本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法，以及包括該有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置。

背景技術(shù)：

在制備有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的過(guò)程中，為了降低成本和提高生產(chǎn)效率，通常在制備過(guò)程中包括若干次測(cè)試工藝。

其中，壽命測(cè)試單元LTC(Life Test Cell)結(jié)構(gòu)作為有效的測(cè)試手段，可以很好的驗(yàn)證OLED的后續(xù)單元實(shí)驗(yàn)及發(fā)光壽命等測(cè)試，以及整體的產(chǎn)品流片(EN，即Evaluation Notice)測(cè)試評(píng)價(jià)。因此，在很多OLED顯示裝置的制作過(guò)程中均包括了制備具有LTC結(jié)構(gòu)的背板的步驟。目前蝕刻停止層ESL(Etch Stop Layer)結(jié)構(gòu)背板所搭配的LTC結(jié)構(gòu)在后續(xù)的信賴性評(píng)價(jià)(RA，即reliability test)中容易出現(xiàn)發(fā)光區(qū)域內(nèi)縮嚴(yán)重的現(xiàn)象，從而影響產(chǎn)品良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本發(fā)明的各方面提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法，以及包括該有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)包括：基底；平坦化層，形成在所述基底上；第一電極層，形成在所述平坦化層上；有機(jī)發(fā)光層，形成在所述第一電極層上；以及第二電極層，形成在所述有機(jī)發(fā)光層上，其中，所述第一電極層的對(duì)應(yīng)于所述平坦化層的邊緣的部分具有通孔，所述通孔在平面圖中的位置位于所述有機(jī)發(fā)光層以外的區(qū)域中。

可選地，所述平坦化層的邊緣部分的坡角小于或等于45度。

可選地，所述平坦化層包含硅基樹脂材料。

可選地，所述平坦化層的厚度為1.5μm到2.5μm。

可選地，有機(jī)發(fā)光二極管還包括：像素限定層，形成在所述第二電極層與所述第一電極層之間，并且圍繞所述有機(jī)發(fā)光層。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種顯示裝置，包括：顯示面板，包括根據(jù)本發(fā)明任意實(shí)施例所述的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)；掃描驅(qū)動(dòng)器，提供掃描信號(hào)至所述顯示面板；以及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，提供數(shù)據(jù)信號(hào)至所述顯示面板。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，一種制備有機(jī)發(fā)光二極管的方法，包括：在基底上形成平坦化層；在所述平坦化層上形成第一電極層；在所述第一電極層的對(duì)應(yīng)于所述平坦化層的邊緣的部分形成通孔；在所述第一電極層上形成有機(jī)發(fā)光層；在所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極層，其中，所述通孔形成為使得所述通孔在平面圖中的位置位于所述有機(jī)發(fā)光層以外的區(qū)域中。

可選地，所述平坦化層的邊緣部分的坡角小于或等于45度。

可選地，所述平坦化層包含硅基樹脂材料，且厚度為1.5μm到2.5μm。

可選地，該方法還包括：在形成所述有機(jī)發(fā)光層之前，在第一電極層上形成像素限定層，所述有機(jī)發(fā)光層形成在所述像素限定層中。

根據(jù)本發(fā)明的OLED包括：基底；平坦化層，形成在所述基底上；第一電極層，形成在所述平坦化層上；有機(jī)發(fā)光層，形成在所述第一電極層上；第二電極層，形成在所述有機(jī)發(fā)光層上，其中，所述第一電極層的對(duì)應(yīng)于所述平坦化層的邊緣的部分具有通孔。因此，能夠提供一種暗開孔的結(jié)構(gòu)，可以有效地解決內(nèi)縮的情況，并且不會(huì)增加制作過(guò)程中的工藝復(fù)雜度。

附圖說(shuō)明

附圖是用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)比較例的OLED的示意性剖視圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的OLED的示意性剖視圖；

圖3至圖7是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例OLED的制備方法中各個(gè)階段的示意性剖視圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本公開的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本公開所提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管及其制備方法，以及包括該有機(jī)發(fā)光二極管的顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)比較例的OLED的示意性剖視圖。參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)比較例的OLED 100包括：基底110；平坦化層120，形成在所述基底110上；第一電極層130，形成在所述平坦化層120上；有機(jī)發(fā)光層140，形成在所述第一電極層130上；第二電極層150，形成在所述有機(jī)發(fā)光層140上。

如圖1所示，根據(jù)該比較例的OLED能夠形成LTC結(jié)構(gòu)，因此能夠在此基礎(chǔ)上進(jìn)行LTC測(cè)試。

另外，如圖1中所示，該OLED還可以包括像素限定層160，其可以形成在所述第二電極層150與所述第一電極層130之間，并且圍繞所述有機(jī)發(fā)光層140。像素限定層160可以用于限定OLED的發(fā)光區(qū)域。即，被像素限定層160圍繞的區(qū)域可以形成有有機(jī)發(fā)光層140，因此對(duì)應(yīng)于該OLED的發(fā)光區(qū)域。

圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的OLED的示意性剖視圖。參照?qǐng)D2，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)比較例的OLED 200包括：基底210；平坦化層220，形成在所述基底210上；第一電極層230，形成在所述平坦化層220上；有機(jī)發(fā)光層240，形成在所述第一電極層230上；第二電極層250，形成在所述有機(jī)發(fā)光層240上。如圖2所示，OLED 200與根據(jù)本發(fā)明的比較例的OLED 100之間的區(qū)別主要在于：所述第一電極層230的對(duì)應(yīng)于所述平坦化層220的邊緣的部分具有通孔235。

通孔235形成在平坦化層220的邊緣部分中，因此一方面能夠在LTC結(jié)構(gòu)中形成暗開孔，從而解決發(fā)光結(jié)構(gòu)內(nèi)縮的問(wèn)題，另一方面能夠避免開孔對(duì)LTC的發(fā)光區(qū)產(chǎn)生破壞。

另外，通孔235形成在平坦化層220的邊緣部分中，因此，當(dāng)在平面圖中觀察(即，沿圖2中從上向下的方向觀察)時(shí)，通孔235的位置位于有機(jī)發(fā)光層240以外的區(qū)域中。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，平坦化層220的邊緣部分的坡角小于或等于45度。由于平坦化層的邊緣部分的坡角較小(例如，小于45度)，因此能夠獲得較長(zhǎng)的坡面。如圖2所示，平坦化層220的邊緣部分的坡角表示平坦化層的傾斜的邊緣部分與底面所在平面之間的夾角。在這種情況下，能夠有助于在該邊緣部分所對(duì)應(yīng)的第一電極層230中形成通孔235。

在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，平坦化層220可以由樹脂材料形成。例如，可以使用硅基樹脂材料在形成平坦化層220。與現(xiàn)有技術(shù)中常用的平坦化層材料(例如JEM608)相比，使用硅基樹脂材料形成的平坦化層能夠更容易地形成較小的坡角，例如，能夠更容易地形成小于或等于45度的坡角。

更具體地，在一個(gè)實(shí)施例中，平坦化層220被形成為具有大約2μm的厚度。在這種情況下，通過(guò)調(diào)節(jié)形成平坦化層220的工藝參數(shù)，例如調(diào)節(jié)紫外漂白(UV bleaching)參數(shù)，可以容易地將硅基樹脂層的坡角形成為26度至88度的范圍內(nèi)。與之相反，在例如傳統(tǒng)的JEM608的情況下，同樣將平坦化層220被形成為具有大約2μm的厚度時(shí)，通過(guò)調(diào)整工藝參數(shù)，僅能夠?qū)⑵教够瘜?20的坡角形成為40度到88度的范圍內(nèi)。

因此，根據(jù)該實(shí)施例，利用硅基樹脂來(lái)形成平坦化層220，能夠更容易地形成坡角小于或等于45度的平坦化層。

需要注意的是，雖然在上述實(shí)施例中形成了厚度為大約2μm的平坦化層220，但是本發(fā)明不限于此，平坦化層的厚度可以根據(jù)實(shí)際需要來(lái)改變。例如，根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例，平坦化層220可以具有大約1.5μm到大約2.5μm的厚度。

另外，如圖2中所示，OLED 200還可以包括像素限定層260，其可以形成在所述第二電極層250與所述第一電極層230之間，并且圍繞所述有機(jī)發(fā)光層240。像素限定層260可以用于限定OLED的發(fā)光區(qū)域。即，被像素限定層260圍繞的區(qū)域可以形成有有機(jī)發(fā)光層240，因此對(duì)應(yīng)于該OLED的發(fā)光區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，OLED 200可以被形成在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置中。具體地說(shuō)，在該實(shí)施例中，OLED顯示裝置可以包括：顯示面板，包括如前述任意實(shí)施例所述的OLED；掃描驅(qū)動(dòng)器，向顯示面板提供掃描信號(hào)；以及數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，向顯示面板提供數(shù)據(jù)信號(hào)。

在該實(shí)施例中，OLED顯示裝置可以包括各種類型的OLED顯示裝置，例如平板顯示裝置、柔性顯示裝置等。并且該OLED顯示裝置可以是集成到其它裝置中的具有顯示圖像的功能的部件或子模塊。例如，該OLED顯示裝置可以是諸如顯示器、電視機(jī)、移動(dòng)電話、筆記本電腦、電子書、平板電腦、智能手表、可穿戴設(shè)備、VR設(shè)備等各種顯示裝置。

下面將參照?qǐng)D3至圖7詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED 200的制備方法。圖3至圖7是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例OLED的制備方法中各個(gè)階段的示意性剖視圖。

參照?qǐng)D3，首先，在基底210上形成平坦化層220。

基底210可以是本領(lǐng)域常用的基底，例如玻璃基底、塑料基底、柔性基底等，基底210上可以利用諸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等形成鈍化層，然而本發(fā)明不限于此。基底210也可以是包括了其它結(jié)構(gòu)的基底結(jié)構(gòu)，例如，基底210還可以包括形成有TFT等電路結(jié)構(gòu)的陣列基板，TFT電路結(jié)構(gòu)上可以形成有鈍化層以使TFT結(jié)構(gòu)與OLED分隔開。相應(yīng)地，基底210中還可以包括其它電路結(jié)構(gòu)或基板結(jié)構(gòu)，在此將不再詳細(xì)描述。

平坦化層220的邊緣部分的坡角小于或等于45度。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，平坦化層220可以由樹脂材料形成。例如，可以使用硅基樹脂材料在形成平坦化層220。與現(xiàn)有技術(shù)中常用的平坦化層材料(例如JEM608)相比，使用硅基樹脂材料形成的平坦化層能夠更容易地形成較小的坡角，例如，能夠更容易地形成小于或等于45度的坡角。

平坦化層220的更具體的描述可以參加參照?qǐng)D2的實(shí)施例中對(duì)平坦化層220的描述，因此在這里將不再重復(fù)。

參照?qǐng)D4，在基底210和平坦化層220上形成第一電極層230。第一電極層230可以由透明導(dǎo)電氧化物(TCO)來(lái)形成，例如，可以使用氧化銦錫(ITO)來(lái)形成第一電極層230。然而本發(fā)明不限于此，其它常用的電極材料也可以被用于形成第一電極層230。

參照?qǐng)D5，在第一電極層230的對(duì)應(yīng)于所述平坦化層220的邊緣的部分形成通孔235。通孔235形成在平坦化層220的邊緣部分中，因此一方面能夠在LTC結(jié)構(gòu)中形成暗開孔，從而解決發(fā)光結(jié)構(gòu)內(nèi)縮的問(wèn)題，另一方面能夠避免開孔對(duì)LTC的發(fā)光區(qū)產(chǎn)生破壞。

另外，通孔235形成在平坦化層220的邊緣部分中，因此，當(dāng)在平面圖中觀察(即，沿圖5中從上向下的方向觀察)時(shí)，通孔235的位置位于有機(jī)發(fā)光層(將在后續(xù)步驟中形成)以外的區(qū)域中。

通孔235可由不同的方法形成。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，可以使用光刻工藝來(lái)形成通孔350。具體地，可以通過(guò)在第一電極層230上涂覆光致抗蝕劑，然后利用光掩模對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行曝光、顯影后，形成對(duì)應(yīng)于通孔350的光刻圖案。然后，對(duì)第一電極層230進(jìn)行蝕刻，從而去除第一電極層230的對(duì)應(yīng)于通孔350的部分，在第一電極層230中形成第一通孔235。應(yīng)當(dāng)理解，上述光刻工藝可以是單獨(dú)執(zhí)行的光刻工藝，也可以是與形成其它圖案的工藝過(guò)程中一并執(zhí)行的光刻工藝。

另外，在另一個(gè)實(shí)施例中，也可以使用其他工藝來(lái)形成通孔350。例如，在形成第一電極層230后，可以使用諸如激光切割等工藝來(lái)去除第一電極層230的對(duì)應(yīng)于通孔235的部分，從而在第一電極層230中形成通孔235。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，雖然附圖中僅示出了兩個(gè)通孔235，然而本發(fā)明并不限制通孔235的數(shù)量，在其它實(shí)施例中，根據(jù)需要，也可以形成1個(gè)或更多個(gè)通孔235。

可選地，參照?qǐng)D5，可以在第一電極層230上形成像素限定層260，像素限定層260可以用于限定OLED的發(fā)光區(qū)域。即，被像素限定層260圍繞的區(qū)域可以形成有有機(jī)發(fā)光層，因此對(duì)應(yīng)于該OLED的發(fā)光區(qū)域。另外，如圖5所示，當(dāng)在形成通孔235之后形成像素限定層260時(shí)，像素限定層260的材料可以填充到通孔235中。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，像素限定層260不是必須的，根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例，也可以不形成像素限定層260。

參照?qǐng)D6，在第一電極層230上形成有機(jī)發(fā)光層240。有機(jī)發(fā)光層240包含有機(jī)發(fā)光材料，當(dāng)電壓被施加到有機(jī)發(fā)光層240時(shí)，有機(jī)發(fā)光層能夠發(fā)出具有特定波長(zhǎng)的光?？梢酝ㄟ^(guò)蒸鍍的方式在第一電極層230上形成有機(jī)發(fā)光層240，然而本發(fā)明不限于此。

如圖6中所示，當(dāng)?shù)谝浑姌O層230上形成有像素限定層260時(shí)，有機(jī)發(fā)光層240可以被形成在被像素限定層260所圍繞的區(qū)域中，從而形成該OLED的發(fā)光區(qū)域。

參照?qǐng)D7，在有機(jī)發(fā)光層240上形成第二電極層250。如圖7所示，通過(guò)上述步驟，形成了具有LTC結(jié)構(gòu)的OLED，因此能夠在LTC測(cè)試中對(duì)該OLED進(jìn)行測(cè)試。

另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，雖然本發(fā)明中沒(méi)有明確描述，但對(duì)于LTC測(cè)試合格的OLED 200，還可以經(jīng)過(guò)封裝等工藝最終形成為可出廠的產(chǎn)品。

應(yīng)該注意的是，已經(jīng)參照附圖詳細(xì)地描述了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED及其制備方法以及包括該OLED的顯示裝置，然而本發(fā)明的OLED的具體結(jié)構(gòu)并不局限于附圖中具體示出的結(jié)構(gòu)，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實(shí)際需要，能夠在本發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)對(duì)OLED的具體結(jié)構(gòu)以及制備方法的具體實(shí)現(xiàn)方式進(jìn)行調(diào)整。因此，附圖僅僅是示例性的，而不意圖以任何方式限制本發(fā)明的具體實(shí)現(xiàn)方式。

根據(jù)本發(fā)明，提供了一種OLED，包括：基底；平坦化層，形成在所述基底上；第一電極層，形成在所述平坦化層上；有機(jī)發(fā)光層，形成在所述第一電極層上；第二電極層，形成在所述有機(jī)發(fā)光層上，其中，所述第一電極層的對(duì)應(yīng)于所述平坦化層的邊緣的部分具有通孔。因此，能夠提供一種暗開孔的結(jié)構(gòu)，可以有效地解決內(nèi)縮的情況，并且不會(huì)增加制作過(guò)程中的工藝復(fù)雜度。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。