本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種放電板以及放電系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metaloxidesemiconductor，簡(jiǎn)稱MOS管)的源極和耗盡層是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型背柵中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET)，它把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的輸出電流的變化和輸入電壓變化之比，市面上常有的一般為N溝道和P溝道，而P溝道常見(jiàn)的為低壓MOS管。

但是，一般在MOS管的使用過(guò)程中都非常注意防靜電破壞。MOS管的柵極源極間最大額定電壓約為±20V，如果驅(qū)動(dòng)電壓超出這個(gè)范圍,就很有可能永久損壞MOS管，主要是因?yàn)镸OS管輸入阻抗大的特點(diǎn)，電荷不能及時(shí)的流走，積聚在柵極，就會(huì)造成MOS管柵極和源極之間的電壓大于這個(gè)±20V的范圍，這時(shí)MOS管就可能損壞。這就是一定不能用手去摸MOS管引腳的原因，手上的靜電高達(dá)千伏，MOS管一下子就會(huì)被擊穿了。因此，MOS管對(duì)靜電比較敏感，極其容易被靜電擊穿。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種放電板以及放電系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的MOS管對(duì)靜電比較敏感，極其容易被靜電擊穿的技術(shù)問(wèn)題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種放電板，包括：電路板、MOS管以及防靜電裝置；

所述MOS管與所述電路板互相連接；

所述MOS管設(shè)置于所述電路板上；

所述電路板通過(guò)所述MOS管控制電流；

所述防靜電裝置設(shè)置于所述MOS管的外部。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第一種可能的實(shí)施方式，其中，所述MOS管的數(shù)量為11個(gè)；

所述防靜電裝置設(shè)置于每個(gè)所述MOS管的外部。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第二種可能的實(shí)施方式，其中，所述防靜電裝置包括絕緣層、抗靜電膜、磁場(chǎng)屏蔽罩中至少一種。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第三種可能的實(shí)施方式，其中，所述防靜電裝置上還設(shè)置有接地裝置；

所述接地裝置與地面連接。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第四種可能的實(shí)施方式，其中，每個(gè)所述MOS管與所述電路板之間活動(dòng)連接。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第五種可能的實(shí)施方式，其中，還包括檢測(cè)裝置；

每個(gè)所述檢測(cè)裝置與每個(gè)所述MOS管連接，檢測(cè)所述MOS管的故障情況。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第六種可能的實(shí)施方式，其中，還包括故障顯示裝置；

所述故障顯示裝置與所述檢測(cè)裝置連接，顯示每個(gè)所述MOS管的故障信息。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種放電系統(tǒng)，包括：負(fù)載以及如第一方面的放電板；

所述放電板與所述負(fù)載連接；

所述放電板為所述負(fù)載提供放電電流。

結(jié)合第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了第二方面的第一種可能的實(shí)施方式，其中，所述MOS管通過(guò)脈沖信號(hào)控制通斷；

每個(gè)所述MOS管通過(guò)加載2A直流控制所述負(fù)載的放電電流值驅(qū)動(dòng)所述負(fù)載。

結(jié)合第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了第二方面的第二種可能的實(shí)施方式，其中，所述負(fù)載為電極與加工件。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)了以下有益效果：本發(fā)明實(shí)施例提供的放電板包括：MOS管、電路板與防靜電裝置，該MOS管設(shè)置于該電路板上，且MOS管與電路板互相連接，其中，電路板通過(guò)MOS管控制電流，而防靜電裝置設(shè)置于MOS管的外部，通過(guò)防靜電裝置在MOS管的外部，保護(hù)MOS管不受外界靜電的干擾，使MOS管免受靜電破壞，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的MOS管對(duì)靜電比較敏感，極其容易被靜電擊穿的技術(shù)問(wèn)題。

本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)在說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的放電板的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的放電板的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的放電板的另一部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的放電系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖標(biāo)：1-放電板；11-電路板；12-MOS管；13-防靜電裝置；14-接地裝置；15-檢測(cè)裝置；16-故障顯示裝置；2-放電系統(tǒng)；21-負(fù)載。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

目前MOS管對(duì)靜電比較敏感，極其容易被靜電擊穿，基于此，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種放電板以及放電系統(tǒng)，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的MOS管對(duì)靜電比較敏感，極其容易被靜電擊穿的技術(shù)問(wèn)題。

為便于對(duì)本實(shí)施例進(jìn)行理解，首先對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所公開(kāi)的一種放電板以及放電系統(tǒng)進(jìn)行詳細(xì)介紹。

實(shí)施例一：

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種放電板1，如圖1所示，包括：電路板11、MOS管12以及防靜電裝置13，MOS管12與電路板11互相連接，MOS管12設(shè)置于電路板11上，電路板11通過(guò)MOS管12控制電流，防靜電裝置13設(shè)置于MOS管12的外部。

其中，MOS管12能夠控制電壓，且控制方式比較方便。而且MOS管12的體積小，重量輕，壽命長(zhǎng)。再者，MOS管12輸入電阻高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗干擾能力強(qiáng)，功能消耗低。并且，MOS管12與普通三極管的驅(qū)動(dòng)方式不同，MOS管12是電壓控制，需要的驅(qū)動(dòng)電流非常微小，而三極管是電流控制，需要大電流驅(qū)動(dòng)。

作為本實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，MOS管12的數(shù)量為11個(gè)，防靜電裝置13設(shè)置于每個(gè)MOS管12的外部。因此，每個(gè)MOS管12上都能夠具有防靜電功能。

進(jìn)一步的是，防靜電裝置13包括絕緣層、抗靜電膜、磁場(chǎng)屏蔽罩中至少一種。防靜電裝置13可以為絕緣層，實(shí)現(xiàn)每個(gè)MOS管12表面都設(shè)置一層絕緣層。

作為本實(shí)施例的另一種實(shí)施方式，防靜電裝置13還可以為抗靜電膜，該抗靜電膜能夠防止MOS管12表面的靜電積累，以此來(lái)防止MOS管12的損壞。

需要說(shuō)明的是，防靜電裝置13還可以為磁場(chǎng)屏蔽罩，也就是在MOS管12的外部設(shè)置一個(gè)磁場(chǎng)屏蔽罩，也可以實(shí)現(xiàn)對(duì)MOS管12表面靜電積累的減少。

如圖2所示，防靜電裝置13上還設(shè)置有接地裝置14，接地裝置14與地面連接，接地裝置14可以將靜電釋放，以此加強(qiáng)對(duì)MOS管12的保護(hù)作用。

此外，每個(gè)MOS管12與電路板11之間活動(dòng)連接，具體的說(shuō)，MOS管12與電路板11之間是可拆分的，MOS管12在電路板11上可以被插拔，實(shí)現(xiàn)MOS管12的更換。因此MOS管12是可插拔的裝置，用以在電路板11上選擇不同品種的MOS管12。

因此，當(dāng)11個(gè)MOS管12中的某個(gè)MOS管12被靜電擊穿或出現(xiàn)其他故障時(shí)，在電路板11上可以隨意更換MOS管12，僅需要更換出現(xiàn)故障的那個(gè)MOS管12。因此，不需要在某一個(gè)或某幾個(gè)MOS管12出現(xiàn)損壞的情況下，更換整個(gè)板子，造成部件的浪費(fèi)。

如圖3所示，放電板1還包括檢測(cè)裝置15，每個(gè)檢測(cè)裝置15與每個(gè)MOS管12連接，檢測(cè)MOS管12的故障情況。

需要說(shuō)明的是，MOS管12為壓控元件，只要加到MOS管12的壓控元件所需的電壓就能使它導(dǎo)通，MOS管12的導(dǎo)通和三極管在飽和狀態(tài)一樣，導(dǎo)通結(jié)的壓降最小，MOS管12具有開(kāi)關(guān)作用，去掉這個(gè)控制電壓就截止。

本發(fā)明實(shí)施例中的MOS管12屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的絕緣柵型，因此，MOS管12有時(shí)被稱為場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。而在主板上的電源穩(wěn)壓電路中，MOS管主要是判斷電位。

如圖3所示，放電板1還包括故障顯示裝置16，故障顯示裝置16與檢測(cè)裝置15連接，顯示每個(gè)MOS管12的故障信息。從而形成每個(gè)MOS管12的內(nèi)部自動(dòng)檢測(cè)功能，可以在檢測(cè)裝置15檢測(cè)到MOS管12無(wú)故障時(shí)，故障顯示裝置16顯示綠燈，在檢測(cè)裝置15檢測(cè)到MOS管12出現(xiàn)故障時(shí)，故障顯示裝置16顯示紅燈，也可以發(fā)出預(yù)警報(bào)音。

作為本實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施方式，檢測(cè)裝置15中還可以設(shè)置有處理器，實(shí)現(xiàn)對(duì)MOS管12檢測(cè)到的信息的處理，從而使故障顯示裝置16執(zhí)行正確的故障顯示。

現(xiàn)有的MOS管在使用時(shí)，不允許用手碰觸MOS管的引腳,為了防止MOS管被靜電破壞,人們?cè)谑褂肕OS管時(shí)，不得不嚴(yán)格按照規(guī)章制度操作,帶上防靜電手套等。特別是在北方干燥的氣候，人的手只要碰觸到MOS管，就易產(chǎn)生靜電，因此MOS管極易損壞。因此，靜電問(wèn)題是MOS管的薄弱之處。

本實(shí)施例中，增加絕緣層、抗靜電膜、磁場(chǎng)屏蔽罩等形式的防靜電裝置13，以及接地裝置14等，保護(hù)了MOS管12不受外界靜電的干擾，使MOS管12免受靜電破壞。本實(shí)施例增加的檢測(cè)裝置15、故障顯示裝置16，實(shí)現(xiàn)了及時(shí)檢測(cè)的功能，也使MOS管12的使用更加便捷，減小靜電擊穿帶來(lái)的影響。

實(shí)施例二：

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種放電系統(tǒng)2，如圖4所示，包括：負(fù)載21以及上述實(shí)施例一提供的放電板1，放電板1與負(fù)載21連接，放電板1為負(fù)載21提供放電電流。

作為一個(gè)優(yōu)選方案，MOS管12通過(guò)脈沖信號(hào)控制通斷，每個(gè)MOS管12通過(guò)加載2A直流控制負(fù)載21的放電電流值驅(qū)動(dòng)負(fù)載21。

作為本實(shí)施例的另一種實(shí)施方式，負(fù)載21也可以為電極與加工件。

另外，放電系統(tǒng)2可以應(yīng)用于電火花機(jī)床控制系統(tǒng)，放電系統(tǒng)2能夠作為該電火花機(jī)床控制系統(tǒng)中的某個(gè)功能電路板。其中，放電系統(tǒng)2可以為該電火花機(jī)床控制系統(tǒng)提供放電板的功能。

具體的，放電系統(tǒng)2中設(shè)置有11個(gè)通道的MOS管12，MOS管12通過(guò)脈沖信號(hào)控制通斷，每一個(gè)通道加載2A直流，當(dāng)MOS管12導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)負(fù)載21，即控制電極與加工件的放電電流大小。

本發(fā)明實(shí)施例中的電火花機(jī)(Electrical Discharge Machining，簡(jiǎn)稱EDM)是一種機(jī)械加工設(shè)備，主要用于電火花機(jī)加工。廣泛應(yīng)用在各種金屬模具、機(jī)械設(shè)備的制造中。電火花機(jī)是利用浸在工作液中的兩極間脈沖放電時(shí)產(chǎn)生的電蝕作用蝕除導(dǎo)電材料的特種加工方法，又稱放電加工或電蝕加工。

對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，一般在MOS管的使用過(guò)程中都非常注意防靜電破壞。原因在于，MOS管的柵極源極間最大額定電壓約為±20V，如果驅(qū)動(dòng)電壓超出這個(gè)范圍，就很有可能永久損壞MOS管，主要是因?yàn)镸OS管輸入阻抗大的特點(diǎn)，電荷不能及時(shí)的流走，積聚在柵極，就會(huì)造成MOS管柵極和源極之間的電壓大于這個(gè)±20V的范圍，這時(shí)MOS管就可能損壞。這就是一定不能用手去摸MOS管引腳的原因，手上的靜電高達(dá)千伏，MOS管一下子就會(huì)被擊穿了。因此，MOS管對(duì)靜電比較敏感，極其容易被靜電擊穿。

通過(guò)提供放電系統(tǒng)2，防靜電裝置13在MOS管12的外部，保護(hù)MOS管12不受外界靜電的干擾，使MOS管12免受靜電破壞，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的MOS管12對(duì)靜電比較敏感，極其容易被靜電擊穿的技術(shù)問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提供的放電系統(tǒng)，與上述實(shí)施例提供的放電板具有相同的技術(shù)特征，所以也能解決相同的技術(shù)問(wèn)題，達(dá)到相同的技術(shù)效果。

在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)、裝置等，可以通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過(guò)一些通信接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機(jī)械或其它的形式。

處理器可以是一種集成電路芯片，具有信號(hào)的處理能力。在實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，可以通過(guò)處理器中的硬件的集成邏輯電路的指令完成。上述的處理器可以是通用處理器，包括中央處理器(Central Processing Unit，簡(jiǎn)稱CPU)、等、網(wǎng)絡(luò)處理器(Network Processor，簡(jiǎn)稱NP)；還可以是數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)成可編程門(mén)陣列(FPGA)或者其他可編程邏輯器件、分立門(mén)或者晶體管邏輯器件、分立硬件組件。通用處理器可以是微處理器或者該處理器也可以是任何常規(guī)的處理器等。處理器中還可以包括存儲(chǔ)器，處理器讀取存儲(chǔ)器中的信息，結(jié)合其硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)。軟件模塊可以位于隨機(jī)存儲(chǔ)器，閃存、只讀存儲(chǔ)器，可編程只讀存儲(chǔ)器或者電可擦寫(xiě)可編程存儲(chǔ)器、寄存器等本領(lǐng)域成熟的存儲(chǔ)介質(zhì)中。該存儲(chǔ)介質(zhì)位于存儲(chǔ)器，處理器讀取存儲(chǔ)器中的信息。

另外，在本發(fā)明實(shí)施例的描述中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。

所述功能如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：U盤(pán)、移動(dòng)硬盤(pán)、只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上所述實(shí)施例，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，其依然可以對(duì)前述實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改或可輕易想到變化，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改、變化或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。