本揭示內(nèi)容是關(guān)于一種集成電路制造方法，特別是關(guān)于一種制造集成電路的導(dǎo)電互連層的集成電路制造方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體集成電路(semiconductorintegratedcircuit；ic)工業(yè)已經(jīng)歷迅速發(fā)展。在ic發(fā)展過(guò)程中，功能密度(亦即單位晶片面積中的互連裝置數(shù)目)已大體增大，而幾何尺寸(亦即可通過(guò)使用制程產(chǎn)生的最小組件或線路)已縮小。在過(guò)去數(shù)十年，單位晶片面積中的晶體管數(shù)目每?jī)赡瓯阍龃蠹s一倍。同時(shí)，集成電路組件之間的金屬互連間距(被稱作金屬間距)亦已縮小約30％，以便匹配尺寸更小的晶體管。盡管多個(gè)圖案化微影術(shù)理論上能夠?qū)崿F(xiàn)此更小金屬間距，但成本增大及連續(xù)曝露之間的重疊問(wèn)題可能是批量生產(chǎn)的阻礙。

遠(yuǎn)紫外線(extremeultraviolet；euv)微影術(shù)或其他高級(jí)微影技術(shù)可用以實(shí)現(xiàn)更小的金屬間距。相較于常用在光微影的其他光源，遠(yuǎn)紫外線使用更短波長(zhǎng)，此波長(zhǎng)可提供更高解析度及更佳臨界尺寸均勻性(criticaldimensionuniformity；cdu)。遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)可例如用于圖案化極小半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)，如14nm及14nm以下。遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)極類似于光微影術(shù)，因?yàn)槠湫枰谡忠杂≈凭A，但其使用遠(yuǎn)紫外線區(qū)域中的光，例如在約13.5nm處。13.5nm波長(zhǎng)的大多數(shù)材料具有高度吸收性。因此，反射光學(xué)裝置而非折射光學(xué)裝置常用于遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)。遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)可通過(guò)將光遮罩的使用從多次圖案化降低到單次或兩次圖案化而具有經(jīng)濟(jì)效益。

遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)可例如用以圖案化一維(1d)及二維(2d)金屬連接。一維金屬連接制程提供兩個(gè)金屬層以用于x-y布線。換言之，一個(gè)層包含在第一方向延伸的平行金屬線(例如垂直線)，及另一個(gè)層包含在第二垂直方向延伸的平行金屬線(例如水平線)。隨后，通過(guò)在垂直金屬線的某些交叉處增加層間連接件(例如金屬化通孔)來(lái)提供所需金屬互連。就每一金屬層在僅單個(gè)方向(例如水平或垂直方向)經(jīng)圖案化的意義而言，所得金屬連接是一維的。對(duì)于某些應(yīng)用而言，一維金屬連接可為有利的，因?yàn)橹瞥汤昧撕?jiǎn)單圖案且提供小單元面積。然而，對(duì)兩個(gè)金屬層的需求在一些應(yīng)用中可能不合需求。

二維金屬連接制程在單金屬層上提供x-y布線。換言之，通過(guò)使用遠(yuǎn)紫外線或其他高級(jí)微影術(shù)光微影技術(shù)而將二維金屬形狀經(jīng)圖案化在單個(gè)半導(dǎo)體層上，以提供所需金屬連接，例如通過(guò)使用兩次或三次圖案化制程。使用二維金屬形狀可賦能層間連接(例如金屬化通孔)比一維連接制程更易于置于任何所需位置。然而，盡管此二維遠(yuǎn)紫外線金屬連接制程有利地在單個(gè)半導(dǎo)體層上提供金屬互連裝置，但需要單獨(dú)圖案化每一二維金屬形狀。因而，可達(dá)到的連接件密度可能存在限制，且存在其他潛在不利，如較大單元面積及必需的大量遮罩空間。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本揭示內(nèi)容的一實(shí)施方式是關(guān)于一種集成電路制造方法，用于制造集成電路的導(dǎo)電互連層。上述方法包含以下步驟：在集成電路的導(dǎo)電互連層上通過(guò)使用遠(yuǎn)紫外線(extremeultraviolet；euv)微影術(shù)而圖案化導(dǎo)電連接件部分。上述導(dǎo)電連接件部分經(jīng)圖案化以延伸橫跨集成電路的不同層中的多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；及將導(dǎo)電連接件部分切割為多個(gè)導(dǎo)電連接件段。上述導(dǎo)電連接件部分通過(guò)從等半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間的導(dǎo)電連接件部分的一或更多個(gè)位置上移除導(dǎo)電材料而被切割。

附圖說(shuō)明

本揭示案的態(tài)樣最佳在閱讀附圖時(shí)根據(jù)下文的詳細(xì)說(shuō)明來(lái)進(jìn)行理解。應(yīng)注意，依據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)務(wù)，多個(gè)特征并未按比例繪制。實(shí)際上，多個(gè)特征的尺寸可任意增大或縮小，以便使論述明晰：

圖1繪示用于集成電路的一導(dǎo)電(例如金屬)互連層的實(shí)例，此導(dǎo)電互連層通過(guò)使用遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)及金屬切割制造而成；

圖2a繪示圖1的導(dǎo)電互連層，此互連層具有示例性層間連接，此等層間連接使金屬互連層電連接至其他半導(dǎo)體層；

圖2b繪示沿圖2a中的線2b-2b截取的截面圖；以及

圖3a、圖3b及圖4繪示可用于集成電路的導(dǎo)電(例如金屬)互連層中的示例性間距規(guī)則及約束條件，此導(dǎo)電互連層通過(guò)使用遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)及金屬切割制造而成。

具體實(shí)施方式

以下揭示案提供不同的實(shí)施例或?qū)嵗杂糜趯?shí)施本案提供的標(biāo)的物的不同特征。下文中描述組件及排列的特定實(shí)例以簡(jiǎn)化本揭示案。此等組件及排列當(dāng)然僅為實(shí)例，及不意欲進(jìn)行限制。例如，在下文的描述中，第一特征在第二特征上方或的上的成型可包含其中第一特征與第二特征以直接接觸方式形成的實(shí)施例，及亦可包含其中在第一特征與第二特征之間形成額外特征以使得第一特征與第二特征無(wú)法直接接觸的實(shí)施例。此外，本揭示案在多個(gè)實(shí)例中可重復(fù)元件符號(hào)及/或字母。此重復(fù)用于實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單與明晰的目的，及其自身并不規(guī)定所論述的多個(gè)實(shí)施例及/或配置之間的關(guān)系。

本揭示案一般是關(guān)于半導(dǎo)體制造，特別是關(guān)于包含導(dǎo)電(例如金屬)互連層的集成電路，此導(dǎo)電互連層通過(guò)使用遠(yuǎn)紫外線(extremeultraviolet；euv)微影術(shù)及導(dǎo)電互連(例如金屬)切割制成。

遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)可用以獲取更小的金屬間距。例如，一對(duì)遮罩用以構(gòu)造一對(duì)金屬部分。金屬間距是金屬部分的中心間距。相較于常用于光微影的其他光源，遠(yuǎn)紫外線使用更短波長(zhǎng)，此波長(zhǎng)可提供更高解析度及更佳臨界尺寸均勻性(criticaldimensionuniformity；cdu)。遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)可例如用于圖案化極小半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)，如14nm，及14nm以下。遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)極類似于光微影術(shù)，因?yàn)槠湫枰谡忠杂≈凭A，但其使用遠(yuǎn)紫外線區(qū)域中的光，例如在約13.5nm處。因此，遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)可通過(guò)將光遮罩的使用從多次圖案化降低到單次或兩次圖案化而具有經(jīng)濟(jì)效益。

圖1圖示用于集成電路的導(dǎo)電(例如金屬)互連層100的實(shí)例，此導(dǎo)電(例如金屬)互連層通過(guò)使用遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)及導(dǎo)電互連(例如金屬)切割而制成。集成電路包含由邊界(通過(guò)虛線指示)圍繞的單元120，且具有高度(hcell)及寬度(wcell)。單元120經(jīng)配置以執(zhí)行單元功能。例如，單元120是將信號(hào)從低反轉(zhuǎn)到高(且反之亦然)的反相器。在一些實(shí)施例中，單元120包含與門(mén)、與非門(mén)、或門(mén)、或非門(mén)、異或門(mén)、同或門(mén)、另一邏輯門(mén)，或上述各者的組合。示例性金屬互連層100包含多個(gè)金屬部分102、104、106、108、110，此等金屬部分通過(guò)使用遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)或其他高級(jí)微影技術(shù)經(jīng)圖案化在半導(dǎo)體(例如光阻劑或基板)層的單元120上方。在一些實(shí)施例中，遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)制程使用波長(zhǎng)為約1至100nm的遠(yuǎn)紫外線輻射源，其中包含約13.4nm的遠(yuǎn)紫外線波長(zhǎng)。一個(gè)示例性遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)制程在名為“extremeultravioletlithographyprocessandmask”的共有美國(guó)專利案第9,354,507號(hào)中進(jìn)行描述，此案以引用的方式并入本案。

如圖所示，遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)可用以圖案化同一基板層上的矩形(106、108、110)及非矩形(102、104)金屬形狀。此外，示例性金屬互連層100包含通過(guò)將更大的圖案化金屬部分中一或更多者切割成段而形成的金屬連接件段，此等段按照金屬切割寬度而隔開(kāi)。具體而言，在圖示實(shí)例中，非矩形的金屬部分104(圖示為被圍繞在實(shí)線內(nèi))通過(guò)使用遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)而經(jīng)圖案化，隨后被切割為四個(gè)金屬連接件段104a、104b、104c、104d。以此方式，四個(gè)金屬連接件段104a、104b、104c、104d可利用同一遮罩而形成。

圖1中圖示的示例性導(dǎo)電互連層100包含導(dǎo)電特征，此等特征在本案中被稱作“金屬”連接、部分或形狀。然而，應(yīng)理解，導(dǎo)電特征可包含純金屬(如銅、鎢、錫、鋁、銀，及金)、金屬合金及化合物(如tin、wn、wnc、tan，及tasin)、導(dǎo)電碳化合物、聚合物導(dǎo)體、有機(jī)導(dǎo)體，及任何其他導(dǎo)電材料。

金屬互連中的切割在圖1中圖示，及全部附圖中由中間有一“x”貫穿的矩形圖示。在圖示的實(shí)例中，有三個(gè)金屬切割112、114、116經(jīng)圖示貫穿圖案化金屬部分104。應(yīng)理解，此等金屬切割112、114、116表示表現(xiàn)其中已移除圖案化金屬的半導(dǎo)體層區(qū)域，例如僅留存基板材料。金屬切割可通過(guò)使用多種技術(shù)而執(zhí)行，例如名為“metalcutprocessflow”的共有美國(guó)專利案第8,850,360號(hào)中所闡述，此案以引用的方式并入本案。

盡管金屬互連部分104a-104d的圖案可例如通過(guò)使用單個(gè)遮罩而轉(zhuǎn)移至光阻劑層，但此圖案僅在金屬互連部分104a-104d具有最小節(jié)距時(shí)才可以充足解析度轉(zhuǎn)移。若小于最小節(jié)距，則光阻劑圖案可能開(kāi)始模糊。通過(guò)使用遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)圖案化金屬連接及將圖案化金屬連接切割為更小的連接件段，本案所述制程可例如用以提供更大的金屬互連段，此等互連段具有小于最小值的節(jié)距，且因此間隔更緊密。此外。相較于單獨(dú)圖案化金屬互連段(例如通過(guò)使用單獨(dú)遮罩)的其他技術(shù)，圖1的實(shí)例中提供的更大金屬段104a-104d提供撓性更大的通孔置放及更佳的金屬通孔外殼，如圖2a及圖2b中所圖示。

圖2a繪示圖1中的金屬互連層，此金屬互連層具有示例性層間連接(例如金屬化通孔)210，此等層間連接將金屬互連層(例如金屬互連層100)電性連接至諸如單元120的晶體管的柵極結(jié)構(gòu)220的組件。圖2b是沿圖2a中的線2b-2b截取的截面圖。如圖2a中圖示，實(shí)例200圖示通過(guò)切割更大圖案化金屬部分104而形成的金屬連接件段104a-104d可如何定尺寸及間隔以向通孔210提供適合的金屬外殼，此等通孔連接至相鄰半導(dǎo)體層上節(jié)距緊密的結(jié)構(gòu)220。例如，如圖2b中圖示，金屬連接件段104b具有大體上矩形，亦即非錐形(如虛線所示)的橫剖面。應(yīng)注意，當(dāng)金屬連接件段104b橫剖面是錐形時(shí)，如圖2b中圖示，通孔210可部分地位于金屬連接件段104b上，由此與此金屬連接件段具有不良電接觸。相反，由于金屬連接件段104b的橫剖面是矩形，因此通孔210可全部位于金屬連接件段104b內(nèi)，位置接近金屬連接件段104b的一邊緣/側(cè)邊，因此與金屬連接件段104b具有優(yōu)良電接觸。金屬連接部分104a、104c、104d及與其連接的通孔210亦是如此，借此，金屬連接件段104a-104d向通孔210提供適合的金屬外殼。

柵極結(jié)構(gòu)220可例如是圖案化多晶硅線路，此等線路形成半導(dǎo)體裝置的柵極堆疊。具體而言，在圖示實(shí)例中，遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)用以圖案化延伸橫穿相鄰層中多個(gè)多晶硅線路220的初始金屬部分104，隨后，通過(guò)移除位于多晶硅線路之間的金屬而將金屬部分104切割成為多個(gè)金屬連接件段104a-104d。如圖所示，因?yàn)橥?10全部位于金屬連接件段104a-104d內(nèi)且分別靠近金屬連接件段104a-104d的一邊緣/側(cè)邊，因此金屬切割112、114、116具有足夠小的寬度，以保留柵極通孔210(于隨后添加)周圍的優(yōu)良金屬覆蓋率。

圖2a中亦圖示與金屬互連層100的其他層間連接的實(shí)例，包含與金屬互連層100上方一或更多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或連接的接觸通孔連接230，及與金屬互連層100下方的一或更多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或連接的接觸通孔連接240。

圖3a及圖3b圖示示例性金屬間距規(guī)則，可應(yīng)用此等規(guī)則以優(yōu)化通過(guò)使用本案相對(duì)于圖1及圖2a所述技術(shù)制造而成的金屬互連層中之間距。首先通過(guò)參考圖3a，金屬互連層(例如金屬互連層100)的金屬部分(例如金屬部分102、104a-104d)具有一寬度。金屬互連層的金屬部分(例如金屬部分102、104a-104d)的寬度中最小寬度(wmin)是由金屬互連層的柵極結(jié)構(gòu)(例如柵極結(jié)構(gòu)220)節(jié)距(p1)定義的。節(jié)距(p1)是例如柵極結(jié)構(gòu)的中心間距。金屬部分可進(jìn)一步具有短邊/邊緣(wshort)及長(zhǎng)邊/邊緣(wlong)。短邊(wshort)大于最小寬度，但小于長(zhǎng)邊(wlong)。長(zhǎng)邊之間的間距(s1)，例如長(zhǎng)邊(wlong1、wlong2)，是由節(jié)距(p1)定義的。一對(duì)相鄰金屬部分的短邊之間(例如金屬部分104b的短邊(wshort2)及金屬部分104c的短邊(wshort2))的間隔(s2)是由節(jié)距(p1)定義的。間距(s2)是例如金屬切割的寬度。u型金屬部分(例如金屬部分104)具有一對(duì)第一部分及與第一部分互連的第二部分。u型金屬連接的第一部分之間的間隔(s3)是由最小寬度(wmin)及間距(s1)定義的。金屬部分可具有切割邊緣及未切割邊緣。金屬部分(例如金屬部分104d)的相鄰切割與未切割邊緣之間的水平距離(c1)是由間距(s1)定義的。金屬部分(例如金屬部分104c)的相鄰切割邊緣與另一金屬部分(例如金屬部分102)的未切割邊緣之間的水平距離(c2)是由間距(s1)定義的。u型金屬連接的第一部分的長(zhǎng)度(c3)是由最小寬度(wmin)定義的。通過(guò)使用上述參數(shù)，以下金屬間距規(guī)則可應(yīng)用至金屬互連層：

·wmin范圍：0.2×p1≤wmin≤p1；

·短邊(wshort)范圍：wshort<2.5×wmin；

·長(zhǎng)邊(wlong)范圍：wlong≥2.5×wmin；

·長(zhǎng)邊(wlong1)與長(zhǎng)邊(wlong2)間距范圍(s1)：0.2×p1≤s1≤0.6×p1；

·短邊(wshort1)與短邊(wshort2)間距范圍(s2)：0.4×p1≤s2≤0.7×p1；

·間距(s3)范圍：s3≥wmin+2×s1；及

·c1、c2及c3范圍：c1≥0.3×s1、c2≥0.5×s1，及c3≥2×wmin。

盡管金屬互連層100在圖3a中以實(shí)例說(shuō)明為具有非矩形金屬部分102，此金屬部分延伸至由u型金屬連接104的平行部分所界定的空間中，任何形狀的金屬部分可延伸至此空間中。例如，如圖3b中所圖示，矩形金屬部分310延伸至u型金屬連接320的平行部分所界定的空間內(nèi)。通過(guò)參考圖3b，較長(zhǎng)寬度(wlong)與較短寬度(wshort)之間的間隔(s4)，或最小寬度(wmin)，是由間距(s1)定義的。具有最小寬度的矩形金屬部分(例如金屬部分310)的長(zhǎng)度(l1)是由節(jié)距(p1)與間距(s2)定義的。使用上述參數(shù)，以下金屬間距規(guī)則可應(yīng)用至金屬互連層100：

·間距(s4)范圍：0.9×s1≤s4≤1.2×s1；及

·長(zhǎng)度(l1)范圍：l1≥p1+s2。

圖4繪示示例性金屬間距規(guī)則，此等規(guī)則可應(yīng)用于通過(guò)使用本案參考圖1及第2圖所述的技術(shù)制造而成的于金屬互連層，以便提供最佳通孔外殼。如圖4中所繪示，金屬互連層100還包含金屬部分410、420、430，而無(wú)金屬切割。圖4包含以下間距參數(shù)：ed1，此參數(shù)是從金屬切割起的接觸通孔外殼(例如接觸通孔240的外殼)的量(亦即金屬切割與接觸通孔間距)，及此參數(shù)由節(jié)距(p1)與間距(s2)定義；ed2，此參數(shù)是接觸通孔外殼在無(wú)金屬切割的連接件較薄部分(例如u型金屬連接104的平行部分)中的量，且此參數(shù)是由最小寬度(wmin)定義的；ed3，此參數(shù)是接觸通孔外殼在無(wú)金屬切割的連接件較寬部分(例如金屬部分410)中的量，ed3a即為從垂直連接件邊緣起的外殼，且由節(jié)距(p1)定義，及ed3b是自水平連接件邊緣起的外殼；eg1a，此參數(shù)是柵極通孔外殼(例如通孔210的外殼)自金屬切割起的量，且此參數(shù)是由節(jié)距(p1)及最小寬度(wmin)定義的；eg1b，此參數(shù)是柵極通孔外殼自非切割連接件邊緣(例如金屬連接件段104a-104d的邊緣)起的量，且此參數(shù)是由最小寬度(wmin)定義的；eg2，此參數(shù)系柵極通孔外殼在無(wú)金屬切割的較薄連接件部分(例如金屬部分420)中的量，且此參數(shù)是由最小寬度(wmin)定義的；及eg3，此參數(shù)是柵極通孔外殼在無(wú)金屬切割的連接件較寬部分(例如金屬部分430)中的量，eg3a即為從垂直連接件邊緣起的外殼，且由節(jié)距(p1)定義，及eg3b是自水平連接件邊緣起的外殼。使用上述參數(shù)，以下金屬及通孔間距規(guī)則可應(yīng)用至金屬互連層。此等金屬及通孔間距規(guī)則可通過(guò)透射電子顯微術(shù)(transmissionelectronmicroscopy；tem)可觀測(cè)的相鄰半導(dǎo)體層上多晶硅線路之間的間距(亦即節(jié)距)(p)而辨識(shí)。

·接觸通孔外殼–1：ed1≥0.5×p1-s2；

·接觸通孔外殼–2：ed2≥1.1×wmin；

·接觸通孔外殼–3：ed3a≥0.3×p1及ed3b≥0。

·柵極通孔外殼–1：eg1a≥p1-wmin及eg1b≥1.1×wmin；

·柵極通孔外殼–2：eg2≥wmin；

·柵極通孔外殼–3：eg3a≥0.3p1及ed3b≥0。

在一個(gè)實(shí)施例中，提供用于制造集成電路導(dǎo)電互連層的方法。導(dǎo)電連接件部分在集成電路的導(dǎo)電互連層上通過(guò)使用遠(yuǎn)紫外線(extremeultraviolet；euv)微影術(shù)而經(jīng)圖案化，其中導(dǎo)電連接件部分經(jīng)圖案化以橫穿不同集成電路層中的多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)而延伸。導(dǎo)電連接件部分被切割為多個(gè)導(dǎo)電連接件段，其中導(dǎo)電連接件部分通過(guò)從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間的導(dǎo)電連接件部分的一或更多個(gè)位置上移除導(dǎo)電材料而被切割。

在另一實(shí)施例中，集成電路的不同層是多晶硅層，此多晶硅層包含多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)，這些多晶硅結(jié)構(gòu)由預(yù)定多晶硅節(jié)距隔開(kāi)。上述導(dǎo)電連接件部分經(jīng)圖案化以延伸橫跨多晶硅層中的多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)。

在另一實(shí)施例中，集成電路還包含在導(dǎo)電互連層與多晶硅層之間制造通孔互連裝置。通孔互連裝置使多個(gè)導(dǎo)電連接件段中每一者電連接至多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)中的不同結(jié)構(gòu)。

在另一實(shí)施例中，多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)包含圖案化多晶硅線路，上述線路向一半導(dǎo)體裝置提供柵極結(jié)構(gòu)。

在另一實(shí)施例中，不同層鄰近于導(dǎo)電互連層。

在另一實(shí)施例中，多個(gè)導(dǎo)電連接件段由預(yù)定間距隔開(kāi)。

在另一實(shí)施例中，提供一集成電路，此集成電路包含第一集成電路層及導(dǎo)電互連層。第一集成電路層包含多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電互連層包含多個(gè)導(dǎo)電連接件段，其中導(dǎo)電連接件段通過(guò)以下方式而形成：使用遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)而圖案化集成電路的導(dǎo)電互連層上的導(dǎo)電連接件部分，及通過(guò)從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間的導(dǎo)電連接件部分的一或更多個(gè)位置上移除導(dǎo)電材料而將導(dǎo)電連接件部分切割為多個(gè)導(dǎo)電連接件段。導(dǎo)電互連層與第一集成電路層之間的通孔互連裝置使多個(gè)導(dǎo)電連接件段中每一者電連接至多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的不同結(jié)構(gòu)。

在另一實(shí)施例中，第一集成電路層包含多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)，上述多晶硅結(jié)構(gòu)由預(yù)定多晶硅節(jié)距隔開(kāi)。導(dǎo)電連接件部分經(jīng)圖案化以延伸橫跨多晶硅層中的多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)。

在另一實(shí)施例中，多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)包含圖案化多晶硅線路，上述線路向半導(dǎo)體裝置提供柵極結(jié)構(gòu)。

在另一實(shí)施例中，第一集成電路層鄰近于導(dǎo)電互連層。

在另一實(shí)施例中，多個(gè)導(dǎo)電連接件段由預(yù)定間距隔開(kāi)。

在另一實(shí)施例中，提供一種集成電路制造方法，此方法用于制造集成電路導(dǎo)電互連層，此方法包含以下步驟：通過(guò)使用單光微影術(shù)遮罩而在集成電路的導(dǎo)電互連層上圖案化導(dǎo)電連接件部分；及將導(dǎo)電連接件部分切割為多個(gè)導(dǎo)電連接件段，此多個(gè)導(dǎo)電連接件段彼此相隔切割寬度，其中切割寬度基于集成電路半導(dǎo)體層上的半導(dǎo)體元件之間的預(yù)定最小間距。

在另一實(shí)施例中，集成電路制造方法包含半導(dǎo)體元件包含多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)，上述結(jié)構(gòu)由預(yù)定多晶硅節(jié)距隔開(kāi)，導(dǎo)電連接件部分經(jīng)圖案化以延伸橫跨半導(dǎo)體層中的多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)。

在另一實(shí)施例中，集成電路制造方法中多個(gè)多晶硅結(jié)構(gòu)包含圖案化多晶硅線路，上述線路向半導(dǎo)體裝置提供柵極結(jié)構(gòu)。

在另一實(shí)施例中，集成電路制造方法中導(dǎo)電連接件部分是通過(guò)從半導(dǎo)體元件之間的導(dǎo)電連接件部分的一或更多個(gè)位置上移除導(dǎo)電材料而切割的。

在另一實(shí)施例中，集成電路制造方法還包含在導(dǎo)電互連層與半導(dǎo)體層之間制造通孔互連裝置，上述互連裝置使多個(gè)導(dǎo)電連接件段中每一者電性連接至多個(gè)半導(dǎo)體元件中的不同元件。

在另一實(shí)施例中，集成電路制造方法中半導(dǎo)體層鄰近于導(dǎo)電互連層。

在另一實(shí)施例中，集成電路制造方法中導(dǎo)電連接件部分通過(guò)使用遠(yuǎn)紫外線(extremeultraviolet；euv)微影術(shù)而經(jīng)圖案化在集成電路的導(dǎo)電互連層上。

在另一實(shí)施例中，集成電路制造方法中遠(yuǎn)紫外線微影術(shù)使用輻射源，輻射源具有約13.5nm的波長(zhǎng)。

在另一實(shí)施例中，集成電路制造方法中導(dǎo)電互連層包含單個(gè)層上的二維導(dǎo)電布線。

前述內(nèi)容概括數(shù)個(gè)實(shí)施例的特征，以便彼等熟悉此項(xiàng)技術(shù)者可更佳地理解本揭示案的態(tài)樣。彼等熟悉此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)了解，本揭示案可易于用作設(shè)計(jì)或修正其他制程及結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)，以實(shí)現(xiàn)與本案介紹的實(shí)施例相同的目的及/或達(dá)到與其相同的優(yōu)勢(shì)。彼等熟悉此項(xiàng)技術(shù)者亦應(yīng)了解，此種同等構(gòu)造不脫離本揭示案的精神及范疇，及可在不脫離本揭示案精神及范疇的情況下在本案中進(jìn)行多種變更、取代及更動(dòng)。