本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)計(jì)一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)及方法。

背景技術(shù)：

隨著4g/5g通訊系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)、毫米波無(wú)線(xiàn)通訊等高頻系統(tǒng)的商業(yè)應(yīng)用越來(lái)越廣泛，特別是短距離高數(shù)據(jù)無(wú)線(xiàn)傳輸系統(tǒng)、被動(dòng)成像系統(tǒng)、汽車(chē)?yán)走_(dá)系統(tǒng)等，對(duì)于高性能、小型化、高集成度以及低成本要求越來(lái)越高。

因此，為了降低系統(tǒng)互連的寄生參數(shù)影響，越來(lái)越多的無(wú)源系統(tǒng)集成在封裝體內(nèi)。天線(xiàn)是通訊系統(tǒng)中典型的無(wú)源器件，2000s業(yè)界陸續(xù)開(kāi)展天線(xiàn)封裝(antenna-in-package，aip)研究，主要集中采用ltcc、lcp等基材與有源芯片的集成。隨著扇出型封裝在汽車(chē)?yán)走_(dá)等高頻領(lǐng)域的應(yīng)用，以天線(xiàn)為代表的無(wú)源器件也開(kāi)始集成在扇出型封裝中。

現(xiàn)有技術(shù)中基于扇出型封裝的aip研究特點(diǎn)主要有：天線(xiàn)結(jié)構(gòu)為代表的無(wú)源器件也開(kāi)始集成在扇出型封裝中，均采用印刷電路板的表面金屬層作為信號(hào)的反射平面，因此印刷電路板和封裝結(jié)構(gòu)之間的焊球的高度會(huì)影響天線(xiàn)性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)及方法，解決扇出型封裝內(nèi)天線(xiàn)集成，避免了印刷電路板和封裝結(jié)構(gòu)之間的焊球高度影響天線(xiàn)性能弊病。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)，包括：

至少一個(gè)功能芯片和至少一個(gè)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)，且所述天線(xiàn)結(jié)構(gòu)兩表面間為高介電常數(shù)介質(zhì)，所述至少一個(gè)功能芯片和所述至少一個(gè)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)封裝為一體結(jié)構(gòu)，且所述功能芯片的第一表面和所述天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的第一表面設(shè)置于所述一體結(jié)構(gòu)的第一側(cè)，所述功能芯片的第一表面設(shè)置有第一焊盤(pán)，所述天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的第一表面設(shè)置有第二焊盤(pán)，所述天線(xiàn)結(jié)構(gòu)中包括基底以及位于所述基底的第一表面的反射金屬層，以及位于與所述基底的第一表面相對(duì)的所述基底的第二表面的天線(xiàn)平面，所述天線(xiàn)平面通過(guò)貫穿所述基底的金屬導(dǎo)電過(guò)孔與第二焊盤(pán)電連接；形成在所述一體結(jié)構(gòu)的第一側(cè)的重布線(xiàn)層，所述重布線(xiàn)層與所述第一焊盤(pán)和所述第二焊盤(pán)均電連接；

形成在所述重布線(xiàn)層上方的鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述重布線(xiàn)層且暴露出至少一個(gè)對(duì)外連接點(diǎn)。

可選地，所述基底為硅基底、氮化鎵基底，砷化鎵基地等半導(dǎo)體基底任意一種，也可以是陶瓷基底、樹(shù)脂基底、玻璃基底等絕緣基底任意一種。

可選地，所述天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的第二表面外側(cè)形成有第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層暴露出所述一體結(jié)構(gòu)。

可選地，所述功能芯片中與其第一表面相對(duì)的第二表面暴露出所述一體結(jié)構(gòu)，所述一體結(jié)構(gòu)的與其第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)外設(shè)置有第二保護(hù)層。

可選地，所述第一保護(hù)層為環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯和聚苯并惡矬中的任意一種。

可選地，所述第二保護(hù)層為環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯和聚苯并惡矬中的任意一種；

可選地，所述對(duì)外連接點(diǎn)上形成有焊球。

可選地，所述第一保護(hù)層的厚度范圍為大于等于5um小于等于50um。

可選地，所述第二保護(hù)層的厚度范圍大于等于10um小于等于100um。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：

提供至少一個(gè)功能芯片和至少一個(gè)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)，所述天線(xiàn)結(jié)構(gòu)中兩表面間為高介電常數(shù)介質(zhì)，并將所述至少一個(gè)功能芯片和所述至少一個(gè)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)封裝為一體結(jié)構(gòu)，且所述功能芯片的第一表面和所述天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的第一表面設(shè)置于所述一體結(jié)構(gòu)的第一側(cè)，所述功能芯片的第一表面設(shè)置有第一焊盤(pán)，所述天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的第一表面設(shè)置有第二焊盤(pán)，所述天線(xiàn)結(jié)構(gòu)中包括基底以及位于所述基底的第一表面的反射金屬層，以及位于與所述基底的第一表面相對(duì)的所述基底的的第二表面的天線(xiàn)平面；

在所述一體結(jié)構(gòu)的第一側(cè)形成重布線(xiàn)層，所述重布線(xiàn)層與所述第一焊盤(pán)和所述第二焊盤(pán)均電連接；

在所述重布線(xiàn)層上方形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述重布線(xiàn)層且暴露出至少一個(gè)對(duì)外連接點(diǎn)。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)及方法，將重布線(xiàn)層將功能芯片的焊盤(pán)和天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的天線(xiàn)電連接，實(shí)現(xiàn)了將功能芯片的電信號(hào)到天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的傳輸。功能芯片的電信號(hào)的傳輸路徑為第一焊盤(pán)、重布線(xiàn)層，第二焊盤(pán)和天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的天線(xiàn)平面。相比現(xiàn)有技術(shù)中，將反射金屬層做在對(duì)外連接點(diǎn)之外示例性地為與焊球連接的印刷電路板的表面金屬層，電信號(hào)傳輸?shù)穆窂介L(zhǎng)，傳輸路徑邊長(zhǎng)是由于電信號(hào)會(huì)穿越對(duì)外連接點(diǎn)，還會(huì)穿越對(duì)外連接點(diǎn)與反射金屬層之間的空氣介質(zhì)以及其他結(jié)構(gòu)示例性地為焊球，焊球的高度會(huì)影響天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的性能。因此本發(fā)明實(shí)施例提供的扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)將反射金屬層設(shè)置在天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的第一表面，縮短了電信號(hào)傳輸?shù)穆窂?，避免了印刷電路板和封裝結(jié)構(gòu)之間的焊球高度影響天線(xiàn)性能弊病，減少了天線(xiàn)結(jié)構(gòu)性能受損的影響因素。

附圖說(shuō)明

下面將通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明或現(xiàn)有技術(shù)的示例性實(shí)施例，使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更清楚本發(fā)明的上述及其他特征和優(yōu)點(diǎn)。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)的制備方法流程圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)的制備方法流程圖；

圖7本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種扇出型芯片芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)的制備方法流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例一

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)，包括：至少一個(gè)功能芯片10和至少一個(gè)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20，需要說(shuō)明的是，通過(guò)塑封層34將至少一個(gè)功能芯片10和至少一個(gè)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20封裝為一體結(jié)構(gòu)30，且功能芯片10的第一表面11和天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的第一表面21設(shè)置于一體結(jié)構(gòu)30的第一側(cè)，功能芯片10的第一表面11設(shè)置有第一焊盤(pán)12，天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的第一表面21設(shè)置有第二焊盤(pán)22，天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20中包括基底26以及位于基底26的第一表面21的反射金屬層23，以及位于與基底26的第一表面21相對(duì)的第二表面24的天線(xiàn)平面25；天線(xiàn)平面25通過(guò)貫穿基底26的導(dǎo)電過(guò)孔27與第二焊盤(pán)22電連接；形成在一體結(jié)構(gòu)30的第一側(cè)的重布線(xiàn)層32，重布線(xiàn)層32與第一焊盤(pán)12和第二焊盤(pán)22均電連接；形成在重布線(xiàn)層32上方的鈍化層33，鈍化層覆蓋重布線(xiàn)層32且暴露出至少一個(gè)對(duì)外連接點(diǎn)32c。需要說(shuō)明的是，重布線(xiàn)層32包括第一重布線(xiàn)層32a，第二層重布線(xiàn)層32b，重布線(xiàn)層導(dǎo)電過(guò)孔32d，用于連接第一重布線(xiàn)層32a和第二重布線(xiàn)層32b，還用于連接第一重布線(xiàn)層與第一焊盤(pán)12，與第二焊盤(pán)22，重布線(xiàn)層32還包括對(duì)外連接點(diǎn)32c。

需要說(shuō)明的是，功能芯片10的選取相關(guān)從業(yè)人員根據(jù)芯片的功能，選擇合適的芯片類(lèi)型。重布線(xiàn)層32以及第二焊盤(pán)22和導(dǎo)電過(guò)孔27將功能芯片10的焊盤(pán)12和天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的天線(xiàn)平面25電連接，實(shí)現(xiàn)了將功能芯片10的電信號(hào)到天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的傳輸。功能芯片10的電信號(hào)的傳輸路徑為第一焊盤(pán)12、重布線(xiàn)層32，第二焊盤(pán)22、導(dǎo)電過(guò)孔27和天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的天線(xiàn)平面25。相比現(xiàn)有技術(shù)中，將反射金屬層23做在對(duì)外連接點(diǎn)32c之外示例性地為與焊球連接的印刷電路板的表面金屬層，電信號(hào)傳輸?shù)穆窂介L(zhǎng)，傳輸路徑邊長(zhǎng)是由于電信號(hào)會(huì)穿越對(duì)外連接點(diǎn)32c，還會(huì)穿越對(duì)外連接點(diǎn)32c與反射金屬層23之間的空氣介質(zhì)以及其他結(jié)構(gòu)示例性地為焊球，焊球的高度會(huì)影響天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的性能。因此本發(fā)明實(shí)施例提供的扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)將反射金屬層設(shè)置在天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的第一表面，并且與天線(xiàn)貫穿天線(xiàn)結(jié)構(gòu)芯片的天線(xiàn)電連接，縮短了電信號(hào)傳輸?shù)穆窂?，避免了印刷電路板和封裝結(jié)構(gòu)之間的焊球的高度會(huì)影響天線(xiàn)性能弊病，減少了天線(xiàn)結(jié)構(gòu)芯片性能受損的影響因素。需要說(shuō)明的是天線(xiàn)平面25的遠(yuǎn)離基底26的表面示例性地可以涂布一層保護(hù)層，用于保護(hù)天線(xiàn)平面25本身的金屬線(xiàn)路，并且天線(xiàn)平面25在與基底26示例性地也可以涂布一層保護(hù)層，用于實(shí)現(xiàn)天線(xiàn)平面25與基底26之間的電絕緣，只是在圖1中并沒(méi)有示出。

可選地，在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的基底26為硅基底、氮化鎵基底，砷化鎵基地等半導(dǎo)體基底任意一種，也可以是陶瓷基底、樹(shù)脂基底、玻璃基底等絕緣基底任意一種。示例性地，為硅基底時(shí)，反射金屬層23和天線(xiàn)平面25之間設(shè)置有硅基底。即天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的基底26材料為硅基底材料。采用硅基底作為天線(xiàn)介質(zhì)。需要說(shuō)明的是，硅基底基底的天線(xiàn)平面25的類(lèi)型根據(jù)天線(xiàn)平面25的圖案可以是偶極子天線(xiàn)、環(huán)形天線(xiàn)、貼片天線(xiàn)、菱形天線(xiàn)等，還可根據(jù)不同應(yīng)用實(shí)現(xiàn)一個(gè)天線(xiàn)單元或天線(xiàn)陣列。這些不同圖案的天線(xiàn)平面25均會(huì)通過(guò)導(dǎo)電過(guò)孔27貫穿天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的基底26材料。硅基底其相對(duì)介電常數(shù)較高(11.8)有利于天線(xiàn)或天線(xiàn)陣列小型化。以貼片天線(xiàn)為例，相比常規(guī)的高頻板材(例如rogers5880相對(duì)介電常數(shù)2.2)作為天線(xiàn)介質(zhì)，即天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的基底材料，貼片天線(xiàn)的物理尺寸降低了約75％。另外，天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20為硅基底芯片，硅基底材料作為基底，屬于較為成熟的半導(dǎo)體工藝，有利于工藝加工。電信號(hào)傳輸?shù)慕橘|(zhì)是天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的基底26材料。可以通過(guò)設(shè)置基底材料的種類(lèi)變換基底材料的介電常數(shù)。增大基底材料的介電常數(shù)，扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)可以使用于低頻器件，降低基底材料的介電常數(shù)，扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)可以使用于低頻器件。天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20為硅基底芯片，反射金屬層23和天線(xiàn)平面25之間設(shè)置有硅基底，硅基底其相對(duì)介電常數(shù)較高，使得封裝結(jié)構(gòu)適用于低頻率器件。

可選地，參見(jiàn)圖2，天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的第二表面24外側(cè)形成有第一保護(hù)層28，第一保護(hù)層28暴露出一體結(jié)構(gòu)30?？蛇x地，第一保護(hù)層28的材料可以為環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯以及聚苯并惡矬中的任意一種?？蛇x地，第一保護(hù)層28的厚度范圍為大于等于5um，小于等于50um。合適的厚度既能起到保護(hù)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的第二表面，防止水汽進(jìn)入天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20內(nèi)部的作用，又能起到避免第一保護(hù)層28的厚度太厚，減弱電信號(hào)的輻射范圍的作用。需要說(shuō)明的是，第一保護(hù)層28的材料選取可以為對(duì)電信號(hào)損耗較小的材料。因此本發(fā)明實(shí)施例在天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的第二表面24外側(cè)形成有第一保護(hù)層28，一方面是因?yàn)樘炀€(xiàn)平面25的表面示用于保護(hù)天線(xiàn)平面25本身的金屬線(xiàn)路的保護(hù)層較薄，示例性地可以在天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的第二表面24外側(cè)繼續(xù)涂布保護(hù)層；另一方面，在天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的第二表面24外側(cè)形成有第一保護(hù)層28，而不是用塑封層34來(lái)代替第一保護(hù)層28的作用，在這里考慮到電信號(hào)在通過(guò)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20進(jìn)行傳輸?shù)倪^(guò)程，應(yīng)選取電信號(hào)損耗較小的材料，第一保護(hù)層28相對(duì)于普通的塑封層來(lái)說(shuō)對(duì)電信號(hào)損耗較小。

可選地，參見(jiàn)圖3，功能芯片10中與其第一表面11相對(duì)的第二表面13暴露出一體結(jié)構(gòu)30，一體結(jié)構(gòu)30的與其第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)外設(shè)置有第二保護(hù)層35。需要說(shuō)明的是，在垂直與一體結(jié)構(gòu)30的水平方向上，當(dāng)功能芯片10的高度比天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的高度加上第一保護(hù)層28的厚度高的時(shí)候，在功能芯片10的第二表面13，在一體結(jié)構(gòu)30的與其第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)外設(shè)置有第二保護(hù)層35可以避免功能芯片10的第二表面13直接暴露在空氣中，免受水汽和空氣中的灰塵對(duì)功能芯片10的損傷。需要說(shuō)明的是，在垂直與一體結(jié)構(gòu)30的水平方向上，圖3示出的第一保護(hù)層28相比圖2示出的第一保護(hù)層28的厚度更厚，其目的在于使得功能芯片10的高度和天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20設(shè)置了第一保護(hù)層28之后的高度相等，便于形成平整的第二保護(hù)層35。需要說(shuō)明的是，天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的第二表面24外側(cè)也可以不設(shè)置第一保護(hù)層28，天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20通過(guò)天線(xiàn)平面表面的保護(hù)層來(lái)保護(hù)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)。這樣，在垂直與一體結(jié)構(gòu)30的水平方向上，當(dāng)功能芯片10的高度比天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的高度高的時(shí)候，在功能芯片10的第二表面13，在一體結(jié)構(gòu)30的與其第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)外設(shè)置有第二保護(hù)層35可以避免功能芯片10的第二表面13直接暴露在空氣中，免受水汽和空氣中的灰塵對(duì)功能芯片10的損傷。

可選地，第二保護(hù)層35的材料可以為環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯以及聚苯并惡矬中的任意一種?？蛇x地，第二保護(hù)層35的厚度范圍為大于等于10um，小于等于100um。合適的厚度既能起到功能芯片10的第二表面，防止水汽進(jìn)入功能芯片10內(nèi)部的作用，又能起到避免第二保護(hù)層35的厚度太厚，減弱電信號(hào)的輻射范圍的作用。

可選地，在上述技術(shù)方案的技術(shù)上，參見(jiàn)圖4，對(duì)外連接點(diǎn)34上形成有焊球40；封裝結(jié)構(gòu)還包括印刷電路板41，焊球40與印刷電路板41電連接。相比現(xiàn)有技術(shù)中，將反射金屬層23做在對(duì)外連接點(diǎn)32c之外，焊球40與印刷電路板41之間，電信號(hào)傳輸?shù)穆窂阶兌?，焊?0的高度不會(huì)影響天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的性能。

實(shí)施例二

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，以圖1示出的扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝結(jié)構(gòu)為例，其制備方法參見(jiàn)圖5，包括如下步驟：

步驟110、提供至少一個(gè)功能芯片和至少一個(gè)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)，并將至少一個(gè)功能芯片和至少一個(gè)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)封裝為一體結(jié)構(gòu)，且功能芯片的第一表面和天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的第一表面設(shè)置于一體結(jié)構(gòu)的第一側(cè)，功能芯片的第一表面設(shè)置有第一焊盤(pán)，天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的第一表面設(shè)置有第二焊盤(pán)，天線(xiàn)結(jié)構(gòu)中包括位于第一表面的反射金屬層，以及位于與第一表面相對(duì)的第二表面的天線(xiàn)平面。

參照?qǐng)D1，提供至少一個(gè)功能芯片10和至少一個(gè)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20，并將至少一個(gè)功能芯片10和至少一個(gè)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20封裝為一體結(jié)構(gòu)30，且功能芯片10的第一表面11和天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的第一表面21設(shè)置于一體結(jié)構(gòu)30的第一側(cè)，功能芯片10的第一表面11設(shè)置有第一焊盤(pán)12，天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的第一表面21設(shè)置有第二焊盤(pán)22，天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20中包括基底以及位于基底的第一表面21的反射金屬層23，以及位于基底的與第一表面21相對(duì)的第二表面26的天線(xiàn)平面25。

步驟120、在一體結(jié)構(gòu)的第一側(cè)形成重布線(xiàn)層，重布線(xiàn)層與第一焊盤(pán)和第二焊盤(pán)均電連接。

參見(jiàn)圖1，需要說(shuō)明的是，重布線(xiàn)層32包括第一重布線(xiàn)層32a，第二層重布線(xiàn)層32b，對(duì)外連接點(diǎn)32c以及重布線(xiàn)層導(dǎo)電過(guò)孔32d，用于連接第一重布線(xiàn)層32a和第二重布線(xiàn)層32b，重布線(xiàn)層32還包括對(duì)外連接點(diǎn)32c。在一體結(jié)構(gòu)30的第一側(cè)形成重布線(xiàn)層32，重布線(xiàn)層32與第一焊盤(pán)12和第二焊盤(pán)22均電連接；

步驟130、在重布線(xiàn)層上方形成鈍化層，鈍化層覆蓋重布線(xiàn)層且暴露出至少一個(gè)對(duì)外連接點(diǎn)。

參見(jiàn)圖1，在重布線(xiàn)層32上方形成鈍化層33，鈍化層33覆蓋重布線(xiàn)層32且暴露出至少一個(gè)對(duì)外連接點(diǎn)32c。

本發(fā)明實(shí)施例提供的扇出型芯片集成天線(xiàn)封裝方法，將反射金屬層23設(shè)置在天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的第一表面21，縮短了電信號(hào)傳輸?shù)穆窂?，避免了現(xiàn)有技術(shù)中將反射金屬層23做在對(duì)外連接點(diǎn)32c之外示例性地為與焊球連接的印刷電路板的表面金屬層，避免了印刷電路板和封裝結(jié)構(gòu)之間的焊球的高度會(huì)影響天線(xiàn)性能弊病，減少了天線(xiàn)結(jié)構(gòu)芯片性能受損的影響因素。

需要說(shuō)明的是，示例性地以圖7為例，本發(fā)明實(shí)施例提供了天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的制備方法。天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的制作過(guò)程具體包括如下步驟，參見(jiàn)圖6：

需要說(shuō)明的是，基底材料可以為半導(dǎo)體材料，示例性地可以包括硅基底、氮化鎵基底，砷化鎵基地等半導(dǎo)體基底任意一種。當(dāng)基底材料為半導(dǎo)體材料時(shí)，基底還可以稱(chēng)之為襯底。需要說(shuō)明的是天線(xiàn)平面25遠(yuǎn)離襯底26的表面示例性地可以涂布一層保護(hù)層，用于保護(hù)天線(xiàn)平面25本身的金屬線(xiàn)路，并且天線(xiàn)平面25在與基底26示例性地也可以涂布一層保護(hù)層，用于實(shí)現(xiàn)天線(xiàn)平面25與基底26之間的電絕緣。步驟210、準(zhǔn)備襯底材料，在襯底第二表面刻蝕并填充成盲孔(即天線(xiàn)結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電過(guò)孔)，襯底第二表面形成圖形化金屬(即天線(xiàn)結(jié)構(gòu)中的天線(xiàn)平面)。

參見(jiàn)圖7，準(zhǔn)備基底材料26，在基底材料26第二表面24刻蝕并填充形成多個(gè)盲孔27(盲孔27即圖1中的導(dǎo)電過(guò)孔27)，在襯底材料26的表面涂布一層保護(hù)層，然后在基底材料26第二表面24形成圖形化金屬，即圖1中的天線(xiàn)平面25，在基襯底材料26盲孔27的表面填充層涂布的保護(hù)層用于將襯底26和天線(xiàn)平面之間實(shí)現(xiàn)電絕緣，示例性地還可以在天線(xiàn)平面25遠(yuǎn)離襯底26方向的的表面形成一層保護(hù)層用于保護(hù)天線(xiàn)平面25的線(xiàn)路，需要說(shuō)明的是，天線(xiàn)平面25與襯底26之間的保護(hù)層和天線(xiàn)平面25在遠(yuǎn)離襯底26方向的表面的保護(hù)層并沒(méi)有在圖7中示出；

步驟220、減薄襯底的第一表面，直至露出貫穿天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電過(guò)孔。

參見(jiàn)圖7，減薄襯底的第一表面21，直至露出貫穿天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的盲孔27的導(dǎo)電材料，將盲孔27制備為導(dǎo)電過(guò)孔27。

步驟230、在減薄后的襯底的第一表面形成圖形化金屬(即天線(xiàn)結(jié)構(gòu)中的反射金屬層和第二焊盤(pán)。

參見(jiàn)圖1，在減薄后的襯底26的第一表面21形成圖形化金屬(即天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20中的反射金屬層23和第二焊盤(pán)22。示例性地，需要說(shuō)明的是，還需要通過(guò)切割工藝將襯底材料26切割成單個(gè)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20。

以圖8為例，本發(fā)明實(shí)施例中提供了一體結(jié)構(gòu)30的制備方法，步驟參照?qǐng)D9如下：

步驟310、準(zhǔn)備載板。

參見(jiàn)圖8，準(zhǔn)備載板50。

步驟320、在載板的表面涂布臨時(shí)鍵合膠。

參見(jiàn)圖8，在載板50的表面涂布臨時(shí)鍵合膠51。

步驟330、將功能芯片的第一表面和天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的第一表面貼合在臨時(shí)鍵合膠的表面。

參見(jiàn)圖8，將功能芯片10的第一表面11和天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的第一表面21貼合在臨時(shí)鍵合膠51的表面。

步驟340、在功能芯片和天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的表面制備塑封層。

參見(jiàn)圖8，在功能芯片10和天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的表面制備塑封層34。

步驟350、減薄塑封層，直至露出天線(xiàn)結(jié)構(gòu)的第一保護(hù)層；去掉載板和臨時(shí)鍵合膠，完成了一體結(jié)構(gòu)的制作。

參見(jiàn)圖8，減薄塑封層34，直至露出天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的第一保護(hù)層28；去掉載板50和臨時(shí)鍵合膠51。

需要說(shuō)明的是，參照?qǐng)D4，將功能芯片10和天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的一體結(jié)構(gòu)30的第一側(cè)制作重布線(xiàn)層32；重布線(xiàn)層32將功能芯片10的第一焊盤(pán)12和天線(xiàn)結(jié)構(gòu)20的第二焊盤(pán)22電連接；在重布線(xiàn)層32的表面制備鈍化層33；鈍化層33露出對(duì)外連接點(diǎn)32c；制備焊球40，通過(guò)焊球40將一體結(jié)構(gòu)30與印刷電路板41電連接。

可選地，以圖3為例，功能芯片10中與其第一表面11相對(duì)的第二表面13暴露出一體結(jié)構(gòu)，一體結(jié)構(gòu)的與其第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)外設(shè)置有第二保護(hù)層35。

可選地，第一保護(hù)層為環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯和聚苯并惡矬中的任意一種?？蛇x地，所述第二保護(hù)層為環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯和聚苯并惡矬中的任意一種。

可選地，所述第一保護(hù)層的厚度范圍為大于等于5um小于等于50um。

可選地，所述第二保護(hù)層的厚度范圍大于等于10um小于等于100um。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。