技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
提供SiC晶片的加工方法，能夠減少磨削磨具的磨損量。一種SiC晶片的加工方法，包含如下工序：剝離面形成工序，對(duì)晶片照射對(duì)于SiC具有透過(guò)性的波長(zhǎng)的激光光線從而在與器件區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域形成剝離面；器件形成工序，在第1面的器件區(qū)域形成由交叉的多條分割預(yù)定線劃分的多個(gè)器件；以及環(huán)狀槽形成工序，在對(duì)應(yīng)于器件區(qū)域與外周剩余區(qū)域之間的邊界部的部分從第2面?zhèn)刃纬森h(huán)狀槽；以及薄化工序，以剝離面為界面將位于環(huán)狀槽的內(nèi)側(cè)的部分從晶片剝離，從而使器件區(qū)域薄化，并且形成環(huán)狀加強(qiáng)部。

技術(shù)研發(fā)人員：鈴木克彥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社迪思科
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.17
技術(shù)公布日：2017.10.31