本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)及氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法。

背景技術(shù)：

平面顯示裝置具有機(jī)身薄、省電、無(wú)輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有的平面顯示裝置主要包括液晶顯示裝置(liquidcrystaldisplay，lcd)及有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(organiclightemittingdisplay，oled)。

現(xiàn)有市場(chǎng)上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示裝置，其包括殼體、設(shè)于殼體內(nèi)的液晶面板及設(shè)于殼體內(nèi)的背光模組(backlightmodule)。液晶面板的結(jié)構(gòu)是由一彩色濾光片基板(colorfilter，cf)、一薄膜晶體管陣列基板(thinfilmtransistorarraysubstrate，tftarraysubstrate)以及一配置于兩基板間的液晶層(liquidcrystallayer)所構(gòu)成，其工作原理是通過(guò)在兩基板上施加驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)控制液晶層的液晶分子的旋轉(zhuǎn)，將背光模組的光線折射出來(lái)產(chǎn)生畫(huà)面。

有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置同樣需要tft基板，以tft作為開(kāi)關(guān)部件和驅(qū)動(dòng)部件，并在tft基板上制作出呈陣列式排布的像素結(jié)構(gòu)。

以氧化物半導(dǎo)體(如銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo))作為tft的有源層的技術(shù)是當(dāng)前的熱門(mén)技術(shù)。氧化物半導(dǎo)體具有較高的電子遷移率、良好的關(guān)斷特性，而且相比低溫多晶硅(lowtemperaturepolysilicon，ltps)，氧化物半導(dǎo)體制程簡(jiǎn)單，與非晶硅制程相容性較高，所以氧化物半導(dǎo)體逐漸成為lcd及oled中tft的有源層的首選材料。但是，氧化物半導(dǎo)體薄膜由于其結(jié)構(gòu)特性，很容易受到外界水汽的污染，造成tft的電學(xué)特性惡化，引起顯示畫(huà)面出現(xiàn)亮度不均的斑痕(mura)、或者其它不良。

現(xiàn)有技術(shù)為解決氧化物半導(dǎo)體有源層容易受水汽或者其它污染物影響的問(wèn)題所采取的辦法是在tft基板的下部增加緩沖層來(lái)隔絕水汽滲透，但是由于tft基板上部的保護(hù)層通常為單層的氧化硅(siox)薄膜，致密性較差，不能阻擋水汽從tft基板上部侵入。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)，能夠從tft基板的上部隔絕水汽滲透，更好地保護(hù)氧化物半導(dǎo)體有源層不受水汽侵入的影響，穩(wěn)定氧化物半導(dǎo)體tft的電學(xué)特性。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法，制得的氧化物半導(dǎo)體tft基板的下部與上部均能夠隔絕水汽滲透，保護(hù)氧化物半導(dǎo)體有源層不受水汽侵入的影響，使得氧化物半導(dǎo)體tft的電學(xué)特性穩(wěn)定。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)，包括襯底基板、覆蓋所述襯底基板的緩沖層、設(shè)在所述緩沖層上的氧化物半導(dǎo)體tft、覆蓋所述氧化物半導(dǎo)體tft的保護(hù)層、以及設(shè)在所述保護(hù)層上的像素電極；

所述保護(hù)層至少包括第一氧化硅薄膜層、及覆蓋所述第一氧化硅薄膜層的氮化硅薄膜層。

所述保護(hù)層還包括覆蓋所述氮化硅薄膜層的第二氧化硅薄膜層。

所述氧化物半導(dǎo)體tft包括設(shè)在所述緩沖層上的柵極、覆蓋所述柵極與緩沖層的柵極絕緣層、對(duì)應(yīng)于柵極的上方設(shè)在柵極絕緣層上的氧化物半導(dǎo)體有源層、遮蓋所述氧化物半導(dǎo)體有源層中部的蝕刻阻擋層、及分別接觸所述氧化物半導(dǎo)體有源層兩側(cè)的源極與漏極；

所述保護(hù)層內(nèi)開(kāi)設(shè)有過(guò)孔，所述像素電極經(jīng)所述過(guò)孔接觸氧化物半導(dǎo)體tft的漏極。

所述第一氧化硅薄膜層的厚度為所述氮化硅薄膜層的厚度為所述第二氧化硅薄膜層的厚度為

所述緩沖層的材料為氧化硅、氮化硅、或氧化硅與氮化硅的層疊組合；所述柵極的材料為鉬與鋁的層疊組合、或鉬與銅的層疊組合；所述柵極絕緣層的材料為氧化硅，厚度為所述氧化物半導(dǎo)體有源層的材料為銦鎵鋅氧化物，厚度為所述蝕刻阻擋層的材料為氧化硅；所述源極與漏極的材料為鉬與鋁的層疊組合、或鉬與銅的層疊組合。

本發(fā)明還提供一種氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法，包括：

提供襯底基板，在所述襯底基板上沉積緩沖層；

在所述緩沖層上制作出氧化物半導(dǎo)體tft；

在所述氧化物半導(dǎo)體tft上沉積第一氧化硅薄膜層，再沉積氮化硅薄膜層，所述第一氧化硅薄膜層與氮化硅薄膜層共同形成保護(hù)層；在保護(hù)層內(nèi)開(kāi)設(shè)過(guò)孔；

在所述保護(hù)層上沉積一層導(dǎo)電薄膜，并對(duì)該層導(dǎo)電薄膜進(jìn)行圖案化處理，形成像素電極。

所述氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法還包括在氮化硅薄膜層上沉積第二氧化硅薄膜層；所述保護(hù)層還包括所述第二氧化硅薄膜層。

在所述緩沖層上制作出氧化物半導(dǎo)體tft的過(guò)程按時(shí)間先后順序具體包括：

在所述緩沖層上沉積第一金屬層，并對(duì)第一金屬層做圖案化處理，形成柵極；

沉積柵極絕緣層；

沉積氧化物半導(dǎo)體薄膜，并對(duì)氧化物半導(dǎo)體薄膜做圖案化處理，對(duì)應(yīng)于柵極的上方形成氧化物半導(dǎo)體有源層；

沉積一層絕緣薄膜，并對(duì)該層絕緣薄膜進(jìn)行圖案化處理，形成遮蓋所述氧化物半導(dǎo)體有源層中部的蝕刻阻擋層；

沉積第二金屬層，并對(duì)第二金屬層做圖案化處理，形成分別接觸所述氧化物半導(dǎo)體有源層兩側(cè)的源極與漏極。

所述第一氧化硅薄膜層的厚度為所述氮化硅薄膜層的厚度為所述第二氧化硅薄膜層的厚度為

所述緩沖層的材料為氧化硅、氮化硅、或氧化硅與氮化硅的層疊組合；所述第一金屬層的材料為鉬與鋁的層疊組合、或鉬與銅的層疊組合；所述柵極絕緣層的材料為氧化硅，厚度為所述氧化物半導(dǎo)體薄膜的材料為銦鎵鋅氧化物，厚度為所述絕緣薄膜的材料為氧化硅；所述第二金屬層的材料為鉬與鋁的層疊組合、或鉬與銅的層疊組合。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)，在氧化物半導(dǎo)體tft基板的上部設(shè)置保護(hù)層，所述保護(hù)層至少包括第一氧化硅薄膜層、及覆蓋所述第一氧化硅薄膜層的氮化硅薄膜層，氮化硅薄膜層具有很好的致密性，使得所述保護(hù)層隔絕水汽的能力提高，能夠從tft基板的上部隔絕水汽滲透，更好地保護(hù)氧化物半導(dǎo)體有源層不受水汽侵入的影響，穩(wěn)定氧化物半導(dǎo)體tft的電學(xué)特性。本發(fā)明提供的一種氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法，在氧化物半導(dǎo)體tft基板的下部制作有緩沖層，上部制作有至少由第一氧化硅薄膜層與氮化硅薄膜層共同形成的保護(hù)層，使最終制得的氧化物半導(dǎo)體tft基板的下部與上部均能夠隔絕水汽滲透，保護(hù)氧化物半導(dǎo)體有源層不受水汽侵入的影響，從而使得氧化物半導(dǎo)體tft的電學(xué)特性穩(wěn)定。

附圖說(shuō)明

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為本發(fā)明的氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的示意圖；

圖2為本發(fā)明的氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的示意圖；

圖3為本發(fā)明的氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明提供一種氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)。圖1所示為本發(fā)明的氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例，包括襯底基板1、覆蓋所述襯底基板1的緩沖層2、設(shè)在所述緩沖層2上的氧化物半導(dǎo)體tftt、覆蓋所述氧化物半導(dǎo)體tftt的保護(hù)層5、以及設(shè)在所述保護(hù)層5上的像素電極6。

所述保護(hù)層5至少包括第一氧化硅薄膜層51、及覆蓋所述第一氧化硅薄膜層51的氮化硅(sinx)薄膜層52。

具體地：

所述襯底基板1優(yōu)選玻璃基板。

所述緩沖層2的材料為氧化硅、氮化硅、或氧化硅與氮化硅的層疊組合。

所述氧化物半導(dǎo)體tftt包括設(shè)在所述緩沖層2上的柵極31、覆蓋所述柵極31與緩沖層2的柵極絕緣層32、對(duì)應(yīng)于柵極31的上方設(shè)在柵極絕緣層32上的氧化物半導(dǎo)體有源層33、遮蓋所述氧化物半導(dǎo)體有源層33中部的蝕刻阻擋層34、及分別接觸所述氧化物半導(dǎo)體有源層33兩側(cè)的源極35與漏極36；所述保護(hù)層5內(nèi)開(kāi)設(shè)有過(guò)孔h，所述像素電極6經(jīng)所述過(guò)孔h接觸氧化物半導(dǎo)體tftt的漏極36，以形成像素電極6與漏極36的連接。

所述柵極31的材料為鉬(mo)與鋁(al)的層疊組合(如mo/al)、或鉬與銅的層疊組合(如mo/cu)。

所述柵極絕緣層32的材料為氧化硅，厚度為

所述氧化物半導(dǎo)體有源層33的材料優(yōu)選為銦鎵鋅氧化物，厚度為

所述蝕刻阻擋層34的材料為氧化硅。

所述源極35與漏極36的材料為鉬與鋁的層疊組合(如mo/al/mo)、或鉬與銅的層疊組合(如mo/cu/mo)。

所述第一氧化硅薄膜層51的厚度為

所述氮化硅薄膜層52的厚度為

所述像素電極6的材料優(yōu)選氧化銦錫(indiumtinoxide，ito)。

值得注意的是：與現(xiàn)有的僅包括單層氧化硅薄膜的保護(hù)層不同，在本發(fā)明的氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)中，所述保護(hù)層5至少包括第一氧化硅薄膜層51、及覆蓋所述第一氧化硅薄膜層51的氮化硅薄膜層52，由于氮化硅薄膜層52具有很好的致密性，使得所述保護(hù)層5隔絕水汽的能力提高，能夠在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上從tft基板的上部隔絕水汽滲透，更好地保護(hù)氧化物半導(dǎo)體有源層33不受水汽侵入的影響，穩(wěn)定氧化物半導(dǎo)體tft的電學(xué)特性。

圖2所示為本發(fā)明的氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例，其與上述第一實(shí)施例的差別在于所述保護(hù)層5還包括覆蓋所述氮化硅薄膜層52的第二氧化硅薄膜層53，進(jìn)一步地，所述第二氧化硅薄膜層53的厚度為其它均與第一實(shí)施例相同，此處不再贅述。

請(qǐng)參閱圖3，結(jié)合圖1與圖2，本發(fā)明還提供一種氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟s1、提供襯底基板1，在所述襯底基板1上沉積緩沖層2。

具體地，所述襯底基板1優(yōu)選玻璃基板；所述緩沖層2的材料為氧化硅、氮化硅、或氧化硅與氮化硅的層疊組合。

步驟s2、在所述緩沖層2上制作出氧化物半導(dǎo)體tftt。

所述步驟s2包括以下詳細(xì)步驟：

步驟s21、在所述緩沖層2上沉積第一金屬層，并對(duì)第一金屬層做圖案化處理，形成柵極31。

具體地，所述第一金屬層的材料為鉬與鋁的層疊組合(如mo/al)、或鉬與銅的層疊組合(如mo/cu)。

步驟s22、沉積柵極絕緣層32。

具體地，所述柵極絕緣層32的材料為氧化硅，厚度為

步驟s23、沉積氧化物半導(dǎo)體薄膜，并對(duì)氧化物半導(dǎo)體薄膜做圖案化處理，對(duì)應(yīng)于柵極31的上方形成氧化物半導(dǎo)體有源層33。

具體地，所述氧化物半導(dǎo)體薄膜的材料優(yōu)選為銦鎵鋅氧化物，厚度為

步驟s24、沉積一層絕緣薄膜，并對(duì)該層絕緣薄膜進(jìn)行圖案化處理，形成遮蓋所述氧化物半導(dǎo)體有源層33中部的蝕刻阻擋層34。

具體地，所述絕緣薄膜的材料為氧化硅。

步驟s25、沉積第二金屬層，并對(duì)第二金屬層做圖案化處理，形成分別接觸所述氧化物半導(dǎo)體有源層33兩側(cè)的源極35與漏極36。

具體地，所述第二金屬層的材料為鉬與鋁的層疊組合(如mo/al/mo)、或鉬與銅的層疊組合(如mo/cu/mo)。

步驟s3、可如圖1所示，先在所述氧化物半導(dǎo)體tftt上沉積第一氧化硅薄膜層51，再沉積氮化硅薄膜層52，由所述第一氧化硅薄膜層51與氮化硅薄膜層52共同形成保護(hù)層5；也可根據(jù)實(shí)際需要，如圖2所示，在氮化硅薄膜層52上繼續(xù)沉積第二氧化硅薄膜層53，由所述第一氧化硅薄膜層51、氮化硅薄膜層52、與第二氧化硅薄膜層53共同形成保護(hù)層5；然后在保護(hù)層5內(nèi)開(kāi)設(shè)過(guò)孔h。

具體地，所述第一氧化硅薄膜層51的厚度為所述氮化硅薄膜層52的厚度為所述第二氧化硅薄膜層53的厚度為

步驟s4、在所述保護(hù)層5上沉積一層導(dǎo)電薄膜，并對(duì)該層導(dǎo)電薄膜進(jìn)行圖案化處理，形成像素電極6。

具體地，所述導(dǎo)電薄膜的材料優(yōu)選氧化銦錫；所述像素電極6經(jīng)所述過(guò)孔h接觸氧化物半導(dǎo)體tftt的漏極36，以形成像素電極6與漏極36的連接。

上述氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法，在氧化物半導(dǎo)體tft基板的下部制作有緩沖層2，上部制作有至少由第一氧化硅薄膜層51與氮化硅薄膜層52共同形成的保護(hù)層5，氮化硅薄膜層52具有很好的致密性，使最終制得的氧化物半導(dǎo)體tft基板的下部與上部均能夠隔絕水汽滲透，保護(hù)氧化物半導(dǎo)體有源層33不受水汽侵入的影響，從而使得氧化物半導(dǎo)體tft的電學(xué)特性穩(wěn)定。

綜上所述，本發(fā)明的氧化物半導(dǎo)體tft基板結(jié)構(gòu)，在氧化物半導(dǎo)體tft基板的上部設(shè)置保護(hù)層，所述保護(hù)層至少包括第一氧化硅薄膜層、及覆蓋所述第一氧化硅薄膜層的氮化硅薄膜層，氮化硅薄膜層具有很好的致密性，使得所述保護(hù)層隔絕水汽的能力提高，能夠在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上從tft基板的上部隔絕水汽滲透，更好地保護(hù)氧化物半導(dǎo)體有源層不受水汽侵入的影響，穩(wěn)定氧化物半導(dǎo)體tft的電學(xué)特性。本發(fā)明的氧化物半導(dǎo)體tft基板的制作方法，在氧化物半導(dǎo)體tft基板的下部制作有緩沖層，上部制作有至少由第一氧化硅薄膜層與氮化硅薄膜層共同形成的保護(hù)層，使最終制得的氧化物半導(dǎo)體tft基板的下部與上部均能夠隔絕水汽滲透，保護(hù)氧化物半導(dǎo)體有源層不受水汽侵入的影響，從而使得氧化物半導(dǎo)體tft的電學(xué)特性穩(wěn)定。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。