絕緣層30后，所述方法還包括：至少重復(fù)一次對第二光刻膠圖案82進(jìn)行灰化并對第一側(cè)面32呈一級臺階狀的所述絕緣層30進(jìn)行第三次刻蝕，以使第一側(cè)面32呈多級臺階狀。

其中，如圖17所示，對第二光刻膠圖案82進(jìn)行灰化并對第一側(cè)面32呈一級臺階狀的所述絕緣層30進(jìn)行第三次刻蝕，具體可通過如下步驟實(shí)現(xiàn)：

S301、如圖18(a)所示，采用灰化工藝減小第二光刻膠圖案82的尺寸，形成第三光刻膠圖案83，第三光刻膠圖案83的尺寸大于等于第二導(dǎo)電層40的尺寸。

S302、如圖18(b)所示，采用干法刻蝕對第一側(cè)面32呈一級臺階狀的所述絕緣層30進(jìn)行第三次刻蝕，以使第一側(cè)面32的臺階數(shù)增加一級(圖18(b)僅示出絕緣層側(cè)面的臺階數(shù)增加一級的其中一種情況，其他情況可參考圖9-12)。

此處，采用干法刻蝕對第一側(cè)面32呈一級臺階狀的所述絕緣層30進(jìn)行第三次刻蝕，與具體的CD Bias有關(guān)，不同的CD Bias所需的時(shí)間不同。

在此基礎(chǔ)上，還可通過剝離工藝，去除第三光刻膠圖案83，以方便后續(xù)形成有源層50、柵絕緣層60、柵極70。

需要說明的是，第一，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該知道，采用干法刻蝕對第一側(cè)面32呈一級臺階狀的所述絕緣層30進(jìn)行刻蝕后，所形成的第一側(cè)面32呈兩級臺階狀的絕緣層30的上表面尺寸，基本等于第三光刻膠圖案83的尺寸。

第二，第一側(cè)面32的臺階數(shù)、以及對第二光刻膠圖案82進(jìn)行灰化并對第一側(cè)面32呈一級臺階狀的所述絕緣層30進(jìn)行干法刻蝕的次數(shù)，由絕緣層30的厚度決定。

本發(fā)明實(shí)施例中，通過增加第一側(cè)面32的臺階數(shù)，增加臺階狀的第一側(cè)面32中與襯底10平行的平面的數(shù)量、縮短每一級臺階的距離，相較于一級臺階的第一側(cè)面32，多級臺階的第一側(cè)面32可以起到更好的緩沖作用，從而更好地避免有源層50、柵絕緣層60、以及柵極70斷裂的現(xiàn)象。

當(dāng)然，還可以通過其他方式形成第一側(cè)面32呈多級臺階狀的所述絕緣層30，在此不做限定。

優(yōu)選的，如圖3(b)和3(c)所示，有源層50、柵絕緣層60、柵極70通過一次構(gòu)圖工藝形成。

本發(fā)明實(shí)施例中，通過一次構(gòu)圖工藝形成有源層50、柵絕緣層60、柵極70，具有簡化制備工藝的優(yōu)點(diǎn)。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。