本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的靜電保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種靜電保護(hù)電路結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示器已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)外非常熱門(mén)的新興平板顯示器產(chǎn)品，OLED顯示器具有自發(fā)光、廣視角、反應(yīng)時(shí)間短、色彩飽和度高和還原能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。

但是，在上述半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中，靜電的產(chǎn)生對(duì)這些器件的正常工作和壽命造成了極大的影響，從而靜電保護(hù)的有關(guān)研究也日益受到人們的普遍重視。在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域中，例如集成電路、TFT顯示器和OLED顯示器等存在靜電損傷是很常見(jiàn)的不良現(xiàn)象，目前依然沒(méi)有完全避免靜電損傷的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種靜電保護(hù)電路結(jié)構(gòu)，通過(guò)電容結(jié)構(gòu)在發(fā)生靜電放電時(shí)將靜電電荷儲(chǔ)存于電容中，解決了對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行靜電保護(hù)的技術(shù)問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種靜電保護(hù)電路結(jié)構(gòu)，與第一工作電路、第二工作電路和直流信號(hào)源連接，所述第一工作電路與所述第二工作電路通過(guò)信號(hào)線連接，所述靜電保護(hù)電路結(jié)構(gòu)為電容結(jié)構(gòu)，所述電容結(jié)構(gòu)為單個(gè)電容或至少兩個(gè)并聯(lián)電容，所述電容結(jié)構(gòu)的一端與所述信號(hào)線連接，另一端與所述直流信號(hào)源連接。

其中，所述電容結(jié)構(gòu)可采用以下兩種結(jié)構(gòu)：

第一種結(jié)構(gòu)：所述電容結(jié)構(gòu)包括多層絕緣薄膜層及第一、第二、第三金屬薄膜層，所述第一、第二、第三金屬薄膜層間隔平行設(shè)置，相鄰的兩層金屬薄膜層由至少一層絕緣薄膜層隔開(kāi)；

所述第一、第三金屬薄膜層的第一端通過(guò)兩者之間的所述絕緣薄膜層上設(shè)置的第一通孔連接形成電容的第一電極；設(shè)置于所述第一金屬薄膜層和所述第三金屬薄膜層之間的所述第二金屬薄膜層作為電容的第二電極。

第二種結(jié)構(gòu)：所述電容結(jié)構(gòu)中的電容包括多層絕緣薄膜層及第四、第五、第六、第七和第八金屬薄膜層，所述第四、第五、第六、第七和第八金屬薄膜層間隔平行設(shè)置，相鄰的兩層金屬薄膜層由至少一層絕緣薄膜層隔開(kāi)；

所述第四、第六和第八金屬薄膜層的第一端通過(guò)相鄰兩者之間的所述絕緣薄膜層上設(shè)置的第二通孔和第三通孔連接，形成電容的第一電極；

所述第五和第七金屬薄膜層的第二端通過(guò)兩者之間的所述絕緣薄膜層上設(shè)置的第四通孔連接，形成電容的第二電極。

在本發(fā)明的靜電保護(hù)電路結(jié)構(gòu)中，連接第一工作電路與第二工作電路的所述信號(hào)線與所述電容結(jié)構(gòu)的一端連接，所述電容結(jié)構(gòu)的另一端連接所述直流信號(hào)源，當(dāng)所述信號(hào)線、所述第一工作電路、所述第二工作電路三者中至少一者受到靜電放電時(shí)，靜電電荷會(huì)被存儲(chǔ)到所述電容結(jié)構(gòu)，從而有效避免信號(hào)線由于靜電擊傷產(chǎn)生斷線，對(duì)所述信號(hào)線、第一工作電路和第二工作電路都能有效進(jìn)行靜電保護(hù)。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明靜電保護(hù)電路結(jié)構(gòu)的原理圖；

圖2是本發(fā)明中的電容結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖2中沿AA’線切割的截面圖；

圖4是本發(fā)明中的電容結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是圖4中沿AA’線切割的截面圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

實(shí)施例1：

參見(jiàn)圖1、2、3，本實(shí)施例提供一種靜電保護(hù)電路結(jié)構(gòu)，與第一工作電路1、第二工作電路2和直流信號(hào)源4連接，所述第一工作電路1與所述第二工作電路2通過(guò)信號(hào)線3連接，所述靜電保護(hù)電路結(jié)構(gòu)為電容結(jié)構(gòu)5，所述電容結(jié)構(gòu)為單個(gè)電容或至少兩個(gè)并聯(lián)電容，所述電容結(jié)構(gòu)5的一端與所述信號(hào)線3連接，另一端與所述直流信號(hào)源4連接。

在本實(shí)施例中，所述電容結(jié)構(gòu)5中的電容51包括多層絕緣薄膜層515及第一金屬薄膜層512、第二金屬薄膜層513和第三金屬薄膜層514，所述第一金屬薄膜層512、第二金屬薄膜層513和第三金屬薄膜層514間隔平行設(shè)置，相鄰的兩層金屬薄膜層由至少一層絕緣薄膜層隔開(kāi)；所述第一金屬薄膜層512和第三金屬薄膜層514的第一端通過(guò)兩者之間的所述絕緣薄膜層515上設(shè)置的第一通孔511連接形成電容的第一電極，設(shè)置于所述第一金屬薄膜層512和所述第三金屬薄膜層514之間的所述第二金屬薄膜層513作為電容的第二電極。

實(shí)施例2：

參見(jiàn)圖1、4、5，本實(shí)施例提供一種靜電保護(hù)電路結(jié)構(gòu)，與第一工作電路1、第二工作電路2和直流信號(hào)源4連接，所述第一工作電路1與所述第二工作電路2通過(guò)信號(hào)線3連接，所述靜電保護(hù)電路結(jié)構(gòu)為電容結(jié)構(gòu)5，所述電容結(jié)構(gòu)5為單個(gè)電容或至少兩個(gè)并聯(lián)電容，所述電容結(jié)構(gòu)5的一端與所述信號(hào)線連接3，另一端與所述直流信號(hào)源4連接。

在本實(shí)施例中，所述電容結(jié)構(gòu)5中的電容52包括多層絕緣薄膜層529以及第四金屬薄膜層524、第五金屬薄膜層525、第六金屬薄膜層526、第七金屬薄膜層527和第八金屬薄膜層528，所述第四金屬薄膜層524、第五金屬薄膜層525、第六金屬薄膜層526、第七金屬薄膜層527和第八金屬薄膜層528間隔平行設(shè)置，相鄰的兩層金屬薄膜層由至少一層絕緣薄膜層隔開(kāi)；所述第四金屬薄膜層524、第六金屬薄膜層526和第八金屬薄膜層528的第一端通過(guò)相鄰兩者之間的所述絕緣薄膜層上設(shè)置的第二通孔521和第三通孔522連接，形成電容52的第一電極；所述第五金屬薄膜層525和第七金屬薄膜層527的第二端通過(guò)兩者之間的所述絕緣薄膜層529上設(shè)置的第四通孔523連接，形成電容52的第二電極。

在上述實(shí)施例中，本發(fā)明在所述連接線3上連接所述電容結(jié)構(gòu)5的一端，所述電容結(jié)構(gòu)5的另一端連接所述直流信號(hào)源4，當(dāng)所述第一工作電路1、所述第二工作電路2、所述信號(hào)線3三者中至少一者受到靜電放電時(shí)，靜電電荷會(huì)被存儲(chǔ)到所述電容結(jié)構(gòu)5，從而有效進(jìn)行靜電保護(hù)。并且所述電容結(jié)構(gòu)5可以通過(guò)增加并聯(lián)的電容數(shù)量和增加電容中金屬薄膜層的層數(shù)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)更多的靜電電荷，使得抗靜電能力更強(qiáng)，靜電保護(hù)效果更佳。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明的原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。