本發(fā)明涉及化學分析儀器領(lǐng)域，具體而言，特別涉及一種電暈放電離子源組件及其離子注入方法。

背景技術(shù)：

高場非對稱波形離子遷移率譜(High Field Asymmetric Ion Mobility Spectrometry,FAIMS)是一種工作在大氣壓環(huán)境下，利用氣相離子在高電場中的非線性運動來進行痕量(極小的量)物質(zhì)探測的技術(shù)。其廣泛的應(yīng)用于爆炸物、毒品、生化物的檢測以及離子預分離領(lǐng)域。

電暈放電是一種相對穩(wěn)定的放電形式。當在電極兩端加上較高但未達擊穿的電壓時，如果電極表面的電場(局部電場)很強，則電極附近的氣體介質(zhì)會被局部擊穿而產(chǎn)生電暈放電現(xiàn)象。當電極的曲率半徑較小時，其附近的場強特別高，超過了氣體的電離場強和碰撞游離閾值，就會使氣體發(fā)生電離和激勵，電極附近的氣體介質(zhì)只是發(fā)生部分電離，從而形成正負離子及電子。由于FAIMS尺寸小，離子源與FAIMS的結(jié)合需要減小體積，而縮減體積會導致放電空間減小，電荷聚集，易出現(xiàn)放電不穩(wěn)定、放電電流增大以及離子注入效率低等問題，導致檢測結(jié)果重復性差；此外現(xiàn)有電暈放電離子源體積較大,無法與小型化和微型化的FAIMS進行集成等問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題之一。

有鑒于此，本發(fā)明一方面提供了一種電暈放電離子源組件，增加了有效離子，提高了離子注入率，使放電更加穩(wěn)定。進一步的，本發(fā)明提供了一種應(yīng)用電暈放電離子源組件的離子注入方法，增加了有效離子，提高了離子注入率，使放電更加穩(wěn)定。

根據(jù)本發(fā)明提供的電暈放電離子源組件，包括：絕緣套筒，所述絕緣套筒內(nèi)構(gòu)造有離子發(fā)生腔，所述絕緣套筒的底端形成有與所述離子發(fā)生腔連通的開口，所述絕緣套筒上設(shè)有與所述離子發(fā)生腔連通的空氣供給通道；離子反應(yīng)倉，所述離子反應(yīng)倉由絕緣件構(gòu)造成，并在所述離子反應(yīng)倉內(nèi)構(gòu)造出離子反應(yīng)腔，所述開口與所述離子反應(yīng)腔連通；電暈放電網(wǎng)，所述電暈放電網(wǎng)設(shè)在所述開口處；電暈放電針組件，所述電暈放電針組件由所述絕緣套筒的上端可調(diào)節(jié)地伸入到所述離子發(fā)生腔內(nèi)，所述電暈放電針組件與所述電暈放電網(wǎng)間隔開；離子注入電極，所述離子注入電極設(shè)在所述離子反應(yīng)倉上并與所述電暈放電網(wǎng)間隔開；電暈放電高壓電源，所述電暈放電高壓電源與所述電暈放電網(wǎng)和所述電暈放電針組件連接；和控制器，所述控制器與所述電暈放電高壓電源及所述離子注入電極連接。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的電暈放電離子源組件，該電暈放電離子源組件體積小，氣密性好，通過控制器優(yōu)化工作參數(shù)，大大增加了有效離子，使放電更加穩(wěn)定，提高了離子注入率。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，進一步包括空氣注入泵，所述空氣注入泵與所述空氣供給通道連通，所述空氣注入泵與所述控制器連接。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，進一步包括過濾器，所述過濾器設(shè)在所述空氣供給通道內(nèi)，所述過濾器包括依次排布的活性炭層、硅橡膠顆粒層和分子篩層。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，進一步包括耦合底座，所述耦合底座套接在所述絕緣套筒上，所述耦合底座與所述離子反應(yīng)倉相連接。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述電暈放電針組件包括與所述絕緣套筒螺紋連接的調(diào)整螺柱和與所述調(diào)整螺柱的下端固定連接的電暈放電針。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述控制器包括：微處理模塊以及與所述微處理模塊分別連接的控制功能模塊、終端用戶交互模塊以及波形發(fā)生模塊，所述波形發(fā)生模塊至少可包括矩形波模塊、三角波模塊和正弦波模塊中的一種。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述微處理模塊包括微處理器、與所述微處理器連接的控制模塊、與所述微處理器連接的WIFI模塊和與所述微處理器連接的脈沖升壓模塊；所述終端用戶交互模塊與所述微處理器連接且包括：按鍵模塊和顯示模塊；所述控制功能模塊與所述控制模塊連接且包括：電暈放電高壓電源控制模塊和氣流注入控制模塊；所述波形發(fā)生模塊與所述脈沖升壓模塊連接。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的一種應(yīng)用電暈放電離子源組件的離子注入方法，包括以下步驟：

S1：初始化電暈放電離子源組件，設(shè)定電暈放電電壓、電流、注入氣流流量工作參數(shù)；

S2：根據(jù)設(shè)定的電暈放電工作參數(shù)判斷是否建立穩(wěn)定的電暈放電，如果建立起穩(wěn)定的電暈放電，實時檢測電暈放電的工作參數(shù)；

S3：檢測的電暈放電工作參數(shù)通過模糊矩陣和BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進行電暈放電穩(wěn)定性評估；

S4：根據(jù)評估結(jié)果判斷是否需要優(yōu)化電暈放電工作參數(shù)，如果不需要優(yōu)化，輸出當前工作狀態(tài)；

S5：根據(jù)當前工作狀態(tài)判斷檢測是否結(jié)束。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的應(yīng)用電暈放電離子源組件的離子注入方法，該電暈放電離子源組件體積小，氣密性好，通過控制器優(yōu)化工作參數(shù)，大大增加了有效離子，使放電更加穩(wěn)定，提高離子注入率。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的應(yīng)用電暈放電離子源組件的離子注入方法，所述電暈放電工作參數(shù)Xn用隸屬函數(shù)μ(Xn)來表示，所述隸屬函數(shù)μ(Xn)選用梯形進行表示，

U＝{μ_H(Xn)，μ_N(Xn)，μ_L(Xn)}

其中，μ_H(Xn)為高狀態(tài)模糊子集，μ_N(Xn)為正常狀態(tài)模糊子集，μ_L(Xn)為低狀態(tài)模糊子集，分別表示各參數(shù)下電暈放電離子源的工作狀態(tài)。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的應(yīng)用電暈放電離子源組件的離子注入方法，所述隸屬函數(shù)μ(Xn)作為所述BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸入層的各神經(jīng)元的輸入數(shù)據(jù)，且中間層的各神經(jīng)元為單隱層或多隱層結(jié)構(gòu)，所述中間層的最后一個隱層傳遞到輸出層各神經(jīng)元的信息以進行一次學習的正向傳播處理過程，且所述輸出層輸出信息處理結(jié)果為Ym。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的電暈放電離子源組件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的電暈放電離子源組件的控制器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的應(yīng)用電暈放電離子源組件的離子注入方法的示意圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的應(yīng)用電暈放電離子源組件的離子注入方法的基于模糊神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)融合的電暈放電工作參數(shù)優(yōu)化方法。

附圖標記：1-絕緣套筒，2-離子發(fā)生腔，3-開口，4-空氣供給通道，5-離子反應(yīng)倉，6-離子反應(yīng)腔，7-電暈放電網(wǎng)，8-電暈放電針組件，9-離子注入電極，10-電暈放電高壓電源，11-控制器，12-空氣注入泵，13-過濾器，81-調(diào)整螺柱，82-電暈放電針，14-耦合底座。111-微處理模塊，112-控制功能模塊，113-終端用戶交互模塊，114-波形發(fā)生模塊，1141-矩形波模塊，1142-三角波模塊，1143-正弦波模塊，1111-微處理器，1112-控制模塊，1113-WIFI模塊，1114-脈沖升壓模塊，1131-按鍵模塊，1132-顯示模塊，1121-電暈放電高壓電源控制模塊，1122-氣流注入控制模塊。

具體實施方式

下面詳細描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。

圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的電暈放電離子源組件的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，電暈放電離子源組件包括：絕緣套筒1、離子反應(yīng)倉5、電暈放電網(wǎng)7、電暈放電針組件8、離子注入電極9、電暈放電高壓電源10和控制器11。

具體而言，絕緣套筒用于絕緣，絕緣套筒1內(nèi)構(gòu)造有離子發(fā)生腔2，絕緣套筒1的底端形成有與離子發(fā)生腔2連通的開口3，開口3的形狀可以為圓形、矩形等，可以理解的是，開口3的形狀不限于圓形、矩形等。

絕緣套筒1上設(shè)有與離子發(fā)生腔2連通的空氣供給通道4；離子反應(yīng)倉5由絕緣件構(gòu)造成，絕緣件的形狀可以為圓柱形、矩形等，可以理解的是，絕緣件的形狀不限于圓柱形、矩形。并在離子反應(yīng)倉5內(nèi)構(gòu)造出離子反應(yīng)腔6，開口3與離子反應(yīng)腔6連通；電暈放電網(wǎng)7設(shè)在開口3處；離子反應(yīng)倉5通過電暈放電網(wǎng)7與離子反應(yīng)腔6連通。

電暈放電針組件8由絕緣套筒1的上端可調(diào)節(jié)地伸入到離子發(fā)生腔2內(nèi)，在其中一個實施例中，電暈放電針組件8包括與絕緣套筒1螺紋連接的調(diào)整螺柱81和與調(diào)整螺柱81的下端固定連接的電暈放電針82，調(diào)整螺柱81通過螺紋與絕緣套筒1連接在一起。電暈放電針組件8與電暈放電網(wǎng)7間隔開；電暈放電高壓電源10與電暈放電網(wǎng)7和電暈放電針組件8連接；也就是說，電暈放電高壓電源10的正負極分別與電暈放電針組件8和電暈放電網(wǎng)7相連接，形成針-網(wǎng)式電暈放電結(jié)構(gòu)。

離子注入電極9設(shè)在離子反應(yīng)倉5上并與電暈放電網(wǎng)7間隔開；在離子注入電極7和電暈放電網(wǎng)7之間形成電場梯度，以利于離子注入?？刂破?1與電暈放電高壓電源10及離子注入電極9連接，通過控制器11控制電暈放電高壓電源10的輸出電壓與電流，從而控制系統(tǒng)電暈放電過程。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的電暈放電離子源組件，該電暈放電離子源組件體積小，氣密性好，通過控制器優(yōu)化工作參數(shù)，大大增加了有效離子，使放電更加穩(wěn)定，提高離子注入率。

如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例的電暈放電離子源組件進一步包括空氣注入泵12，空氣注入泵12與空氣供給通道4連通，空氣注入泵12與控制器11連接。通過控制器11控制空氣注入泵12注入空氣。

如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例的電暈放電離子源組件進一步包括過濾器13，過濾器13設(shè)在空氣供給通道4內(nèi)，過濾器13包括依次排布的活性炭層、硅橡膠顆粒層和分子篩層。空氣通過過濾器13過濾后成為潔凈的空氣，進入離子發(fā)生腔2，其氣流有助于反應(yīng)離子注入到離子反應(yīng)腔6，提高離子注入效果。

如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例的電暈放電離子源組件進一步包括耦合底座14，耦合底座14套接在絕緣套筒1上，耦合底座14與離子反應(yīng)倉5相連接。

如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例，控制器11用于優(yōu)化電暈放電離子源工作參數(shù)的優(yōu)化與調(diào)整?？刂破?1包括：微處理模塊111以及與微處理模塊111分別連接的控制功能模塊112、終端用戶交互模塊113以及波形發(fā)生模塊114，波形發(fā)生模塊114至少可包括矩形波模塊1141、三角波模塊1142和正弦波模塊1143中的一種。

如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例，微處理模塊111包括微處理器1111、與微處理器1111連接的控制模塊1112、與微處理器1111連接的WIFI模塊1113和與微處理器1111連接的脈沖升壓模塊1114；也就是說，WIFI模塊進行無線傳輸，脈沖升壓模塊1114能夠通過DC-DC模塊將系統(tǒng)電壓提高到400V以上，有利于產(chǎn)生離子源。

終端用戶交互模塊113與微處理器1111連接且包括：按鍵模塊1131和顯示模塊1132；微處理器1111根據(jù)按鍵模塊1131與顯示模塊1132進行調(diào)節(jié)輸出波形。

控制功能模塊112與控制模塊1112連接且包括：電暈放電高壓電源控制模塊1121和氣流注入控制模塊1122；波形發(fā)生模塊114與脈沖升壓模塊1114連接。也就是說，電暈放電高壓電源控制模塊1121用于控制放電的電壓與電流，氣流注入控制模塊用于控制氣泵的啟停與流量從而控制。

通過調(diào)整以下三種方法均能夠有效改善電暈放電效果：

1、電暈放電高壓電源10的電壓和電流

通過控制控制電暈放電高壓電源10的電壓與電流改善離子注入。各放電距離下隨著電壓的增大放電電流近似呈指數(shù)關(guān)系增長，并且放電距離越近其變化速率越快，其變化幅度越劇烈，放電穩(wěn)定性降低，因此需要優(yōu)化工作參數(shù)，使其工作既穩(wěn)定，離子產(chǎn)量又高。

2、控制空氣注入泵12的氣流注入流量

在放電區(qū)域通入氣流可以加快離子運動，建立新的濃度平衡，進而提高離子注入效率。氣流增大后，離子注入效率最高可提升約10倍，但此時系統(tǒng)分辨率下降，需要優(yōu)化注入氣流的大小平衡分辨率與離子注入效率。

3、離子反應(yīng)腔6的電場

在離子注入電極9施加周期性電壓，在每個周期內(nèi)離化區(qū)存在有電場和無電場兩個時間段，有電場時增加離子注入，無電場時將附著離子釋放，將提高離子源的注入效果。但周期電場的幅度與頻率影響離子注入的平穩(wěn)性，因此需要優(yōu)化電場參數(shù)。

上述三種方法均能有效改善電暈放電效果，使得有效離子數(shù)量增加，但均存在局限性，并且電暈放電是一個動態(tài)的過程，需要實時檢測與優(yōu)化工作參數(shù)，因此利用模糊控制方法與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)共同優(yōu)化控制參數(shù)，從而使得電暈放電離子源處于較優(yōu)的狀態(tài)。

通過對電暈放電離子源的工作參數(shù)，如放電電壓、放電電流、離子反應(yīng)區(qū)氣流、離子注入電極的電壓、波形、頻率等，進行實時檢測，建立模糊矩陣，通過人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進行最優(yōu)方式組合工作參數(shù)的選擇與設(shè)定。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的應(yīng)用電暈放電離子源組件的離子注入方法，如圖3所示，應(yīng)用電暈放電離子源組件的離子注入方法，包括以下步驟：

S1：初始化電暈放電離子源組件，設(shè)定電暈放電電壓、電流、注入氣流流量工作參數(shù)；

S2：根據(jù)設(shè)定的電暈放電工作參數(shù)判斷是否建立穩(wěn)定的電暈放電，如果建立起穩(wěn)定的電暈放電，實時檢測電暈放電的工作參數(shù)；

S3：檢測的電暈放電工作參數(shù)通過模糊矩陣和BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進行電暈放電穩(wěn)定性評估；

S4：根據(jù)評估結(jié)果判斷是否需要優(yōu)化電暈放電工作參數(shù)，如果不需要優(yōu)化，輸出當前工作狀態(tài)；

S5：根據(jù)當前工作狀態(tài)判斷檢測是否結(jié)束。

具體而言，首先系統(tǒng)上電之后先進行硬件的初始化的初始化工作，一切就緒之后設(shè)定根據(jù)系統(tǒng)默認參數(shù)設(shè)定離子源工作參數(shù)，然后進行電暈放電狀態(tài)監(jiān)測，觀測是否建立起穩(wěn)定的電暈放電，如果未建立起穩(wěn)定的電暈放電，重新進行系統(tǒng)初始化；

如果建立起了穩(wěn)定的電暈放電后，開始對特征工作參數(shù)進行實時測量，然后建立工作參數(shù)與電暈放電穩(wěn)定性數(shù)據(jù)矩陣，進而將采集到的全部數(shù)據(jù)與前述計算結(jié)果輸入到模糊神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進行電暈放電穩(wěn)定評估，根據(jù)評估結(jié)果判斷是否需要進行工作參數(shù)優(yōu)化，如果不能進行優(yōu)化，重新進行系統(tǒng)初始化；如果能夠進行優(yōu)化，輸出當前工作狀態(tài)，指示良好，進而根據(jù)當前工作狀態(tài)判斷檢測時候結(jié)束，如果未結(jié)束，重新設(shè)定根據(jù)系統(tǒng)默認參數(shù)設(shè)定離子源工作參數(shù)；如果已結(jié)束，即結(jié)束。

如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例的應(yīng)用電暈放電離子源組件的離子注入方法，電暈放電工作參數(shù)Xn用隸屬函數(shù)μ(Xn)來表示，隸屬函數(shù)μ(Xn)選用梯形進行表示，

U＝{μ_H(Xn)，μ_N(Xn)，μ_L(Xn)}

其中，μ_H(Xn)為高狀態(tài)模糊子集，μ_N(Xn)為正常狀態(tài)模糊子集，μ_L(Xn)為低狀態(tài)模糊子集，分別表示各參數(shù)下電暈放電離子源的工作狀態(tài)。

如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例的應(yīng)用電暈放電離子源組件的離子注入方法，隸屬函數(shù)μ(Xn)作為BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸入層的各神經(jīng)元的輸入數(shù)據(jù)，且中間層的各神經(jīng)元為單隱層或多隱層結(jié)構(gòu)，中間層的最后一個隱層傳遞到輸出層各神經(jīng)元的信息以進行一次學習的正向傳播處理過程，且輸出層輸出信息處理結(jié)果為Ym。

通過人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進行最優(yōu)注入方式組合的選擇具體包括：

將離子注入方法中的相關(guān)工作參數(shù)Xn作為人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的模糊化的輸入向量；其中離化狀態(tài)參數(shù)Xn至少包括：放電電壓、放電電流、離子反應(yīng)區(qū)氣流、離子注入電極的電壓、波形、頻率；將離化狀態(tài)參數(shù)Xn利用隸屬函數(shù)μ(Xn)來表示，且隸屬函數(shù)μ(Xn)選用梯形進行表示，分為高、正常、低三個模糊子集，表示此參數(shù)下電暈放電離子源的工作狀態(tài)；狀態(tài)“高”表示此事離子源離子產(chǎn)量高，但工作穩(wěn)定性差；狀態(tài)“低”表示此事離子源離子產(chǎn)量低，但工作穩(wěn)定性好；狀態(tài)“正常”表示此事離子源離子產(chǎn)量與工作穩(wěn)定性均較好；

將每個工作狀態(tài)參數(shù)Xn轉(zhuǎn)化為3個模糊子集的隸屬度；

其中人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)為BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，且BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸入層的各神經(jīng)元的輸入數(shù)據(jù)為模糊化的隸屬函數(shù)μ(Xn)，且中間層的各神經(jīng)元的為單隱層或者多隱層結(jié)構(gòu)，其中間層的最后一個隱層傳遞到輸出層各神經(jīng)元的信息以進行一次學習的正向傳播處理過程，且輸出層輸出信息處理結(jié)果Ym。用輸出信息處理結(jié)果Ym優(yōu)化與調(diào)整離子源各工作參數(shù)。

具體而言，不以單一放電電流的絕對值或者放電電壓做參考進行檢測，這主要是其放電過程受影響因素較多，如放電針的腐蝕情況、待測樣品水汽含量等，較難用單個工作參數(shù)值對其狀態(tài)進行監(jiān)測。因此使用多個參數(shù)進行綜合評估后進行工作參數(shù)調(diào)整。電暈放電是一個動態(tài)受多因數(shù)影響，并且其狀態(tài)邊界不清晰，因此引入模糊隸屬度來描述電暈放電的工作狀態(tài)。對于電暈放電工作參數(shù)Xn(如放電電壓、放電電流、離子反應(yīng)區(qū)氣流、離子注入電極的電壓、波形、頻率等)為其模糊化的輸入向量，其隸屬函數(shù)μ(Xn)選用梯形進行表示，用三類值過高、正常、過低進行描述離子源狀態(tài)參數(shù)。

模糊化的數(shù)據(jù)作為輸入層，輸入到神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進行模糊推理，從而達到信息融合，輸出優(yōu)化結(jié)果Yn。模糊神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實測的參數(shù)Xn從左輸入，進入到模糊化層，每個輸入?yún)?shù)轉(zhuǎn)化為3個模糊子集的隸屬度，模糊化輸入層的輸出基點數(shù)為輸入數(shù)目的3倍。將模糊化的隸屬度結(jié)果作為輸入層，輸入到神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進行模糊推理，從而達到信息融合的電暈放電工作參數(shù)優(yōu)化。其所使用的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法為BP(Back Propagation)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，即誤差反傳誤差反向傳播算法的學習過程由信息的正向傳播和誤差的反向傳播兩個過程組成。輸入層各神經(jīng)元負責接收來自前一級模糊隸屬度函數(shù)的輸出信息，并傳遞給中間層各神經(jīng)元；中間層是內(nèi)部信息處理層，負責信息變換，根據(jù)信息變化能力的需求，中間層可以設(shè)計為單隱層或者多隱層結(jié)構(gòu)；最后一個隱層傳遞到輸出層各神經(jīng)元的信息，經(jīng)進一步處理后，完成一次學習的正向傳播處理過程，由輸出層向外界輸出信息處理結(jié)果Ym。根據(jù)處理結(jié)果Ym輸出優(yōu)化信息，采取不同的干預措施與手段。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不必須針對的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例進行接合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。