技術(shù)總結(jié)
一種GaN基多孔DBR的制備方法，包括如下步驟：步驟1：在一襯底上依次生長緩沖層、n型GaN導(dǎo)電層、交替堆疊的n型高摻雜層和非摻雜層，該交替堆疊的n型高摻雜層和非摻雜層構(gòu)成多周期的氮化物外延結(jié)構(gòu)；步驟2：在氮化物外延結(jié)構(gòu)的上表面沉積絕緣介質(zhì)層；步驟3：通過光刻、腐蝕在絕緣介質(zhì)層的上表面的一側(cè)形成電極窗口，同時在電極窗口以外區(qū)域形成凹槽；步驟4：采用干法刻蝕技術(shù)向下刻蝕電極窗口形成電極臺面，同時向下刻蝕凹槽以暴露氮化物外延結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成腐蝕凹槽；步驟5：對暴露側(cè)壁的氮化物外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行電化學(xué)腐蝕，形成周期性的多孔DBR；步驟6：利用濕法腐蝕去除絕緣介質(zhì)層，完成制備。

技術(shù)研發(fā)人員：楊超;劉磊;朱石超;趙麗霞
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
文檔號碼：201710222145
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.06
技術(shù)公布日：2017.06.13