技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種正極性高亮度AlGaInP發(fā)光二極管及其制造方法，屬于LED生產(chǎn)應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，在永久基板一側(cè)依次設(shè)置金屬鍵合層、n?GaAs歐姆接觸層、n?AlGaInP限制層、MQW有源層、p?AlGaInP限制層和p?GaP電流擴展層，在p?GaP電流擴展層上分別設(shè)置P電極和透明導(dǎo)電層，p?GaP電流擴展層朝向透明導(dǎo)電層的表面均布半球形粗化層。本發(fā)明發(fā)光層與P電極形成良好的導(dǎo)電層，形成一種漸變式折射率材料的組合層，可以進一步地增加元件出光效率，提高LED的光效。

技術(shù)研發(fā)人員：肖和平;王宇;李威;王瑞瑞;宗遠
受保護的技術(shù)使用者：揚州乾照光電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.14
技術(shù)公布日：2017.09.22