技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種采用鋁硅共晶薄膜輔助干法刻蝕制備黑硅層的方法，所述方法的步驟為：1）提供硅片；對(duì)硅片表面進(jìn)行清洗；2）硅片上用于制作黑硅層的區(qū)域記為操作區(qū)；采用電子束蒸發(fā)鍍膜工藝或磁控濺射鍍膜工藝，在操作區(qū)表面生長(zhǎng)鋁硅共晶薄膜；3）采用等離子刻蝕工藝對(duì)鋁硅共晶薄膜中的硅進(jìn)行選擇性刻蝕，將鋁硅共晶薄膜中的硅刻蝕掉；4）利用鋁硅共晶薄膜中殘留的鋁作為掩膜，采用等離子刻蝕工藝對(duì)操作區(qū)上的硅進(jìn)行選擇性刻蝕，從而在操作區(qū)上形成黑硅層；5）采用等離子刻蝕工藝對(duì)所述掩膜進(jìn)行選擇性刻蝕，將掩膜刻蝕掉，然后對(duì)黑硅層進(jìn)行清洗。本發(fā)明的有益技術(shù)效果是：能制作出形貌優(yōu)良的黑硅層。

技術(shù)研發(fā)人員：黃建;姜華男;楊修偉;廖乃鏝;袁安波
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.05
技術(shù)公布日：2017.07.25