本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，具體涉及一種OLED顯示面板、制作方法及含有其的電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著信息化時(shí)代的來(lái)臨，常規(guī)陰極射線管(CRT)顯示器已經(jīng)被平板顯示器取代，目前使用的最多的平板顯示器之一為液晶顯示器(LCD)，LCD具有技術(shù)發(fā)展成熟且價(jià)格便宜的特點(diǎn)，但是由于LCD并不能自發(fā)光，因此在對(duì)比度、視角、可彎曲顯示和功耗等方面存在技術(shù)局限。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)具有自發(fā)光、廣視角、反應(yīng)時(shí)間短、高發(fā)光效率、廣色域、低工作電壓、面板薄、可制作大尺寸與可撓曲的顯示器的特性，因此備受關(guān)注。

現(xiàn)有的一種OLED顯示面板(如圖1)，主要包括基板(未示出)、形成于基板上的發(fā)光單元由透明的陽(yáng)極7，金屬或合金組成的陰極1及夾在陽(yáng)極7和陰極1之間的一系列有機(jī)薄層組成，有機(jī)薄層一般按照功能劃分，從陽(yáng)極一側(cè)開始一般包括空穴注入層(HIL)6、空穴傳輸層(HTL)5、發(fā)光層(EML)4、電子傳輸層(ETL)3、電子注入層(EIL)2，根據(jù)需求一些裝置還包括空穴阻擋層(HBL)和電子阻擋層(EBL)等。

但是現(xiàn)有的OLED顯示面板存在部分空穴橫向流動(dòng)至相鄰像素，造成相鄰像素發(fā)光的情況，橫向漏流嚴(yán)重；此外，提高OLED顯示面板中的空穴和電子傳輸平衡性能，從而提高OLED面板的發(fā)光效率，并降低OLED面板的功耗也是業(yè)內(nèi)亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的之一在于提供一種OLED顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的第一電極和第二電極，設(shè)置于所述第一電極和第二電極之間的疊層，所述疊層至少包括從第一電極開始順序設(shè)置的第一輔助發(fā)光層和發(fā)光層；

所述第一輔助發(fā)光層的組成材料包含主體材料和客體材料，其中所述客體材料中包括具有式(I)所示的結(jié)構(gòu)：

其中，n為≥1的整數(shù)，X₁、X₂和X_n+2的均各自獨(dú)立地具有結(jié)構(gòu)；R’選自取代的芳香基、取代的雜芳基中的任意1種，所述取代的芳香基和所述取代的雜芳基中的取代基至少包括一種電子受體基團(tuán)。

本發(fā)明的目的之二是提供一種OLED顯示面板的制作方法，所述方法包括：

在包括多種不同發(fā)光顏色的像素區(qū)域的基板上形成第一電極；

在所述第一電極上形成第一輔助發(fā)光層，所述第一輔助發(fā)光層包括主體材料和客體材料，所述客體材料中包括具有式(I)所示的結(jié)構(gòu)：

其中，n為≥1的整數(shù)，X₁、X₂和X_n+2的均各自獨(dú)立地具有結(jié)構(gòu)；R’選自取代的芳香基、取代的雜芳基中的任意1種，所述取代的芳香基和所述取代的雜芳基中的取代基至少包括一種電子受體基團(tuán)；

在所述第一輔助發(fā)光層上形成發(fā)光層；

在所述發(fā)光層上形成第二電極。

本發(fā)明的目的之三是提供一種電子設(shè)備，包括目的之一所述的OLED顯示面板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：

本發(fā)明選用主客體摻雜的形式，在主體材料中摻雜軸烯化合物(具有式I結(jié)構(gòu)的化合物)，利用軸烯化合物較強(qiáng)的空穴注入能力，提高空穴的注入速度，在較低的電壓下既可以使空穴和電子遷移至發(fā)光層結(jié)合發(fā)光，降低了器件的電壓，從而降低了OLED面板的功耗；此外，相較于現(xiàn)有技術(shù)的的OLED器件，本發(fā)明的空穴和電子的注入與傳輸更為平衡，提高了空穴與電子結(jié)合后的載流子的數(shù)量，進(jìn)而提高了發(fā)光效率；而本發(fā)明提供的主客體摻雜形式，降低了輔助發(fā)光層中軸烯化合物的含量，使得空穴的分布密度降低，空穴產(chǎn)生后能夠迅速與電子在發(fā)光層結(jié)合發(fā)光，降低了空穴在相鄰像素區(qū)域的發(fā)光層與電子結(jié)合發(fā)光的概率，進(jìn)而減少了橫向漏流現(xiàn)象。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有的OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的一種OLED顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的一種OLED顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是OLED的工作原理示意圖；

圖5為本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明性能測(cè)試時(shí)各實(shí)施例和對(duì)比例中OLED顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為便于理解本發(fā)明，本發(fā)明列舉實(shí)施例如下。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明了，所述實(shí)施例僅僅是幫助理解本發(fā)明，不應(yīng)視為對(duì)本發(fā)明的具體限制。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，本發(fā)明提供了一種OLED顯示面板，參見圖2，包括基板100，以及設(shè)置于基板100之上的相對(duì)設(shè)置的第一電極101和第二電極102。其中第一電極101和第二電極102之間設(shè)置有發(fā)光層103和第一輔助發(fā)光層104，所述第一輔助發(fā)光層104設(shè)置于發(fā)光層103和第一電極101之間。第一輔助發(fā)光層104至少包括第一空穴型輔助發(fā)光層。第一空穴型輔助發(fā)光層包括主體材料和客體材料，其中所述客體材料中包括具有式(I)所示的結(jié)構(gòu)：

其中，n為≥1的整數(shù)，X₁、X₂和X_n+2的均各自獨(dú)立地具有結(jié)構(gòu)；R’選自取代的芳香基、取代的雜芳基中的任意1種，所述取代的芳香基和所述取代的雜芳基中的取代基至少包括一種電子受體基團(tuán)。

軸烯化合物能夠作為改變半導(dǎo)體基質(zhì)材料的電性能而摻雜有機(jī)半導(dǎo)體的有機(jī)摻雜劑，作為阻斷劑材料和電荷注入層以及作為電極材料，同時(shí)還涉及其中使用了所述軸烯化合物的半導(dǎo)體材料以及電子元件，可以幫助低功函數(shù)的陽(yáng)極有效的注入空穴。本發(fā)明提供的具有式(I)結(jié)構(gòu)的化合物L(fēng)UMO能級(jí)，同時(shí)其中連接有電子受體基團(tuán)，其能夠吸收電子，從而留下較多空穴，將其與主體材料摻雜，作為空穴輔助發(fā)光層，能夠提高空穴的注入能力，降低驅(qū)動(dòng)電壓，從而降低OLED面板的功耗，并提高發(fā)光效率。

本發(fā)明提供的第一空穴輔助發(fā)光層將軸烯化合物以客體材料的形式摻雜在主體材料中，首先因?yàn)檩S烯化合物吸電子能力較強(qiáng)，產(chǎn)生較多空穴，具有較強(qiáng)的空穴注入能力，從而提高了器件的空穴注入能力，不需要高啟動(dòng)電壓即可以實(shí)現(xiàn)OLED器件的啟動(dòng)；相較于未摻雜軸烯化合物的器件，由于本發(fā)明提供的摻雜了軸烯化合物的器件在一定程度上增加了與電子的結(jié)合，從而具有更為平衡的空穴和電子的注入與傳輸性能，提高了器件的發(fā)光效率；另一方面，主客體摻雜的形式加入軸烯化合物，客觀上降低了軸烯化合物在第一空穴型輔助發(fā)光層中的分布濃度，使得其產(chǎn)生的空穴能夠快速的與電子結(jié)合，而不會(huì)造成空穴向相鄰像素區(qū)域遷移，可以避免漏流。

需要說明的是，第一輔助發(fā)光層104可以具有多層結(jié)構(gòu)，除第一空穴型輔助發(fā)光層起到空穴注入緩沖作用之外，還可以包括空穴注入層及空穴傳輸層。第一空穴型輔助發(fā)光層在一個(gè)圖2所示實(shí)施方式中可以理解為空穴注入緩沖層。但本申請(qǐng)不以此為限，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應(yīng)該理解，本申請(qǐng)的第一空穴型輔助發(fā)光層可以是OLED面板中的空穴注入緩沖層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層中的一層或幾層，相應(yīng)的包含本申請(qǐng)化學(xué)式(I)的主客體摻雜結(jié)構(gòu)也可以存在于本申請(qǐng)的第一輔助發(fā)光層104的一個(gè)或多個(gè)子層當(dāng)中，具體可以根據(jù)OLED面板的設(shè)計(jì)進(jìn)行選擇，本申請(qǐng)對(duì)此不做限定。

在又一個(gè)具體實(shí)施方式中，參見圖3，OLED顯示面板示例性的具有圖3的結(jié)構(gòu)，包括基板200，設(shè)置于基板200之上的第一電極201，順序疊層于第一電極201之上的第一輔助發(fā)光層204、發(fā)光層203、第二輔助發(fā)光層205和第二電極202。發(fā)光層203遠(yuǎn)離第一輔助發(fā)光層204一側(cè)設(shè)置的第二輔助發(fā)光層205，起到電子注入和/或電子傳輸?shù)淖饔?。第二輔助發(fā)光層205可以具有多層結(jié)構(gòu)，可以包括電子注入層、電子傳輸層和空穴阻擋層。第二輔助發(fā)光層205中的電子注入層示例性的包括氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li₂O)、氧化鋇(BaO)等，第二輔助發(fā)光層205中的電子傳輸層示例性的包括二(8-羥基喹啉)聯(lián)苯氧基鋁、二(8-羥基喹啉)苯氧基鋁、二(2-甲基-8-羥基喹啉)聯(lián)苯氧基鋁、二(2-甲基-8-羥基喹啉)苯氧基鋁、二(2-(2-羥基苯基)喹啉)鋅、10-菲咯啉(BCP)、2，4，6-三(二芳基氨基)-1，3，5-三嗪、及3-苯基-4-(1′-萘基)-5-苯基-1，2，4-三唑等。

有機(jī)發(fā)光顯示面板的第一輔助發(fā)光層、發(fā)光層及第二輔助發(fā)光層一般都會(huì)通過蒸鍍方式形成，還可以通過濺射、旋涂、浸漬、離子鍍等已知的成膜方法獲得。由于電子和空穴分別從第一電極和第二電極注入到有機(jī)發(fā)光顯示面板的發(fā)光材料層，并且當(dāng)其中注入的電子和空穴復(fù)合的激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)，有機(jī)發(fā)光顯示面板發(fā)光。圖4給出了OLED的工作原理示意圖，本發(fā)明給出的圖2或圖3的結(jié)構(gòu)的OLED器件能夠形成圖4所示的如階梯形式的能階狀態(tài)，使分別從陽(yáng)極和陰極所提供的空穴和電子，更容易傳輸至發(fā)光層，結(jié)合后放出光子。在本發(fā)明圖2或圖3的實(shí)現(xiàn)方式中，陽(yáng)極ITO的功函數(shù)為4.5～4.8eV，經(jīng)氧電漿或紫外光臭氧處理后，可升高接近5eV，但仍比大部分空穴傳輸材料低0.4eV的HOMO能階。在ITO和發(fā)光層的能階之間加入一層空穴注入材料，不僅有利于增加界面間的電荷注入，還能改進(jìn)器件的效率和壽命。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述第一輔助發(fā)光層為P型材料摻雜的空穴型功能層。

在又一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述第一輔助發(fā)光層中，具有式(I)所示的結(jié)構(gòu)的化合物所占的體積百分比≤10％。在主體材料中，具有式(I)結(jié)構(gòu)的化合物的摻雜量過高(如高于10％)，造成空穴產(chǎn)生速率快，一方面如果電子的產(chǎn)生速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如空穴產(chǎn)生速率快，則造成空穴橫向遷移至相鄰像素區(qū)域的概率變大，遷移至相鄰像素區(qū)域的這部分空穴會(huì)與這一像素區(qū)域的電子在發(fā)光層結(jié)合，造成發(fā)光，引起漏流現(xiàn)象；另一方面，過快的空穴產(chǎn)生速率沒有電子產(chǎn)生速率的配合，造成第一輔助發(fā)光層中空穴密度較大，空穴碰撞概率增加，造成淬滅，進(jìn)而降低器件的效率。

在又一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述第一輔助發(fā)光層的厚度≤例如等。低于厚度的第一輔助發(fā)光層，能夠減少空穴的傳輸長(zhǎng)度，使產(chǎn)生的空穴更快的到達(dá)發(fā)光層，與電子結(jié)合并發(fā)光，降低了第一輔助發(fā)光層中空穴在不同像素區(qū)域間的橫向運(yùn)動(dòng)時(shí)間，降低不同發(fā)光像素間的串?dāng)_。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，本發(fā)明所述電子受體基團(tuán)選自氰基、氟、三氟甲基、氯和溴中的任意1種或至少2種的組合。所述電子受體基團(tuán)吸電子能力強(qiáng)，空穴生成能力強(qiáng)，空穴注入能力強(qiáng)，相同的摻雜量能夠產(chǎn)生更多的空穴數(shù)量，因此選擇具有吸電子能力較強(qiáng)的電子受體基團(tuán)能夠降低摻雜材料的使用量；另一方面，選擇具有吸電子能力較強(qiáng)的電子受體基團(tuán)提高了空穴注入能力，能夠降低器件的啟動(dòng)電壓與功耗。

示例性地，本發(fā)明所述取代的芳香基可以包括取代的苯基、取代的聯(lián)苯基、取代的萘基、取代的甲基苯基、取代的乙基苯基等。

作為典型但非限制性的實(shí)例，本發(fā)明所述取代的芳香基包括

示例性地，本發(fā)明所述取代的雜芳基可以包括取代的吡啶基、取代的呋喃基、取代的吡咯基、取代的噻吩基、取代的噻唑基、取代的吡喃基等。

作為典型但非限制性的實(shí)例，本發(fā)明所述取代的雜芳基包括

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述客體材料包括所述材料具有較強(qiáng)的吸電子能力，空穴產(chǎn)生能力強(qiáng)，空穴注入能力提高，將其摻雜在主體材料中，能夠提高空穴的生成量，降低材料的摻雜量；使用所述客體材料，由于其吸電子基團(tuán)比較多，且吸電子能力強(qiáng)，空穴更容易生成，因此相較于未摻雜所述客體材料的器件，其能夠降低啟動(dòng)電壓，從而降低OLED面板功耗。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述主體材料具有式(II)所示的結(jié)構(gòu)：

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈均各自獨(dú)立地選自氫原子、C1～C6的取代或未取代的烴基、C5～15的取代或未取代的芳香基中的任意1種或至少2種的組合；

R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂均各自獨(dú)立地選自芳香性基團(tuán)。

其中，取代或未取代的C1～C6的烷基示例性的包括甲基、乙基、丙基、正丁基、異丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、2-甲基戊基等。

其中，取代或未取代的C5～C15芳香基示例性的包括苯基、甲苯基、乙苯基、二甲苯基、二聯(lián)苯基、萘基、蒽基等。

具有式(II)所示結(jié)構(gòu)的化合物具有較多的共軛結(jié)構(gòu)，性能穩(wěn)定，同時(shí)氮原子連接有3個(gè)共軛體系(R₉、R₁₀和聯(lián)苯)，在氮原子吸電子的作用下，電子云向氮原子靠攏，造成較多的空穴，且空穴在大π鍵的作用下，能夠較快移動(dòng)，起到空穴傳輸?shù)淖饔?，且空穴傳輸速率快，客體材料產(chǎn)生的空穴能夠在主體材料(式(II)所示結(jié)構(gòu)的化合物)中迅速傳輸，一方面提高了空穴在第一輔助發(fā)光層中的運(yùn)動(dòng)速率，減少了傳輸時(shí)間，使得空穴能夠和電子在發(fā)光層中快速結(jié)合發(fā)光，從而獲得了更為平衡的空穴和電子的注入與傳輸性能，提高了器件的發(fā)光效率；另一方面，第一輔助發(fā)光層中空穴的快速傳輸降低了第一輔助發(fā)光層中空穴的分布密度，降低了空穴在相鄰像素區(qū)域出現(xiàn)的概率，進(jìn)而減少了空穴在發(fā)光層的相鄰像素與電子結(jié)合的概率，減少了橫向漏流。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂均各自獨(dú)立地選自取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的稠環(huán)基團(tuán)或取代或未取代的雜環(huán)芳基。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂均各自獨(dú)立地選自中的任意1種或至少2種的組合。

基團(tuán)本身屬于共軛結(jié)構(gòu)，且屬于剛性材料，其分子熱穩(wěn)定性好，具有所述基團(tuán)的主體材料，提高了器件的穩(wěn)定性。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述疊層還包括設(shè)置于發(fā)光層和陰極之間的第二輔助發(fā)光層，所述第二輔助發(fā)光層的形成材料至少包括第一電子型材料，所述第一電子型材料至少包含第一基團(tuán)；所述第一基團(tuán)為至少含有三個(gè)連續(xù)苯環(huán)的共軛結(jié)構(gòu)，至少有一個(gè)所述三個(gè)連續(xù)苯環(huán)上的碳原子被氮原子取代，且所述第一基團(tuán)為軸對(duì)稱結(jié)構(gòu)。可選地，所述第一基團(tuán)包括：

電子注入和/或傳輸材料的使用能有效地降低驅(qū)動(dòng)電壓與功耗，并顯著提高器件發(fā)光效率，但這些材料的最佳厚度通常要小于1.0nm，蒸鍍時(shí)不宜控制；而將電子傳輸層材料與電子注入材料(Liq等)摻雜使用能夠利于蒸鍍工藝，但是制作的器件的驅(qū)動(dòng)電壓還是偏高，具體可參見本申請(qǐng)表1中實(shí)施例7，采用Liq摻雜ETL，得到的器件的啟動(dòng)電壓普遍高于采用第一電子型材料摻雜金屬元素的啟動(dòng)電壓0.5V左右。

本發(fā)明選用具有電子傳輸性能的具有第一電子型材料，起到電子傳輸?shù)淖饔?，增加了電子傳輸?shù)乃俾?，降低了電阻，降低啟?dòng)電壓；使得發(fā)光層中電子和空穴的數(shù)量得以匹配，提高了器件的發(fā)光效率。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，本發(fā)明所述第二輔助發(fā)光層中摻雜有N型摻雜材料?？蛇x地，所述N型摻雜材料為第Ⅱ主族元素離子、第Ⅲ主族元素離子或稀土元素離子。進(jìn)一步可選地，所述N型摻雜材料為鐿。在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述第二輔助發(fā)光層中，N型摻雜材料的摻雜體積百分比范圍為1％～5％，例如2％、3％、4％等。

第Ⅱ主族元素離子、第Ⅲ主族元素離子或稀土元素離子外層電子活躍，容易與具有第一基團(tuán)的電子型材料結(jié)合，基于第一電子型材料的大π鍵，電子注入能力強(qiáng)，且具有較高的電子傳輸速率。鐿的原子半徑較大，對(duì)外層電子吸引力弱，外層電子容易分布在第一電子型材料的大π鍵，從而提高電子的傳輸速率；而較高的電子傳輸速率使電子能夠快速傳輸至發(fā)光層，與第一輔助發(fā)光層中的空穴在發(fā)光層中結(jié)合發(fā)光；另一方面，N型摻雜材料的量決定了電子注入數(shù)量，在空穴充足的情況下，電子注入數(shù)量的增加能夠提高載流子的數(shù)量，提高器件的發(fā)光效率；第三，N型摻雜材料的摻雜能夠提高電子注入數(shù)量，提高電子注入速率，降低器件電壓。

本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應(yīng)該理解，本申請(qǐng)的第二輔助發(fā)光層可以是OLED面板中的電子傳輸層、電子注入層和空穴阻擋層等功能膜層中的一層或幾層，具體可以根據(jù)OLED面板的設(shè)計(jì)進(jìn)行選擇，本申請(qǐng)對(duì)此不做限定。

本發(fā)明第一電極示例性的可以選擇ITO電極；本發(fā)明第二電極示例性的可以選擇鎂、鋁、銀中的任意1種或至少2種的組合。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，發(fā)光層包括藍(lán)光發(fā)光單元、綠光發(fā)光單元、紅光發(fā)光單元、黃光發(fā)光單元和白光發(fā)光單元中的任意1種或至少2種的組合。本發(fā)明實(shí)施例中的發(fā)光層可以包括主體材料(host)以及客體摻雜材料(dopant)。本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應(yīng)該理解，發(fā)光層中主體材料的含量大于客體摻雜材料，一般的，主體材料HOMO能級(jí)絕對(duì)值|T_host(HOMO)|大于客體摻雜材料的HOMO能級(jí)絕對(duì)值|T_dopant(HOMO)|，主體材料LUMO能級(jí)絕對(duì)值|T_host(LUMO)|小于客體摻雜材料的LUMO能級(jí)絕對(duì)值|T_dopant(LUMO)|，主體材料三線態(tài)能級(jí)T_host(S)大于客體摻雜材料三線態(tài)能級(jí)T_dopant(S)。主體材料的三線態(tài)激子能量可有效地轉(zhuǎn)移給客體摻雜材料，并且主體材料的發(fā)射光譜和客體摻雜材料的吸收光譜能夠能量匹配。另外，作為發(fā)光層的發(fā)光材料可以包括磷光或熒光材料，例如在一個(gè)具體實(shí)施方式中，可以采用綠光發(fā)光單元和紅光發(fā)光單元的發(fā)光材料為磷光材料；藍(lán)光發(fā)光單元的發(fā)光材料為熒光材料。本發(fā)明對(duì)發(fā)光層的材料不做限定，例如還可以采用非主客體摻雜體系材料或是采用具有熱致延遲熒光(TADF，Thermally Activated Delayed Fluorescence)功能的發(fā)光材料。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，藍(lán)光發(fā)光單元、綠光發(fā)光單元、紅光發(fā)光單元均各自獨(dú)立地選自主體材料和客體材料摻雜的方式。

所謂“均各自獨(dú)立地”是指，對(duì)于藍(lán)光發(fā)光單元、綠光發(fā)光單元、紅光發(fā)光單元中，主體材料和客體材料的選擇可以相同也可以不同。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，紅光發(fā)光單元的主體材料為1種或2種；綠光發(fā)光單元的主體材料為2種或2種以上；藍(lán)光發(fā)光單元的主體材料為1種或者2種。

可選地，本發(fā)明中的第二電極可以采用鎂銀合金、銀金屬、銀鐿合金和銀稀土金屬合金中的任意1種。根據(jù)具體產(chǎn)品的需求選擇合適的第二電極材料，使不同顏色的發(fā)光單元的保持均衡的透過率。

基于同一構(gòu)思，本發(fā)明還提供了一種OLED顯示面板的制作方法。圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，所述方法包括：

步驟S110、在包括多種不同發(fā)光顏色的像素區(qū)域的基板上形成第一電極。

在基板上沉積第一電極。第一電極可以包括由銀或鎂或鎂銀合金等構(gòu)成的反射電極，也可以包括具有高功函數(shù)的透明導(dǎo)電電極，便于空穴的注入例如可以是銦錫氧化物或銦鋅氧化物。

需要說明的是，可選的，在形成第一電極后，還可以形成像素限定層，其中像素限定層包括多個(gè)開口結(jié)構(gòu)，每一開口結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)一像素區(qū)域。

亦或者，在形成第一電極之前，形成像素限定層其中像素限定層包括多個(gè)開口結(jié)構(gòu)，然后在每個(gè)開口結(jié)構(gòu)內(nèi)形成第一電極。像素限定層可以防止后續(xù)形成的發(fā)光材料層的混色現(xiàn)象。

步驟S120、在所述第一電極上形成第一輔助發(fā)光層，所述第一輔助發(fā)光層包括主體材料和客體材料，所述客體材料中包括具有式(I)所示的結(jié)構(gòu)：

其中，n為≥1的整數(shù)，X₁、X₂和X_n+2的均各自獨(dú)立地具有結(jié)構(gòu)；R’選自取代的芳香基、取代的雜芳基中的任意1種，所述取代的芳香基和所述取代的雜芳基中的取代基至少包括一種電子受體基團(tuán)。示例性的，所述電子受體基團(tuán)選自氰基、氟、三氟甲基、氯和溴中的任意1種或至少2種的組合。示例性的，所述客體材料包括所述主體材料具有式(II)所示的結(jié)構(gòu)：

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈均各自獨(dú)立地選自氫原子、C1～C6的取代或未取代的烴基、C5～15的取代或未取代的芳香基中的任意1種或至少2種的組合；R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂均各自獨(dú)立地選自芳香性基團(tuán)。所述R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂均各自獨(dú)立地可以選自取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的稠環(huán)基團(tuán)或取代或未取代的雜環(huán)芳基，示例性的如中的任意1種或至少2種的組合。

在第一電極上沉積一層第一輔助發(fā)光層。第一輔助發(fā)光層例如可以包括空穴注入緩沖層、空穴注入層、空穴傳輸層以及電子阻擋層。示例性的，每一像素區(qū)域的空穴注入緩沖層的厚度小于或等于每一像素區(qū)域的空穴注入層小于或等于每一像素區(qū)域的空穴傳輸層小于或等于

步驟S130、在所述第一輔助發(fā)光層上形成發(fā)光層。

在第一輔助發(fā)光層上沉積發(fā)光層。對(duì)于不同發(fā)光顏色的像素區(qū)域，可以分別采用掩膜版依次進(jìn)行發(fā)光層的沉積。示例性的，所述不同發(fā)光顏色的像素區(qū)域包括藍(lán)色發(fā)光顏色像素區(qū)域、綠色發(fā)光顏色像素區(qū)域和紅色發(fā)光顏色像素區(qū)域。

可選的，不同發(fā)光顏色像素區(qū)域的發(fā)光層的厚度可以相同，也可以不同，具體需要結(jié)合實(shí)際工藝要求，各不同發(fā)光顏色像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)，發(fā)光層特性，以及各像素區(qū)域的空穴與電子之間的傳輸平衡等因素綜合進(jìn)行考慮。

步驟S140、在所述發(fā)光層上形成第二電極。

在發(fā)光層上沉積第二電極。示例性的，第二電極可以選用低功函數(shù)的導(dǎo)電材料，利于電子的注入。

當(dāng)?shù)谝浑姌O和第二電極均為多個(gè)平行排列的條狀電極，且相互交叉設(shè)置時(shí)，該結(jié)構(gòu)適用于無(wú)源式有機(jī)發(fā)光顯示面板。當(dāng)?shù)谝浑姌O為多個(gè)矩陣排列的塊狀電極，第二電極為面狀電極，即所有像素區(qū)域共用一個(gè)第二電極時(shí)，該結(jié)構(gòu)適用于有源式有機(jī)發(fā)光顯示面板。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，本發(fā)明所述的OLED顯示面板的制作方法中，所述在所述發(fā)光層上形成第二電極包括：

在所述發(fā)光層上形成第二輔助發(fā)光層；在所述第二輔助發(fā)光層上形成所述第二電極。

在發(fā)光層上對(duì)應(yīng)至少一種發(fā)光顏色的像素區(qū)域的位置沉積第二輔助發(fā)光層，且第二輔助發(fā)光層中摻雜有N型摻雜材料。通過向第二輔助發(fā)光層中摻雜N型摻雜材料增強(qiáng)第二輔助發(fā)光層中的電子遷移率，以平衡兩種載流子在發(fā)光層中的復(fù)合。

需要說明的是，本申請(qǐng)的第二輔助發(fā)光層可以是OLED面板中的電子傳輸層、電子注入層和空穴阻擋層等功能膜層中的一層或幾層，具體可以根據(jù)OLED面板的設(shè)計(jì)進(jìn)行選擇，本申請(qǐng)對(duì)此不做限定。

本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的有機(jī)發(fā)光顯示面板可以是頂發(fā)射、底發(fā)射型，也可以是雙發(fā)射型。本發(fā)明實(shí)施例對(duì)有機(jī)發(fā)光顯示面板的出光方向不做限定。若第二電極為有機(jī)發(fā)光顯示裝置的出光側(cè)，則第一電極包括至少一反射電極和至少一透明導(dǎo)電電極。透明導(dǎo)電電極例如可以是銦錫氧化物ITO材料，反射電極例如可以是Ag或Ag合金材料。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述疊層的形成方法包括蒸鍍、印刷、涂布旋涂和噴墨打印中的任意1種或至少2種的組合。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述第一輔助發(fā)光層中，具有式(I)所示的結(jié)構(gòu)的化合物所占的體積百分比≤10％。

在一個(gè)具體實(shí)施方式中，所述第二輔助發(fā)光層中，N型摻雜材料的摻雜百分比范圍為1％～5％。

本發(fā)明還提供了一種電子設(shè)備，圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，所述電子設(shè)備包括上述任一實(shí)施例所述的OLED顯示面板100。電子設(shè)備可以為手機(jī)，也可以為電腦、電視機(jī)、智能穿戴設(shè)備等，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作特殊限定。

本發(fā)明還對(duì)本發(fā)明提供的多個(gè)實(shí)施例以及對(duì)比例進(jìn)行了性能測(cè)試，其中測(cè)試方法為：使用IVL測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)試器件的電壓和效率，IVL測(cè)試儀型號(hào)：M6100供應(yīng)商：McScience；用Keithley 2365A數(shù)字納伏表測(cè)試根據(jù)實(shí)施例以及對(duì)比例中制造的有機(jī)光電裝置在不同電壓下的電流，然后用電流除以發(fā)光面積得到有

表1：實(shí)施例與對(duì)比例器件的測(cè)試結(jié)果表

機(jī)光電裝置的在不同電壓下的電流密度。用Konicaminolta CS-2000分光輻射亮度計(jì)測(cè)試根據(jù)測(cè)試?yán)约皩?duì)比例制作的有機(jī)光電裝置在不同電壓下的亮度和輻射能流密度。根據(jù)有機(jī)光電裝置在不同電壓下的電流密度和亮度，得到在相同電流密度下(0.1mA/cm²)的電流效率(Cd/A)和外量子效率EQE。

其中，各實(shí)施例和對(duì)比例的器件結(jié)構(gòu)相同，均如圖7所示，包括基板400，

表2：表1中代號(hào)與所代表物質(zhì)對(duì)照表

順序疊層于基板400上的第一電極401、空穴注入緩沖層404、空穴注入層405、空穴傳輸層406、發(fā)光層403、電子傳輸層407、第二電極402。圖7中的空穴注入緩沖層404可以理解為上述各實(shí)施例中的第一電子型輔助發(fā)光層。各實(shí)施例和各對(duì)比例中基板、第一電極401、空穴注入層405、空穴傳輸層406、發(fā)光層403、電子注入層408、第二電極402的厚度和材料也相同。

其中，第一電極401采用氧化銦鋅材料；空穴注入層405采用NPB厚度為空穴傳輸層406采用TAPC厚度為發(fā)光層403采用DPVPA和BCzVB共摻，DPVPA和BCzVB的體積比為5％，發(fā)光層403的厚度為電子傳輸層407的主體材料為摻雜材料見表1和表2，厚度為第二電極402采用Ag，厚度為實(shí)施例和對(duì)比例的區(qū)別僅在于空穴注入緩沖層404和電子傳輸層407的材料的選擇不同，以及空穴注入緩沖層404的厚度，具體如表1和表2所示。

其中，表1為各實(shí)施例與對(duì)比例器件的測(cè)試結(jié)果表，表2為表1中各代號(hào)及其所代表物質(zhì)對(duì)照表，在表1中空穴注入緩沖層的A(包括A1、A2、A3)為主體材料，B(包括B1、B2、B3)為客體材料，括號(hào)中的比值為B在A中的摻雜體積比，例如A1:B1(1％)表示B1在A1中的摻雜體積比為1％；電子傳輸層的主體材料為ETL，括號(hào)中的是摻雜材料的摻雜比例，例如ETL:Yb(1％)表示，Yb在ETL中的摻雜體積比為1％。

從表1和表2的實(shí)施例1和對(duì)比例2可以看出，實(shí)施例1、8、9采用具有式(I)結(jié)構(gòu)的化合物B1～B3與主體材料摻雜，作為空穴注入緩沖層，提高了器件的發(fā)光效率，推測(cè)是由于具有式(I)結(jié)構(gòu)的化合物具有較強(qiáng)的吸電子能力，產(chǎn)生了較多的空穴，提高了空穴注入速率，空穴能夠更快的傳輸至發(fā)光層與電子結(jié)合發(fā)光，實(shí)現(xiàn)了降低電壓從而降低OLED面板功耗的目的；另一方面，具有式(I)結(jié)構(gòu)的化合物B1的摻雜提高了空穴的注入能力，提高了發(fā)光層中空穴和電子結(jié)合產(chǎn)生載流子的數(shù)量，獲得了更為平衡的空穴和電子的注入與傳輸性能。1～10％的具有式(I)結(jié)構(gòu)的B1～B3的摻雜比例(如實(shí)施例1～3)，啟動(dòng)電壓降低，大致在3.45～3.75V，發(fā)光效率(EQE)提高，在7.64～8.11％，原因是有效提高了空穴的注入數(shù)量和傳輸速率，在發(fā)光層中產(chǎn)生了更多的載流子；實(shí)施例10的發(fā)光效率較實(shí)施例2的發(fā)光效率低0.86，實(shí)施例5的發(fā)光率較實(shí)施例4下降約0.7％，這是由于隨著Yb摻雜量的增加，電子注入和傳輸速率提高，器件的啟動(dòng)電壓降低，但是由于Yb作為金屬原子，會(huì)造成透光率降低，對(duì)于陰極發(fā)光器件，過多的Yb會(huì)造成發(fā)光率略有下降。實(shí)施例6(ETL摻雜鎂)和實(shí)施例7(ETL摻雜Liq)發(fā)光效率比實(shí)施例4(ETL摻雜鐿)低，電壓也略高，這是由于Mg和Liq一定程度上可以提高發(fā)光層中載流子的數(shù)量，降低器件的啟動(dòng)電壓，提高器件的發(fā)光效率，但其原子半徑小，電子注入能力不如Yb，相較于Yb摻雜的器件，效率略低，電壓略高。對(duì)比例1的效率較低在7.0以下，這是因?yàn)閷?duì)比例1的空穴注入緩沖層厚度過大，造成空穴的傳輸路徑邊長(zhǎng)，需要更長(zhǎng)的時(shí)間到達(dá)發(fā)光層，造成器件發(fā)光效率的降低。從對(duì)比例2可以看出，空穴注入緩沖層不摻雜軸烯化合物，空穴注入變少，相較于注入軸烯化合物的實(shí)施例1，其電壓有明顯提高，效率明顯降低，這是因?yàn)榭昭ǖ淖⑷霐?shù)量變少，需要更高的電壓才能夠使空穴傳輸?shù)桨l(fā)光層發(fā)光。從對(duì)比例3可以看出，軸烯化合物的摻雜量12％(超過10％)，相較于實(shí)施例3(軸烯化合物摻雜量為10％)，電壓基本沒有變化，發(fā)光率卻略有降低，這是因?yàn)檫^多的軸烯化合物的摻雜量造成空穴分布密集，降低了器件的發(fā)光效率，此外由于軸烯化合物吸電子能力較強(qiáng)，過多的軸烯化合物摻雜量也使得OLED面板的橫向漏流變得更加嚴(yán)重。

申請(qǐng)人聲明，本發(fā)明通過上述實(shí)施例來(lái)說明本發(fā)明的詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程，但本發(fā)明并不局限于上述詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細(xì)工藝設(shè)備和工藝流程才能實(shí)施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對(duì)本發(fā)明的任何改進(jìn)，對(duì)本發(fā)明產(chǎn)品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。