本發(fā)明涉及一種激光蝕刻裝置及利用所述激光蝕刻裝置的激光蝕刻方法，尤其涉及一種用于形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)物的激光蝕刻方法。

背景技術(shù)：

最近，受益于技術(shù)的發(fā)展，正在生產(chǎn)著小型化、輕量化且性能更優(yōu)秀的顯示產(chǎn)品。目前為止，在顯示裝置中，以往的陰極射線管電視(cathoderaytube：crt)在性能或價(jià)格方面具有較多的優(yōu)點(diǎn)而被廣泛地使用，但是在小型化或便攜性方面能夠克服crt的缺點(diǎn)，并具有小型化、輕量化及低電力消耗等優(yōu)點(diǎn)的顯示裝置，如等離子顯示裝置、液晶顯示裝置及有機(jī)發(fā)光顯示裝置等正備受矚目。

其中，有機(jī)電致發(fā)光元件，如oled具有響應(yīng)速度快、比以往的lcd低的消耗電力、輕量性、由于無須單獨(dú)的背光(backlight)裝置而能夠被制造成超薄型以及高亮度等非常好的優(yōu)點(diǎn)，因此作為下一代的顯示元件而備受矚目。

所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括在基板上以特定的圖案形成的有機(jī)發(fā)光元件，其可以通過在所述基板上形成有機(jī)膜之后，將其圖案化或者在基板上利用掩膜而形成有機(jī)物圖案而獲得。此時(shí)，在將形成于基板上的所述有機(jī)膜圖案化時(shí)，可以利用激光蝕刻裝置，所述激光蝕刻裝置在維持及管理方面需要較多的時(shí)間和功夫，因此存在生產(chǎn)性降低的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的技術(shù)課題著眼于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種提高生產(chǎn)性的激光蝕刻裝置。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種利用所述激光蝕刻裝置的激光蝕刻方法。

用于實(shí)現(xiàn)上述的本發(fā)明的目的的根據(jù)一實(shí)施例的激光蝕刻裝置包括：腔室，在內(nèi)部裝載形成有有機(jī)膜的基板，并且朝地面方向形成有激光端口；激光照射器，通過所述激光端口而向所述基板的所述有機(jī)膜照射激光；顆粒捕集器，布置在所述腔室內(nèi)，且位于所述激光端口上，并包括主體、貫通所述主體并用于使所述激光通過的開口以及用于捕集從所述有機(jī)膜產(chǎn)生的粉塵的捕集部；薄膜模塊，包括保護(hù)薄膜和薄膜驅(qū)動(dòng)部，所述保護(hù)薄膜布置在所述激光端口和所述顆粒捕集器之間，使沒有被所述顆粒捕集器捕集并通過所述顆粒捕集器的粉塵累積而被捕集，并且由透明的物質(zhì)形成，所述薄膜驅(qū)動(dòng)部能夠使所述保護(hù)薄膜移動(dòng)。

本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述薄膜模塊的所述驅(qū)動(dòng)部可以包括第一輥及第二輥。所述保護(hù)薄膜可以被纏繞在所述第一輥及所述第二輥，從而所述保護(hù)薄膜隨著所述第一輥及第二輥的旋轉(zhuǎn)而使從所述第一輥移動(dòng)至所述第二輥。

本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述薄膜模塊還可以包括張力調(diào)節(jié)輥。

本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述激光照射裝置可以將激光照射成相對于重力方向傾斜預(yù)設(shè)角度。所述保護(hù)薄膜可以與所述激光照射器所產(chǎn)生的所述激光垂直地布置。

本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述顆粒捕集器的所述主體可以連接于冷卻部。

本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述保護(hù)薄膜可以具有由可分離的多個(gè)薄膜片層疊而成的薄膜層疊結(jié)構(gòu)。所述薄膜驅(qū)動(dòng)部可以以使位于所述薄膜層疊結(jié)構(gòu)的最上部的薄膜片分離的方式配備。

本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述薄膜驅(qū)動(dòng)部可以包括供應(yīng)所述保護(hù)薄膜的薄膜供應(yīng)部以及回收所述保護(hù)薄膜的薄膜回收部。當(dāng)在所述保護(hù)薄膜上累積所述粉塵而被污染時(shí)，所述薄膜回收部可以回收被污染的薄膜，且所述薄膜供應(yīng)部供應(yīng)新的保護(hù)薄膜。

用于實(shí)現(xiàn)上述的本發(fā)明的目的的根據(jù)一實(shí)施例的激光蝕刻方法利用如下的激光蝕刻裝置，所述激光蝕刻裝置包括：腔室，朝地面形成有激光端口；激光照射器；顆粒捕集器，包括主體、貫通所述主體的開口及捕集部；薄膜模塊，包括布置在所述激光端口和所述顆粒捕集器之間且由透明物質(zhì)形成的保護(hù)薄膜以及能夠使所述保護(hù)薄膜移動(dòng)的薄膜驅(qū)動(dòng)部。所述激光蝕刻方法包括：在基板上形成有機(jī)膜的步驟；將形成有所述有機(jī)膜的所述基板裝載到所述腔室內(nèi)的步驟；利用所述激光照射器而通過所述激光端口向所述基板的所述有機(jī)膜照射激光而蝕刻所述有機(jī)膜的步驟；更新步驟，使在累積有所述蝕刻的步驟中產(chǎn)生的粉塵的所述保護(hù)薄膜移動(dòng)，從而使新的保護(hù)薄膜位于所述激光照射器及所述顆粒捕集器之間。在所述蝕刻的步驟中，從所述有機(jī)膜產(chǎn)生的粉塵被所述顆粒捕集器的所述捕集部一次捕集，通過所述開口而下降的粉塵被所述薄膜模塊二次捕集。

本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述薄膜模塊的所述薄膜驅(qū)動(dòng)部可以包括第一輥及第二輥。在所述更新步驟中，所述保護(hù)薄膜可以纏繞在所述第一輥及第二輥，從而使所述保護(hù)薄膜隨著所述第一輥及第二輥的旋轉(zhuǎn)而從所述第一輥移動(dòng)至所述第二輥。

本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述薄膜模塊還可以包括張力調(diào)節(jié)輥，所述張力調(diào)節(jié)輥施加壓力以使所述保護(hù)薄膜平整。

本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述激光照射裝置可以將激光照射成相對于重力方向傾斜預(yù)設(shè)角度。所述保護(hù)薄膜可以與所述激光照射器所產(chǎn)生的所述激光垂直地布置。

本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述顆粒捕集器還可以包括冷卻部，所述冷卻部連接于所述顆粒捕集器的所述主體，并冷卻所述主體。所述顆粒捕集器可以將所述粉塵冷卻及固化，以防止所述粉塵的飛揚(yáng)。

本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述保護(hù)薄膜可以包括由可分離的多個(gè)薄膜片層疊而成的薄膜層疊結(jié)構(gòu)，所述薄膜驅(qū)動(dòng)部以使位于所述薄膜層疊結(jié)構(gòu)的最上部的薄膜片分離的方式配備。在所述更新步驟中，所述薄膜驅(qū)動(dòng)部將累積有所述粉塵的所述薄膜片分離，從而使新的薄膜片暴露在所述薄膜層疊結(jié)構(gòu)的最上部。

本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述薄膜驅(qū)動(dòng)部可以包括供應(yīng)所述保護(hù)薄膜的薄膜供應(yīng)部以及回收所述保護(hù)薄膜的薄膜回收部。在所述更新步驟中，所述薄膜回收部可以將累積有所述粉塵的所述保護(hù)薄膜回收，且所述薄膜供應(yīng)部供應(yīng)新的保護(hù)薄膜。

本發(fā)明的一實(shí)施例中，在所述蝕刻有機(jī)膜的步驟進(jìn)行預(yù)設(shè)的預(yù)定次數(shù)以上時(shí)，所述更新步驟可以自動(dòng)執(zhí)行。

本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述更新步驟可以與所述蝕刻有機(jī)膜的步驟一同執(zhí)行，所述保護(hù)薄膜以預(yù)定的速度持續(xù)移動(dòng)。

根據(jù)基于本發(fā)明的實(shí)施例的激光蝕刻裝置及激光蝕刻方法，在預(yù)定程度以上的粉塵貼附在保護(hù)薄膜上的情況下，針對激光照射器的所述保護(hù)薄膜的相對位置借助于薄膜驅(qū)動(dòng)部而自動(dòng)地移動(dòng)，從而使處于干凈的狀態(tài)的保護(hù)薄膜代替被污染的部分的保護(hù)薄膜而位于對應(yīng)于所述激光照射器的位置。據(jù)此，所述激光蝕刻裝置的維持及管理可以是有效率的。因而，可以提高生產(chǎn)性。

但是，本發(fā)明的效果不限于上述效果，其可以在不脫離本發(fā)明的思想及領(lǐng)域的范圍內(nèi)多樣地?cái)U(kuò)張。

附圖說明

圖1是有機(jī)發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖。

圖2a至圖2d是用于示意性地說明有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)物的形成的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的激光蝕刻裝置的剖面圖。

圖4是詳細(xì)地示出圖3的激光蝕刻裝置的保護(hù)薄膜部分的剖面圖。

圖5是詳細(xì)地示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的激光蝕刻裝置的保護(hù)薄膜部分的剖面圖。

圖6是詳細(xì)地示出根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的激光蝕刻裝置的保護(hù)薄膜部分的剖面圖。

圖7是詳細(xì)地示出根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的激光蝕刻裝置的保護(hù)薄膜部分的剖面圖。

圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的激光蝕刻方法的順序圖。

圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的激光蝕刻方法的順序圖。

符號說明

10：基底基板12：有機(jī)膜

20：密封基板30：密封部件

100：腔室110：門(gatedoor)

120：激光端口(port)130：冷卻部

140：連接部150：顆粒(particle)捕集器

200：薄膜模塊210：第一輥

220：第二輥230：保護(hù)薄膜

300：激光照射器

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖而對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行更詳細(xì)的說明。

圖1是有機(jī)發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖。圖2a至圖2d是用于示意性地說明有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)物的形成的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖面圖。

參照圖1，有機(jī)發(fā)光元件在基板上依次層疊形成有陽極(anode)、空穴注入層(holeinjectionlayer)、空穴傳輸層(holetransferlayer)、發(fā)光層(emittinglayer)、空穴阻擋層(holeblockinglayer)、電子傳輸層(electrontransferlayer)、電子注入層(electroninjectionlayer)、陰極(cathode)等的膜。

有機(jī)薄膜為了提高發(fā)光效率而由空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層的多層構(gòu)成。被用作發(fā)光層的有機(jī)物有alq3、tpd、pbd、m-mtdata、tcta等。

有機(jī)發(fā)光元件包括陽極、陰極以及夾設(shè)于陽極和陰極之間的發(fā)光層，在驅(qū)動(dòng)時(shí)，空穴從陽極注入到發(fā)光層內(nèi)，電子從陰極注入到發(fā)光層內(nèi)。注入到發(fā)光層內(nèi)的空穴和電子在發(fā)光層結(jié)合而產(chǎn)生激子(exciton)，這種激子從激發(fā)態(tài)遷移成基態(tài)而發(fā)出光。

這種有機(jī)發(fā)光元件可以根據(jù)呈現(xiàn)的顏色而被分為單色或全彩(fullcolor)有機(jī)發(fā)光元件，全彩有機(jī)發(fā)光元件具有按三原色的紅色(red)、綠色(green)及藍(lán)色(blue)被圖案化的發(fā)光層，從而呈現(xiàn)全彩。在全彩有機(jī)發(fā)光元件中，圖案化發(fā)光層的過程可以根據(jù)形成發(fā)光層的物質(zhì)而不同地執(zhí)行。

參照圖2a至圖2d，可以在基底基板10上形成有機(jī)膜12?？梢詫⑺鲇袡C(jī)膜12圖案化而形成對應(yīng)于紅色子像素的紅色發(fā)光圖案r。此后，可以在所述基底基板10上形成有機(jī)物層，并將其圖案化，形成對應(yīng)于綠色子像素的綠色發(fā)光圖案g以及對應(yīng)于藍(lán)色子像素的藍(lán)色發(fā)光圖案b。并且，也可以利用掩膜而在所需的區(qū)域形成原始的紅色、綠色及藍(lán)色發(fā)光圖案之后，利用激光蝕刻而進(jìn)行微細(xì)圖案化，從而最終形成所述紅色、綠色及藍(lán)色發(fā)光圖案。

另外，在所述基底基板10的邊緣位置部分可以形成有用于密封密封基板20以及所述基底基板10的密封部件30，此時(shí)，可以將形成于所述邊緣位置部分的有機(jī)物層去除，從而使所述密封部件30有效地緊貼到所述基底基板10和所述密封基板20。

因此，在形成所述有機(jī)物層之后，需要將其圖案化，此時(shí)可以利用激光蝕刻裝置而將所述有機(jī)物層圖案化。

在利用所述激光蝕刻方法的情況下，存在因從有機(jī)物層被蝕刻而掉下來的有機(jī)物顆粒而導(dǎo)致蝕刻工序的效率性降低的問題，并且為了解決這一問題，需要周期性地對所述激光蝕刻裝置的腔室內(nèi)進(jìn)行清潔，因此存在所述激光蝕刻裝置的維持、管理(maintenance)方面效率不高的問題。

根據(jù)基于本發(fā)明的實(shí)施例的激光蝕刻裝置及利用所述激光蝕刻裝置的激光蝕刻方法，吸附所述有機(jī)物顆粒的保護(hù)薄膜被自動(dòng)更新(refresh)，因此無須用于專門的清潔的作業(yè)，并且據(jù)此可以提高生產(chǎn)性。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的激光蝕刻裝置的剖面圖。圖4是詳細(xì)地示出圖3的激光蝕刻裝置的保護(hù)薄膜部分的剖面圖。

參照圖3，所述激光蝕刻裝置包括：腔室100、門110、激光端口120、冷卻部130、連接部140、顆粒捕集器(particlegrabber)150、薄膜模塊200及激光照射器300。

所述腔室100形成進(jìn)行針對基板10的蝕刻工序的場所。為了根據(jù)激光照射方式而對沉積在所述基板10上的有機(jī)膜12進(jìn)行圖案化而去除所述有機(jī)物層的一部分時(shí)，所述腔室100的內(nèi)部需要維持真空，因此所述腔室100可以應(yīng)用真空腔室。為了維持適當(dāng)?shù)恼婵諌海谒銮皇?00的一側(cè)可以配備有真空泵(未示出)等。在所述腔室100的一側(cè)壁面形成有用于使所述基板進(jìn)出的出入部。并且，在所述出入部區(qū)域，可以形成有用于開閉所述出入部的所述門110。

通過所述出入部而在所述腔室100出入的所述基板可以在被卡盤(chucking)模塊(未示出)卡住的狀態(tài)下，被裝載到所述腔室100內(nèi)，或者從所述腔室100卸載。所述卡盤模塊可以使用利用靜電力的靜電卡盤(eschuck)等。

所述激光照射器300可以為了將所述基板10上的所述有機(jī)膜12圖案化而照射激光(laser)。本實(shí)施例中，所述激光照射器300其位置可以固定于所述腔室100的外部而向所述腔室100的內(nèi)部照射激光。此時(shí)，在布置所述激光照射器300的所述腔室100的壁面配備有所述激光端口(laserport)120。所述激光照射器300使激光通過所述激光端口120照射而朝向基板。

當(dāng)照射激光而使所述有機(jī)膜12被蝕刻的情況下，可能從有機(jī)膜12飛散出大量的粉塵。此時(shí)，所述粉塵沿著重力方向，即附圖中的第二方向d2下降。下降的所述粉塵可以被所述顆粒捕集器150及所述薄膜模塊200捕集而能夠防止所述粉塵累積在所述激光端口120上。據(jù)此，可以緩解由于所述粉塵而所述激光的照射效率降低的問題。并且，如后文所述，所述薄膜模塊200能夠被自動(dòng)更新(refresh)，因此所述激光蝕刻裝置的維持、管理(maintenance)可以是有效率的。從而可以提高生產(chǎn)性。

所述冷卻部130可以在所述腔室100內(nèi)布置在所述腔室100的內(nèi)壁上并與所述連接部140連接。所述連接部140可以連接到所述顆粒捕集器150。所述連接部140可以由導(dǎo)熱系數(shù)高的金屬形成。所述冷卻部130可以通過所述連接部140而冷卻所述顆粒捕集器150，從而使所述粉塵冷卻并固化，由此防止所述粉塵的飛散，并捕集所述粉塵。

所述顆粒捕集器150可以包括主體151、貫通所述主體的開口152以及形成于所述主體151的上部而捕集粉塵的捕集部153。所述激光照射器300可以通過所述開口152而向所述有機(jī)膜12照射激光。所述顆粒捕集器150的所述主體151可以連接到所述連接部140而被所述冷卻部130冷卻。據(jù)此，當(dāng)所述有機(jī)膜12被蝕刻時(shí)，飛散的所述粉塵沿著重力方向，即附圖中的第二方向d2降落時(shí)，被所述主體151冷卻及固化，從而能夠被所述捕集部153一次捕集。沒能在所述顆粒捕集器150中捕集的粉塵通過所述開口152而向所述激光端口120方向降落，此時(shí)，所述粉塵可以被所述薄膜模塊200二次捕集。

所述薄膜模塊200包括第一輥210、第二輥220、保護(hù)薄膜230、多個(gè)引導(dǎo)輥gr及張力調(diào)節(jié)輥240。降落到所述薄膜模塊200的粉塵可以在所述保護(hù)薄膜230上累積而被捕集。

所述保護(hù)薄膜230的一側(cè)纏繞在所述第一輥210，所述保護(hù)薄膜230的另一側(cè)纏繞在所述第二輥220。通過使所述第一輥210和所述第二輥220旋轉(zhuǎn)，所述保護(hù)薄膜230可以向所述第一方向d1的反方向移動(dòng)(參照附圖中的箭頭)。隨著所述保護(hù)薄膜230移動(dòng)，被所述粉塵污染的薄膜部分可以纏繞在所述第二輥220，未被污染的新的薄膜可以從所述第一輥210移送。

所述引導(dǎo)輥gr可以布置在所需的位置而進(jìn)行引導(dǎo)以使所述保護(hù)薄膜230位于適當(dāng)?shù)奈恢?。并且，所述張力調(diào)節(jié)輥240可以向所述保護(hù)薄膜230施加壓力，從而使所述保護(hù)薄膜230平整地布置。

所述保護(hù)薄膜230可以沿著第一方向d1平行地布置。所述第一方向d1可以與所述第二方向d2實(shí)質(zhì)上垂直。所述激光照射器300可以相對所述第二方向d2傾斜預(yù)定角度α而照射激光，據(jù)此，可以使從所述有機(jī)膜12下降的粉塵下降到脫離所述激光的路徑的位置的所述保護(hù)薄膜12或所述激光端口120上，其目的在于最小化由所述粉塵導(dǎo)致的激光照射效率的降低。

所述第一輥210、所述第二輥220、所述引導(dǎo)輥gr及所述張力調(diào)節(jié)輥240相當(dāng)于用于移動(dòng)所述保護(hù)薄膜230的薄膜驅(qū)動(dòng)部，在預(yù)定程度以上的粉塵貼附在所述保護(hù)薄膜230上的情況下，借助所述薄膜驅(qū)動(dòng)部而自動(dòng)地使針對所述激光照射器300的所述保護(hù)薄膜230的相對位置移動(dòng)，從而可以使處于干凈的狀態(tài)的保護(hù)薄膜代替被污染的部分的保護(hù)薄膜而對應(yīng)于所述照射器300而布置。據(jù)此，所述激光蝕刻裝置的維持、管理(maintenance)可以是有效率的。因而，可以提高生產(chǎn)性。

圖5是詳細(xì)地示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的激光蝕刻裝置的保護(hù)薄膜部分的剖面圖。

參照圖5，所述激光蝕刻裝置除了保護(hù)薄膜與激光垂直地布置之外，其余可以與圖3至圖4的激光蝕刻裝置實(shí)質(zhì)上相同。因此將省略重復(fù)的說明。

所述薄膜模塊200包括第一輥210、第二輥220、保護(hù)薄膜230、多個(gè)引導(dǎo)輥gr及張力調(diào)節(jié)輥240。

所述引導(dǎo)輥gr可以布置在所需的位置而進(jìn)行引導(dǎo)以使所述保護(hù)薄膜230位于適當(dāng)?shù)奈恢?。此時(shí)，所述激光照射器300可以相對所述第二方向d2傾斜預(yù)定角度α而照射激光，所述引導(dǎo)輥gr可以布置成使所述保護(hù)薄膜230與從激光照射器300發(fā)出的激光垂直。

根據(jù)本實(shí)施例，所述激光傾斜預(yù)定角度α，并且所述保護(hù)薄膜230與所述激光垂直地布置，從而可以最小化由粉塵導(dǎo)致的激光照射效率的降低，并且可以最小化所述激光的在所述保護(hù)薄膜230上的反射率，從而結(jié)論上可以增加激光照射效率。

并且，即使所述激光的照射角度改變，也可以適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)所述引導(dǎo)輥gr的位置而防止激光照射效率的降低。

圖6是詳細(xì)地示出根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的激光蝕刻裝置的保護(hù)薄膜部分的剖面圖。

參照圖6，所述激光蝕刻裝置除了薄膜模塊之外，其余可以與圖3至圖4的激光蝕刻裝置實(shí)質(zhì)上相同。因此將省略重復(fù)的說明。

所述薄膜模塊包括薄膜供應(yīng)部250、薄膜回收部260及保護(hù)薄膜270。

所述保護(hù)薄膜270布置在顆粒捕集器150和激光端口120之間，從而可以將從基底基板10上的有機(jī)膜12下降的粉塵累積在保護(hù)薄膜270上而進(jìn)行捕集。

所述保護(hù)薄膜270可以以薄膜片的形態(tài)被準(zhǔn)備于所述薄膜供應(yīng)部250內(nèi)。所述薄膜回收部260可以將所述薄膜片形態(tài)的所述保護(hù)薄膜270回收。即，當(dāng)所述保護(hù)薄膜上累積所述粉塵而被污染時(shí)，所述薄膜回收部可以回收被污染的薄膜，并且所述薄膜供應(yīng)部可以供應(yīng)新的保護(hù)薄膜。

圖7是詳細(xì)地示出根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的激光蝕刻裝置的保護(hù)薄膜部分的剖面圖。

參照圖7，所述激光蝕刻裝置除了薄膜模塊之外，其余可以與圖3至圖4的激光蝕刻裝置實(shí)質(zhì)上相同。因此將省略重復(fù)的說明。

所述薄膜模塊包括保護(hù)薄膜及薄膜驅(qū)動(dòng)部(未示出)。所述保護(hù)薄膜可以具有層疊有多個(gè)薄膜片282的薄膜層疊結(jié)構(gòu)280。所述薄膜片282可以透明以使激光通過。所述薄膜層疊結(jié)構(gòu)280由多個(gè)薄膜片282層疊而形成，并且在多個(gè)所述薄膜片之間還可以形成有粘接層。所述粘接層可以透明以使激光能夠通過。

所述薄膜驅(qū)動(dòng)部可以根據(jù)需要而將位于所述薄膜層疊結(jié)構(gòu)280的最上部的薄膜片282剝離而分離。當(dāng)位于所述薄膜層疊結(jié)構(gòu)280的最上部的薄膜片282上累積粉塵而被污染時(shí)，如果將被污染的薄膜片282剝離而分離，則處于干凈狀態(tài)的薄膜片位于所述薄膜層疊結(jié)構(gòu)280的最上部，因此可以維持激光照射效率。

圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的激光蝕刻方法的順序圖。

參照圖8，激光蝕刻方法包括：有機(jī)膜形成步驟s100；裝載到腔室的步驟s200；激光蝕刻步驟s300；以及如果完成了預(yù)定次數(shù)以上的激光蝕刻工序，則將保護(hù)薄膜更新(refresh)的步驟s400。

在所述有機(jī)膜形成步驟s100中，可以在基板上形成有機(jī)膜。

所述裝載到腔室的步驟s200中，可以將形成有所述有機(jī)膜的所述基板裝載到激光蝕刻裝置的腔室內(nèi)。所述激光蝕刻裝置可以包括朝地面方向形成有激光端口的腔室、激光照射器、顆粒捕集器及薄膜模塊。所述顆粒捕集器可以包括主體、貫通所述主體的開口以及捕集部。所述薄膜模塊可以包括：保護(hù)薄膜，布置在所述激光端口和所述顆粒捕集器之間，并且由透明的物質(zhì)形成；能夠使所述保護(hù)薄膜移動(dòng)的薄膜驅(qū)動(dòng)部。

在所述激光蝕刻步驟s300中，可以利用所述激光照射器而通過所述激光端口向所述基板的所述有機(jī)膜照射激光而蝕刻所述有機(jī)膜。

在更新所述保護(hù)薄膜的步驟s400中，可以使累積有在所述激光蝕刻步驟s300中從所述有機(jī)膜產(chǎn)生的粉塵的所述保護(hù)薄膜移動(dòng)，從而使新的保護(hù)薄膜位于所述激光照射器及所述顆粒捕集器之間。例如，所述薄膜模塊的所述薄膜驅(qū)動(dòng)部包括第一輥及第二輥，所述保護(hù)薄膜可以纏繞在所述第一輥及所述第二輥，從而使所述保護(hù)薄膜隨著所述第一輥及第二輥的旋轉(zhuǎn)而從所述第一輥移動(dòng)到所述第二輥。

在所述激光蝕刻步驟s300中從所述有機(jī)膜產(chǎn)生的粉塵被所述顆粒捕集器的所述捕集部一次捕集，并且通過所述開口而下降的粉塵可以被所述薄膜模塊二次捕集。

圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的激光蝕刻方法的順序圖。

參照圖9，激光蝕刻方法除了以預(yù)定速度連續(xù)更新(refresh)保護(hù)薄膜的步驟s500之外，其余可以與圖8的激光蝕刻方法實(shí)質(zhì)上相同。因此將省略重復(fù)的說明。

所述激光蝕刻方法包括：有機(jī)膜形成步驟s100；裝載到腔室的步驟s200；激光蝕刻步驟s300；以及以預(yù)定速度連續(xù)更新(refresh)保護(hù)薄膜的步驟s500。所述激光蝕刻方法可以利用激光蝕刻裝置而實(shí)現(xiàn)。所述激光蝕刻裝置可以包括：朝地面方向形成有激光端口的腔室、激光照射器、顆粒捕集器及薄膜模塊。所述顆粒捕集器可以包括主體、貫通所述主體的開口以及捕集部。所述薄膜模塊可以包括：保護(hù)薄膜，布置在所述激光端口和所述顆粒捕集器之間，并且由透明的物質(zhì)形成；能夠使所述保護(hù)薄膜移動(dòng)的薄膜驅(qū)動(dòng)部。

所述更新(refresh)的步驟s500與所述激光蝕刻步驟s300一同進(jìn)行，且所述保護(hù)薄膜可以以預(yù)定的速度持續(xù)移動(dòng)。因此，即使從所述有機(jī)膜產(chǎn)生的粉塵累積在所述保護(hù)薄膜上，所述保護(hù)薄膜也以預(yù)定的速度持續(xù)移動(dòng)，因此所述粉塵不會(huì)累積在從所述激光照射器產(chǎn)生的激光的路徑，因此可以最小化因所述粉塵導(dǎo)致的激光照射效率的降低。

根據(jù)基于本發(fā)明的實(shí)施例的激光蝕刻裝置及激光蝕刻方法，在預(yù)定程度以上的粉塵貼附在保護(hù)薄膜上的情況下，針對激光照射器的所述保護(hù)薄膜的相對位置借助薄膜驅(qū)動(dòng)部而自動(dòng)地移動(dòng)，從而處于干凈狀態(tài)的保護(hù)薄膜代替被污染的部分的保護(hù)薄膜而布置在對應(yīng)于所述激光照射器的位置。因此，所述激光蝕刻裝置的維持及管理可以是有效率的。因而，可以提高生產(chǎn)性。

以上，參照實(shí)施例進(jìn)行了說明，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，本技術(shù)領(lǐng)域的熟練的從業(yè)人員在不脫離權(quán)利要求中記載的本發(fā)明的思想及領(lǐng)域的范圍內(nèi)，可以對本發(fā)明進(jìn)行多樣的修改及變更。