技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于柔性襯底的低In組分InGaAs?MOSFET器件及制作方法，主要為了解決傳統(tǒng)Ⅲ?V材料的MOSFET只能應(yīng)用于硬質(zhì)平面環(huán)境，無法應(yīng)用于柔性及高頻環(huán)境的問題。其自下而上包括襯底(1)、半導(dǎo)體功能薄膜層(2)、氧化層(3)和金屬電極(4)，其中襯底采用聚酰亞胺柔性襯底；半導(dǎo)體功能薄膜層采用由InGaAs、GaAs和InGaAs三層薄膜層構(gòu)成力學(xué)平衡結(jié)構(gòu)功能層。本發(fā)明在具有高工作頻率的同時(shí)，具有良好的延展和彎曲性，可用于包括柔性顯示器、柔性電子標(biāo)簽、人工肌肉及生物信號(hào)傳感器。

技術(shù)研發(fā)人員：劉琛;呂紅亮;余維健;張玉明;張義門
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.31
技術(shù)公布日：2017.08.25